JPH05106042A - 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法Info
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- JPH05106042A JPH05106042A JP27090291A JP27090291A JPH05106042A JP H05106042 A JPH05106042 A JP H05106042A JP 27090291 A JP27090291 A JP 27090291A JP 27090291 A JP27090291 A JP 27090291A JP H05106042 A JPH05106042 A JP H05106042A
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- Japan
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- semiconductor device
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 チャンバ内を真空に保持する半導体装置の製
造装置の改良及び半導体装置の製造方法の改良に関し、
簡単且つ容易に設けることができ、クライオポンプによ
る吸着真空工程に要する時間を短縮することが可能とな
る半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法の提
供を目的とする。 【構成】 チャンバ１内の空気をロータリーポンプ６及
びクライオポンプ７を用いて排気し、このチャンバ１内
を真空に保持して被処理基板３の処理を行う半導体装置
の製造装置において、このチャンバ１の内壁にシール材
12を介して周辺部が密着し、このチャンバ１内を移動手
段13により移動可能な可動バルブ10と、この可動バルブ
10に内蔵される開閉可能なバルブ11とを具備するように
構成する。
造装置の改良及び半導体装置の製造方法の改良に関し、
簡単且つ容易に設けることができ、クライオポンプによ
る吸着真空工程に要する時間を短縮することが可能とな
る半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法の提
供を目的とする。 【構成】 チャンバ１内の空気をロータリーポンプ６及
びクライオポンプ７を用いて排気し、このチャンバ１内
を真空に保持して被処理基板３の処理を行う半導体装置
の製造装置において、このチャンバ１の内壁にシール材
12を介して周辺部が密着し、このチャンバ１内を移動手
段13により移動可能な可動バルブ10と、この可動バルブ
10に内蔵される開閉可能なバルブ11とを具備するように
構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チャンバ内を真空に保
持する半導体装置の製造装置の改良及び半導体装置の製
造方法の改良に関するものである。
持する半導体装置の製造装置の改良及び半導体装置の製
造方法の改良に関するものである。
【０００２】チャンバ内を真空に保持して被処理基板の
処理を行う半導体装置においては、装置の保守作業や付
帯作業を行う場合にはチャンバ内に空気を導入して真空
を破壊しなければならないが、作業終了後、チャンバ内
を真空にして装置を稼働状態にするのに要する時間を可
能な限り短縮することが要求されている。
処理を行う半導体装置においては、装置の保守作業や付
帯作業を行う場合にはチャンバ内に空気を導入して真空
を破壊しなければならないが、作業終了後、チャンバ内
を真空にして装置を稼働状態にするのに要する時間を可
能な限り短縮することが要求されている。
【０００３】以上のような状況から、保守作業や付帯作
業終了後、チャンバ内を真空にして装置を稼働状態にす
るのに要する時間を、可能な限り短縮することができる
半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法が要望
されている。
業終了後、チャンバ内を真空にして装置を稼働状態にす
るのに要する時間を、可能な限り短縮することができる
半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法が要望
されている。
【０００４】
【従来の技術】従来の半導体装置の製造装置をスパッタ
装置の場合について図３により詳細に説明する。
装置の場合について図３により詳細に説明する。
【０００５】図３は従来の半導体装置の製造装置を示す
図である。図に示すようにターゲット２と被処理基板３
が設けられているチャンバ１は、荒引き用バルブ４と荒
引き用配管５とを介してロータリーポンプ６に接続され
ており、この荒引き用配管５とは別にチャンバ１は真空
バルブ８とクライオポンプ７とバルブ９を介してこのロ
ータリーポンプ６と接続されている。
図である。図に示すようにターゲット２と被処理基板３
が設けられているチャンバ１は、荒引き用バルブ４と荒
引き用配管５とを介してロータリーポンプ６に接続され
ており、この荒引き用配管５とは別にチャンバ１は真空
バルブ８とクライオポンプ７とバルブ９を介してこのロ
ータリーポンプ６と接続されている。
【０００６】このような半導体装置の製造装置のチャン
バ１内を真空にするには、まず真空バルブ８を閉じ、荒
引き用バルブ４とバルブ９を開いてロータリーポンプ６
を用いてチャンバ１及びクライオポンプ７内の空気を荒
引きする。
バ１内を真空にするには、まず真空バルブ８を閉じ、荒
引き用バルブ４とバルブ９を開いてロータリーポンプ６
を用いてチャンバ１及びクライオポンプ７内の空気を荒
引きする。
【０００７】チャンバ１及びクライオポンプ７内の内部
圧力がクライオポンプ７により吸着真空を行える圧力に
低下すれば、バルブ９と荒引き用バルブ４を閉じ、真空
バルブ８を開いてクライオポンプ７を用いてチャンバ１
内の気体分子を吸着してチャンバ１の室内圧を超真空に
している。
圧力がクライオポンプ７により吸着真空を行える圧力に
低下すれば、バルブ９と荒引き用バルブ４を閉じ、真空
バルブ８を開いてクライオポンプ７を用いてチャンバ１
内の気体分子を吸着してチャンバ１の室内圧を超真空に
している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来の半
導体装置の製造装置においては、チャンバ内を大気圧に
して保守作業や付帯作業を行った後、チャンバの内壁に
付着した空気を除去するためにチャンバの壁をヒータ等
により加熱して吸着されている空気を放出させている
が、このような処理をしてもチャンバ内を真空にして装
置を稼働状態にするのには長時間が必要であるという問
題点があった。
導体装置の製造装置においては、チャンバ内を大気圧に
して保守作業や付帯作業を行った後、チャンバの内壁に
付着した空気を除去するためにチャンバの壁をヒータ等
により加熱して吸着されている空気を放出させている
が、このような処理をしてもチャンバ内を真空にして装
置を稼働状態にするのには長時間が必要であるという問
題点があった。
【０００９】本発明は以上のような状況から、簡単且つ
容易に設けることができ、クライオポンプによる吸着真
空工程に要する時間を短縮することが可能となる半導体
装置の製造装置及び半導体装置の製造方法の提供を目的
としたものである。
容易に設けることができ、クライオポンプによる吸着真
空工程に要する時間を短縮することが可能となる半導体
装置の製造装置及び半導体装置の製造方法の提供を目的
としたものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造装置は、チャンバ内の空気をロータリーポンプ及びク
ライオポンプを用いて排気し、このチャンバ内を真空に
保持して被処理基板の処理を行う半導体装置の製造装置
において、このチャンバの内壁にシール材を介して周辺
部が密着し、このチャンバ内を移動手段により移動可能
な可動バルブと、この可動バルブに内蔵される開閉可能
なバルブとを具備するように構成する。
造装置は、チャンバ内の空気をロータリーポンプ及びク
ライオポンプを用いて排気し、このチャンバ内を真空に
保持して被処理基板の処理を行う半導体装置の製造装置
において、このチャンバの内壁にシール材を介して周辺
部が密着し、このチャンバ内を移動手段により移動可能
な可動バルブと、この可動バルブに内蔵される開閉可能
なバルブとを具備するように構成する。
【００１１】本発明の半導体装置の製造方法は、上記の
半導体装置の製造装置を用いる半導体装置の製造方法で
あって、この可動バルブに内蔵される開閉可能なバルブ
を開いた状態で、このチャンバと荒引き用配管と荒引き
用バルブとを介して接続されているこのロータリーポン
プを用いる真空荒引き工程と、この可動バルブに内蔵さ
れる開閉可能なバルブを閉じた状態で、このチャンバと
真空バルブを介して接続されているこのクライオポンプ
の方向に、この移動手段を用いてこの可動バルブを接近
させてこのクライオポンプを用いて行う吸着真空引き工
程とを含む真空排気工程により真空に保持されているこ
のチャンバ内においてこの被処理基板の処理を行うよう
に構成する。
半導体装置の製造装置を用いる半導体装置の製造方法で
あって、この可動バルブに内蔵される開閉可能なバルブ
を開いた状態で、このチャンバと荒引き用配管と荒引き
用バルブとを介して接続されているこのロータリーポン
プを用いる真空荒引き工程と、この可動バルブに内蔵さ
れる開閉可能なバルブを閉じた状態で、このチャンバと
真空バルブを介して接続されているこのクライオポンプ
の方向に、この移動手段を用いてこの可動バルブを接近
させてこのクライオポンプを用いて行う吸着真空引き工
程とを含む真空排気工程により真空に保持されているこ
のチャンバ内においてこの被処理基板の処理を行うよう
に構成する。
【００１２】
【作用】即ち本発明においては、可動バルブに内蔵され
ているバルブを開いた状態で、まずチャンバと荒引き用
配管と荒引き用バルブとを介して接続されているこのロ
ータリーポンプを用いて荒引き真空排気を行い、ついで
この可動バルブに内蔵されているバルブを閉じた状態
で、このチャンバと真空バルブを介して接続されている
このクライオポンプの方向に移動手段を用いてこの可動
バルブを接近させ、この状態でこのクライオポンプを用
いて吸着真空引きを行うから、この可動バルブとクライ
オポンプの壁面との間の狭い空間に残存する気体の粒子
が集められるので、クライオポンプによる吸着真空に要
する時間を著しく短縮することが可能となる。
ているバルブを開いた状態で、まずチャンバと荒引き用
配管と荒引き用バルブとを介して接続されているこのロ
ータリーポンプを用いて荒引き真空排気を行い、ついで
この可動バルブに内蔵されているバルブを閉じた状態
で、このチャンバと真空バルブを介して接続されている
このクライオポンプの方向に移動手段を用いてこの可動
バルブを接近させ、この状態でこのクライオポンプを用
いて吸着真空引きを行うから、この可動バルブとクライ
オポンプの壁面との間の狭い空間に残存する気体の粒子
が集められるので、クライオポンプによる吸着真空に要
する時間を著しく短縮することが可能となる。
【００１３】
【実施例】以下図１〜図２により本発明の一実施例をス
パッタ装置の場合について詳細に説明する。
パッタ装置の場合について詳細に説明する。
【００１４】図１は本発明による一実施例の半導体装置
の製造装置のロータリーポンプによる真空荒引き状態を
示す図、図２は本発明による一実施例の半導体装置の製
造装置のクライオポンプによる吸着真空引き状態を示す
図である。
の製造装置のロータリーポンプによる真空荒引き状態を
示す図、図２は本発明による一実施例の半導体装置の製
造装置のクライオポンプによる吸着真空引き状態を示す
図である。
【００１５】図１に示すようにターゲット２と被処理基
板３が設けられているチャンバ１は、荒引き用バルブ４
と荒引き用配管５とを介してロータリーポンプ６に接続
されており、この荒引き用配管５とは別にチャンバ１は
真空バルブ８とクライオポンプ７とバルブ９を介してこ
のロータリーポンプ６と接続されている。
板３が設けられているチャンバ１は、荒引き用バルブ４
と荒引き用配管５とを介してロータリーポンプ６に接続
されており、この荒引き用配管５とは別にチャンバ１は
真空バルブ８とクライオポンプ７とバルブ９を介してこ
のロータリーポンプ６と接続されている。
【００１６】本実施例においては図１に示すように、チ
ャンバ１内にこのチャンバ１の内壁に密着するシール材
12、例えばＯリングが周辺部に設けられている可動バル
ブ10が設けられており、移動手段、例えばエアシリンダ
13によりクライオポンプ７の方向に移動可能になってい
る。
ャンバ１内にこのチャンバ１の内壁に密着するシール材
12、例えばＯリングが周辺部に設けられている可動バル
ブ10が設けられており、移動手段、例えばエアシリンダ
13によりクライオポンプ７の方向に移動可能になってい
る。
【００１７】このエアシリンダ13のピストンロッド13a
とチャンバ1の側壁との間には隙間を設けなければなら
ないので、チャンバ１内の真空を保持することが可能な
ようにこのエアシリンダ13とチャンバ１の側壁とはベロ
ーズ14により接続されている。
とチャンバ1の側壁との間には隙間を設けなければなら
ないので、チャンバ１内の真空を保持することが可能な
ようにこのエアシリンダ13とチャンバ１の側壁とはベロ
ーズ14により接続されている。
【００１８】このような半導体装置の製造装置のチャン
バ１内を真空にするには、まず可動バルブ10に内蔵され
ているバルブ11を開き、真空バルブ８を閉じ、荒引き用
バルブ４とバルブ９を開いてロータリーポンプ６を用い
てチャンバ１及びクライオポンプ７内の空気を荒引きす
る。
バ１内を真空にするには、まず可動バルブ10に内蔵され
ているバルブ11を開き、真空バルブ８を閉じ、荒引き用
バルブ４とバルブ９を開いてロータリーポンプ６を用い
てチャンバ１及びクライオポンプ７内の空気を荒引きす
る。
【００１９】チャンバ１及びクライオポンプ７内の内部
圧力がクライオポンプ７により吸着真空引きが可能な圧
力に低下すれば、可動バルブ10に内蔵されているバルブ
11を閉じ、バルブ９と荒引き用バルブ４を閉じ、真空バ
ルブ８を開いて可動バルブ10とクライオポンプ７の間の
狭い空間に集められた気体の粒子をクライオポンプ７を
用いて吸着真空引きをしてチャンバ１の室内圧を超真空
にする。
圧力がクライオポンプ７により吸着真空引きが可能な圧
力に低下すれば、可動バルブ10に内蔵されているバルブ
11を閉じ、バルブ９と荒引き用バルブ４を閉じ、真空バ
ルブ８を開いて可動バルブ10とクライオポンプ７の間の
狭い空間に集められた気体の粒子をクライオポンプ７を
用いて吸着真空引きをしてチャンバ１の室内圧を超真空
にする。
【００２０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば極めて簡単な構造の変更により、クライオポン
プによる吸着真空引きを短時間で行うことが可能となる
利点があり、著しい経済的の効果が期待できる半導体装
置の製造装置及び製造方法の提供が可能である。
によれば極めて簡単な構造の変更により、クライオポン
プによる吸着真空引きを短時間で行うことが可能となる
利点があり、著しい経済的の効果が期待できる半導体装
置の製造装置及び製造方法の提供が可能である。
【図１】 本発明による一実施例の半導体装置の製造装
置のロータリーポンプによる真空荒引き状態を示す図、
置のロータリーポンプによる真空荒引き状態を示す図、
【図２】 本発明による一実施例の半導体装置の製造装
置のクライオポンプによる吸着真空引き状態を示す図、
置のクライオポンプによる吸着真空引き状態を示す図、
【図３】 従来の半導体装置の製造装置を示す図、
１はチャンバ、 ２はターゲット、 ３は被処理基板、 ４は荒引き用バルブ、 ５は荒引き用配管、 ６はロータリーポンプ、 ７はクライオポンプ、 ８は真空バルブ、 ９はバルブ、 10は可動バルブ、 11はバルブ、 12はシール材、 13はエアシリンダ、 13aはピストンロッド、 14はベローズ、
Claims (2)
- 【請求項１】 チャンバ(1) 内の空気をロータリーポン
プ(6) 及びクライオポンプ(7) を用いて排気し、前記チ
ャンバ(1)内を真空に保持して被処理基板(3)の処理を行
う半導体装置の製造装置において、 前記チャンバ(1) の内壁にシール材(12)を介して周辺部
が密着し、前記チャンバ(1) 内を移動手段(13)により移
動可能な可動バルブ(10)と、 該可動バルブ(10)に内蔵される開閉可能なバルブ(11)
と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造装置を
用いる半導体装置の製造方法であって、 前記可動バルブ(10)に内蔵される開閉可能なバルブ(11)
を開いた状態で、前記チャンバ(1) と荒引き用配管(5)
と荒引き用バルブ(4) とを介して接続されている前記ロ
ータリーポンプ(6) を用いる真空荒引き工程と、 前記可動バルブ(10)に内蔵される開閉可能なバルブ(11)
を閉じた状態で、前記チャンバ(1) と真空バルブ(8) を
介して接続されている前記クライオポンプ(7)の方向
に、前記移動手段(13)を用いて前記可動バルブ(10)を接
近させて前記クライオポンプ(7) を用いて行う吸着真空
引き工程と、 を含む真空排気工程により真空に保持されている前記チ
ャンバ(1) 内において前記被処理基板(3) の処理を行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27090291A JPH05106042A (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27090291A JPH05106042A (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05106042A true JPH05106042A (ja) | 1993-04-27 |
Family
ID=17492579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27090291A Withdrawn JPH05106042A (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05106042A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0794267A2 (en) * | 1996-03-08 | 1997-09-10 | Applied Materials, Inc. | A restrictor shield for a wafer processing apparatus |
| KR100755548B1 (ko) * | 1999-07-01 | 2007-09-06 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 고순도 에피택셜 증착 시스템용 불활성 배리어 |
| WO2009084408A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Ulvac, Inc. | 成膜装置及び成膜方法 |
-
1991
- 1991-10-18 JP JP27090291A patent/JPH05106042A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0794267A2 (en) * | 1996-03-08 | 1997-09-10 | Applied Materials, Inc. | A restrictor shield for a wafer processing apparatus |
| EP0794267A3 (en) * | 1996-03-08 | 2000-10-04 | Applied Materials, Inc. | A restrictor shield for a wafer processing apparatus |
| KR100755548B1 (ko) * | 1999-07-01 | 2007-09-06 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 고순도 에피택셜 증착 시스템용 불활성 배리어 |
| WO2009084408A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Ulvac, Inc. | 成膜装置及び成膜方法 |
| CN101910453A (zh) * | 2007-12-28 | 2010-12-08 | 株式会社爱发科 | 成膜装置及成膜方法 |
| JP5167282B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2013-03-21 | 株式会社アルバック | 成膜装置及び成膜方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990107 |