JPS62207866A - 連続スパツタ装置 - Google Patents
連続スパツタ装置Info
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- JPS62207866A JPS62207866A JP4834186A JP4834186A JPS62207866A JP S62207866 A JPS62207866 A JP S62207866A JP 4834186 A JP4834186 A JP 4834186A JP 4834186 A JP4834186 A JP 4834186A JP S62207866 A JPS62207866 A JP S62207866A
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- Granted
Links
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Landscapes
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、連続スパッタ装置・こ関するものでるる。
従来の連続スパプタ装置としては、例えば、特開昭60
−52574号公報に記載のような、外形が五角形で減
圧排気されるバッファ室と、該バッファ室と連通し五角
形の四辺に対応して設けられバッファ室を介して減圧排
気される4室の処理室と、バッファ室と連通し五角形の
残り一辺に対応して設けられ減圧排気されるローテ゛イ
ング室と、試料保持手段を各処理室とローテ゛イング室
とに対応した位置で有し試料保持手段をローディング室
→各処理室−ローディング室のようにバッファ室内で順
次回転させて移動させる移動手段とを具備したものが知
られている。
−52574号公報に記載のような、外形が五角形で減
圧排気されるバッファ室と、該バッファ室と連通し五角
形の四辺に対応して設けられバッファ室を介して減圧排
気される4室の処理室と、バッファ室と連通し五角形の
残り一辺に対応して設けられ減圧排気されるローテ゛イ
ング室と、試料保持手段を各処理室とローテ゛イング室
とに対応した位置で有し試料保持手段をローディング室
→各処理室−ローディング室のようにバッファ室内で順
次回転させて移動させる移動手段とを具備したものが知
られている。
このような連続スパッタ装置では、ローディング室に搬
入された試料は、1個毎試料保持手段に渡され、移動手
段優こよる回転移動により各処理室に対応させられる。
入された試料は、1個毎試料保持手段に渡され、移動手
段優こよる回転移動により各処理室に対応させられる。
試料保持手段に保持された試料は、この間に、試料の表
面に吸着した汚染ガスを除去するベース処理、スパッタ
前の試料表面の酸化物層を除去するスパッタエッチ処理
、あるいは薄膜を形成するスパッタ処理が任意に組合さ
れて処理される。このような処理が終了した試料は、試
料保持手段から取り除かれ1個毎ローディング室に戻さ
れ、その後、ローテ゛イング室から搬出される。
面に吸着した汚染ガスを除去するベース処理、スパッタ
前の試料表面の酸化物層を除去するスパッタエッチ処理
、あるいは薄膜を形成するスパッタ処理が任意に組合さ
れて処理される。このような処理が終了した試料は、試
料保持手段から取り除かれ1個毎ローディング室に戻さ
れ、その後、ローテ゛イング室から搬出される。
上記のような連続スパッタ装置では、試料のべ理
−り処理、スバツタエプチ処2時に発生したガスをバッ
ファ室を介して排気するため、バッファ室並びに各処理
室を減圧排気する手段の排気能力によっては、上記ガス
のバッファ室からの排気が不充分となり、該ガスがスパ
ッタ処理を実施する処理室に廻り込みクロスコンタミネ
ーシ冒ンを生じる危険性がある。このようなりロスコン
タミネーシ四ンは、従来のLSIパターン配線膜やゲー
ト膜の形成においては一応無視できる程度のものであっ
たが、しかし、サブミクロンオーダーのLSIパターン
配線膜やゲート膜の形成においては無視できなくなる。
ファ室を介して排気するため、バッファ室並びに各処理
室を減圧排気する手段の排気能力によっては、上記ガス
のバッファ室からの排気が不充分となり、該ガスがスパ
ッタ処理を実施する処理室に廻り込みクロスコンタミネ
ーシ冒ンを生じる危険性がある。このようなりロスコン
タミネーシ四ンは、従来のLSIパターン配線膜やゲー
ト膜の形成においては一応無視できる程度のものであっ
たが、しかし、サブミクロンオーダーのLSIパターン
配線膜やゲート膜の形成においては無視できなくなる。
本発明の目的は、試料のベータ処理、スパッタエッチ処
理時に発生したガスをバッファ室を介さずに排気してス
パッタ処理を実施する処理室への廻り込みを防止するこ
とで、クロスコンタミ不−シ嘗ンが生じるのを防止でき
る連続スパッタ処理を提供する二とにある。
理時に発生したガスをバッファ室を介さずに排気してス
パッタ処理を実施する処理室への廻り込みを防止するこ
とで、クロスコンタミ不−シ嘗ンが生じるのを防止でき
る連続スパッタ処理を提供する二とにある。
上記目的は、連続スパプタ装置メ、減圧排気されるバッ
ファ室と、該バッファ室内と連通可能に該バッフ7室に
設けられた複数の処理室と、前記バッファ室内と連通可
能に設けられ該バッファ室とは独立して減圧排気される
前処理室と、前記バッファ室内で試料保持手段な前記処
理室並びに前記前処理室に対応する位置に順次移動させ
る試料搬送手段と、前記前処理室内に試料を搬入出し該
前処理室内で前記試料を移動させ前記試料保持手段と前
記前処理室内との間で前記試料を搬送する試料搬送手段
とを具備したものとすることにより、達成される。
ファ室と、該バッファ室内と連通可能に該バッフ7室に
設けられた複数の処理室と、前記バッファ室内と連通可
能に設けられ該バッファ室とは独立して減圧排気される
前処理室と、前記バッファ室内で試料保持手段な前記処
理室並びに前記前処理室に対応する位置に順次移動させ
る試料搬送手段と、前記前処理室内に試料を搬入出し該
前処理室内で前記試料を移動させ前記試料保持手段と前
記前処理室内との間で前記試料を搬送する試料搬送手段
とを具備したものとすることにより、達成される。
試料搬送手段で前処理室内に搬入された試料は前処理室
内で前処理、つまり、ベータ処理やスバツタエブチ処理
される。このような前処理時に発生したガスは、バッフ
ァ室内を介さずに前処理室から直接に排気される。前処
理が完了した試料は、前処理室から試料保持手段に渡さ
れバッファ室内を試料搬送手段で各処理室に対応して順
次移動させられ、二の間にスパッタ処理が実施される。
内で前処理、つまり、ベータ処理やスバツタエブチ処理
される。このような前処理時に発生したガスは、バッフ
ァ室内を介さずに前処理室から直接に排気される。前処
理が完了した試料は、前処理室から試料保持手段に渡さ
れバッファ室内を試料搬送手段で各処理室に対応して順
次移動させられ、二の間にスパッタ処理が実施される。
処理済みの試料は、前処理室内に搬送された後に前処理
室外へ搬出される。
室外へ搬出される。
以下、本発明の一実施例を第1図〜第3図により説明す
る。
る。
第1図、第2因で、バッファ室lOは、外形が五角柱で
縦断面で略U字形空間を有する。バッファ室10の五角
形の各辺璧には、開口11を有する押付座校が設けられ
ている。バッファ室10の五角形の各辺の外側には、各
開口11によりバッファ室10内と連通して前処理室部
と4室の処理室I−印が配設されている。この場合、処
理室(資)は、加熱室であり、赤外線放射ヒータ等の加
熱手段31が開口11に対応して設けられている。処理
室40.50は、スバ、り室でスバ、タ手段41.51
がそれぞれ設けられている。処理室ωは、予備室である
。バッファ室lO内には、回転ドラムπが、ベアリング
等の回転支承手段nにより回転可能に設けられている。
縦断面で略U字形空間を有する。バッファ室10の五角
形の各辺璧には、開口11を有する押付座校が設けられ
ている。バッファ室10の五角形の各辺の外側には、各
開口11によりバッファ室10内と連通して前処理室部
と4室の処理室I−印が配設されている。この場合、処
理室(資)は、加熱室であり、赤外線放射ヒータ等の加
熱手段31が開口11に対応して設けられている。処理
室40.50は、スバ、り室でスバ、タ手段41.51
がそれぞれ設けられている。処理室ωは、予備室である
。バッファ室lO内には、回転ドラムπが、ベアリング
等の回転支承手段nにより回転可能に設けられている。
回転ドラムπは、この場合、動力伝達手段n、両歯車、
74を介してモータ乃を作動させることで回転させられ
る。動力伝達手段n、歯車n、74.モータ乃は、バッ
ファ室10外に設けられている。回転ドラム旬には、各
開口11と対応した位置で試料保持手段(資)が、この
場合、5個配設されている。
74を介してモータ乃を作動させることで回転させられ
る。動力伝達手段n、歯車n、74.モータ乃は、バッ
ファ室10外に設けられている。回転ドラム旬には、各
開口11と対応した位置で試料保持手段(資)が、この
場合、5個配設されている。
試料搬送手段邪は、ベローズ等の伸縮手段匍を介して回
転ドラム70の外周に設けられている。伸縮手段美は、
バッファ室10内を気密保持する機能を有している。試
料保持手段(資)は、試料を被処理面垂直姿勢にて保持
し、該保持は、例えば、爪(図示省略)の弾性力により
なされる。ブツシャllOは、バッファ室10を構成す
る形状が円筒の内筒13の中心な略中心とし放射状に5
本設けられている。
転ドラム70の外周に設けられている。伸縮手段美は、
バッファ室10内を気密保持する機能を有している。試
料保持手段(資)は、試料を被処理面垂直姿勢にて保持
し、該保持は、例えば、爪(図示省略)の弾性力により
なされる。ブツシャllOは、バッファ室10を構成す
る形状が円筒の内筒13の中心な略中心とし放射状に5
本設けられている。
ブツシャ110は、真空封止支承手段111により半径
方向に往復動可能であり、該往復動により外側端を試料
保持手段(資)の裏面に当接可能となっている。ブツシ
ャ110の内側端部と真空室封止支承手段111 との
間でコイルバネ等のバネ112がブツシャ110に環装
されている。円錐カム113は、内筒13の中心な略軸
心として設けられている。ブツシャ110の内側端には
、ローラ114が設けられ、ローラ114は、バネ11
2のバネ力で円錐カム113の円錐面に常に当接させら
れている。円錐カム113は、エアーシリンダ等の昇降
駆動手段115が設けられている。バッファ室10の処
理室園〜ωと対応する各連壁には、バッファ室10と処
理室部〜ωとを連通させる排気口14が形成されている
。処理室(9)〜ωには、各排気口14を開閉する弁1
20が設けられている。弁120は、エアーシリンダ等
の駆動手段121により開閉弁駆動される。バッファ室
10の底部には、L字形排気管130を介して高真空ポ
ンプ131が連結されている。この場合、メインバルブ
132を開閉手段(図示省略)により開閉弁駆動するこ
とでバッフ實室10内は高真空排気される0処理室加〜
ωには、粗引排気管133が連結されると共に、処理ガ
スを導入可能なようにガス配管140が仕切弁141.
絞り弁142を介して連結されている。
方向に往復動可能であり、該往復動により外側端を試料
保持手段(資)の裏面に当接可能となっている。ブツシ
ャ110の内側端部と真空室封止支承手段111 との
間でコイルバネ等のバネ112がブツシャ110に環装
されている。円錐カム113は、内筒13の中心な略軸
心として設けられている。ブツシャ110の内側端には
、ローラ114が設けられ、ローラ114は、バネ11
2のバネ力で円錐カム113の円錐面に常に当接させら
れている。円錐カム113は、エアーシリンダ等の昇降
駆動手段115が設けられている。バッファ室10の処
理室園〜ωと対応する各連壁には、バッファ室10と処
理室部〜ωとを連通させる排気口14が形成されている
。処理室(9)〜ωには、各排気口14を開閉する弁1
20が設けられている。弁120は、エアーシリンダ等
の駆動手段121により開閉弁駆動される。バッファ室
10の底部には、L字形排気管130を介して高真空ポ
ンプ131が連結されている。この場合、メインバルブ
132を開閉手段(図示省略)により開閉弁駆動するこ
とでバッフ實室10内は高真空排気される0処理室加〜
ωには、粗引排気管133が連結されると共に、処理ガ
スを導入可能なようにガス配管140が仕切弁141.
絞り弁142を介して連結されている。
第1図、第2r:Aで、前処理室(9)には、試料を前
処理室加に搬入するベルト搬送装置等の試料搬送手段2
1と、加熱ステーションnと、エッチステーション囚と
、試料を試料保持手段乙のブツシャ211と加熱ステー
ジ璽ンnのブツシャ221との間で搬送する回転アーム
搬送装置等の試料搬送手段Uと、試料を加熱ステーシラ
ンのブツシャ22!とエッチステージ冒ンのブツシャ2
31との間で搬送する回転アーム搬送装置等の試料搬送
手段δと、試料を搬出するベルト搬送装置等の試料搬送
手段謳と、エッチステージ曹ンnのブツシャ231と試
料搬送手段謳のブツシャ261との間で試料を搬送する
回転アーム搬送装置等の試料搬送手段ごと、試料の被処
理面姿I#を水平上向姿勢と垂直姿勢との間で変換する
と共に試料を試料絨送手I!izのブツシャ261と試
料搬送手段園との間で搬送するリンク機構を用いた搬送
装置等の試料保持手段四とが設けられている。前処理室
四の側壁には、L字形排気管134を介して高真空ポン
プ135が連結されている。前処理室園内は、高真空ポ
ンプ135により高真空排気される。加熱ステーション
nには、赤外線放射ヒータ等の加熱手段222が設けら
れている。
処理室加に搬入するベルト搬送装置等の試料搬送手段2
1と、加熱ステーションnと、エッチステーション囚と
、試料を試料保持手段乙のブツシャ211と加熱ステー
ジ璽ンnのブツシャ221との間で搬送する回転アーム
搬送装置等の試料搬送手段Uと、試料を加熱ステーシラ
ンのブツシャ22!とエッチステージ冒ンのブツシャ2
31との間で搬送する回転アーム搬送装置等の試料搬送
手段δと、試料を搬出するベルト搬送装置等の試料搬送
手段謳と、エッチステージ曹ンnのブツシャ231と試
料搬送手段謳のブツシャ261との間で試料を搬送する
回転アーム搬送装置等の試料搬送手段ごと、試料の被処
理面姿I#を水平上向姿勢と垂直姿勢との間で変換する
と共に試料を試料絨送手I!izのブツシャ261と試
料搬送手段園との間で搬送するリンク機構を用いた搬送
装置等の試料保持手段四とが設けられている。前処理室
四の側壁には、L字形排気管134を介して高真空ポン
プ135が連結されている。前処理室園内は、高真空ポ
ンプ135により高真空排気される。加熱ステーション
nには、赤外線放射ヒータ等の加熱手段222が設けら
れている。
エッチステージ、ン器には、試料電極232と対向電極
(図示省略)と対向電極を昇降駆動する駆動手段(図示
省略)とブツシャ231を昇降駆動する駆動手段(図示
省略)とスパッタエッチ処理時に試料電極232および
対向電極を含む空間を形成する遮へい手段233(絶絞
材で形成)とでなるスパッタエッチ手段が設けられてい
る。また、この場合、処理ガスは、対向電極を介して試
料型f!232に向って放出されるようになっている。
(図示省略)と対向電極を昇降駆動する駆動手段(図示
省略)とブツシャ231を昇降駆動する駆動手段(図示
省略)とスパッタエッチ処理時に試料電極232および
対向電極を含む空間を形成する遮へい手段233(絶絞
材で形成)とでなるスパッタエッチ手段が設けられてい
る。また、この場合、処理ガスは、対向電極を介して試
料型f!232に向って放出されるようになっている。
空間は差動排気される。
第1図、第2因で、処理寥■には、試料搬送手段ガに対
応した位置でゲートバルブ等の真空間遮断手段150を
介してロード室16Gが設けられている。ロード室16
G内には、ロード室!60内で試料を搬送し真空間遮断
手段150を介して試料搬送手段♂に試料を渡すベルト
搬送装置等の試料搬送手段161が設けられている。ロ
ード室160には、試料搬送手段161 と対応した位
置でゲートバルブ等の大気真空間遮断手段170が設け
られている。大気真空間遮断手段17Gの大気側には、
カセットローダ180から試料を受は取り搬送し大気真
空間遮断手段170を介して試料を試料搬送手段161
に渡すベルト搬送装置等の試料搬送手段190が設けら
れている。一方、処理室々には、試料保持手段加に対応
した位置でゲートバルブ等の真空間遮断手段151を介
してアンロード室162が設けられている。アンロード
室162内には、アンロード室C内で試料を搬送し真空
間遮断手段151を介して試料保持手段漢から試料を受
は取るベルト搬送装置等の試料搬送手段163が設けら
れている。アンロード室162には、試料搬送手段16
3と対応した位置でゲートバルブ等の大気真空間遮断手
段171が設けられている。大気真空間遮断手段171
の大気側には、カセットアンローダ181に試料を渡し
大気真空間遮断手段171を介して試料を試料搬送手段
163から受は取り搬送するベルト搬送装置等の試料搬
送子J9191が設けられている。なお1図示省略した
が、ロード室160.アンロード室162には、真空排
気手段と真空から大気圧へのリーク手段とがそれぞれ設
けられている。
応した位置でゲートバルブ等の真空間遮断手段150を
介してロード室16Gが設けられている。ロード室16
G内には、ロード室!60内で試料を搬送し真空間遮断
手段150を介して試料搬送手段♂に試料を渡すベルト
搬送装置等の試料搬送手段161が設けられている。ロ
ード室160には、試料搬送手段161 と対応した位
置でゲートバルブ等の大気真空間遮断手段170が設け
られている。大気真空間遮断手段17Gの大気側には、
カセットローダ180から試料を受は取り搬送し大気真
空間遮断手段170を介して試料を試料搬送手段161
に渡すベルト搬送装置等の試料搬送手段190が設けら
れている。一方、処理室々には、試料保持手段加に対応
した位置でゲートバルブ等の真空間遮断手段151を介
してアンロード室162が設けられている。アンロード
室162内には、アンロード室C内で試料を搬送し真空
間遮断手段151を介して試料保持手段漢から試料を受
は取るベルト搬送装置等の試料搬送手段163が設けら
れている。アンロード室162には、試料搬送手段16
3と対応した位置でゲートバルブ等の大気真空間遮断手
段171が設けられている。大気真空間遮断手段171
の大気側には、カセットアンローダ181に試料を渡し
大気真空間遮断手段171を介して試料を試料搬送手段
163から受は取り搬送するベルト搬送装置等の試料搬
送子J9191が設けられている。なお1図示省略した
が、ロード室160.アンロード室162には、真空排
気手段と真空から大気圧へのリーク手段とがそれぞれ設
けられている。
第3図で、処理室I−ωが設けられたバッファ室10と
前処理室□□□とロード室160 とアンロード室16
2は、架台200上に設置されている。カセットローダ
180 とカセットアンローダ181 とを含む筺体2
10は、架台200に着脱可能に設けられる。これによ
り、スパッタ装置が設置されるクリーンルームの仕切壁
300を境にして架台200側をスパッタ装置の保守領
域壷こ、また、筺体210側を清浄領域つまりクリーン
ルーム内に置くことができる。
前処理室□□□とロード室160 とアンロード室16
2は、架台200上に設置されている。カセットローダ
180 とカセットアンローダ181 とを含む筺体2
10は、架台200に着脱可能に設けられる。これによ
り、スパッタ装置が設置されるクリーンルームの仕切壁
300を境にして架台200側をスパッタ装置の保守領
域壷こ、また、筺体210側を清浄領域つまりクリーン
ルーム内に置くことができる。
このため、試料への塵埃の付着を防止できる。また、他
設備と連結し自動搬送ライン化する場合でも、装置全体
の変更を必要とせず、単に筺体210を架台200より
取り外し新たに別搬送ラインを取り付けることで容易に
対応できる。
設備と連結し自動搬送ライン化する場合でも、装置全体
の変更を必要とせず、単に筺体210を架台200より
取り外し新たに別搬送ラインを取り付けることで容易に
対応できる。
第1図、第2図で、二の状態から昇降駆動手段115を
作動させ円錐カム113を下降させることで、ブツシャ
110はバネ112のバネ力に抗して試料保持手段(資
)の裏面に向って移動させられる。この移動の途中でブ
ツシャ110の外側端は、試料搬送手段帥の裏面に当接
する。この移動を更に続行することで試料保持手段(資
)は押付座辻に向って移動させられ、最終的には、押付
座認に当接して押し付けられる。このような状態では、
バッファ室10内と前処理室m内との連通は遮断される
。その後、メインバルブ132を開弁し高真空ポンプ1
31を作動させることで、バッファ室10内は高真空排
気される。また、弁120を開弁し排気口14を開ける
ことで、処理家父〜ω内はバッファ室10内を介して高
真空に排気される。一方、真空間遮断手段150゜15
1を閉止して前処理室Z内とロード室160内。
作動させ円錐カム113を下降させることで、ブツシャ
110はバネ112のバネ力に抗して試料保持手段(資
)の裏面に向って移動させられる。この移動の途中でブ
ツシャ110の外側端は、試料搬送手段帥の裏面に当接
する。この移動を更に続行することで試料保持手段(資
)は押付座辻に向って移動させられ、最終的には、押付
座認に当接して押し付けられる。このような状態では、
バッファ室10内と前処理室m内との連通は遮断される
。その後、メインバルブ132を開弁し高真空ポンプ1
31を作動させることで、バッファ室10内は高真空排
気される。また、弁120を開弁し排気口14を開ける
ことで、処理家父〜ω内はバッファ室10内を介して高
真空に排気される。一方、真空間遮断手段150゜15
1を閉止して前処理室Z内とロード室160内。
アンロード室162内との連通を遮断し、高真空ポンプ
135を作動させることで前処理室I内は高真空排気さ
れる。なお、ロード室160内、アンロード室162内
はリーク手段により大気圧になされ大気真空間遮断手段
170,171は開けられる。その後、未処理の試料を
収納したカセット(図示省略)をカセットローダ180
上にセットし、空のカセット(図示省略)をカセットア
ンローダtSt上にセットすることで運転が開始される
。試料搬送手段190を作動させることで未処理の試料
はカセットから取り出され大気真空間遮断手段170に
向って搬送される。その後、試料搬送手段161を作動
させることで、試料搬送手段190により搬送されてき
た試料は、開けられている大気真空間遮断手段170を
介して試料搬送手段161に渡されてロード室160内
に搬入される。その後、大気真空間開閉手段170は閉
められ、ロード室160内は真空排気される。
135を作動させることで前処理室I内は高真空排気さ
れる。なお、ロード室160内、アンロード室162内
はリーク手段により大気圧になされ大気真空間遮断手段
170,171は開けられる。その後、未処理の試料を
収納したカセット(図示省略)をカセットローダ180
上にセットし、空のカセット(図示省略)をカセットア
ンローダtSt上にセットすることで運転が開始される
。試料搬送手段190を作動させることで未処理の試料
はカセットから取り出され大気真空間遮断手段170に
向って搬送される。その後、試料搬送手段161を作動
させることで、試料搬送手段190により搬送されてき
た試料は、開けられている大気真空間遮断手段170を
介して試料搬送手段161に渡されてロード室160内
に搬入される。その後、大気真空間開閉手段170は閉
められ、ロード室160内は真空排気される。
その後、真空間遮断手段150が開けられ、ロード室1
60内は前処理室m内と遅進させられる。この状態で、
試料搬送手段161を作動させ、試料搬送手段4を作動
させることで、試料は開けられている真空間遮断手段1
50を介して試料搬送手段161から試料搬送手段21
に渡されて前処理室m内に搬入される。その後、真空間
遮断手段150は閉められロード室160内には、上記
操作により新たな試料が搬入される。一方、試料搬送手
段乙に渡され、ブツシャ211に対応した位置に到達し
た時点でストッパ212等により搬送を停止される。そ
の後、ブツシャ211を上昇させることで、試料は、試
料搬送手段乙からブツシャ211に渡される。その後、
試料搬送手段冴の試料保持部をブツシャ211に対応さ
せブツシャ211を下降させることで、試料は、ブツシ
ャ211から試料搬送手段あの試料保持部に渡される。
60内は前処理室m内と遅進させられる。この状態で、
試料搬送手段161を作動させ、試料搬送手段4を作動
させることで、試料は開けられている真空間遮断手段1
50を介して試料搬送手段161から試料搬送手段21
に渡されて前処理室m内に搬入される。その後、真空間
遮断手段150は閉められロード室160内には、上記
操作により新たな試料が搬入される。一方、試料搬送手
段乙に渡され、ブツシャ211に対応した位置に到達し
た時点でストッパ212等により搬送を停止される。そ
の後、ブツシャ211を上昇させることで、試料は、試
料搬送手段乙からブツシャ211に渡される。その後、
試料搬送手段冴の試料保持部をブツシャ211に対応さ
せブツシャ211を下降させることで、試料は、ブツシ
ャ211から試料搬送手段あの試料保持部に渡される。
その後、試料搬送手段冴の試料保持部は加熱ステージ曹
ンnのブツシャ221に向って移動させられ、該移動は
、試料搬送手段スの試料保持部がブツシャ221と対応
する位置に到達した時点で停止される。その後、ブツシ
ャ221す上昇させることで、試料は、試料搬送手段あ
の試料保持部からブツシャ221に渡される。その後、
試料搬送手段々は、上記操作を繰り返し実施可能なよう
に第1図に示す場所に退避させられる。一方、ブツシャ
221は下降させられ試料は加熱手段222により加熱
されてベーク処理される。このベーク処理にて発生した
ガスは高真空ポンプ135により前処理室m外へ排気さ
れる。ベーク処理完了後、試料を保持した状態でブツシ
ャ221は上昇させられる。その後、試料搬送手段々の
試料保持部をブツシャ221に対応させブツシャ221
を下降させることで、試料は、ブツシャ221から試料
搬送手段5の試料保持部に渡される。その後、試料搬送
手段5の試料保持部はエッチステージ、ンnのブツシャ
231に向って移動させられ、該移動は、試料搬送手段
5の試料保持部がブツシャ231と対応する位置に到達
し現時点で停止される。その後、ブツシャ231を上昇
させることで、試料は試料搬送手段5の試料保持部から
ブツシャ231に渡される。。
ンnのブツシャ221に向って移動させられ、該移動は
、試料搬送手段スの試料保持部がブツシャ221と対応
する位置に到達した時点で停止される。その後、ブツシ
ャ221す上昇させることで、試料は、試料搬送手段あ
の試料保持部からブツシャ221に渡される。その後、
試料搬送手段々は、上記操作を繰り返し実施可能なよう
に第1図に示す場所に退避させられる。一方、ブツシャ
221は下降させられ試料は加熱手段222により加熱
されてベーク処理される。このベーク処理にて発生した
ガスは高真空ポンプ135により前処理室m外へ排気さ
れる。ベーク処理完了後、試料を保持した状態でブツシ
ャ221は上昇させられる。その後、試料搬送手段々の
試料保持部をブツシャ221に対応させブツシャ221
を下降させることで、試料は、ブツシャ221から試料
搬送手段5の試料保持部に渡される。その後、試料搬送
手段5の試料保持部はエッチステージ、ンnのブツシャ
231に向って移動させられ、該移動は、試料搬送手段
5の試料保持部がブツシャ231と対応する位置に到達
し現時点で停止される。その後、ブツシャ231を上昇
させることで、試料は試料搬送手段5の試料保持部から
ブツシャ231に渡される。。
その後、試料搬送手段3は、上記操作を繰り返し実施可
能なように第1図に示す場所に退避させられる。一方、
ブツシャ231は下降させられエッチステージ四ンコの
試料電極上に載置される。その後、対向i極は下降させ
られエッチステージ、ンnの空間には、処理ガスが導入
される。対向電極と試料電極との間隔は適正間隔に調整
、維持され、電極間に、例えば、高周波電力が印加され
る。高周波電力の印加により電極間には放電が生じ、該
放電により処理ガスはプラズマ化される。該プラズマに
より試料はスパッタエッチ処理される。スパッタエッチ
処理で生じたガスおよび処理ガスはマ 空間から前処理室m内に差動排気されr前処理室(9)
外へ排気される。スパッタエッチ処理完了後、対向電極
は上昇させられる。その後、ブツシャ231を上昇させ
ることで、試料は、試料電極からブツシャ231に渡さ
れる。その後、試料搬送手段nの試料保持部をブツシャ
231に対応させブツシャ231を下降させることで、
試料は、ブツシャ231から試料搬送手段nの試料保持
部に渡される。その後、試料搬送手段nの試料保持部は
、ブツシャ261に向って移動させられ、該移動は、試
料搬送手段nの試料保持部がブツシャ261に対応する
位置に到達した時点で停止される。その後、ブツシャ2
61を上昇させることで、試料は、試料搬送手段nの試
料保持部からブツシャ261に渡される。その後、試料
搬送手段4は、上記操作を繰り返し実施可能なように第
1図に示す場所に退避させられる。一方、ブツシャ26
1に渡された試料は、試料搬送手段列の試料保持部(例
えば、爪により機械的に保持)に渡される。試料搬送手
段Zの試料保持部に渡された試料は、被処理面姿勢を水
平上向姿勢から垂直姿勢に変換された後に、バッファ室
10内と前処理室m内との連通を遮断している試料保持
手段(資)に渡される。その後、試料搬送手段列は、上
記操作を繰り返し実施可能なように第2図に示す状態に
戻される。その後、昇降駆動手段l15を作動させ円錐
カム113を上昇させることで、ブツシャ110は、バ
ネ112のバネ力により円筒口の中心に向って移動させ
られる。該移動により押付座稔への試料保持手段(資)
の押し付けおよび試料保持手段(資)の裏面へのブツシ
ャ11Gの当接は解除されろ(第1図、第2図)。この
状態で、モーターを作動させ回転ドラム70を第1図で
は反時計回り方向6.115周回転させることで、試料
を保持した試料保持手段(資)は、処理室(9)の開口
11に対応させられ、才秀 また、試料を保諌していない試料保持手段(資)が、前
処理霊園の開口11に対応させられる。その後、上記操
作により試料保持手段(資)は、押付座稔に押し付けら
れ、これにより、バッファ室10内と前処理室m内との
連通は遮断される。処理室(9)で試料は加熱され、一
方、カセットからロード室160内を通り前処理室m内
には上記操作により新たな試料が搬入され、該試料はベ
ーク処理、スパッタエッチ処理された後に試料搬送手段
列により姿勢変換される。このようにし工試料は前処理
室m内に順次搬入され、順次ベーク処理、スパッタ処理
された後に、順次姿勢変換されて試料保持手段(資)に
順次渡される。試料搬送手段(資)に渡された試料は、
回転ドラムπを第1図では反時計回り方向にh周毎回転
させることで、処理室(9)〜ωに順次対応させられ、
これにより、試料は、加熱されてスパッタ処理される。
能なように第1図に示す場所に退避させられる。一方、
ブツシャ231は下降させられエッチステージ四ンコの
試料電極上に載置される。その後、対向i極は下降させ
られエッチステージ、ンnの空間には、処理ガスが導入
される。対向電極と試料電極との間隔は適正間隔に調整
、維持され、電極間に、例えば、高周波電力が印加され
る。高周波電力の印加により電極間には放電が生じ、該
放電により処理ガスはプラズマ化される。該プラズマに
より試料はスパッタエッチ処理される。スパッタエッチ
処理で生じたガスおよび処理ガスはマ 空間から前処理室m内に差動排気されr前処理室(9)
外へ排気される。スパッタエッチ処理完了後、対向電極
は上昇させられる。その後、ブツシャ231を上昇させ
ることで、試料は、試料電極からブツシャ231に渡さ
れる。その後、試料搬送手段nの試料保持部をブツシャ
231に対応させブツシャ231を下降させることで、
試料は、ブツシャ231から試料搬送手段nの試料保持
部に渡される。その後、試料搬送手段nの試料保持部は
、ブツシャ261に向って移動させられ、該移動は、試
料搬送手段nの試料保持部がブツシャ261に対応する
位置に到達した時点で停止される。その後、ブツシャ2
61を上昇させることで、試料は、試料搬送手段nの試
料保持部からブツシャ261に渡される。その後、試料
搬送手段4は、上記操作を繰り返し実施可能なように第
1図に示す場所に退避させられる。一方、ブツシャ26
1に渡された試料は、試料搬送手段列の試料保持部(例
えば、爪により機械的に保持)に渡される。試料搬送手
段Zの試料保持部に渡された試料は、被処理面姿勢を水
平上向姿勢から垂直姿勢に変換された後に、バッファ室
10内と前処理室m内との連通を遮断している試料保持
手段(資)に渡される。その後、試料搬送手段列は、上
記操作を繰り返し実施可能なように第2図に示す状態に
戻される。その後、昇降駆動手段l15を作動させ円錐
カム113を上昇させることで、ブツシャ110は、バ
ネ112のバネ力により円筒口の中心に向って移動させ
られる。該移動により押付座稔への試料保持手段(資)
の押し付けおよび試料保持手段(資)の裏面へのブツシ
ャ11Gの当接は解除されろ(第1図、第2図)。この
状態で、モーターを作動させ回転ドラム70を第1図で
は反時計回り方向6.115周回転させることで、試料
を保持した試料保持手段(資)は、処理室(9)の開口
11に対応させられ、才秀 また、試料を保諌していない試料保持手段(資)が、前
処理霊園の開口11に対応させられる。その後、上記操
作により試料保持手段(資)は、押付座稔に押し付けら
れ、これにより、バッファ室10内と前処理室m内との
連通は遮断される。処理室(9)で試料は加熱され、一
方、カセットからロード室160内を通り前処理室m内
には上記操作により新たな試料が搬入され、該試料はベ
ーク処理、スパッタエッチ処理された後に試料搬送手段
列により姿勢変換される。このようにし工試料は前処理
室m内に順次搬入され、順次ベーク処理、スパッタ処理
された後に、順次姿勢変換されて試料保持手段(資)に
順次渡される。試料搬送手段(資)に渡された試料は、
回転ドラムπを第1図では反時計回り方向にh周毎回転
させることで、処理室(9)〜ωに順次対応させられ、
これにより、試料は、加熱されてスパッタ処理される。
なお、全ての処理が完了した試料は、試料保持手段(資
)から試料搬送手段列の試料保持部に渡され、姿勢を垂
直姿勢から水平上向姿勢に変換された後にブツシャ26
1を介して試料搬送手段あに渡される。その後、真空間
遮断手段151を開は試料搬送手段26. 163を作
動させることで、処理済みの試料は、前処理室温内から
アンロード室162内に搬入される。その後、真空間遮
断手段151を閉めアンロード室162内は大気圧に戻
される。その後、大気真空間遮断手段171を開は試料
搬送手段163.191を作動させることで、処理済み
の試料は、アンロード室162外に搬出されて空のカセ
ットに回収される。このような操作を繰り返し実施する
ことで、処理済みの試料は、バッファ室10から取り出
され前処理室冗内、アンロード室162内を通って空の
カセットに1個毎回収される。
)から試料搬送手段列の試料保持部に渡され、姿勢を垂
直姿勢から水平上向姿勢に変換された後にブツシャ26
1を介して試料搬送手段あに渡される。その後、真空間
遮断手段151を開は試料搬送手段26. 163を作
動させることで、処理済みの試料は、前処理室温内から
アンロード室162内に搬入される。その後、真空間遮
断手段151を閉めアンロード室162内は大気圧に戻
される。その後、大気真空間遮断手段171を開は試料
搬送手段163.191を作動させることで、処理済み
の試料は、アンロード室162外に搬出されて空のカセ
ットに回収される。このような操作を繰り返し実施する
ことで、処理済みの試料は、バッファ室10から取り出
され前処理室冗内、アンロード室162内を通って空の
カセットに1個毎回収される。
本実施例では、次のような効果が得られる。
(1) 試料のベーク処理、スパッタエッチ処理時昏
こ発生したガスをバッファ室を介さずに排気できスパッ
タ処理を実施する処理室への廻り込みを防止できるため
、クロスコンタミネーションが生じるのを防止できる。
こ発生したガスをバッファ室を介さずに排気できスパッ
タ処理を実施する処理室への廻り込みを防止できるため
、クロスコンタミネーションが生じるのを防止できる。
(2)前処理室でベータ処理、スパッタエッチ処理を行
うため、スパッタ処理できる処理室数が増加し、サブミ
クロンオーダーの配線膜に要求される異種金属膜による
多層膜、例えば、3層成膜を連続処理にて得ることがで
きる。
うため、スパッタ処理できる処理室数が増加し、サブミ
クロンオーダーの配線膜に要求される異種金属膜による
多層膜、例えば、3層成膜を連続処理にて得ることがで
きる。
なお、本実施例では、試料の前処理としてベータ処理、
スパッタエッチ処理を実施しているが、この池にベータ
処理のみ、スパッタエッチ処理のみを実施するようにし
ても良い。また、処理室内の排気なバッファ室を介さず
に独立して実施するように構成しても良い。
スパッタエッチ処理を実施しているが、この池にベータ
処理のみ、スパッタエッチ処理のみを実施するようにし
ても良い。また、処理室内の排気なバッファ室を介さず
に独立して実施するように構成しても良い。
本発明によれば、試料のベータ処理、スパッタエッチ処
理時に発生したガスをバッファ室を介さずに排気できス
パッタ処理を実施する処理室への廻り込みを防止できる
ので、クロスコンタミネーションが生じるのを防止でき
るという効果がある。
理時に発生したガスをバッファ室を介さずに排気できス
パッタ処理を実施する処理室への廻り込みを防止できる
ので、クロスコンタミネーションが生じるのを防止でき
るという効果がある。
第1図は、本発明の一実施例の連続スパッタ装置の横断
面図、第2図は、第1図のλ−A視#JT面図、第3図
は、第1図の平面外観図である。 10・・・・・・バッファ室、 11・・・・・・開口
、圓・・・・・・前処理室、ム、24ないし部・・・・
・・試料搬送手段、n・・・・・・加熱ステージ、ン、
ス・・・・・・エッチステージ曽ン、(資)ないしω・
・・・・・処理室、蜀・・・・・・回転ドラム、71・
・・・・・回転支承手段、π・・・・・・動力伝達手段
、n、74・・・・・・歯車、1・・・・・・モータ、
(資)・・・・・・試料保持手段、美・・・。 伸縮手段、110・・・・・・ブツシャ、111・・・
・・・真空封止支承手段、112・・・・・・バネ、1
13・・・・・・円錐カム、114・・・・・・ローラ
、115・・・・・・昇降駆動手段、131・・・・・
・高73 図
面図、第2図は、第1図のλ−A視#JT面図、第3図
は、第1図の平面外観図である。 10・・・・・・バッファ室、 11・・・・・・開口
、圓・・・・・・前処理室、ム、24ないし部・・・・
・・試料搬送手段、n・・・・・・加熱ステージ、ン、
ス・・・・・・エッチステージ曽ン、(資)ないしω・
・・・・・処理室、蜀・・・・・・回転ドラム、71・
・・・・・回転支承手段、π・・・・・・動力伝達手段
、n、74・・・・・・歯車、1・・・・・・モータ、
(資)・・・・・・試料保持手段、美・・・。 伸縮手段、110・・・・・・ブツシャ、111・・・
・・・真空封止支承手段、112・・・・・・バネ、1
13・・・・・・円錐カム、114・・・・・・ローラ
、115・・・・・・昇降駆動手段、131・・・・・
・高73 図
Claims (1)
- 1、減圧排気されるバッファ室と、該バッファ室内と連
通可能に該バッファ室に設けられた複数の処理室と、前
記バッファ室内と連通可能に該バッファ室に設けられ該
バッファ室とは独立して減圧排気される前処理室と、前
記バッファ室内で試料保持手段を前記処理室並びに前記
前処理室に対応する位置に順次移動させる試料搬送手段
と、前記前処理室内に試料を搬入出し該前処理室内で前
記試料を移動させ前記試料保持手段と前記前処理室内と
の間で前記試料を搬送する試料搬送手段とを具備したこ
とを特徴とする連続スパッタ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61048341A JPH0613751B2 (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 連続スパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61048341A JPH0613751B2 (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 連続スパッタ装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6292633A Division JP2676678B2 (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 連続スパッタ処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62207866A true JPS62207866A (ja) | 1987-09-12 |
JPH0613751B2 JPH0613751B2 (ja) | 1994-02-23 |
Family
ID=12800693
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61048341A Expired - Fee Related JPH0613751B2 (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 連続スパッタ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0613751B2 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US5655277A (en) * | 1995-10-17 | 1997-08-12 | Balzers Aktiengesellschaft | Vacuum apparatus for the surface treatment of workpieces |
US5738767A (en) * | 1994-01-11 | 1998-04-14 | Intevac, Inc. | Substrate handling and processing system for flat panel displays |
US5950330A (en) * | 1990-08-29 | 1999-09-14 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
US6416640B1 (en) * | 1997-09-12 | 2002-07-09 | Unakis Balzers Aktiengesellschaft | Sputter station |
US6730194B2 (en) * | 1997-11-05 | 2004-05-04 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Method for manufacturing disk-shaped workpieces with a sputter station |
WO2006057319A1 (ja) * | 2004-11-24 | 2006-06-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置 |
US7089680B1 (en) | 1990-08-29 | 2006-08-15 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
USRE39756E1 (en) | 1990-08-29 | 2007-08-07 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
USRE39776E1 (en) | 1990-08-29 | 2007-08-21 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
Citations (2)
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---|---|---|---|---|
JPS59165462U (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-06 | 日本真空技術株式会社 | 真空成膜装置 |
JPS6052574A (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-25 | Hitachi Ltd | 連続スパツタ装置 |
-
1986
- 1986-03-07 JP JP61048341A patent/JPH0613751B2/ja not_active Expired - Fee Related
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