JPH0567712B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、低圧下で基板に１枚ずつ連続してプ
ラズマ処理を施すプラズマ処理装置に係り、特に
プラズマ発生用の電力を安定的にかつ効率よく供
給するために公的なプラズマ処理装置に関する。

〔発明の背景〕

従来のプラズマ処理装置は、特開昭57−185984
号公報に記載のように、基板を取り付けた基板ホ
ルダを真空処理槽内で、その背後のシールド部材
とともに回転させ、基板にコンデンサカツプリン
グを介して電源から通電し、槽内に設けた電極と
基板間にプラズマを発生させ、基板表面にエツチ
ングを施すようにしている。また、基板ホルダに
は数枚の基板を置き、基板ホルダと電力を供給す
る部分とを固定した構成とすることにより、一度
に数枚の基板をエツチングし得るようになつてい
る。

ところで、本発明の出願人等により次のような
プラズマ処理装置が開発されている。

すなわち、低圧容器の回りに、ローデイングス
テーシヨンと、他の複数の処理ステーシヨン、例
えばウエーハベーク処理ステーシヨンと、スパツ
タエツチング処理ステーシヨンと、スパツタ処理
ステーシヨンとを配置し、ワークとしての基板を
基板ホルダに保持し、この基板ホルダに保持され
た基板を各処理ステーシヨンに順次移動させ、プ
ラズマ処理を施す技術が開発されている。このプ
ラズマ処理技術では、予め基板ホルダにプラズマ
発生用のエツチング電極が内蔵されている。そし
て、例えばスパツタエツチング処理を行う場合に
は、エツチング電極がスパツタエツチング処理ス
テーシヨンに移動して来た時に、前記エツチング
電極に電力を供給し、基板ホルダが他の処理ステ
ーシヨンへ移動する時には給電側の部材である給
電棒と、受電側の部材であるエツチング電極とを
切り離さなければならない。

したがつて、前記従来のプラズマ処理装置に使
用されている基板ホルダと電力の供給部とが固定
された構造のものでは、前述のごとき各処理ステ
ーシヨンに基板ホルダを介して基板を順次移動さ
せて処理するプラズマ処理装置には適用できない
問題があつた。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前記従来技術の問題を解決
し、基板にスパツタ処理を施すべく、プラズマ発
生を必要とする処理ステーシヨンの位置で、基板
ホルダに内蔵されているエツチング電極に、安定
的にかつ効率よく電力を供給し得るプラズマ処理
装置を提供することにある。

〔発明の概要〕

本発明は、基板を取り付ける基板ホルダに受電
部を設け、プラズマを発生させるために必要な処
理ステーシヨンに、前記受電部に向かつて進退可
能に給電棒を設けたこと、前記受電部と給電棒の
少なくとも一方を柔構造としたこと、前記受電部
と給電棒の周囲に、回りの部材との間に放電を起
こさないように、接地されたシールドを設けたこ
とに特徴を有するもので、この構成により、基板
にスパツタ処理を施すべく、プラズマ発生を必要
とする処理ステーシヨンの位置で、基板ホルダに
内蔵されているエツチング電極に、安定的にかつ
効率よく電力を供給することができる。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の実施例を図面により説明する。

第１図は本発明の要部を示す縦断面図、第２図
は第１図の部分の拡大断面図、第３図はプラズ
マ処理装置の一実施例の縦断側面図、第４図は第
３図の−線横断平面図である。

これらの図に示す本発明の実施例のものは、そ
の第３図および第４図に示すように、低圧容器と
しての真空容器１と、これの蓋体４とを有してい
る。

前記真空容器１は、第４図に示すように、平面
から見て五角形に形成され、その周壁２の五角形
をなす各辺には開口部３が設けられている。

前記蓋体４は、第３図に示すように、上部フラ
ンジ５および断面凹字型の胴部６とを有して構成
され、真空容器１の内部に胴部６を配して設置さ
ている。

前記真空容器１と蓋体４間には、断面凹字型の
主真空室７が形成されている。この主真空室７
は、第３図に示すように、真空配管８を通じて真
空ポンプ９に連結され、真空排気されるようにな
つている。

前記真空容器１の外側には、第３図および第４
図に示すように、開口部３に対応する位置に、ロ
ーデイングステーシヨン１０と、第１〜第４の処
理ステーシヨン１１〜１４とが配置されている。

前記主真空室７内には、第３図および第４図に
示すように、ドラム１５が回転可能に配置されて
いる。このドラム１５は、前記真空容器１に合わ
せて、平面から見てほぼ五角形に形成された周壁
１６を有し、かつ断面凹字型に形成されている。

前記蓋体４とドラム１５とは、第３図および第
４図に示すように、蓋体４の内部に設置されたモ
ータ１７と、これに連結された駆動輪１８と、巻
き掛け伝動部材１９と、被動輪２０と、回転軸２
１とを介して、この実施例では水平面内を72度の
ステツプで間欠回転操作されるようになつてい
る。

前記真空室７には、各開口部３に対応させて基
板ホルダ２２が配置されている。なお、第３図お
よび第４図中では、ローデイングステーシヨン１
０と、第３の処理ステーシヨン１３の位置の開口
部３に対応させて配置された基板ホルダ２２を代
表して示している。各基板ホルダ２２、第３図お
よび第４図に示すように、ロツド２３に取り付け
られ、蓋体４の胴部６の内側に固定されたガイド
部材２４にロツド２３を介して、真空容器１の周
壁２の半径方向に進退可能に支持されている。各
基板ホルダ２２のロツド２３における蓋体４の胴
部６の中心側に位置する端部には、プツシヤ２５
が設けられ、このプツシヤ２５とガイド部材２４
間には圧縮ばね２６が設けられており、この圧縮
ばね２６を介して各基板ホルダ２２は開口部３か
ら離れる方向に後退付勢されている。また、蓋体
４の内部には第３図に示すように、エアシリンダ
２７と、これに嵌挿されたピストンロツド２８に
取り付けられた円錐カム２９とが設けられてお
り、エアシリンダ２７を介して円錐カム２９を下
降操作することにより、この円錐カム２９により
前記プツシヤ２５を押し、ロツド２３を介して基
板ホルダ２２を開口部３に接近する方向に押し、
真空容器１の周壁２の内側に基板ホルダ２２を密
着させるようになつている。さらに、各基板ホル
ダ２２とドラム１５の周壁１６間には、基板ホル
ダ２２を真空容器１の周壁２側に進出付勢する板
ばね３０が介装されている。前記各基板ホルダ２
２における開口部３側の面には、第１図に示すよ
うに、基板のクランプ爪３１が設けられていて、
ワークとしての基板１００を保持し得るようにな
つている。

前記ローデイングステーシヨン１０には、第３
図および第４図に示すように、ローデイング室３
２が設けられ、このローデイング室３２の外側に
は基板の取入・取出室４０が設けられている。

前記ローデイング室３２は、第３図に示すよう
に、バイパス配管３３を通じて前記真空配管８に
接続され、真空ポンプ９に連通されている。前記
ローデイング室３２には、基板の搬送手段３４
と、エレベータ３６と、アーム３８とが設置され
ている。前記搬送手段３４は、基板の取入・取出
室４０から基板１００を受け取つてローデイング
位置３５に運びかつエレベータ３６から基板１０
０を受け取つて前記取入・取出室４０への引き渡
し位置まで運ぶようになつている。前記エレベー
タ３６は、エアシリンダ３７に連結され、基板１
００を前記ローデイング位置３５と、アーム３８
との間で授受を行う位置とに移動させ得るように
なつている。前記アーム３８は、基板のチヤツク
（図示せず）を有し、かつ軸３９の回りにエレベ
ータ３６と基板ホルダ２２との間を回動し得るよ
うに構成されている。

前記基板の取入・取出室４０には、第３図およ
び第４図に示すように、外部搬送手段（図示せ
ず）との間で基板１００の授受を行う位置に設け
られた第１のゲートバルブ４１と、ローデイング
室３２との間に設けられた第２のゲートバルブ４
２と、取入・取出室４０の内部に設置された基板
搬入用の搬送手段４３および基板搬出用の搬送手
段４４とを備えている。また、前記取入・取出室
４０は第３図に示すように、真空配管４５および
真空バルブ４６を介して補助真空ポンプ４７に接
続されている。さらに、前記取入・取出室４０は
同第３図に示すように、リーク配管４８およびリ
ークバルブ４９を介してリークガス源（図示せ
ず）に接続されている。

前記第１〜第４の処理ステーシヨン１１〜１４
には、第３図および第４図に示すように、真空容
器１の周壁２の外側に副真空室５０が設けられて
いる。各副真空室５０は、前記真空容器１の周壁
２に設けられた開口部３を介して主真空室７に連
通し得るようになつている。また、各副真空室５
０は第３図および第４図に示すように、真空容器
１の周壁２に基板ホルダ２２が密着され、開口部
３が閉塞されるに伴い、独立した真空室を構成す
るようになつている。さらに、各副真空室５０に
は第１図および第３図に示すように、ガス配管５
１と、真空バルブ５２と、可変バルブ５３とを介
して基板処理用のガス供給源（図示せず）に連結
されている。そして、真空容器１の周壁２の開口
部３から外れた位置には、第１図および第３図に
示すように、排気口５４が形成されている。この
排気口５４に対応させてバルブ５５が設けられて
おり、このバルブ５５はエアシリンダ５６により
開閉操作され、このバルブ５５による排気口５４
の流通面積の調整と、前記可変バルブ５３の開度
の調整により、副真空室５０内の圧力を調整し得
るようになつている。

前記第１〜第４の処理ステーシヨン１１〜１４
には、副真空室５０の外側に処理ユニツト５７が
設けられている。この処理ユニツト５７には、例
えば第１の処理ステーシヨンではウエーハベーク
ユニツトが設けられ、第２の処理ステーシヨンで
はスパツタエツチングユニツトが設けられ、第
３、第４の処理ステーシヨンではスパツタ処理ユ
ニツトが設けられている。

前記各基板ホルダ２２には、第１図および第２
図に示すように、副真空室５０側の面に絶縁物５
９をはさんでエツチング電極５８が取り付けられ
ている。また、このエツチング電極５８と同一面
上に石英板６０が取り付けられ、この石英板６０
によりイオン衝撃による基板１００の重金属汚染
を防止するようにしている。なお、基板ホルダ２
２に設けられたクランプ爪３１のベース６１とエ
ツチング電極５８には、絶縁物６２が介装されて
いる。さらに、第２〜第４の処理ステーシヨン１
２〜１４の副真空室５０には前記エツチング電極
５８の対向電極６３が取り付けられている。

前記エツチング電極５８の下部には、第１図お
よび第２図に示すように、受電部６４が設けられ
ている。他方、真空容器１における第２〜第４の
処理ステーシヨン１２〜１４寄りの位置には、第
１図および第２図に示すように、前記受電部６４
と接続可能に給電棒６５が設けられている。前記
受電部６４の接触面６４′は凹円弧に形成され、
給電棒６５の接触面６５′は凹円弧にフイツトす
る凸円弧に形成されている。また、前記受電部６
４は第２図に拡大して示すように、ベローズ６６
および通電板６８を通じて前記エツチング電極５
８に高周波電力を印加し得るように接続されてお
り、前記ベローズ６６を介して柔構造に構成され
ている。また、前記通電板６８と基板ホルダ２２
には、絶縁物７２が介装されている。前記給電棒
６５は、第１図に示すように、真空容器１の底板
に絶縁物６７をはさんで立設され、さらに上下駆
動手段６９に連結され、受電部６４に接続、切り
離し可能に設けられている。また、給電棒６５は
ケーブル７３を介して高周波電極供給源（図示せ
ず）に接続されている。前記受電部６４および給
電棒６５は、接地されたシールド７０，７１によ
り囲まれ、それぞれ周囲の部材との間に放電を起
こさないようにされている。

前記実施例のプラズマ処理装置は、次のように
運転され、作用する。

すなわち、第３図に示すように、円錐カム用の
エアシリンダ２７を作動させ、ピストンロツド２
８を介して円錐カム２９を下降させ、この円錐カ
ム２９によりプツシヤ２５を押し、ロツド２３を
介して基板ホルダ２２を真空容器１の周壁２の内
側に密着させ、開口部３を閉塞する。また、真空
容器１の周壁２に設けられた排気口５４のバルブ
５５を開いておく。

この状態で、真空ポンプ９を作動させるととも
に、副真空室５０に設けられた可変バルブ５３、
真空バルブ５２およびガス配管５１を通じて少な
くとも１つの副真空室５０にArガスを導入し、
主真空室７および副真空室５０を所定の圧力雰囲
気に保つ。前記副真空室５０内の圧力は、可変バ
ルブ５３の開度、および排気口５４の流通面積を
変えることによつて調整する。

また、基板の取入・取出室４０の第１、第２の
ゲートバルブ４１，４２および真空バルブ４６を
閉じた状態で、リークバルブ４９を開き、リーク
配管４８からリークガスを導入し、基板の取入・
取出室４０内を大気圧にしておく。

さらに、ローデイング室３２に設置されたエレ
ベータ３６を下降させておき、またバイパス配管
３３および真空配管８を通じて、例えば
10^-7Torr台に真空排気しておく。

前述の状態から基板の取入・取出室４０の第１
のゲートバルブ４１を開き、外部搬送手段（図示
せず）および基板搬入用の搬送手段４３により、
基板１００のその取入・取出室４０内に搬入した
後、第１のゲートバルブ４１を閉じる。

次に、補助真空ポンプ４７を作動させ、真空バ
ルブ４６を開き、基板の取入・取出室４０内を例
えば0.1Torrに排気した後、第２のゲートバルブ
４２を開き、基板の取入・取出室４０内の搬送手
段４３とローデイング室３２内の搬送手段３４と
により基板１００をローデイング位置３５に搬送
し、第２のゲートバルプ４２を閉じ、ワークとし
ての基板１００をローデイングステーシヨン１０
に引き渡す。

ついで、ローデイングステーシヨン１０では、
ローデイング室３２に設置されたエレベータ３６
が上昇して基板１００をアーム３８の位置まで運
び、アーム３８は基板１００を把持して基板ホル
ダ２２方向に回動し、基板ホルダ２２はクランプ
爪３１を介して基板１００を保持する。その間、
エレベータ３６は下降して元位置に戻り、またア
ーム３８は基板ホルダ２２から離れる方向に回動
して元位置に戻る。

次に、円錐カム用のエアシリンダ２７により円
錐カム２９を上昇させると、プツシヤ２５は圧縮
ばね２６の作用により蓋体４の中心部に向かつて
移動し、基板ホルダ２２は板ばね３０の作用によ
り開口部３から離れてドラム１５の周壁１６に接
近する方向に移動する。

前記基板ホルダ２２をドラム１５の周壁１６側
に移動させた後、蓋体４内に設置されたモータ１
７を駆動させ、駆動輪１８、巻き掛け伝動部材１
９、被動輪２０および回転軸２１を介してドラム
１５を第４図において反時計方向に１ステーシヨ
ン分回転させ、ワークとしての基板１００を保持
した基板ホルダ２２を第１の処理ステーシヨン１
１へ送る。

ついで、再び円錐カム用のエアシリンダ２７に
より円錐カム２９を下降させ、プツシヤ２５によ
り基板ホルダ２２を真空容器１の周壁２に密着さ
せ、開口部３を閉塞する。

そして、第１の処理ステーシヨン１１では、処
理ユニツト５７により、基板１００であるウエー
ハ表面に吸着した汚染ガスを除去するウエーハベ
ーク処理を施す。

その間、ローデイングステーシヨン１０では、
前記外部搬送手段、基板の取入・取出室４０に設
けられた部材、およびローデイング室３２に設け
られた部材の前述の順序動作を経て、前記ローデ
イングステーシヨン１０に回行された基板ホルダ
２２に新たな基板１００を装着する。

次に、第１の処理ステーシヨン１１でウエーハ
ベーク処理を行つた後、前記円錐カム用のエアシ
リンダ２７と、円錐カム２９と、これに連動する
部材とを介して、基板ホルダ２２をドラム１５の
周壁１６に接近する方向に移動させる。ついで、
モータ１７と、これに連動する部材を介して再び
ドラム１５を１ステーシヨン分回転させ、基板ホ
ルダ２２を第２の処理ステーシヨン１２に送る。
前記ドラム１５が１ステーシヨン分回転した後、
円錐カム用のエアシリンダ２７と、円錐カム２９
と、これと連動する部材とにより、基板ホルダ２
２を第１図のＧ位置からＨ位置に移動させ、真空
容器１の周壁２に基板ホルダ２２を密着させて開
口部３を閉塞し、第２の処理ステーシヨン１２の
副真空室５０を独立した真空室にし、この副真空
室５０内を所定のArガス圧力に保つ。

この状態で、第２の処理ステーシヨン１２寄り
に設けられた給電棒用の上下駆動手段６９を作動
させ、給電棒６５を上昇させ、この給電棒６５の
接触面６５′を、基板ホルダ２２に設けられた受
電部６４の接触面６４′に当接させ、給電棒６５
に受電部６４を電気的に接続する。

この接続に際して、受電部６４にはベローズ６
６が設けられていて柔構造とされ、かつ受電部６
４と給電棒６５の接触面６４′，６５′が凹、凸、
円弧に形成されているため、受電部６４と給電棒
６５とを極めて安定した状態に接続することがで
きる。また、受電部６４と給電棒６５の周囲が接
地されたシールド７０，７１により囲まれている
ので、高周波電力の印加時において、回りの部材
との放電を防止することができる。

前記第２の処理ステーシヨン１２の副真空室５
０内を所定のArガス圧力に保ち、受電部６４に
給電棒６５を接続した後、ケーブル７３、給電棒
６５、受電部６４、ベローズ６６および通電板６
８を通じてエツチング電極５８に高周波電力を印
加すると、エツチング電極５８の表面に放電が起
き、Arイオンが基板１００を衝撃し、基板１０
０の表面をクリーニングする。

この第２の処理ステーシヨン１２でのスパツタ
エツチング処理の効果により、スパツタ成膜前
の、基板１００の表面の酸化物槽を除去でき、こ
れにより下地材料と、成膜材料との電気的接触が
改善される。

前記スパツタエツチング処理を行つた後、給電
棒用の上下駆動手段６９により給電棒６５を下降
させ、受電部６４と給電棒６５とを切り離す。

ついで、円錐カム用のエアシリンダ２７と、円
錐カム２９と、これに連動する部材により、基板
ホルダ２２をドラム１５の周壁１６に接近する位
置、つまり第１図のＨ位置からＧ位置へ移動さ
せ、モータ１７と、これに連動する部材を介して
ドラム１５を再び１ステーシヨン分回転させ、基
板ホルダ２２を第３の処理ステーシヨン１３に送
る。

この第３の処理ステーシヨン１３では、前記円
錐カム用のエアシリンダ２７と、円錐カム２９
と、これに連動する部材とにより、基板ホルダ２
２を真空容器１の周壁２に密着させた後、処理ユ
ニツト５７により常法に従い基板１００にスパツ
タ処理を施し、成膜する。

ついで、基板ホルダ２２をドラム１５の周壁１
６に接近する方向に移動させ、ドラム１５を１ス
テーシヨン分回転させ、基板ホルダ２２を第４の
処理ステーシヨン１４に送る。

最終処理ステーシヨンである第４の処理ステー
シヨン１４では、前記第３の処理ステーシヨン１
３と同様の処理を行い、基板１００に成膜し、製
品としての基板１００をローデイングステーシヨ
ン１０に回送する。

前記ローデイングステーシヨン１０では、基板
ホルダ２２からアーム３８のチヤツクにより、製
品としての基板１００を受け取り、アーム３８か
らエレベータ３６に引き渡し、エレベータ３６は
ローデイング室３２に設けられた搬送手段３４に
製品としての基板１００を引き渡す。

そして、基板の取入・取出室４０の第２のゲー
トバルブ４２が開いてローデイング室３２に新た
な基板１００を搬入する時に、前記搬送手段３４
から基板の取入・取出室４０に設けられている基
板搬出用の搬送手段４４に製品としての基板１０
０を引き渡し、第１のゲートバルブ４１が開いた
時に前記基板搬出用の搬送手段４４から外部搬送
手段に製品としての基板１００を引き渡して１サ
イクルを終了する。

この実施例では、前述のローデイングステーシ
ヨン１０の基板の取入・取出作業と並行して第１
〜第４の処理ステーシヨン１１〜１４において基
板１００にそれぞれ所定の処理を施す。

したがつて、この実施例によれば、前述の動作
を繰り返して行うことにより、多数の基板１００
に連続的に一連のスパツタ処理を施すことができ
る。

さらに、主真空室７内において、基板１００は
垂直姿勢に保持されて第１〜第４の処理ステーシ
ヨン１１〜１４に回送されるので、基板１００の
上方から落下する異物の付着を防止することがで
きる。

また、主真空室７内に設けられた各部材は、大
気に触れることがないため、第１の処理ステーシ
ヨン１１であるウエーハベーク処理ステーシヨン
で高温に加熱された基板ホルダ２２等が常温の大
気で冷却されないので、加熱と冷却の繰り返しに
よるトラブルを防止できるとともに、スパツタ処
理には好ましくない大気中のガスの主真空室７へ
の侵入を低減することができる。

なお、本発明では、処理ステーシヨンの数や、
ローデイングステーシヨンおよび処理ステーシヨ
ンの具体的構造や、基板ホルダ２２に対するエツ
チング電極５８の取付構造等については、図面に
示す実施例に限らず、要は所期の機能を発揮し得
る構造であればよい。

さらに、基板ホルダ２２に取り付けられたエツ
チング電極５８に、高周波電力を印加する受電部
６４と給電棒６５において、柔構造を構成するベ
ローズ６６を受電部６４と給電棒６５のいずれか
一方に組み入れたものであればよく、また受電部
６４の接触面６４′を凸円弧に形成し、給電棒６
５の接触面６５′を凹円弧に形成してもよい。

〔発明の効果〕

以上説明した本発明によれば、基板ホルダに受
電部を設け、プラズマを発生させて基板を処理す
る処理ステーシヨンに、前記受電部に向かつて進
退可能に給電棒を設けるとともに、前記受電部と
給電棒の少なくとも一方を柔構造としているの
で、低圧容器の回りに、スパツタ処理ステーシヨ
ンを含む複数の処理ステーシヨンを配置し、基板
を取り付けた基板ホルダを前記処理ステーシヨン
に順次移動させ、基板にスパツタ処理を施すプラ
ズマ処理装置において、前記基板にスパツタ処理
を施すべく、プラズマ発生を必要とする処理ステ
ーシヨンの位置で、基板ホルダに内蔵されている
エツチング電極に電力を安定的に供給し得る効果
がある。

また、本発明によれば、前記受電部と給電棒の
周囲に、回りの部材との間に放電を起こさないよ
うに、接地されたシールドを設けているので、異
常放電をなくすることができ、したがつて前記エ
ツチング電極に効率よく電力を供給し得る効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の要部を示す縦断面図、第２図
は第１図の部分の拡大断面図、第３図は本発明
プラズマ処理装置の一実施例の縦断側面図、第４
図は第３図の−線横断平面図である。 １……真空容器、４……蓋体、７……主真空
室、９……真空ポンプ、１０……ローデイングス
テーシヨン、１１〜１４……第１〜第４の処理ス
テーシヨン、１５……ドラム、２２……基板ホル
ダ、３２……ローデイング室、４０……基板の取
入・取出室、５０……副真空室、５７……処理ユ
ニツト、５８……エツチング電極、６４……エツ
チング電極の受電部、６４′……受電部の接触面、
６５……給電棒、６５′……給電棒の接触面、６
６……柔構造を構成しているベローズ、６８……
通電板、６９……給電棒の上下駆動手段、７０，
７１……受電部と給電棒のシールド、１００……
基板。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 低圧容器の回りに、スパツタ処理ステーシヨ
   ンを含む複数の処理ステーシヨンを配置し、ワー
   クとしての基板を取り付けた基板ホルダを前記処
   理ステーシヨンに順次移動させ、基板にスパツタ
   処理を施すプラズマ処理装置において、前記基板
   ホルダに受電部を設け、プラズマを発生させるた
   めに必要な処理ステーシヨンに、前記受電部に向
   かつて進退可能に給電棒を設けるとともに、前記
   受電部と給電棒の少なくとも一方を柔構造とし、
   さらに前記受電部と給電棒の周囲に、回りの部材
   との間に放電を起こさないように、接地されたシ
   ールドを設けたことを特徴とするプラズマ処理装
   置。 ２ 特許請求の範囲第１項において、前記受電部
   と給電棒との接触面の一方を凸円弧に形成し、他
   方を凹円弧に形成したことを特徴とするプラズマ
   処理装置。