JPH0345455B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は真空コーテイング装置の分野にあつ
て、特にマグネトロン・スパツタコーテイング源
を用いて磁性体及び非磁性体をコーテイングする
ことに関する。

従来の技術 この中で記載された取り扱い及びコーテイング
装置は、真空装置、輸送装置及び複数の処理ステ
ーシヨンから成る。また、含まれてはいるがこの
中で記載しなかつたものには、様々な電源、水冷
手段、ガス取り扱い手段及び制御手段がある。

個々の基板であつて、半導体及び磁気デイスク
のための基板である薄い基板の取り扱い及びカセ
ツトから真空コーテイング装置内へまた、真空コ
ーテイング装置から出しカセツトへ戻す輸送がま
すます必要になつてきた。これらの装置における
最近のいくつかの発展が、本願譲受人に譲渡され
たところの1982年１月19日発行の米国特許番号第
4311427号の“Wafer Transfer System”（発明
者G.L.Coad，R.H.Shew及びM.A.Hutchinson）
によつて記載されている。

上で引用した装置は、重要な半導体ウエーハコ
ーテイング応用において、極めて上手に成しとげ
られている。コンピユータメモリーアプリケーシ
ヨンにおいて極めて重大な関心である磁気デイス
ク基板の処理及びコーテイングに対して持ち上が
つてきた問題とともに、磁気デイスク製造に対し
て、装置の様々な見地における確かな変更が必要
であることが明らかになつてきた。一度効果的に
行われれば、これらの変更のいくつかはおまけに
半導体ウエーハ処理に有益になる。

上で引用した装置（米国特許第4311427号）の
１つの特徴は、薄い基板の端を保持して鉛直に向
け、個別に処理するということである。基板の両
側とも容易に処理し易いが、例えば、加熱又は冷
却手段が任意にウエーハの後ろ側に与えられ、半
導体ウエーハの１つの側だけがコートされる必要
がある。磁気デイスクのコーテイングにおいて
は、基板の両側をコートする必要があり、また、
両側を同時にコートすることが非常に望ましい。
コーテイングの間、個々の基板を支持するところ
のより対称的手段がそれによつて必要となる。

あるコーテイング装置において、基板は１つの
処理ステーシヨンからもう１つの処理ステーシヨ
ンへと輸送され、共通の真空環境内で２つ又はそ
れ以上の異なる処理が同時に（異なる基板又は組
になつた基板に）行われる。前記の米国特許第
4311427号に記載され半導体ウエーハ処理装置に
おいて、ウエーハは個別に処理されるにもかかわ
らず、共通の真空環境内にある。少なくとも磁気
デイスク処理のいくつかの場合においては、様々
な処理ステーシヨンで大きく異つた処理が同時に
行われることから生じる相互汚染を避けることが
望まれる。

多くのコーテイング装置は、基板輸送装置を用
いている。大部分の場合、輸送装置に取り付けら
れた部分及び駆動部分の様々な部分が、少なくと
も部分的に基板に沿つて付随的にコートされる。
輸送装置からの溶着物質のはく離、とりわけ駆動
部分からのはくりは粒子の発生をもたらし、それ
は基板に対して好ましくない。これは、基板輸送
装置の度々の修正の必要をもたらす。

RF（無線周波数）スパツタリングとして知られ
る技術は、コーテイング源物質が電気的絶縁物又
は不良導体であるときしばしば用いられる。RF
スパツタリングが真空エンクローシヤの内部で用
いられるとき、RF電場及び電流はエンクロージ
ヤ内の様々な場合で確定される。真空エンクロー
ジヤ内からのRFの漏れは、概して周りの環境へ
のRF出力の発散を引き起こす。このような発散
を許容できるレベル以下に保つには、RFシール
ド、アース及び／又はろ過手段を様々な機械運動
フイードスルー、電気フイードスルー、導管及び
真空エンクロージヤを貫通するアパーチヤの各々
に提供することが個々のフイードスルー又は開口
がRFスパツタ処理の操作に直接関連するかどう
かいずれにしても、しばしば必要である。多くの
場合、フイードスルーと開口のほんの小さな部分
がそのように連合している。もし手段が直接含ま
れていないそれらフイードスルー及び開口のシー
ルドその他の必要性を除去するために与えられて
いるならば、装置の複雑性及びコストにおける十
分な節約となるだろう。

半導体ウエーハ処理に対する重要な応用におい
て、決つた数の処理ステーシヨンを有する装置は
全く十分である。磁気デイスク技術は、まだ同様
の点まで達していない。個々の処理ステーシヨン
の数及び型式における適応性が必要とされる。

大部分の半導体ウエーハの応用において、要求
されるコーテイングは非磁性であり、非磁性ター
ゲツトを使用するマグネトロン・スパツタコーテ
イング源から溶着される。磁気デイスクに関して
は、主要なそして決定的に重要なコーテイングは
磁性体であり、非磁性体の付加的コーテイングも
必要とされうる。今日、マグネトロン・スパツタ
コーテイング源は、非磁性体ターゲツトと効果的
に作動するように設計されている。もし磁気デイ
スク製造装置が有効であるためには、磁性体によ
つてデイスクをコーテイングするための改良され
た手段が必要とされる。

マグネトロン・スパツタコーテイング源は、カ
ソード及びアノード構造体を有し、スパツタガス
（典型的には大気圧に近い圧力のアルゴン）を再
封入した排気チエンバ内で作動される。グロウ放
電を確立するためにカソードとアノードとの間に
電圧が与えられる。アノードとカソードとの間の
空間に形成された正のイオンは、カソード表面上
に設けられたスパツタターゲツトに衝突し、（ス
パツタリングによつて）ターゲツト物質の原子を
ターゲツトの表面及び近サブサーフエス原子層か
ら放出する。これらスパツタされた原子は、概し
てスパツタターゲツトと一直線上に置かれた加工
品又は基板上に望ましく溶着する。スパツタされ
た原子はまた付随的に基板ホルダー、スパツタシ
ールド及びチエンバ壁面のような様々な近接表面
に溶着する。

マグネトロン・スパツタコーテイング源の使用
において、スパツタガス圧を監視する手段及び制
御する手段を与えることが必要である。多くの物
質を清浄に溶着したフイルムは、様々なガスの物
理的吸着（physisorption）のための場所を提供
し、また、ある特定のガスとの化学結合（化学吸
着（chemisorption）のための場所を提供する。
溶着されたフイルムへの個々のガスの過度の量の
混入は、汚染されたコーテイングとなる。それゆ
え、スパツタガス環境における汚染ガスを十分に
低いレベルに保つことが必要である。これは概し
て、汚染ガスの他にスパツタガスを除去する手段
による連続的なポンピングを意するそれゆえ、ス
パツタガスの連続的な流入ガス流は、望ましいス
パツタガス圧を維持することを要求される。

真空コーテイング装置においては概して、コー
テイング物質の補給を定期的に行うか、又は別の
方法によつてコーテイング源若しくは処理ステー
シヨンを修正する必要がある。大部分の場合、こ
れは全装置又はその主な部分の停止を必要とし、
それを大気に通じることを必要とする。装置を清
浄作動状態に戻すには大きな時間の遅れと製造の
中断がもたらされる。概して処理ステーシヨンの
修正に関連する装置の停止時間の減少のための手
段は、実質的利益をもたらすことができる。

それゆえ、本発明の目的は、薄い基板を個々
別々にコートし、他には基板の両面を同時に処理
することを可能にする方法で薄い基板を取り扱
い、輸送することである。

本発明のもう１つの目的は、様々な個々の処理
ステーシヨン間の相互汚染を防ぐための手段を提
供することである。

更に本発明の目的の１つは、基板取り扱い及び
コーテイング装置に据付けられまた、駆動する部
分の付随的コーテイングを最小にすることであ
る。

更に本発明の目的の１つは、RFシールド、ア
ース及びろ過の必要性をRF処理に直接関連した
フイードスルー及び開口に限定することである。

更に本発明の目的の１つは、スパツタガスの圧
力及び純度の制御のための改良された手段を提供
することである。

更に本発明の目的の１つは、異なる数及び型式
の個々の処理ステーシヨンを備える装置の組立て
において、容易な適応性を提供することである。

更に本発明の目的の１つは、個々の処理ステー
シヨンの修正に関連した装置の停止時間を減少す
るための手段を提供することである。

付加的な目的及び特徴は、次の発明の記載より
明らかになる。

発明の概要 本発明の１つの面において、薄い基板を個別に
コートし、他方、基板の両側から同時に処理する
ことが可能な方法で、薄い基板（デイスク又はウ
エーハ）を取り扱い、輸送するために新規な手段
が与えられている。独自の基板リフトブレイドが
入口及び出口カセツト、入口及び出口ロードロツ
ク、そして処理ステーシヨンのために用いられて
いる。リフトブレイドは基板の周囲の下半分付近
で対称的に噛み合い、重力の助けによつてしつか
りと基板保持するのでどちらの基板表面のくもり
及びさえぎりも無視できるほどである。第１のブ
レイドは、鉛直方向を向いた基板を入口カセツト
から空気−真空ロードロツクの入口の開口ドアに
持ち上げる。ドアに関連する新規な手段は、しつ
かりと基板を受け取め、それを入口ロツク内へと
選ぶ。入口ロツクの排気及び第２ブレイドへの基
板の輸送の後、第２リフトブレイドは引つ込み、
基板を主真空チエンバ内に運ぶ。新規な“移動ビ
ーム”機構は、取り扱いサイクルの中で適切な時
にいて、第３リフトブレイドに基板を輸送する。
第３リフトブレイドはそのとき基板を第１処理ス
テーシヨン内へ持ち上げ、両面からの同時のコー
テイング又は処理の間、基板を適所に保持する。
コーテイングの後、第３のリフトブレイドは引つ
込み、移動ビームは基板を次の位置へ運ぶ。この
手順は、基板が出口ロードロツクを通つて移動
し、最終的に出口カセツト内に置かれるまで続
く。製造作業中、機械内部のほとんど１つ又は２
つのブレイドが、通常個々の基板を同時に保持し
ている。

本発明の直線型実施例において、入口及び出口
カセツト及びロードロツクは機械の相対する端部
に置かれている。Ｕ型実施例においては、回転ビ
ーム機構又は横運動機能のような逆戻し機構が使
用され、基板は機械の入口側から出口側へ移さ
れ、ここでは、入口及び出口カセツト及びロード
ロツクは、装置の同じ端部に置かれている。どち
らの実施例においても、処理ステーシヨンの数及
び型式の選択において適応性が与えられるよう
に、機械はモジユーラ設計である。

主真空チエンバ内でリフトブレイドの各々に関
連しているのは、リフトブレイドが持ち上げられ
た位置にあるとき、全てのロードロツク及び処理
チエンバが主真空装置から隔離されるようなシー
ル手段である。粗引きポンプは各々のロードロツ
ク及び処理ステーシヨンに利用でき、各処理ステ
ーシヨンは、専用の高真空ポンプが備わつていて
もよく、また、それは、必要ならばバルブで開閉
されてもよい。従つて、個々別々の処理ステーシ
ヨンは作動中互いに隔離され、それによつて相互
汚染が防げるか又は大きく減少できる。非作動
中、リフトブレイドは引つ込んでいるので、処理
ステーシヨンとロードロツクは主チエンバの共通
真空部分を共有する。

作動中隔離される個々の処理ステーシヨンを有
することから付加的な利益が生じる。１つは、付
随して起こる基板取り扱い装置のコーテイングが
リフトブレイドに限定されることである。移動ビ
ーム及び回転ビーム又は横運動機構のような駆動
部分は付随的コーテイングを被らない。その結
果、基板汚染粒子の発生は大きく減じられ、それ
に相応して基板取り扱い装置の修理の必要性を減
じる。

もう１つの利益は、RFシールド、アース及
び／又は個々別々のフイードスルー及び開口のろ
過に対する必要性が、RF処理を使用する特別な
個々のステーシヨンにのみ限定できるということ
である。例えば、主真空チエンバ壁を貫通するフ
イードスルー及び開口は、RFシールド等に対す
る必要から免除される。それゆえ、装置の複雑さ
及び付随のコストにおける重大な減少をもたらす
ことができる。

処理ステーシヨンを隔離することのもう１つの
替在的利益は、スパツタガス（一般にアルゴン）
の取り扱い、清浄化、ポンピングに関連してい
る。多くの金属及び合金スパツタターゲツトによ
つて清浄溶着されたフイルムは、酸素、水蒸気の
ような共通汚染ガスと化学的に反応し、それらを
“ゲツタポンピング”によつて除去する。処理ス
テーシヨンにおいて、例えば、直接先行するサイ
クルの間、スパツタシールド上に溶着されたスパ
ツタターゲツト物質、フイルムを使用すること
は、リフトブレイドの持ち上げが次の基板を所定
位置に運びチエンバを隔離した後、汚染ガスを許
容の低レベルに維持することの役目を果たすこと
ができる。このような場合において、上記のゲツ
タポンピングの代りに頼つて、専用高真空ポンプ
を作動させる必要はない。スパツタガス（一般に
アルゴン）は化学的に不活性であるので、ゲツタ
ポンピングでは除去されず、グロー放電の“イオ
ンポンピング”手段によつて比較的ゆつくりと除
去される。それゆえ、各処理サイクルの間に、１
回のスパツタガスの“チヤージ”をすることで十
分である。スパツタガスのチヤージとともに入り
込んだどのような汚染ガスも、グロー放電の開始
前にゲツタポンピングによつて除去され、それに
よつてスパツタガスの清浄化をする。スパツタコ
ーテイングサイクルの完了と同時に、リフトブレ
イドが引つ込められたときに主チエンバのために
真空ポンプによつてスパツタガスが排気される。
それゆえ、専用高真空ポンプはこのような処理ス
テーシヨンには必要とされず、十分な装置の簡単
化、コストの倹約をもたらす。またスパツタガス
が低汚染レベルに維持される。なぜならば、汚染
に関連して各処理サイクルの間に、ただ１度のス
パツタガスのチヤージがなされるからである。１
つ又はそれ以上の個々の処理ステーシヨンの修正
が必要になつたとき、装置の作動はリフトブレイ
ドを持ち上げた位置にして一時的に中断される。
従つて、全処理ステーシヨン及びロードロツク
は、主真空チエンバから密封される。１つの処理
ステーシヨンの修正のために、その専用ポンプは
バルブが開かれ、処理ステーシヨンは大気に通じ
られる。処理ステーシヨンの適当な部分がはずさ
れ、適切に補給され、処理された部分と取り替え
られる。交互に全ての処理ステーシヨンをはずす
ことができ、新しく一新したものが戻される。そ
の新しく一新したものはコーテイング装置が製造
中の間はオフライン（off−line）に準備されて
いる。その処理ステーシヨンは次に排気（粗引き
排気）され、その専用真空ポンプはバルブが閉め
られる。短時間の調節作動の後、リフトブレイド
は下げられ、装置の正規の作動が開始される。選
ばれた処理ステーシヨンの修理は、他の修理ステ
ーシヨン又は主真空チエンバを大気に通じること
を必要としない。装置の中断時間はそれによつて
大きく減少される。

好適実施例 第１図を参照すると、本発明のＵ型実施例で部
分的に断面が示された平面図が図示されており、
第２図から第１０図には、本実施例を様々な点か
ら見た図が示されている。第１図に示されている
ように、コーテイング装置は、薄い基板（デイス
ク又はウエーハ）１３を運搬する入口カセツト１
０及び出口カセツト１１と、入口及び出口ロード
ロツク（load lock）１５及び１６と、関連した
ベンテイング（venting）及び排気装置１７と、
主真空チエンバ１８と、処理ステーシヨン２０−
２３と、“休止”処理ステーシヨン２４−２９と、
移動ビーム機構３０及び３１と、回転ビーム機構
３２を有する。第２図に示されているように、主
真空チエンバ１８は、クライオポンプ
（cryopump）のような適切なポンピング手段に
よつて、導管３４を通して排気される。

基板をカセツト１０へ装着し又、カセツト１１
から脱却することは第１，２図及び第６−９図の
助けによつて理解されよう。第２図において入口
ロードロツク１５及び連合した溝付リフトブレイ
ド３７の部分断面図が示されている。そのリフト
ブレイドは装着サイクルの始めにおいては空（す
なわち、基板１３を持つていない）である。リフ
トブレイド３７の溝３８は、第６及び９図に見ら
れ、脱却中央部分３９は第２，４，５，７及び８
図に示されている。脱却部分３９の目的は、次に
詳しく記載するように移動ビーム機構３０及び３
１による基板１３の移動を容易にすることであ
る。リフトブレイド３７はベローシール
（bellows−sealed）された空気式シリンダー４１
によつて持ち上げられまた、引つ込められる。装
置サイクルが始まると、リフトブレイド３７は空
気式シリンダー４１によつてロードロツク１５の
中へと持ち上げられる。リフトブレイド３７に関
連するのは概して矩形でＯ−リング４３を備える
フランジ４２であり、それはリフトブレイド３７
が持ち上げられた位置にあるとき、ロードロツク
１５の接合底板表面４５と真空シールを形成する
のに役立つ。主真空チエンバ１８から間違いなく
孤立させられると、ロードロツク１５は装置１７
によつて排気され、ロードロツク１５のドアー５
０は基板１３を受け入れるために（図示されてい
ない手段によつて）全開位置へ180゜回転させられ
る。

空気式シリンダー５２によつて作動される別の
溝付リフトブレイド５１は、１つの基板１３と嵌
合してその基板をカセツト１０からロードロツク
１５のドアー５０に取り付けられた一対の溝付受
け入れガイド５３中へ運搬する（第７−９図参
照）。レバーアーム５４はドアー５０の内側に置
かれ、溝付ガイド５５を持ち、更に基板１３と嵌
合してその基板をリフトブレイド５１の上へ持ち
上げるように（図示されていない手段によつて）
作動される。リフトブレイド５１は、次に空気式
シリンダー５２によつてカセツト１０を通過して
その下方へ引つ込められ、カセツト１０は次のロ
ードサイクルの準備のために（図示されていない
手段によつて）前に進むように指示される。リフ
トブレイド５１が引つ込められた後、ドアー５０
はその閉じた位置へとヒンジピン５７の部分で回
転させられる。ドアー５０はＯ−リング５８を備
える。そのＯ−リングは閉じたドアー５０と接合
したロードロツク１５の表面５９との間の真空シ
ールを果たす。ガイド５３及び５５は、基板１３
とリフトブレイド３７との間に適切な鉛直クリア
ランスが与えられるように位置される。次にロー
ドロツク１５は装置１７によつて排気され、レバ
ーアーム５４は引つ込められ、基板１３が溝付リ
フトブレイド３７中に落とされる。基板１３を備
えたリフトブレイド３７は、次に空気シリンダー
４１によつて主真空チエンバ１８中へ引つ込めら
れる。

基板１３を主真空チエンバ１８から出口ロード
ロツク１６を通して出口カセツト１１へ脱却する
過程は、入口ロードロツク１５を通しての装着過
程にかんがみると、この２つの過程において用い
られている様々な機構は実質的に同一であるの
で、容易に理解できる。

基板の装着及び／又は脱却のためのサイクル時
間は、典型的に、処理ステーシヨン２０，２３に
要求される正規操作時間より少ない。

ロードロツク１５及び１６の各々及び処理ステ
ーシヨン２０−２３の各々は、専用リフトブレイ
ド３７、ベローシールされた空気式シリンダー４
１、矩形フランジ４２、Ｏ−リング４３及び接合
底板表面４５と連合している。リフトブレイド３
７は、ステーシヨン２０−２３における処理の
間、基板１３を保持するように形成されている。
特に、リフトブレイド３７は、基板１３の外周の
下半分付近で対称的に嵌合する溝３８を有し、そ
の嵌合は、基板表面のどちらをも無視できる程度
におおい隠すので、それによつて基板１３の両側
の同時コーテイングを可能にする。そして、それ
は磁気デイスクの製造に特に重要である。

リフトブレイド３７が持ち上げられた位置にあ
るとき、対応するロードロツク及び処理ステーシ
ヨンはフランジ４２、Ｏ−リング４３と接合表面
４５との間の真空シールによつて主真空チエンバ
１８から孤立されている。独立した弁の取り付け
配置（図示せず）を用いることで、ロードロツク
１５及び１６はベンテイング及び真空装置１７を
共有する。より十分に記載するように、処理ステ
ーシヨン２０−２３の各々は、それ自身の独立し
た真空装置を有し、それによつて、個々の処理ス
テーシヨンは操作の間互いに孤立されており、そ
れにより相互汚染を防止し、更にまた次に記載す
るように他の利益を提供している。

第１図に示されるように、“休止”ステーシヨ
ン２４，２５，２８及び２９はそれぞれ処理ステ
ーシヨン２０，２１，２２及び２３を伴つてい
る。これらの休止ステーシヨンは位置が固定さ
れ、基板１３の便利な駐留場所として働き、例え
ば、基板が次の処理ステーシヨンに入る前に冷却
しガス抜きさせる。他の２つの休止ステーシヨン
２６及び２７は、回転ビーム機構３２と連合して
いる。休止ステーシヨン２４−２９の各々は、本
質的にリフトブレイド３７と同じ方法で基板１３
を支持するところの据え付けリフトブレイドとし
て形成される。

基板１３を主真空チエンバ１８内の１つの引つ
込んだ位置からもう１つの位置へ移す仕事は、移
動ビーム機構３０及び３１並びに回転ビーム機構
３２の助けによつてなしとげられる。第３−５図
は、この仕事の記載において特に有効である。全
部の生産の正規操作状況下において、ステーシヨ
ン間の移動に先立つて基板１３は入口ロードロツ
ク１５及び処理ステーシヨン２０−２３の引つ込
んだ位置でリフトブレイド３７を占める。基板１
３はまた、固定された休止ステーシヨン２４，２
５，２８及び２９、そして更に、回転ビーム機構
３２と連合した休止ステーシヨン２７を占める。
空のステーシヨンは、回転ビーム機構３２と連合
した休止ステーシヨン２６と出口ロードロツク１
６と連合したリフトブレイド３７だけである。移
動ビーム３０は、基板１３を入口ロードロツク１
５から休止ステーシヨン２６へ移すワン・ステー
シヨンシフト（one−station shift）を果たし、
一方、移動ビーム機構３１は、休止ステーシヨン
２７から出口ロードロツク１６への同様なワン・
ステーシヨンシフトをなしとげる。移動ビーム機
構３０及び３１の各々は直線ギア６２を駆動する
外部駆動手段６１を有する。直線ギア６２は、シ
ヤフト６４を回転させる一対の円形ギア６３と嵌
合する。シヤフト６４は横運動機構６５及び回転
真空シール６６を介して主真空チエンバ１８内へ
と伸び、そこでアーム６７にしつかりと接続さ
れ、それらはシヤフト６８を介してビーム６９と
相互に回転可能に接続されている。基板１２のた
めの溝付搬器７１は、ビーム６９に取り付けられ
ている。第３図で示された実施例において、溝付
搬器７１は短い円筒であり、第４及び５図に示さ
れた実施例において、３つの溝付搬器７１が各々
の基板１３のために用いられている。前記したよ
うに、リフトブレイド３７は各々１つの溝３８と
１つの脱却中央部分３９を有する。同様に、固定
された休止ステーシヨン２４，２５，２８及び２
９の各々も１つの溝３８及び脱却中央部分３９を
有する。溝３８の目的は、重力の助けによつて基
板１３をしつかりと保持することであり、脱却中
央部分３９の目的は、３つの溝付搬器７１のうち
真中の搬器を収容することである。

第３図は、移動ビーム機構３０及び３１の移動
始め位置を示している。第４図は“中途”位置に
おける移動ビーム機構３０のビーム６９を示して
おり、第５図は最終位置付近のビーム６９を示し
ている。第３−５図にはまた、３つの移動位置に
おける溝付搬器７１上に保持された基板１３が図
示されている。駆動手段６１において、ビーム６
９の輸送はアーム６７の媒介によりなされ、その
アームはビーム６９上の選択されたどの点をも初
めの位置から終わりの位置への円形経路をたどら
せる。このように、基板１３は初めの位置から溝
付搬器の上に乗せられ、基板１３から溝付搬器７
１が完全にはずれる位置にビーム６９が置かれる
ことで次のステーシヨンに置かれる。基板１３の
移動を完成する途中で、ビーム６９は横移動機構
６５によつて、近接する主真空チヤンバ１８（第
６図参照）の壁７２の方に動かされ、それによつ
て基板１３の垂直輸送のためのリフトブレイド３
７が自由になる。次にビーム６９は主真空チエン
バ１８の壁７２に向う連続した置換えがなけれ
ば、外部駆動手段６１によつて円形経路内を移動
開始位置へと戻される。第６図におけるアーム６
７、ビーム６９及び溝付搬器７１の点線の位置
は、移動開始位置へ移る途中の移動ビーム機構３
０の部分を示す。次の処理サイクルを完了する途
中及びリフトブレイド３７が引つ込んだ位置に戻
る途中で、ビーム６９は、次の移動サイクルのた
めに溝付搬器７１が基板１３と嵌合できるように
横移動機構６５によつて主真空チエンバ１８の壁
から離され移動開始位置に戻される。

移動ビーム機構３０及び３１による基板移動の
ためのサイクル時間は、典型的に10秒以下であ
る。処理ステーシヨン２０−２３における50秒の
処理時間のため総サイクル時間は約60秒である。

基板１３の休止ステーシヨン２６への移動及び
休止ステーシヨン２７からの移動における移動ビ
ーム機構３０及び３１の役割は、前に記載した。
ここで、いかにして基板１３が休止ステーシヨン
２６の位置から休止ステーシヨン２７の位置へ移
されるかを記載する。回転ビーム機構３２は垂直
シヤフト７６にしつかりと取り付けられたビーム
７５を有し、そのシヤフトは、主真空チエンバ１
８の上部板７８に取り付けられた回転駆動手段７
７と接続している。ビーム７５の２つの端部には
基板搬器７９が刻まれており、それは溝３８及び
脱却中央部分３９を含んだリフトブレイド３７及
び休止ステーシヨン２４，２５，２８及び２９と
同じものである。基板移動過程の始めにおいて、
休止ステーシヨン２６にある溝付基板搬器７９は
空であり、一方、休止ステーシヨン２７内の搬器
７９は基板１３を保持している。移動ビーム３０
及び３１がそれらの移動サイクル及び引つ込みが
完了した後は、休止ステーシヨン２６内の搬器７
９は基板１３を保持しており、休止ステーシヨン
２７内の搬器７９は空である。回転駆動手段７７
は、次にビーム７５を180゜回転するように働き、
それによつて休止ステーシヨン２６内の搬器７９
は今度は空になり、休止ステーシヨン２７内に位
置する搬器７９は再び基板１３を保持する。これ
で、休止ステーシヨン２６及び２７は次の移動サ
イクルのための状態にある。

基板１３の休止ステーシヨン２６から休止ステ
ーシヨン２７への移動において、基板１３は鉛直
軸線のまわりを180゜回転されることが分かる。こ
のことは、入口カセツト１０内の位置から出口カ
セツト１１内の位置が逆になることを示す。磁気
デイスク製造においては、基板１３のこのような
逆転は全く取るに足りないことであり、基板１３
（デイスク）の両側は等しく処理されコートされ
る。しかし、ある半導体ウエーハコーテイングの
適用においては、処理され、コートされた基板１
３（デイスク）をその向きも含めてそれが初めに
来たカセツト内で同じ位置に戻されることが望ま
れる。その場合上記の鉛直軸のまわりの180゜の回
転は避けられるか又は調整されるべきである。こ
れをなしとげる１つの手段は、次に第１０図に関
して記載される。

第１図に示された実施例において、４つの処理
ステーシヨン２０−２３が用いられている。ほと
んどの場合、これらの処理ステーシヨンは共通の
特徴を共有する。それは、基板１３がリフトブレ
イド３７内に保持されている間、基板を両側から
処理すること及び主真空チエンバ１８からの処理
ステーシヨンの孤立がフランジ４２、Ｏ−リング
４３と接合表面４５との間の真空シールによつて
なされることを含む。しかし、概して、異なる処
理は異なつたステーシヨンでなしとげられる。磁
気デイスクの製造において、例えば、処理ステー
シヨン２０は基板１３の加熱及びスパツタエツチ
に使用されてもよく、処理ステーシヨン２１及び
２２は基板１３の両側に磁性体のコーテイングを
施すために使用されてもよく、また、処理ステー
シヨン２３は最後の保護コーテイングを施すため
に使用されてもよい。後に記載するように、付加
的処理ステーシヨンに必要なものは、基板取り扱
い及びコーテイング装置の設計及び構造のモジユ
ーラネイチヤー（modular nature）のために容
易に供給される。

処理ステーシヨン２１を代表するいくつかの特
徴及び働きは、ここで第６図の助けによつて記載
する。２つのマグネトロン・スパツタコーテイン
グ源８０（magneetron sputter coating
source）は、エラストマーガスケツト８１
（elastomer gasket）と隔離リング８１ａとで中
央チエンバ８２と移動可能にシールされ、そし
て、それは真空密着ジヨイント８２ａによつて、
主真空チエンバ１８の上部板７８に移動可能に取
り付けられる。上部板７８と壁部材８４との間に
形成されたマニホールド８３は、中央チエンバ８
２と真空連通している。矩形スロツト８５は上部
板７８を通つて中央チエンバ８２内へ伸び、基板
１３を備えたリフトブレイド３７の導入を可能に
している。移動可能なスパツタシールド８７及び
８８は清浄化と修理を容易にするために与えられ
る。不導体物質で作られた移動可能な安全シール
ド８９もまた提供される。円筒状導管９０はクラ
イオポンプ９１を収容しており、そのポンプは処
理ステーシヨン２１のための専用高真空ポンプで
ある。導管９０は主真空チエンバ１８に構造上の
補強も与えているが、導管９０の内側は真空とい
う意味で主真空チエンバ１８から孤立している。
クライオポンプ９１及び連合したデイスプレイサ
ー・モータ９２（displacer motor）は、真空フ
ランジ９３に据え付けられており、その真空フラ
ンジ９３は導管９０に取り付けられた対応する真
空フランジ９４と接合する。クライオポンプ９１
はマニホールド８３内でポペツトバルブ９６を介
して処理ステーシヨン２１と弁連通されている。
必要とするときは、処理ステーシヨン２１の粗引
きポンピングはマニホールド８３に接続された粗
引きバルブ９７を介してなされる。処理ステーシ
ヨン２１の大気へのペンテイングのためのバツク
ツーエアバルブ（back−to−air valve）は図示
されていない。処理ステーシヨン２１の中央チエ
ンバ８２に接続されているのはキヤパシタンスマ
ノメータ１０１（capacitance manomcter）（第
１及び２図参照）であり、それはスパツタ蒸着の
間、スパツタガス（典型的にはアルゴン）の圧力
の正確な計測のために使用される。更に中央チエ
ンバ８２に付加されているものは、図示はされて
いないが、アルゴンガス流制御バルブ、アルゴン
ガス流モニター及び高真空の計測のための冷陰極
真空計である。マグネトロン・スパツタコーテイ
ング源８０と連合しているものは、図示はされて
いないが、グロー放電出力供給管、水冷管、磁石
出力供給管及びマグネトロン・スパツタコーテイ
ング源８０の内部の磁場を計測するためのハルプ
ローブ（Hall probes）である。

正規の操作において、移動ビーム機構３０及び
３１による基板１３の移動の間、ポペツトバルブ
９６は閉じられており、それによつて、専用クラ
イオポンプ９１を主真空チエンバ１８から孤立さ
せている。一度基板１３の移動が完了すると、ビ
ーム６９は引つ込み、空気式シリンダー４１はリ
フトブレイド３７をそれら各々の処理ステーシヨ
ンに持ち上げる。ここで第６図を参照すると、処
理ステーシヨン２１はフランジ４２、Ｏ−リング
４３及び接合表面４５との間の真空シールによつ
て、主真空チエンバ１８から孤立させられてい
る。ポペツトバルブ９６は、次のその専用クライ
オポンプ９１によつて処理ステーシヨン２１が排
気されるように開かれる。アルゴン流量は、キヤ
パシタンスマノメータ１０１によつて計測された
所望のアルゴン圧力を与えるように調整される。
出力は、所望のコーテイングをするのに必要なレ
ベルと時間をもつてマグネトロン・スパツタコー
テイング源８０に供給される。例として、厚さ
1000オングストロームのパーマロイ
（Permalloy）の層が、片側につき２キロワツト
以下の電源レベルで30−50秒で磁気デイスクの両
面に蒸着される。コーテイングが終了すると、コ
ーテイング源８０への電力は止められ、アルゴン
流バルブは閉じられる。そのときクライオポンプ
９１へのポペツトバルブ９６は閉じられ、基板１
３を備えたリフトバルブ３７は引つ込められる。
装置は、移動ビーム機構３０及び３１並びに回転
ビーム機構３２によつて次の基板移動サイクルの
準備がされている。

上で開示した実施例において、移動ビーム機構
３０及び３１は、４つの異つた動きを経る。すな
わち、１ 溝付搬器７１が基板１３に嵌合できる
ようにする内側への移動（主真空チエンバ１８の
壁７２から離れる移動）、２ 初めの位置から最
後の位置へのアーチ状の移動（第４及び５図にお
いて上に凸状に示した）、３ 外側への移動（壁
７２に向う移動）、４ 移動開始位置に戻る凸状
のアーチ状の移動である。

代りの実施例（図示せず）において、移動ビー
ム機構３０及び３１は、ビーム６９及び連合する
溝付搬器７１を上に凸状というよりも凹状に移動
させる。ここでは（４つよりも）８つの異つた動
きが要求される。すなわち、１ 内側への移動２
溝付搬器７１が基板１３と嵌合しリフトブレイ
ド３７の上に持ち上げることができるようにする
逆アーチ状（小さい円弧）の移動、３ 外側への
移動（リフトブレイド３７を空にするための移
動）、４ 最初の角位置から最後の角位置への凹
状のアーチ状の移動５ 内側への移動６ 基板１
３を溝付搬器７１からリフトブレイド３７へはず
すことを可能にする逆アーチ状（小さい円弧）の
移動、７ 外側への移動、８ 移動開始位置に戻
る凹状のアーチ状の移動である。

凹状の実施例は凸状の実施例よりも幾分か複雑
である（ビーム６９の４つではなく８つの異つた
動きを必要とすること）が、付加的駆動機構は全
く必要としない。なぜならば、付加された動きは
相対的に小さく、基板移動サイクル時間への影響
は比較的小さいからである。凹状の実施例の１つ
の利点は、主真空チエンバ１８の垂直方向の高さ
を減少することができ、それは、その製造コスト
が下がるということである。このチエンバ１８の
高さの減少は、リフトブレイド３７のためのベロ
ーシールされた空気式シリンダー４１に必要なス
トロークの長さを減少し、そのことはコストを下
げ、かつまた信頼性を改善する。

回転ビーム機構３２による垂直軸のまわりでの
基板１３の180゜の回転はある重要な出願において
避けられ修正されるべきであることを初めの方で
記載した。第１０図には、第３図の回転ビーム機
構３２に代るものとして、横運動機構１２０が図
示されている。横運動は、ベローシールされた空
気式シリンダー１２２によつて、シヤフト１２１
に伝えられる。溝付基板搬器１２４がシヤフト１
２１に取付けられている。搬器１２４はリフトブ
レイド３７及び休止ステーシヨン２４，２５，２
８及び２９と同様で、溝３８及び脱却中央部分３
９を有している。基板移動行程の初めにおいて、
基板１３を保持する搬器１２４は休止ステーシヨ
ン２７内に位置する。ビーム６９上の溝付搬器７
１が基板１３をリフトブレイド３７、休止ステー
シヨン２４，２５，２８、及び２９及び搬器１２
４から持ち上げるやいなや、空気式シリンダー１
２２は素早くシヤフト１２１を動かすように活動
的にされ、搬器１２４（このときは空である）は
休止ステーシヨン２６の位置に置かれる。ここで
点線はシヤフト１２１と搬器１２４の位置を示
す。空の搬器１２４は、適当な溝付搬器７１から
基板１３を受け取る位置にある。基板１３が搬器
１２４上に置かれた後、空気式シリンダー１２２
は基板１３を伴つた搬器１２４を休止ステーシヨ
ン２７の位置に戻し、次の基板移動サイクルのた
めの状態にするように活動化される。横運動機構
１２０が基板１３を休止ステーシヨン２６から休
止ステーシヨン２７へ回転させずに移動させるこ
とをなしとげたことは明らかであり、それはある
応用において重要である。

第３図と第１０図を比べると、横運動機構１２
０は回転ビーム機構３２よりも長さの占める空間
が少ないことに気付く。このことは、端部壁１２
６を点線の位置に移すことによつて主真空チエン
バ１８を短かくすることができ、それによつて、
製造コスト及びフロアが占める空間を少なくする
ことができる。前述の記載において、処理ステー
シヨン２１は処理の間、フランジ４２、Ｏ−リン
グ４３と接合表面４５との間の真空シールによつ
て主真空チエンバ１８から隔離され、そして、処
理ステーシヨン２１は、クライオポンプ９１を備
えるそれ専用の真空装置を有することを記載し
た。図面から分かるように、他の処理ステーシヨ
ン２０，２２及び２３の各々に関し、同様の状況
が存在している。従つて、処理の間処理ステーシ
ヨン２０−２４の各々は、主真空チエンバ１８か
ら隔離されていると同様に互いに隔離されてい
る。処理の間の相互汚染はそれによつて防がれ又
は大きく減少される。

処理ステーシヨン２０−２３がその操作中隔離
されることの有するもう１つの利益は、付随して
起こる基板取り扱い装置のコーテイングがリフト
ブレイド３７に限定されることである。移動ビー
ム機構３０及び３１の駆動部分、例えば、回転シ
ヤフト６４、アーム６７、シヤフト６８、ビーム
６９及び溝付搬器７１は全て付随的コーテイング
を避けるが、それは回転ビーム機構３２又は横運
動機構１２０に関連する様々な部分がそうである
ように避ける。結果として、基板１３を汚染し又
は害する粒子の発生は大きく減少され、それに応
じて基板取扱い装置の清浄化及び修正の必要性は
減少する。

隔離された処理ステーシヨンの有する更にもう
１つの利益は、様々なフイードスルー
（feedthrough）及び開口のRFシールド、アース
及び／又はろ過の必要性は、RF処理が使われて
いる特別な個々のステーシヨンだけに限ることが
できるということである。例えば処理ステーシヨ
ンの隔離がない場合、移動ビーム機構３０及び３
１のシヤフト６４及び回転ビーム機構３２の垂直
シヤフト７６にも特別なアース手段を与える必要
が出てくる。主真空チエンバ１８のための圧力計
測ゲージ（図示せず）に関連する電線は、アース
シールド（grounded shielding）によつて取り囲
む必要がありまた、特別なRFフイルターが必要
とされる。処理ステーシヨンの隔離のによつて、
このようなRFシールドその他の必要性は装置に
おける複雑さ及びコストの減少とともに避けられ
る。

処理ステーシヨンを隔離することのもう１つの
可能な利益は、一般にはアルゴンであるところの
スパツタガスの取り扱い、清浄化、除去に関連す
る。多くの金属及び合金スパツタターゲツト
（metal alloy sputter targets）で清浄に溶着さ
れたフイルムは、酸素や水蒸気といつた汚染ガス
に対する“ゲツタポンプ（getter pumps）”とし
て働く。このようなスパツタターゲツト物質を使
用する処理ステーシヨンにおいて、直前のコーテ
イングサイクルの間にスパツタシールド３７及び
８８（第６図における処理ステーシヨン２１のよ
うに）上に溶着されたフイルムは、リフトブレイ
ド３７の持ち上げが次の基板１３をそのコーテイ
ング位置に運び、フランジ４２及びＯ−リング４
３によつて処理ステーシヨン２１が主真空チエン
バ１８から隔離された後に、許容できる低いレベ
ルの汚染ガスを維持することを果す。この場合
は、専用クライオポンプ９１のためにポペツトバ
ルブ９６を開く必要はないが、その代り、スパツ
タシールド８７及び８８上の清浄溶着フイルムに
よるゲツタポンピングに頼つている。スパツタガ
ス（一般にはアルゴン）は化学的に不活性である
ので、ゲツタポンピングによつては除去されず、
グロー放電の“イオンポンピング”手段によつて
比較的ゆつくりと除去される。それ故、各処理サ
イクルに対して１度のスパツタガスの“チヤー
ジ”をすれば十分である。スパツタガスと共に導
入したどのような汚染ガスも、グロー放電の開始
に先立つてゲツタポンピングによつて除去され、
それによつてスパツタガス体を清浄にする。スパ
ツタコーテイングサイクルが完了したとき、リフ
トブレイド３７が引つ込められると、スパツタガ
スは主真空チエンバ１８のための真空ポンプによ
つて排気される。スパツタシールド８７及び８８
のような表面上に清浄溶着されたフイルムによる
十分なゲツタポンピングがある処理ステーシヨン
は専用高真空ポンプ（クライオポンプ９１）を不
用にすることが可能であり、その場合、単純で低
コストのコーテイング装置になりうる。また、低
汚染レベルのスパツタガス体が維持される。なぜ
ならば、各処理サイクルごとにたつた一度だけ汚
染物を含んだスパツタガスのチヤージがなされる
からである。

個々別々の処理ステーシヨン２０−２３は、周
期的に予定された（時には非周期的に）体制で修
正する必要がある。処理ステーシヨン２１のマグ
ネトロン・スパツタコーテイング源８０における
スパツタターゲツト物質の補充は、周期的修正が
必要なものの一例である。先行技術におけるほと
んどの装置においては、このような修正は全装置
を停止して大気にベンテイングすることを必要と
する。装置が清浄な操作状態に戻るには、重大な
時間の遅れと生産の中断をもたらす。

本発明の１つの面において、１つの選ばれた処
理ステーシヨンの修正は、残りの他の処理ステー
シヨンのベンテイング又は、主真空チエンバの大
気へのベンテイングを必要としない。１つ又はそ
れ以上の個々の処理ステーシヨンの修正が必要と
なるとき、装置の操作はリフトが持ち上げられた
位置で一時中断する。従つて全ての処理ステーシ
ヨン及びロードロツクは主真空チエンバから封鎖
される。１つの処理ステーシヨンを修正する間、
その専用ポンプはバルブが開かれ、処理ステーシ
ヨンは大気にベントされる。処理ステーシヨンの
適切な部分がはずされ、適切に補給され未処理の
部分と取替えられる。交互的に全処理ステーシヨ
ンをはずすことができ、新しいもの又は一新した
ものと取替えることができる。処理ステーシヨン
はそのとき排気（粗引き排気）され、その専用ポ
ンプのバルブが閉められる。簡単な調節操作の
後、リフトブレイドは下げられ、装置の正規の操
作が戻される。選ばれた処理ステーシヨンの修正
は、他の処理ステーシヨン又は主真空チエンバの
大気へのベンテイングを必要としない。装置の停
止時間はそれによつて大きく減少される。

第１図より、機械の入口ロードロツク側にある
処理ステーシヨン２０及び２１は、出口ロードロ
ツク側にある休止ステーシヨン２９及び２８と向
い合つていることが分かる。この配置は細い機械
をもたらし、また、例えば、もし処理ステーシヨ
ン２０及び２１が処理ステーシヨン２３及び２２
と向い合つているならばその場合よりも更に効果
的な空間と物質の利用がなされる。

前記したように、いくつかの応用は開示した実
施例中に示された４つの処理ステーシヨン２０−
２３より多くの付加処理ステーシヨンを必要とす
る。第１図において、デイスク又はウエーハ取り
扱い及びコーテイング装置がフランジ１１４によ
つて互いに連結された３つの分離フランジ付部分
１１０，１１１及び１１２に示されていることが
分かる。付加的な対になつた処理ステーシヨンと
休止ステーシヨンは、範囲において更に１つ又は
それ以上の分離したフランジを付けられた部分１
１１を付加することによつて都合よく付加でき
る。もちろん、移動ビーム機構３０及び３１の適
切な改良を伴なう。

また、前記したように、本発明のＵ型実施例が
第１図及び他の図面に開示されている。明らか
に、直線型又は他の型の実施例が可能であり、あ
る応用には好適である。しかし、Ｕ型実施例は、
コンパクトであり、装置の同一端部で着脱できる
という利点がある。

デザインの適応性の１つは、処理ステーシヨン
の数と比較した休止ステーシヨンの数にある。第
３図の回転ビーム３２又は第１０図の横運動機構
１２０に関連する回転がなければ、Ｕ型実施例に
おける休止ステーシヨンは全く除去され、それに
よつて取り扱い及びコーテイング装置内に存在す
る基板は最小にされる。適用の詳細に依存して、
冷却及び脱ガスのための時間考慮は第１図の実施
例に示したよりも多くの数の休止ステーシヨンで
あつても有利である。

前述した事から、本発明は磁気デイスク及び半
導体ウエーハのような薄い基板の取り扱い及び
個々別々の処理のための新規な装置を提供するこ
とが分かる。当業者には開示した実施例の多くの
変更態様が考えられるが、本発明は添付した特許
請求の範囲によつてのみ限定される。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明のＵ型実施例の部分的に略示
された平面図である。第２図は、部分的に略示し
部分的に断面である側面図である。第３図は、上
部から見た第１図の断面図であり、移動ビーム及
び回転ビーム装置が図示されている。第４図及び
第５図は、大きく省略された断面側面図であり、
基板が移動ビーム装置によつて輸送されていると
ころが図示されている。第６図は、処理ステーシ
ヨン、関連するリフトブレイド及び専用ポンプを
部分的に略示した部分断面図である。第７−９図
は、薄い基板を入口カセツトリフトブレイドから
入口ロードロツクのドアへ輸送する手段及び、ド
アのそばで基板を保持する手段を図示する。第１
０図は、第３図の回転ビーム装置に代わる横運動
機構を図示する、第３図の一部分図である。 主要符号の説明、１０…入口カセツト、１１…
出口カセツト、１３…基板（デイスク又はウエー
ハ）、１５…入口ロードロツク、１６…出口ロー
ドロツク、１７…ペンテイング及び排気装置、１
８…主真空チエンバ、２０，２１，２２，２３…
処理ステーシヨン、２４，２５，２８，２９…休
止ステーシヨン、３０，３１…移動ビーム機構、
３２…回転ビーム機構、３７，５１…溝付リフト
ブレイド、３９…脱却中央部分、４２，１１４…
フランジ、４５…底部表面、５０…ドアー、５４
…レバーアーム、５５…溝付ガイド、５７…ヒン
ジピン、６１…外部駆動手段、６４，６８，１２
１…シヤフト、６５，１２０…横運動機構、７
１，７９，１２４…溝付搬器、７８…上部板、８
０…マグネトロン・スパツタコーテイング源、１
１０，１１１，１１２…分離フランジ部分。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 複数の比較的薄い基板を取り扱い、個々別々
   に処理するための装置であつて、前記基板は前記
   取り扱い及び処理の間鉛直方向に向けられてお
   り、前記装置は、 ａ 主チエンバ、 ｂ 入口ロードロツク及び出口ロードロツク、 ｃ 複数の処理ステーシヨン、 ｄ ロードロツク装置／脱却手段、 ｅ 鉛直輸送手段、 ｆ 水平輸送手段 とから成り、 前記ロードロツクは前記主チエンバの上に置か
   れ、その上部壁に密閉され、 前記処理ステーシヨンは前記ロードロツクの間
   に配置され、また更に前記主チエンバの前記上部
   壁に密閉されており、 前記ロードロツク装置／脱却手段は、前記基板
   を入口カセツトから入口ロードロツクへ移動さ
   せ、また、前記基板を前記出口ロードロツクから
   出口カセツトへ移動し、 前記鉛直輸送手段は、前記基板を前記主チエン
   バから前記処理ステーシヨン及び前記出口ロード
   ロツク内へと輸送し、更に、前記基板を前記ロー
   ドロツク及び前記処理ステーシヨンから前記主チ
   エンバ内へ下げるのに利用され、複数の個々のリ
   フトブレイドを有し、 前記ロードロツク及び処理ステーシヨンの各々
   が前記リフトブレイドのうちの専用のブレイドに
   よつて供給され、該ブレイドは各々、鉛直方向の
   輸送の間、個々の前記基板の１つをしつかりと保
   持するように形成されており、前記処理ステーシ
   ヨンのための前記リフトブレイドは前記処理ステ
   ーシヨン内での処理の間、前記基板を保持するよ
   うに形成されており、 前記水平輸送手段は、前記主チエンバ内におけ
   る前記全ての基板の同時の１ステーシヨンシフト
   を行うために利用され、前記シフトは前記出口ロ
   ードロツクの方に向けられ、それによつて前記
   個々の基板は前記装置を通つて輸送され、連続し
   た前記処理ステーシヨンの内で連続的に処理さ
   れ、前記処理ステーシヨンの全てが前記基板の１
   つを同時に処理し、それによつて、高い生産率の
   達成を許しているところの装置。 ２ 特許請求の範囲第１項に記載された装置であ
   つて、 前記各々のリフトブレイドが前記基板の周囲の
   下半分付近に対称的に嵌合するように溝が付けら
   れ、前記リフトブレイドが重力の助けで前記基板
   をしつかりと保持しているところの装置。 ３ 特許請求の範囲第２項に記載された装置であ
   つて、 前記処理ステーシヨンに関連した前記リフトブ
   レイドの各々が前記基板の両面を取るに足りない
   程に覆うように形成され、それによつて前記基板
   の両面の同時処理の実行を許しているところの装
   置。 ４ 特許請求の範囲第２項に記載された装置であ
   つて、 前記リフトブレイドは、前記水平輸送手段の複
   数の溝付搬器手段が、前記基板と嵌合してそれを
   前記リフトブレイドからはずし、また、前記基板
   をリフトブレイドの近くに置くことを許すように
   形成されている装置。 ５ 特許請求の範囲第４項に記載された装置であ
   つて、 前記リフトブレイドの各々は中央に置かれた前
   記溝付搬器部材の１つが使用されることを許す中
   央脱着部分を有し、それによつて前記溝付搬器部
   材による前記基板の確実な嵌合を確保していると
   ころの装置。 ６ 特許請求の範囲第１項に記載された装置であ
   つて、 前記リフトブレイドが持ち上げられた位置にあ
   るとき、前記処理ステーシヨン及びロードロツク
   の全てが前記主チエンバから閉鎖されるシール手
   段が前記リフトブレイドと連合しており、それに
   よつて前記処理ステーシヨン及びロードロツク
   は、それらが作動中の間主チエンバから隔離さ
   れ、また、相互に隔離されるところの装置。 ７ 特許請求の範囲第６項に記載された装置であ
   つて、 前記処理ステーシヨン及びロードロツクは、前
   記リフトブレイドによつて、前記主チエンバと前
   記処理ステーシヨン及びロードロツクとの間の概
   して矩形の小さな孔を通して近づけられ、前記リ
   フトブレイドシール手段は、前記リフトブレイド
   の下に直接取り付けられた概して矩形のフランジ
   によつて与えられ、前記フランジは前記主チエン
   バの前記上部壁の内部表面上に置かれた接合表面
   に対して密閉を与えるＯ−リングを備えていると
   ころの装置。 ８ 特許請求の範囲第６項に記載された装置であ
   つて、 前記主チエンバには１つの主高真空ポンプが備
   わり、前記ロードロツクには粗引き真空ポンピン
   グ手段が備わり、前記処理ステーシヨンの各々は
   粗引きポンピング手段に近づけられ、更に、専用
   高真空ポンプが備えられてもよく、それによつ
   て、真空コーテイング処理が前記処理ステーシヨ
   ンのうちの選ばれたものの１つの内部でなしとげ
   られることを許しているところの装置。 ９ 特許請求の範囲第８項に記載された装置であ
   つて、 前記処理ステーシヨンの各々は特定の処理を行
   つており、概して個々別々の前記処理ステーシヨ
   ンによつて、異なつた処理がなしとげられ、前記
   異なつた処理間の相互汚染の可能性は、前記リフ
   トブレイドシール手段及び前記専用高真空ポンプ
   により大きく減少させられるところの装置。 １０ 特許請求の範囲第９項に記載された装置で
   あつて、 RF処理が少数の選ばれた前記処理ステーシヨ
   ン内で使用され、前記リフトブレイド密閉手段
   は、RFシーリングの必要性を前記少数の選ばれ
   た処理ステーシヨンに限定するところの装置。 １１ 特許請求の範囲第８項に記載された装置で
   あつて、 ２つのマグネトロン・スパツタリングコーテイ
   ング源が前記処理ステーシヨンの選ばれたものの
   各々において用いられ、前記２つのコーテイング
   源は、前記基板の両面の同時コーテイングを許す
   位置に置かれているところの装置。 １２ 特許請求の範囲第１１項に記載された装置
   であつて、 前記マグネトロン・スパツタコーテイング源が
   移動可能に前記選ばれた処理ステーシヨンに密閉
   され、前記専用リフトブレイドが、前記主チエン
   バを大気にベントされることなく上に上がつた位
   置にある間、前記コーテイング装置及び連合する
   シールドを前記処理ステーシヨンの選ばれたもの
   の１つから移動させることを許し、それによつ
   て、適切に補充され再処理されたコーテイング源
   及び連合するシールドが備え付けられ、前記選ば
   れた処理ステーシヨンは、前記粗引きポンピング
   手段及び専用高真空ポンプによつて排気され、前
   記専用リフトブレイドは、前記主チエンバ内でそ
   の下げられた位置に戻され、前記基板及び処理装
   置の正規の作動が最小の停止時間で再び始められ
   ることを許しているところの装置。 １３ 特許請求の範囲第８項に記載された装置で
   あつて、 前記処理ステーシヨンは移動可能に前記主チエ
   ンバの前記上部壁に密閉され、前記ブレイドが前
   記主チエンバの真空を損なうことなく持ち上がつ
   た位置にあるままで前記処理ステーシヨンが前記
   主チエンバから移動することを許し、それによつ
   て、置き換えられた処理ステーシヨンは取り付け
   られ、排気され、そして前記リフトブレイドは前
   記主チエンバ内でのそれらの下げられた位置に戻
   され、前記基板取り扱い及び処理装置の正規の作
   動が最小の停止時間後に再び始められることを許
   しているところの装置。 １４ 特許請求の範囲第１１項に記載された装置
   であつて、 前記処理ステーシヨンの明記されたものの中の
   前記マグネトロン・スパツタコーテイング源によ
   つて分配されるコーテイング物質は、ゲツタポン
   ピングによつて効果的に汚染ガスを除去し、前記
   ゲツタポンピングの多くが前記の明記された処理
   ステーシヨンのスパツタシールド及び内部表面上
   に現われ、それによつて前記マグネトロン・スパ
   ツタコーテイング源の作動の間、前記の明記され
   た処理ステーシヨンのための前記専用高真空ポン
   プの作動が中止され、減少されたスパツタガスの
   流れが、前記マグネトロン・スパツタコーテイン
   グ源の望ましい作動を与える望ましいスパツタガ
   ス及び圧力を維持することに必要とされることを
   許し、前記スパツタガスとともに導入された汚染
   ガスの減少をもたらし、それによつて前記スパツ
   タガス体中の汚染ガスレベルを下げ、また前記基
   板上のコーテイング中への不純物の交互の混入を
   下げるところの装置。 １５ 特許請求の範囲第１４項に記載された装置
   であつて、 前記の明記された処理ステーシヨンの前記専用
   高真空ポンプの必要性が、前記ゲツタポンピング
   によつて高真空ポンピングが与えられることで全
   く排除されるところの装置。 １６ 特許請求の範囲第１項に記載された装置で
   あつて、 前記処理ステーシヨン及びロードロツクが概し
   て直線配列され、前記入口及び出口ロードロツク
   が前記主チエンバの対向端部にあるところの装
   置。 １７ 特許請求の範囲第１６項に記載された装置
   であつて、 前記水平輸送手段が移動ビーム機構であり、該
   移動ビーム機構はビームに取付けられた複数の溝
   付基板搬器と、前記ビームに回転可能に取付けら
   れた第１のシヤフトのペアと、前記主チエンバの
   側壁を通る第２のシヤフトのペアと、前記第１及
   び第２のシヤフトのペアにしつかりと接続された
   放射状に置かれたアームのペアから成り、前記シ
   ヤフトのペアが前記第２のシヤフトのペアに回転
   及び軸線方向の両方の動きを与えることができる
   外部駆動手段に接続され、それによつて前記溝付
   基板搬器は放射状及び軸線方向に動かされ、前記
   溝付搬器は前記リフトブレイド上の輸送開始位置
   から前記全ての基板を同時に移動させ、前記全て
   の基板を輸送終了位置で前記リフトブレイド上に
   置き、前記輸送終了位置は前記輸送開始位置から
   前記出口ロードロツクに向けて移動させられた１
   つのステーシヨンであるところの装置。 １８ 特許請求の範囲第１７項に記載された装置
   であつて、 前記溝付基板搬器は、移動サイクル中に４つの
   異なる動きをさせられ、 その第１の動きは、前記主チエンバの前記側壁
   付近の平面から前記基板によつて形成された平面
   への軸線方向で内部へ向かう動きであり、前記溝
   付搬器を前記基板の真下に近接させ、 第２の動きは、第１の上に凸状のアーチ形経路
   に従う動きであり、それによつて前記基板は前記
   溝付搬器によつて嵌合され、前記リフトブレイド
   から持ち上げられ、前記最初のアーチ状経路に沿
   つて運ばれ、移動されたステーシヨンの前記リフ
   トブレイド上に置かれ、 第３の動きは、前記主チエンバの前記側壁付近
   の前記平面へと向う軸線方向外向きの動きであ
   り、 第４の動きは、第２のアーチ形経路に従う動き
   であり、次の移動サイクルの準備のために前記溝
   付搬器を初めの位置に戻す、 ところの装置。 １９ 特許請求の範囲第１７項に記載された装置
   であつて、 前記溝付搬器は、前記移動開始位置から前記移
   動終了位置へ前記基板を運ぶ間、どちらかといえ
   ば上に凸状のアーチ形経路よりも下に凹状の経路
   に沿つて動かされ、前記溝付搬器はまた、それら
   の次の移動サイクルの準備のためにその初めの位
   置に戻る間、下に凹状の経路に沿つて動かされ、
   それによつて、前記主チエンバの鉛直方向の高さ
   の減少及び関連する前記リフトブレイドに要求さ
   れる鉛直方向の移動距離の減少を許しているとこ
   ろの装置。 ２０ 特許請求の範囲第１７項に記載された装置
   であつて、 前記主チエンバは複数のフランジ付部分から構
   成され、端部のフランジ部分以外の前記フランジ
   部分の各々は、その上部壁に密閉された必要不可
   欠な数の処理ステーシヨンを有し、それによつ
   て、モジユール性を前記基板取り扱い及び処理装
   置の構造物へ伝え、それによつて、処理ステーシ
   ヨンの総数は都合よく選ばれ、望むように変えら
   れ、更に、前記移動ビーム機構及び前記装置の前
   長の大きさにおける変化だけが必要とされるとこ
   ろの装置。 ２１ 特許請求の範囲第１８項に記載された装置
   であつて、 休止ステーシヨンが、前記処理ステーシヨンの
   間に散在させられており、前記休止ステーシヨン
   の各々が連合した静止リフトブレイドを有し、前
   記静止リフトブレイドは、前記移動ビーム機構の
   前記溝付基板搬器から前記基板を受け取るよう
   に、また、処理サイクルの間、前記主チエンバ内
   で静止位置に前記基板を保持し、前記基板を次の
   移動サイクル開始位置にある前記溝付搬器上に放
   つように形成され置かれており、前記休止ステー
   シヨンの存在は、前記処理ステーシヨンにおける
   処理サイクル間に加熱、冷却又は脱ガスのような
   付加的操作のための時間を許しているところの装
   置。 ２２ 特許請求の範囲第２１項に記載された装置
   であつて、 前記処理ステーシヨンの各々が前記休止ステー
   シヨンの１つによつて伴われ、該休止ステーシヨ
   ンは前記処理ステーシヨンよりも大きさが小さ
   く、それによつて前記休止ステーシヨンの前記静
   止リフトブレイドと前記処理ステーシヨンの前記
   専用リフトブレイドとの間は、前記休止ステーシ
   ヨンがない場合の前記処理ステーシヨンリフトブ
   レイド間の可能な近接よりも接近した間隔にする
   ことが許され、それによつて近接位置間の前記基
   板の移動のための水平距離は減少でき、それによ
   つて、前記基板の移動の間に前記溝付搬器がたど
   る上に凸状の経路の鉛直方向の高さを減少し、そ
   れによつて、前記主チエンバの鉛直方向の高さの
   減少及び対応する前記リフトブレイドに必要な鉛
   直方向の移動の距離の減少を許しているところの
   装置。 ２３ 特許請求の範囲第１項に記載された装置で
   あつて、 前記処理ステーシヨン及びロードロツクは概し
   てＵ字型形状に配置され、前記入口及び出口ロー
   ドロツクは前記主チエンバの同じ一端に備わり、
   前記Ｕ字型形状は、前記装置がよりコンパクトに
   なり、更に前記基板の装置、脱却を非常に便利に
   してるところの装置。 ２４ 特許請求の範囲第２３項に記載された装置
   であつて、 前記水平移動機構が第１移動ビーム機構、逆動
   機構、第２移動ビーム機構とから成り、 前記第１移動ビーム機構は前記主チエンバの前
   記入口ロードロツク側の側壁の付近に置かれ、前
   記第１移動ビーム機構は前記主チエンバの入口ロ
   ードロツク側での前記全ての基板の１ステーシヨ
   ンの第１シフトを同時に効果的に果たすのに用い
   られ、前記第１シフトは前記入口ロードロツクか
   ら前記逆動機構へと向けられており、 該逆動機構は前記基板の各々を前記第１移動ビ
   ーム機構から受け取り、前記逆動機構は前記基板
   の各々を前記第２移動ビーム機構に放し、 該第２移動ビーム機構は前記主チエンバの前記
   出口ロードロツク側で側壁に近接して置かれ、前
   記第２移動ビーム機構は前記主チエンバの出口ロ
   ードロツク側での前記全ての基板の１ステーシヨ
   ンの第２シフトを同時に効果的に果たすのに用い
   られ、前記第２シフトは前記逆動機構から前記出
   口ロードロツクに向けられているところの装置。 ２５ 特許請求の範囲第２４項に記載された装置
   であつて、 前記逆動機構は回転ビーム機構であつて、 前記回転ビーム機構は前記主チエンバの前記上
   部及び底部壁を通る鉛直方向に向けられた回転可
   能なシヤフトに取り付けられたビームに据付けら
   れた一対の溝付搬器から成り、前記シヤフトは該
   シヤフトに所望の回転運動を与えることができる
   外部駆動手段に接続されており、前記主チエンバ
   の前記入口ロードロツク側にある前記溝付搬器は
   基板移動サイクルの始めにおいて前記基板を有せ
   ず、前記主チエンバの前記出口ロードロツク側に
   ある前記溝付搬器は前記基板移動サイクルの始め
   において前記基板の１つを保持し、前記第１移動
   ビーム機構は前記基板移動サイクルの間前記入口
   ロードロツク側の前記空の溝付搬器上に前記基板
   の１つを置き、前記第２移動ビーム機構は前記基
   板移動サイクルの間前記出口ロードロツク側の前
   記溝付搬器から前記基板を取り外し、前記ビーム
   は前記基板移動サイクルの完了に続いて、次の基
   板移動サイクルの前に180゜回転させられ、それに
   よつて、前記出口ロードロツク側の溝付搬器は前
   記基板の１つを保持し、前記出口ロードロツク側
   の前記溝付搬器は空であり、前記次の基板移動サ
   イクルの間前記基板の１つを受け取る状態になつ
   ているところの装置。 ２６ 特許請求の範囲第２４項に記載された装置
   であつて、 前記逆動機構は、横運動機構であつて、該横運
   動機構は前記主チエンバの側壁を通るシヤフトに
   取り付けられた１つの溝付基板搬器から成り、前
   記シヤフトは該シヤフトに所望の直線運動を与え
   ることができる外部駆動手段に接続されており、
   前記溝付搬器は前記基板の１つを保持し基板移動
   サイクルの始めにおいて前記主チエンバの前記出
   口ロードロツク側に置かれ、前記第２移動ビーム
   機構は前記基板移動サイクルの初め部分の間前記
   溝付搬器から前記基板を取り外し、前記シヤフト
   は前記基板移動サイクルの間前記第１移動ビーム
   機構から前記基板の１つを受け取るのに間に合う
   ように素早く動いて空の前記基板搬器を前記入口
   ロードロツク側の位置に運び、前記第１ビーム機
   構は前記基板の１つを前記空の溝付搬器に置き、
   前記シヤフトは塞がつた前記溝付搬器を前記ロー
   ドロツク側の位置に運び次の基板移動サイクルの
   ための状態になり、それによつて、前記基板を回
   転させずに前記入口ロードロツク側から出口ロー
   ドロツク側へ移動させることを達成しているとこ
   ろの装置。 ２７ 特許請求の範囲第２３項に記載された装置
   であつて、 前記処理ステーシヨンの各々が１つの休止ステ
   ーシヨンに伴われ、前記休止ステーシヨンの各々
   が連合する静止リフトブレイドを有し、前記静止
   リフトブレイドは前記水平輸送手段から前記基板
   を受け取り、他の前記基板が前記処理ステーシヨ
   ン内で処理されている間前記主チエンバ内で前記
   基板を静止位置に保持し、次の基板移動サイクル
   の始めに前記基板を前記水平輸送手段へ放すよう
   に形成され、置かれており、前記休止ステーシヨ
   ンの存在が前記処理ステーシヨンにおける処理サ
   イクルの間に加熱、冷却又は脱ガスといつた他の
   操作のための時間を許しているところの装置。 ２８ 特許請求の範囲第２７項に記載された装置
   であつて、 前記主チエンバの前記入口ロードロツク側の休
   止ステーシヨンが前記出口ロードロツク側の前記
   処理ステーシヨンに近接して展開されており、前
   記休止ステーシヨンは前記処理ステーシヨンより
   も小さい大きさであり、それによつて、前記主チ
   エンバは前記入口及び出口ロードロツク側の前記
   処理ステーシヨンが近接して直接一方と他方とが
   向い合つているものによつて可能であるよりも更
   に狭くできるところの装置。 ２９ 特許請求の範囲第２８項に記載された装置
   であつて、 前記主チエンバは複数のフランジ付部分から構
   成され、端のフランジ部分以外の前記フランジ部
   分の各々は、必要不可欠な数の前記処理ステーシ
   ヨン及びそれらの上部壁に密閉された前記休止ス
   テーシヨンを有し、それによつて、モジユール性
   を前記基板取り扱い及び処理装置の構造物へ伝
   え、それによつて前記処理ステーシヨン及び前記
   休止ステーシヨンの総数は都合よく選ばれ、望む
   ように変えられ、更に、前記水平輸送手段及び前
   記装置の前長の大きさにおける変化だけが必要と
   されるところの装置。 ３０ 特許請求の範囲第６項に記載された装置で
   あつて、 前記ロードロツク装置／脱却手段が前記入口及
   び出口ロードロツクのためのドアを有し、また更
   に前記鉛直方向に向けられた基板の各々を前記入
   口カセツトから前記入口ロードロツクドアに運び
   また、前記基板を個々別々に前記出口ロードロツ
   クドアから前記出口カセツトへ運ぶための外部リ
   フトブレイドを有し、前記ロードロツクドアは開
   放位置と閉鎖位置を有し、前記開放位置は前記外
   部リフトブレイドによつて前記基板が前記ロード
   ロツクドアと前記カセツトとの間を運ばれること
   を許しており、前記閉鎖位置は前記ロードロツク
   に専用となつている前記リフトブレイドによつて
   前記ロードロツクドアと前記主チエンバとの間を
   運ばれることを許しており、前記ロードロツクの
   各々は一対の受け入れガイドの内部表面に取り付
   けられており、前記受け入れガイドの各々は鉛直
   方向に向けられた溝を有し、前記受け入れガイド
   は、該受け入れガイドによつて前記基板の１つが
   しつかりとまたスライド可能に嵌合されるように
   互いに向い合つた前記溝を伴つて離して置かれて
   おり、前記ロードロツクドアの各々は前記内部表
   面に回転可能に取り付けられたレバーアームを有
   し、該レバーアームは溝を付けられたガイドを有
   し、前記レバーアームは脱着及び嵌合位置の間で
   回転可能であり、前記レバーアームは前記基板が
   前記受け入れガイドによつてスライド可能に嵌合
   されると同時に、更にレバーアームが前記嵌合位
   置にあるとき前記溝付ガイドによつて嵌合される
   ように置かれており、前記レバーアームは更に、
   前記レバーアームが前記脱着位置にあるとき、前
   記基板が前記外部リフトブレイド及び前記ロード
   ロツクに専用のリフトブレイドとによつて前記受
   け入れガイドの中へ持ち上げられ、また、外へ下
   げられるように置かれており、それによつて、鉛
   直方向に向けられた前記基板の各々は、前記カセ
   ツトと前記ロードロツクとの間を安全に移される
   ところの装置。 ３１ 特許請求の範囲第３０項に記載された装置
   であつて、 前記基板の１つを前記入口カセツトから前記入
   口ロードロツクの専用リフトブレイド及び前記主
   チエンバ内へ移動する過程は、10の異なるステツ
   プを有し、 第１ステツプは、前記リフトブレイドを前記主
   チエンバからそれらの持ち上げられた位置へ持ち
   上げることであつて、前記ロードロツクの専用リ
   フトは空であり、 第２ステツプは、前記ロードロツクを大気にペ
   ンテイングすることであり、 第３ステツプは、前記入口ロードロツクドアを
   前記閉じた位置から前記開いた位置へ移動するこ
   とで、前記レバーアームが前記非嵌合位置にある
   ことを伴い、 第４ステツプは前記入口カセツトを通る前記入
   口ロードロツクの前記外部リフトブレイドの持ち
   上げであり、前記外部リフトブレイドが前記基板
   の１つとしつかりと嵌合し、前記基板を前記受け
   取りガイドと伴にスライド可能に嵌合させ、 第５ステツプは、前記レバーアームを前記嵌合
   位置へ動かすことであり、それによつて、前記基
   板が前記溝付ガイドによつて嵌合され、前記外部
   リフトブレイドの上方へ持ち上げられ、 第６ステツプは前記入口カセツトを通る前記外
   部リフトブレイドの引き込みであり、前記入口カ
   セツトが次の移動サイクル準備のために前進を指
   示されることを許し、 第７ステツプは前記入口ロードロツクドアを前
   記閉じた位置に戻し、 第８ステツプは前記入口ロードロツクの排気で
   あり、 第９ステツプは前記レバーアームを前記非嵌合
   位置に戻すことであり、それによつて、前記基板
   を前記専用リフトブレイド上に置き、 第10ステツプは、前記リフトブレイドを前記主
   チエンバ内のそれらの下げられた位置に戻すこと
   であるところの装置。 ３２ 特許請求の範囲第３０項に記載された装置
   であつて、 前記ロードロツクドアは、鉛直に向けられたヒ
   ンジによつて前記ロードロツクに回転可能に取り
   付けられ、前記ヒンジの周りの180゜の回転は、前
   記ロードロツクドアを前記閉じた位置から前記開
   いた位置及びその逆に動かすことに役立つている
   ところの装置。 ３３ 比較的薄い加工物を取り扱い及び処理する
   ための装置であつて、 該装置は、 Ａ 自身の中に開口を有する処理ステーシヨン
   と、 Ｂ 前記処理ステーシヨン中に鉛直方向に加工物
   を動かす手段、 とから成り、 該動かす手段は、 ａ 加工物をその上に鉛直方向に向けて保持
   し、前記加工物を前記開口を通して動かし、
   処理の間加工物を保持するための手段と、 ｂ 加工物が前記開口を通して前記処理ステー
   シヨン中に動かされるとき、前記開口をシー
   ルする前記動かす手段と共に動けるシール手
   段、 とから成り、前記動く手段は加工物の周囲部分だ
   けと嵌合するように形成され、それによつて、加
   工物が前記処理ステーシヨンチエンバ中へ動かさ
   れたとき、前記動く手段上に支持されている間、
   加工物はその鉛直方向の面の片側又は両側を処理
   されることができるところの装置。 ３４ 比較的薄く、一般に円形の加工物を取り扱
   い及び処理する装置であつて、 該装置は、 ａ 持ち上げられた処理ステーシヨンと、 ｂ 該処理ステーシヨンの下のリフトブレイドで
   あつて、該リフトブレイドは加工物の下部付近
   の周囲部分と嵌合し、加工物を実質的に鉛直位
   置に支持するように形成され、前記嵌合部分は
   予定された加工物の直径よりも実質的に狭い幅
   を有するところのリフトブレイドと、 ｃ 前記リフトブレイドを鉛直にして前記処理ス
   テーシヨンへ動かし又、前記処理ステーシヨン
   から動かすところの手段と、 ｄ 前記リフトブレイドの加工物を横方向に動か
   すための加工物支持ビーム手段であつて、該ビ
   ーム手段は加工物を実質的に鉛直位置に保持す
   るための離して置かれた支持手段を有する手
   段、 とから成り、前記ビーム手段上の前記離して置か
   れた加工物支持手段の間の距離が、前記リフトブ
   レイド上の前記嵌合部分の幅よりも大きいところ
   の装置。 ３５ 特許請求の範囲第３４項に記載された装置
   であつて、前記ビーム手段が、更に、前記離して
   置かれた支持手段の間でそれらから離して置かれ
   た加工物支持手段から成り、リフトブレイドの前
   記上部端が前記ビーム手段上の前記もう１つの加
   工物支持手段を受け取るため、前記加工物嵌合部
   分の間に置かれているところの装置。 ３６ 特許請求の範囲第３４項に記載された装置
   であつて、水平に離して置かれた２つの前記ビー
   ム手段と、前記各ビーム手段に沿つた少なくとも
   １つの処理ステーシヨン及びリフトブレイドと、
   １つの加工物を前記ビーム手段の１つの上にある
   前記支持手段から、前記ビーム手段の他のものの
   上にある前記支持手段へ動かすための加工物輸送
   手段から成るところの装置。 ３７ 特許請求の範囲第３６項に記載された装置
   であつて、前記輸送手段が、枢軸に支持された輸
   送部材で、実質的に鉛直位置に加工物を保持する
   ために前記枢軸支持の軸線から離して置かれた加
   工物支持構造を有する部材と、前記輸送手段を前
   記ビーム手段の１つから１つの加工物を受け取る
   ための位置へ枢軸で回転し、更に、受け取つた加
   工物を他の前記ビーム手段に引き渡すように枢軸
   で回転する手段とから成る装置。 ３８ 特許請求の範囲第３６項に記載された装置
   であつて、前記輸送手段が、直線経路に沿つた水
   平移行のために支持され、加工物を実質的に支持
   するためにその上に加工物支持構造を有している
   輸送部材と、前記輸送手段を前記ビーム手段から
   １つの加工物を受け取るための位置へ移行し、更
   に、他の前記ビーム手段に受け取つた加工物を引
   き渡すように移行する手段から成る装置。 ３８ 加工物を取り扱い及び処理するための装置
   であつて、 該装置が、 ａ 加工物をその中へ輸送するための真空チエン
   バと、 ｂ 複数の処理チエンバであつて、その各々が前
   記輸送真空チエンバ中へ開いた密閉可能なアパ
   ーチヤを有するチエンバと、 ｃ 加工物を前記輸送チエンバ中へ挿入するため
   の真空ロツクチエンバ手段であつて、該真空ロ
   ツクチエンバ手段が前記輸送チエンバの外側へ
   開いている第１の密閉可能開口と前記輸送チエ
   ンバの内側へ開いている第２の密閉可能開口と
   を有しているところの真空ロツクチエンバと、 ｄ 加工物を前記ロツクチエンバから前記第２開
   口を通し前記輸送チエンバに動かす手段と、 ｅ 前記輸送チエンバ内にあり、加工物を個々
   別々の処理チエンバに輸送し、該処理チエンバ
   に加工物を挿入するための手段を備えるところ
   の手段であつて、前記挿入手段が、１つの加工
   物がそれによつて個々の処理チエンバ中へ動か
   された時、それと共に前記開口を密閉するよう
   に動ける密閉手段を有するところの輸送手段、 とから成る装置。 ４０ 特許請求の範囲第３９項に記載された装置
   であつて、 ａ 前記アパーチヤの内部で前記処理チエンバと
   接続された真空ポンピング手段、 ｂ 該ポンピング手段を前記処理チエンバから離
   すためのバルブ手段、 とから成り、それによつて、前記処理チエンバの
   １つに対する前記バルブ手段が閉じられ、前記挿
   入手段が前記１つの処理チエンバ内でアパーチヤ
   を密閉するように置かれるとき、前記輸送チエン
   バ及び他の前記処理チエンバ内の作動状態を維持
   する間、前記１つの処理チエンバが該１つの処理
   チエンバ中の処理要素を修理し交替するために開
   かれるところの装置。 ４１ 比較的薄い加工物の取り扱い及び処理のた
   めの装置であつて、 該装置は、 ａ 自身の中に開口を有する処理チエンバと、 ｂ 前記開口を通して前記処理チエンバ中に鉛直
   に向けて加工物を動かすための手段、 とから成り、該動かす手段は加工物を鉛直方向に
   支持し、前記加工物を前記開口を通して動かし、
   処理中その加工物を保持するための手段から成
   り、前記動かす手段は加工物を鉛直方向に向けて
   保持するために、加工物の底の上方で加工物の周
   囲部分と嵌合するように形成され、前記動かす手
   段は加工物の周囲部分とだけ嵌合するように形成
   され、それによつて、加工物が前記処理チエンバ
   内へ動かされたとき前記動かす手段上に支持され
   る間、その鉛直表面の片側又は両側が処理される
   ところの装置。 ４２ 加工物の取り扱い及び処理のための装置で
   あつて、 該装置は、 ａ 加工物をその中に輸送するための真空チエン
   バと、 ｂ 前記輸送真空チエンバ内に開いた密閉可能な
   アパーチヤを有する少なくとも１つの処理チエ
   ンバと、 ｃ 真空ロツクチエンバ手段と、 ｄ 前記輸送チエンバ内にあつて、加工物を前記
   少なくとも１つの処理チエンバに輸送するため
   の輸送手段と、 ｅ 前記ロツクチエンバ手段から前記輸送手段へ
   加工物を動かす手段、 から成り、前記輸送手段は加工物を前記少なくと
   も１つの処理チエンバ内へ挿入するための手段を
   有し、該挿入手段が、１つの加工物がそれによつ
   て前記少なくとも１つの処理チエンバ中へ動かさ
   れた時、それと共に前記開口を密閉するように動
   ける密閉手段を有するところの輸送手段であると
   ころの装置。 ４３ 加工物の取り扱い及び処理のための装置で
   あつて、 該装置は、 ａ 真空チエンバと、 ｂ 該真空チエンバ内に開いた密閉可能なアパー
   チヤを有する少なくとも１つの処理チエンバ
   と、 ｃ 前記真空チエンバ内に加工物を輸送するため
   の手段と、 ｄ 該輸送手段からの加工物を移動し、このよう
   な加工物を前記開口を通して前記少なくとも１
   つの処理チエンバ内へ挿入するための手段、 とから成り、前記移動手段が、１つの加工物がそ
   れによつて挿入される時、それと共に前記開口を
   密閉するように動ける密閉手段を有するところの
   装置。