JP2870410B2 - 真空処理装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は真空処理装置に係り、特
にガス流れ改善による均一性向上、真空処理装置内面の
清掃の容易化によるプロセス再現性向上を行うのに好適
な真空処理装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の仕切弁を有した真空処理装置は、
図２に示すように真空処理室の側壁に平坦面を設けて、
仕切弁を当接するようになっており、このため真空処理
室の側壁に突出した平面部分を必要としていた。ここ
で、１は真空処理室、２はガス配管、３はバルブ、４は
排気ポンプ、５は試料、６は試料台、７ａはＯリング、
８ａは仕切弁、９ａ，９ｂはエアーシリンダである。ま
た、図３に示すような円形のベローズ１０を用いて真空
処理室１内で上下動させて真空処理室内空間を開閉する
ようになっており、このため仕切弁にベローズが必要で
あった。ここで、７ｂはＯリング、８ｂは仕切弁、９ｃ
はエアーシリンダ、１０はベローズである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】前者に示した従来の仕
切弁の場合、図２（ａ）に示すように仕切弁８ａ部が真
空処理室１に対して突出しており、真空処理室形状は試
料５の垂直中心軸に対し対称とはならず、ガス流れの均
一性が真空処理室形状により悪化し、プロセス性能が悪
くなるという問題があった。また、後者に示した従来の
仕切弁の場合、試料５の垂直中心軸に対しての対称性は
確保できるが、プラズマ処理によって発生した異物がベ
ローズ１０の凹凸面に付着し、洗浄しても取り去ること
が困難なため、該異物が試料表面に付着し問題を生じる
恐れがある。

【０００４】本発明の目的は、真空処理室内でのガス流
れの均一性を確保しプロセス性能を向上させるととも
に、試料表面異物量を低減しうる真空処理装置を提供す
るにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的は、真空処理室
内に処理ガスを導入する手段と、処理ガスを真空処理室
外に排気する排気手段と、真空処理室と外部とを仕切る
仕切弁を有し、処理室内に設置した試料を処理する真空
処理装置において、仕切弁が中空円筒状で真空処理室の
円筒壁の一部を構成するものとし、円筒真空処理室全周
に渡り真空処理室軸方向に移動可能にして、真空処理室
を開閉可能に構成することにより、達成される。

【０００６】

【作用】仕切弁を中空円筒状にして真空処理室の円筒壁
の一部を構成させることによって、真空処理室が試料垂
直軸に対し対称となるので、ガス流れの均一性が悪化せ
ず、プロセス性能つまり均一性が向上する。また、ベロ
ーズを使用しないので、洗浄において真空処理室内の洗
浄と同様な洗浄が可能となり、試料表面上の異物量が低
減される。

【０００７】

【実施例】以下、本発明の実施例を図１を用いて説明す
る。図１の構成は円筒形状の真空処理室１の底面の中心
に円柱形状の試料台６があり、その上に試料５が置かれ
ている。真空処理室１の円筒壁には試料５を出入させる
開口１１があり、開口１１の上下２ヶ所に径の異なるシ
ート面があり、このシート面に対しＯリング７を持つ仕
切弁８がある。前記仕切弁８は真空処理室１の内径と同
じ内径で、仕切弁８の中心軸に対称に配置し２つのエア
ーシリンダ９により上下方向にに駆動される。バルブ３
はガス配管２に接続され、ガス配管２は真空処理室１上
方の軸心に接続される。

【０００８】上記構成の装置における機器の動作は、仕
切弁８と真空処理室１との開口部１１より図示を省略し
た公知の搬送手段により試料５が導入され、試料台６の
上に配置される。次にエアーシリンダ９によりＯリング
７が真空処理室１に接触するまで仕切弁８が上昇し、真
空処理室１は外部雰囲気から遮断される。さらに排気ポ
ンプ４により真空排気され、バルブ３を開くことにより
ガス配管２を通り処理ガスが導入される。仕切弁８は試
料５の垂直中心軸に対し対称で、ガス流れに対し真空処
理室１と同断面形状であるので、ガスの流れの均一性に
対し悪影響は与えない。また、仕切弁８表面に付着物が
付いた場合でも、真空処理室１と同一材料で仕切弁８を
構成し、かつ、真空処理室１表面と同一形状に形成して
あるので清掃は容易であり、試料５表面に付着する異物
のうち仕切弁８からの異物量は従来の仕切弁方式に比べ
より低減できる。もちろん、仕切弁８内側にカバーを付
ければカバーの交換により、より一層試料５表面に付着
する異物量を低減できる。

【０００９】特に真空処理装置である半導体製造装置に
おいては、試料表面処理の均一性向上、試料表面の異物
低減が重要であり、さらにドライエッチング装置、ＣＶ
Ｄ装置においては均一性向上、異物低減、スパッタ装置
においては異物低減が特に重要であるので、本実施例を
これらに適用することにより、これに装置の課題を解決
することができる。

【００１０】

【発明の効果】本発明によれば、真空処理断面形状を円
筒にすることが可能となり、ガスの流れの均一性を確保
することができるのでプロセス性能を向上させることが
できる。また、ベローズを使用せずに円筒状の仕切弁を
構成できるので、清掃が容易で試料表面の異物を低減す
ることができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例である真空処理装置を示す縦
断面図である。

【図２】従来の真空処理装置を示す縦断面図である。

【図３】従来の真空処理装置の他の例を示す縦断面図で
ある。

【符号の説明】

１・・・真空処理室、２・・・ガス配管、３・・・バルブ、４・・・
排気ポンプ、５・・・試料、６・・・試料台、７・・・Ｏリン
グ、８・・・仕切弁、９・・・エアーシリンダ、１１・・・開口
部。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−226205（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−136246（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01L 21/02

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】真空処理室内に処理ガスを導入する手段
   と、前記処理ガスを前記真空処理室外に排気する排気手
   段と、前記真空処理室と外部とを仕切る仕切弁を有し、
   前記処理室内に設置した試料を処理する真空処理装置に
   おいて、前記仕切弁構造が中空円筒状で前記真空処理室
   の円筒壁の一部を構成し、円筒真空処理室全周に渡り前
   記真空処理室軸方向に移動することにより、前記真空処
   理室を開閉可能に構成したことを特徴とする真空処理装
   置。
2. 【請求項２】請求項１記載において、前記仕切弁は前記
   真空処理室軸方向の上下に径の異なるシール部を２ヶ所
   有する真空処理装置。
3. 【請求項３】請求項１記載において、前記真空処理室は
   プラズマを用いた処理室である真空処理装置。