JPS6210285A - プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、低圧下で基板に１枚ずつ連続してプラズマ処
理を施すプラズマ処理装置に係り、特にプラズマ発生用
の電力を安定的にかつ効率よく供給するために好適なプ
ラズマ処理装置に関する。

〔発明の背景〕

従来のプラズマ処理装置は、特開昭５７−１８５９８４
号公報に記載のよりに、基板を取り付けた基板ホルダを
真空処理槽内で、その背後のシールド部材とともに回転
させ、基板にコンデンサカップリングを介して電源から
通電し、槽内に設けた電極と基板間にプラズマを発生さ
せ、基板表面にエツチングを施すようにしている。また
、基板ホルダには数枚の基板を置き、基板ホルダと電力
を供給する部分とを固定した構成とすることにより、一
度に数枚の基板をエツチングし得るようになっている。

ところで、本発明の出願人等により次のようなプラズマ
処理装置が開発されている。

すなわち、低圧容器の回りに、ローディングステーショ
ンと、他の複数の処理ステーション、例、ｔハウ−１−
−ハヘ−り処理ステーションと、スパッタエツチング処
理ステーショント、スパッタ処理ステーションとを配置
し、ワークとしての基板を基板ホルダに保持し、この基
板ホルダに保持された基板を各処理ステーションに順次
移動させ、プラズマ処理を施す技術が開発されている。

このプラズマ処理技術では、予め基板ホルダにプラズマ
発生用のエツチング電極が内蔵されている。そして、例
えばスパッタエツチング処理を行う場合には、エツチン
グ電極がスパッタエツチング処理ステーションに移動し
て来た時に、前記エツチング電極に電力を供給し、基板
ホルダが他の処理ステーションへ移動する時には給電側
の部材である給電棒と、受電側の部材であるエツチング
電極とを切り離さなければならない。

したかって、前記従来のプラズマ処理装置に使用されて
いる基板ホルダと電力の供給部とが固定された構造のも
のでは、前述のごとき各処理ステーションに基板ホルダ
を介して基板を順次移動させて処理するプラズマ処理装
置には適用できなり問題があった。

〔発明の目的」 本発明の目的は、前記従来技術の問題を解決し、基板に
スパッタ処理を施すべく、プラズマ発生を必要とする処
理ステーションの位置で、基板ホルダに内蔵されている
エツチング電極に、安定的罠かつ効率よく電力を供給し
得るプラズマ処理装置を提供することにある。

し発明の概要」 本発明は、基板を取り付ける基板ホルダに受電部を設け
、プラズマを発生させるために必要な処理ステーション
に、前記受電部に向かって進退可能に給電棒を設けたこ
と、前記受Ｘ部と給電棒の少なくとも一万を柔構造とし
たこと、前記受電部と給電棒の周囲−１回りの部材との
間に放電を起こさないように、接地されたシールドを設
けたことに特徴を有するもので、この構成により、基板
にスパッタ処理を施すべく、プラズマ発生を必要とｊる
処理ステーションの位置で、基板ホルダに内蔵されてし
るエツチング電極に、安定的にかつ効率よく電力を供給
することができる。

〔発明の実施例） 以下、本発明の実施例を図面により説明する。

第１図は本発明の要部を示す縦断面図、第２図は第１図
の■部分の拡大断面図、第３図はプラズマ処理装置の一
実施例の縦断側面図、第４図は第６図のＩＶ−１’Ｚ線
横断平面図である。

これらの図に示す本発明の実施例のものは、その第３図
および第４図に示すように、低圧容器としての−ＩＩｃ
窒谷器１と、これの蓋体４とを有している。

前記真空容器１は、第４図に示すように、平面から見て
五角形に形成され、七〇周壁２の五角形をなす各辺には
開口部３が設けられている。

前記蓋体４は、第３図に示すように、上部７ランジ５お
よび断面凹字型の胴部６とを有して構成され、真空容器
１の内部に胴部６を配して設置されている。

前記真空容器１と蓋体４間には、断面凹字型の主真空室
７が形成されている。この主真空室７は、第３図に示す
ように、真空配管８を通じて真空ポンプ９に連結され、
真空排気されるようＫなっている。

前記真空容器１の外側には、第５図および第４図に示す
ように、開口部３に対応する位置に、ローディングステ
ーション１０と、第１〜第４の処理ステーション１１〜
１４とが配置されている。

前記主真空室Ｚ内には、第３図および第４図に示すよう
に、ドラム１５が回転可能に配置されている。このドラ
ム１５は、前記真空容器１に合わせて、平面から見てほ
ぼ五角形に形成された周壁１６を有し、かつ断面凹字型
に形成されている。

前記蓋体４とドラム１５とは、第３図および第４図に示
すように、蓋体４の内部に設置されたモータ１７と、こ
れに連結された駆動輪１８と、巻き掛は伝動部材１９と
、被動輪２０と、回転軸２１とを介して、この実施例で
は水平面内を７２度のステップで間欠回転操作されるよ
うになっている０ 前記真空室７には、各開口部６に対応させて基板ホルダ
２２が配置されている。なお、第５図および第４図中で
は、ローディングステーション１０と、第６の処理ステ
ーション１５の位置の開口部６に対応させて配置された
基板ホルダ２２を代表して示している。各基板ホルダ２
２は、第３図および第４図に示すように、ロッド２３に
取り付けられ、蓋体４の胴部６の内側に固定されたガイ
ド部材２４にロッド２３を介して、真空容器１の周壁２
の半径方向に進退可能に支持されている。各基板ホルダ
２２のロッド２３における蓋体４の胴部６の中心側に位
置する端部には、ブツシャ２５が設けられ、このブツシ
ャ２５とガイド部材２４間には圧縮はね２６が設けられ
ており、この圧縮ばね２６を介して各基板ホルダ２２は
開口部５から離れる方向に後退付勢されている。また、
蓋体４の内部には第６図に示すように、エアシリンダ２
７と、これに嵌挿されたピストンコンド２日に取り付け
りれた円錐カム２９とが設けられでおり、エアシリンダ
２７を介して円錐カム２９を下降操作することにより、
この円錐カム２９により前記ブツシャ２５を押し、ロッ
ド２３を介して基板ホルダ２２を開口部３に接近する方
向に押し、真空容器１０周壁２の内側に基板ホルダ２２
を密着させるようになっている。さらに、各基板ホルダ
２２とドラム１５の周壁１６間には、基板ホルダ２２を
真空容器１０周壁２側に進出付勢する板ばね５０が介装
されている。前記各基板ホルダ２２における開口部３側
の面には、第１図に示すように、基板のり２ンプ爪３１
が設けられていて、ワークとしての基板１００を保持し
得るようになっている。

前記ローディングステーション１０には、第３図および
第４図に示すように、ローディング室３２が設けられ、
このローディング室３２の外側には基板の取入・取出室
４０が設けられている。

前記ローディング室６２は、第３図に示すように、バイ
パス配管６５を通じて前記真空配管８に接続され、真空
ポンプ９に連通されている。前記ローディング室３２に
は、基板の搬送手段５４と、エレベータ３６と、アーム
３８とが設置されている。前記搬送手段６４は、基板の
取入・取出室４０から基板１００を受は堰ってローディ
ング位置５５に運びかつエレベータ３６から基板１００
を受は取って前記取入・取出室４０への引き渡し位置ま
で運ぶようになつ−Ｃいる。前記エレベータ５６は、エ
アシリンダ６７に連結され、基板１００を前記ローディ
ング位置３５と、アーム３日との間で授受を行う位置と
に移動させ得るようになっている。

前記アーム５８は、基板のチャック（図示せず）を有し
、かつ軸３９の回りにエレベータ３６と基板ホルダ２２
との間を回動し得るように構成されている。

前記基板の取入・取出室４０には、第３図および第４図
に示すように、外部搬送手段（図示せず）との間で基板
１００の授受を行う位置に設けられた第１のゲートパル
プ４１と、ローディング室３２との間に設けられた第２
のゲートパルプ４２と、取入・取出室４０の内部に設置
された基板搬入用の搬送手段４３および基板搬出用の搬
送手段４４とを備えている。また、前記取入・取出室４
０は第３図に示すように、真空配管４５および真空バル
ブ４６を介して補助真空ポンプ４７に接続されている。

さらに、前記取入・取出室４０は同第３図に示すように
、リーク配管４８およびリークガス源４９を介してリー
クガス源（図示せず）に接続されている。

前記第１〜第４の処理ステーション１１〜１４には、第
３図および第４図に示すように、真空容器１０周壁２の
外側に副真空室５０が設けられている。各副真空室５０
は、前記真空容器１の周壁２に設けられた開口部３を介
して主真空呈７に連通し得るようになっている。また、
谷側真空室５Ｇは第３図および第４図に示すように、真
空容器１の周壁２に基板ホルダ２２が密着され、開口部
３が閉塞されるに伴い、独立した真空室を構成するよう
になっている。さらに、各副真空室５０には第１図およ
び第３図に示すように、ガス配管５１と、真空バルブ５
２と、可変パルプ５６とを介して基板処理用のガス供給
源（図示せず）に連結されている。そして、真空容器１
の周壁２の開口部３から外れた位置には、第１図および
第３図に示すように、排気口５４が形成され−Ｃいる。

この排気口５４に対応させてバルブ５５が設けられてお
り、このバルブ５５ハエアシリンダ５６により開閉操作
され、このバルブ５５による排気口５４の流通面積の調
整と、前記可変バルブ５３の開度の調整により、副真空
室５ｏ内の圧力を調整し得るようになっている。

前記第１〜第４の処理ステーション１１〜１４には、副
真空室５０の外側に処理ユニット５７が設けられている
。この処理ユニット５７には、例えば第１の処理ステー
ションではウェーハベークユニットが設けられ、第２の
処理ステーションではスパッタエツチングユニットが設
けられ、ｍ５．第４の処理ステーションではスパッタ処
理ユニットが設けられている。

前記各基板ホルダ２２には、第１図および第２図に示す
ように、副真空室５０側の面に絶縁物５９をはさんでエ
ツチング電極５８が取り付けられている。また、このエ
ツチング電極５８と同一面上に石英板６０が取り付けら
れ、この石英板６０によりイオン衝撃による基板１００
０重金属汚染を防止するようにしている。なお、基板ホ
ルダ２２に設けられたクランプ爪３１０ベース６１とエ
ツチング電極５８間には、絶縁物６２が介装されている
。さらに、第２〜第４の処理ステーション１２〜１４の
副真空室５０には前記エツチング電極５８の対向電極６
３が取り付けられている。

前記エツチング電極５８の下部には、第１図および第２
図に示すように、受電部６４が設けられている。他方、
真空容器１における第２〜第４の処理ステーション１２
〜１４寄りの位置には、第１図および第２図に示すよう
に、前記受電部６４と接続可能に給電棒６５が設けられ
ている。

前記受電部６４の接触面６４′は凹円弧に形成され、給
電棒６５の接触面６５′は凹円弧にフィツトする凸円弧
に形成されている。また、前記受電部６４は第２図に拡
大して示すように、ベローズ６６および通電板６８を通
じて前記エツチング電極５８に高周波電力を印加し得る
ように接続されており、前記ベローズ６６を介して柔構
造に構成されている。また、前記通電板６日と基板ホル
ダ２２間には、絶縁物７２が介装されている。前記給電
４６５は、第１図に示すように、真空容器１の底板に絶
縁物６７をはさんで立設され、さらに上下駆動手段６９
に連結され、受電部６４に接続、切り離し可能に設けら
れている。また、給電棒６５はケーブル７３を介して高
周波電力供給源（図示せず）に接続されている。前記受
電部６４および給電棒６５は、接地されたシールド７０
．７１により囲まれ、それぞれ周囲の部材との間に放電
を起こさないようにされている。

前記実施例のプラズマ処理装置は、次のように運転され
、作用する。

すなわち、第３図に示すように１円錐カム用のエアシリ
ンダ２７’Ｑ作動させ、ピストンロッド２８を介して円
錐カム２９を下降させ、この円錐カム２９によりフッシ
ャ２５を押し、ロッド２３を介して基板ホルダ２２を真
空容器１の周壁２の内側に密着させ、開口部５を閉基す
る。また、真空容器１０周壁２に設けられた排気口５４
のバルブ５５を開いておく。

この状態で、真空ボンダ９を作動させるとともに１副真
空室５０に設けられた可変パルプ５３、真空バルブ５２
およびガス配管５１を通じて少なくとも１つの副真空室
５０にＡｒガスを導入し、主真空室７および副真空室５
０を所定の圧力雰囲気に保つ。前記副真空室５０内の圧
力は、可変パルプ５３の開度、および排気口５４の流通
面積を変えることによって調整する。

また、基板の取入・取出室４０の第１．第２のゲートバ
ルブ４１．４２および真空バルブ４６を閉じた状態で、
リークバルブ４９を開き、リーク配管４８からリークガ
スを導入し、基板の取入・取出室４０内を大気圧にして
おく。

さらに、ローディング室３２に設置されたエレベータ３
６を下降させておき、またバイノ（ス配管３３および真
空配管８を通じて、例えば１０　Ｔａｒｔ台に真空排気
しておく。

前述の状態から基板の取入・取出室４０の第１のゲート
バルブ４１を開き、外部搬送手段（図示せず）および基
板搬入用の搬送手段４３により、基板１００をその取入
・取出室４０内に搬入した後、第１のゲートバルブ４１
を閉じる。

次に、補助真空ポンプ４７を作動させ、真空バルブ４６
を開き、基板の取入・取出室４０内を例えばｏ、１Ｔｏ
ｒｒに排気した後、第２のデートノ＜ルプ４２を開き、
基板の取入・取出室４０内の搬送手段４３とローディン
グ室５２内の搬送手段３４とにより基板１００をローデ
ィング位ｊ１３５に搬送し、第２のゲートバルブ４２を
閉じ、ワークとしての基板１００をローディングステー
ション１０に引き渡す。

ついで、ローディンゲスデージョン１０では、ローディ
ング室３２に設置されたエレベータ３６が上昇して基板
１００をアーム３８の位置まで運び、アーム３８は基板
１００を把持して基板ホルダ２２方向に回動し、基板ホ
ルダ２２はクランプ爪３１を介して基板１００を保持す
る。その間、エレベータ６６は下降して元位置に戻り、
またアーム３８は基板ホルダ２２から離れる方向に回動
して元位置に戻る。

次に、円錐カム用のエアシリンダ２７により円錐カム２
９を上昇させると、ブツシャ２５は圧縮ばね２６の作用
により蓋体４の中心部に向かって移動し、基板ホルダ２
２は板ばね５０の作用により開口部３から離れてドラム
１５の周壁１６に接近する方向に移動する。

前記基板ホルダ２２をドラム１５の周壁１６（ｉｌに移
動させた後、蓋体４内に設置されたモータ１７を駆動さ
せ、駆動輪１８、巻き掛は伝動部材１９、被動輪２０お
よび回転軸２１を介してドラム１５を第４図において反
時計方向に１ステー’／、ｖｚン分回転させ、ワークと
しての基板１００を保持した基板ホルダ２２を第１の処
理ステーション１１へ送る。

ついで、再び円錐カム用のエアシリンダ２７により円錐
カム２９を下降させ、ブツシャ２５により基板ホルダ２
２を真空容器１０周壁２に密着させ、開口部６を閉塞す
る。

そして、第１の処理ステーション１１では、処理ユニッ
ト５７により、基板１００であるウェー７１表面に吸着
した汚染ガスを除去するウエーノ・ベーク処理を施す。

その間、ローディングステーション１０テハ、前記外部
搬送手段、基板の取入・取出室４０に設けられた部材、
およびローディング室３２に設けられた部材の前述の順
序動作を経て、前記ローディングステーション１０に回
行された基板ホルダ２２に新たな基板１００を装着する
。

次に、第１の処理ステーション１１でクエーノ＼べ−り
処理を行った後、前記円錐カム用のエアシリンダ２７と
、円錐カム２９と、これに連動する部材とを介して、基
板ホルダ２２をドラム１５（／〕周壁１６に接近する方
向に移動させる。ついで、モータ１７と、これに連動す
る部材を介して再びドラム１５を１ステ一シヨン分回転
させ、基板ホルダ２２を第２の処理ステーション１２に
送る。

前記ドラム１５が１ステ一シヨン分回転した後、円錐カ
ム用のエアシリンダ２７と、円錐カム２９と、これと連
動する部材とにより、基板ホルダ２２を第１図のＧ位置
からＨ位置に移動させ、真空容器１０周壁２に基板ホル
ダ２２を密着させて開口部６を閉塞し、第２の処理ステ
ーション１２の副真空室５０を独立した一Ｉｉｃ望室に
し、この副真空室５０内を所定のＡｒガス圧力に保つ。

この状態で、第２の処理ステーション１２寄りに設けら
れた給電俸用の上下駆動手段６９を作動させ、給ｖｔｉ
４６５を上昇させ、この給電棒６５の接触面６ダを、基
板ホルダ２２に設けられた受電部６４の接触面６４′に
当接ぢせ、給電棒６５に受電部６４を電気的に接続する
。

この接続に際して、受電部６４にはペローズ６６が設け
られていて柔構造とされ、かつ受電部６４と給電棒６５
の接触面６４’　、　６５’が凹、凸円弧に形成されて
いるため、受電部６４と給電棒６５とを極めて安定した
状態に接続することができる。

また、受電部６４と給電棒６５の周囲が接地されたシー
ルド７０　、７１により囲まれているので、高周波電力
の印加時において、回ヴの部材との放電を防止すること
ができる。

前記第２の処理ステーション１２の副真空室５０内を所
定のＡｒガス圧力に保ち、受電部６４に給電棒６５を接
続した後、ケーブル７３、給電棒６５、受電部６４、ベ
ローズ６６および通電板６８を通じてエツチング電極５
８に高周波電力を印加すると、エツチング電極５８の表
面に放電が起き、Ａｒイオンが基板１００を衝撃し、基
板１００の表面をクリーニングする。

この第２の処理ステーション１２でのスパッタエツチン
グ処理の効果により、スパッタ成膜前の、基板１０００
表面の酸化物層を除去でき、これにより下地材料と、成
膜材料との電気的接触が改善される。

前記スパッタエツチング処理を行った後、給電棒用の上
下駆動手段６９により給電棒６５を下降させ、受電部６
４と給電棒６５とを切り離す。

ついで、円錐カム用のエアシリンダ２７と、円錐カム２
９と、これに連動する部材とにより、基板ホルダ２２を
ドラム１５の周壁１６に接近する位置、つまり第１図の
Ｈ位置からＧ位置へ移動させ、モータ１７と、これに連
動する部材を介してドラム１５を再び１ステ一シヨン分
回転させ、基板ホルダ２２を第３の処理ステーション１
３に送る。

この第５の処理ステーション１３では、前記円錐カム用
のエアシリンダ２７と、円錐カム２９と、これに連動す
る部材とにより、基板ホルダ２２を真空容器１０周壁２
に密着させた後、処理ユニット５７により常法に従い基
板１００にスパッタ処理を施し、成膜する。

ついで、基板ホルダ２２をドラム１５の周壁１６に接近
する方向に移動させ、ドラム１５を１ステ一シヨン分回
転させ、基板ホルダ２２を第４の処理ステーション１４
に送る。

最終処理ステーションである第４の処理ステーション１
４では、前記第３の処理ステーション１３と同様の処理
を行い、基板１００にｇ膜し、製品としての基板１００
をローディングステーション１０に回送する。

前記ローディングステーション１０では、基板ホルダ２
２からアーム３８のチャックにより、製品としての基板
１００を受は取り、アーム３８からエレベータ３６に引
き渡し、エレベータ３６はローディング呈５２に設けら
れた搬送手段３４に製品としての基板１００を引き渡す
。

そして、基板の取入・取出室４０の第２のゲートバルブ
４２が開いてローディング室３２に新たな基板１００を
搬入する時に、前記搬送手段３４から基板の取入・取出
室４０に設けられている基板搬出用の搬送手段４４に製
品としての基板１００を引き渡し、第１のゲートパルプ
４１が開いた時に前記基板搬出用の搬送手段４４から外
部搬送手段に製品としての基板１００を引き渡して１ｔ
イクルを終了する。

この実施例では、前述のローディングステーション１０
での基板の取入・取出作業と並行して第１〜第４の処理
ステーション１１〜１４において基板１００にそれぞれ
所定の処理を施す。

したがって、この実施例によれば、前述の動作を繰り返
して行うことにより、多数の基板１００に連続的に一連
のスパッタ処理を施すことができる。

さらに、主真空室Ｚ内において、基板１００は垂直姿勢
に保持されて第１〜第４の処理ステーション１１〜１４
に回送されるので、基板１００の上方から落下する異物
の付着を防止することができる。

また、主真空室Ｚ内に設けられた各部材は、大気に触れ
ることがないため、第１の処理ステーション１１である
ウェーハベーク処理ステーションで高温に加熱された基
板ホルダ２２等が常温の大気で冷却されないので、加熱
と冷却の繰り返しによるトラブルを防止できるとともに
、スパッタ処理には好ましくない大気中のガスの正真空
室７への侵入を低減することができる。

なお、本発明では、処理ステーションの数や、ローディ
ングステーションおよび処理ステーションの具体的構造
や、基板ホルダ２２に対するエツチング電極５８の取付
構造等については、図面に示す実施例に限らず、要は所
期の機能を発揮し得る構造であればよい。

さらに、基板ホルダ２２に取り付けられたエツチング電
極５８に、高周波電力を印加する受電部６４と給電棒６
５において、柔構造を構成するベローズ６６を受電部６
４と給電棒６５のいずれか一方に組み入れたものであれ
ばよく、また受電部６４の接触面６４′を凸円弧に形成
し、給電棒６５の接触面６５′を凹円弧に形成してもよ
い。

〔発明の効果〕

以上説明した本発明によれば、基板ホルダに受電部を設
け、プラズマを発生させて基板を処理する処理ステーシ
ョンに、前記受電部に向かって進退可能に給電棒を設け
るとともに、前記受電部と給電棒の少なくとも一方を柔
構造としているので、低圧容器の回りに、スパッタ処理
ステーションを含む複数の処理ステーションを配置し、
基板を取り付けた基板ホルダを前記処理ステーションに
順次移動させ、基板にスパッタ処理を施すプラズマ処理
装置におｈて、前記基板にスパッタ処理を施すべく、プ
ラズマ発生を必要とする処理ステーションの位置で、基
板ホルダに内蔵されているエツチング電極に電力を安定
的に供給し得る効果がある。

また、本発明によれば、前記受電部と給電棒の周囲に、
回りの部材との間に放電を起こさないように、接地され
たシールドを設けているので、異常放電をなくすること
ができ、したがって前記エツチング電極に効率よく電力
を供給し得る効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の要部を示す縦断面図、第２図は第１図
のＩ部分の拡大断面図、第６図は本発明プラズマ処理装
置の一実施例の縦断側面図、第４図は第６図の■−ＩＶ
線横断平面図である。 １・・・真空容器、　　　　　４　・蓋体、７゛主真空
室、　　　　９・・・真空ポンプ、１Ｕ・・・ローディ
ングステーション、１１〜１４−・・第１〜第４の処理
ステーション、１５・・・ドラム、２ノ・・・基板ホル
ダ、５２・・・ローディング室、４０・・・基板の取入
・取出室、５０・副真空室、５７・・・処理ユニット、
５８・・・エツチング電極） ６４・・・エツチング電極の受電部、 ６４′・受電部の接触面、　６５・・・給電棒、６５′
・・・給電棒の接触面、 ６６・・柔構造を構成しているベローズ、０８・・通電
板、 ６９・・・給電棒の上下駆動手段、 ７０　、７１・・受一部とｉ電棒のシールド、ｉｏｏ　
　・基板。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、低圧容器の回りに、スパッタ処理ステーションを含
   む複数の処理ステーションを配置し、ワークとしての基
   板を取り付けた基板ホルダを前記処理ステーションに順
   次移動させ、基板にスパッタ処理を施すプラズマ処理装
   置において、前記基板ホルダに受電部を設け、プラズマ
   を発生させるために必要な処理ステーションに、前記受
   電部に向かって進退可能に給電棒を設けるとともに、前
   記受電部と給電棒の少なくとも一方を柔構造とし、さら
   に前記受電部と給電棒の周囲に、回りの部材との間に放
   電を起こさないように、接地されたシールドを設けたこ
   とを特徴とするプラズマ処理装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、前記受電部と給電
   棒との接触面の一方を凸円弧に形成し、他方を凹円弧に
   形成したことを特徴とするプラズマ処理装置。