JPS5858726A - 半導体処理装置 - Google Patents
半導体処理装置Info
- Publication number
- JPS5858726A JPS5858726A JP15751481A JP15751481A JPS5858726A JP S5858726 A JPS5858726 A JP S5858726A JP 15751481 A JP15751481 A JP 15751481A JP 15751481 A JP15751481 A JP 15751481A JP S5858726 A JPS5858726 A JP S5858726A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- processing
- ultraviolet rays
- chamber
- preliminary
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ウェーへ〇〇ＶＤ処理、エツチング処理
、その他の薄膜形成処理等に好適な半導体処理装置に関
するものである。
、その他の薄膜形成処理等に好適な半導体処理装置に関
するものである。
半導体装置の製造には、ＣＶＤ、エツチング。
その他の薄膜形成等の種々の処理が必要とされる。
例えば、ＣｖＤ処理では第１図に示すように、互に対向
する上電極！と下電極２を設け、上電極ｌｋウェーハＷ
を支持した上でウェーハＷをヒータ３にて加熱しながら
両電極間に高周波を印加させ、電極間で発生するプラダ
−ｖｌｃより反応ガスＧを反応分解させてウェーハ表面
に薄膜を形成するようにしている。しかしながら、この
ようなプラズマを用いる処理装置では、高周波電場内で
加速された電子やイオンがウェーハＷの表面に衝突し、
ウェーハの素子特性に悪影響をおよぼすことが多い。
する上電極！と下電極２を設け、上電極ｌｋウェーハＷ
を支持した上でウェーハＷをヒータ３にて加熱しながら
両電極間に高周波を印加させ、電極間で発生するプラダ
−ｖｌｃより反応ガスＧを反応分解させてウェーハ表面
に薄膜を形成するようにしている。しかしながら、この
ようなプラズマを用いる処理装置では、高周波電場内で
加速された電子やイオンがウェーハＷの表面に衝突し、
ウェーハの素子特性に悪影響をおよぼすことが多い。
特に、近年では微細パターンが進められているために、
ウェーハに対するダメージは大きなものとなる。
ウェーハに対するダメージは大きなものとなる。
このため、現在ではプラズマ反応による処理を行なった
後に、ウェー・・を紫外−照射オーブン内に入れて紫外
線の照射を行ない、ウェーハ内忙生じたダメージを除去
することが考えられている。
後に、ウェー・・を紫外−照射オーブン内に入れて紫外
線の照射を行ない、ウェーハ内忙生じたダメージを除去
することが考えられている。
ところが、従来ではプラズマ反応炉と紫外線オーブンと
は別個に構成されているため、プラズマ反応炉からウェ
ーハを取り出した後に改めてウェーハを紫外線オーブン
内にセットして紫外線を照射させなければならず、作業
工数が増加するとともにハンドリング等による歩留の低
下が生ずるという不具合がある。
は別個に構成されているため、プラズマ反応炉からウェ
ーハを取り出した後に改めてウェーハを紫外線オーブン
内にセットして紫外線を照射させなければならず、作業
工数が増加するとともにハンドリング等による歩留の低
下が生ずるという不具合がある。
したがって、本発明の目的はプラズマ反応炉の処理部と
アンローダとの間に紫外線照射部を一体的に設け、処理
部にて処理されたウェーハをそのアンローダの途中で自
動的に紫外線を照射してダメージ除去を行ない得るよう
に構成することにより、ウェーハ処理の作業工数の低減
を図るとともにハンドリング等による歩留の低下を防止
することができる半導体処理装置を提供することにある
。
アンローダとの間に紫外線照射部を一体的に設け、処理
部にて処理されたウェーハをそのアンローダの途中で自
動的に紫外線を照射してダメージ除去を行ない得るよう
に構成することにより、ウェーハ処理の作業工数の低減
を図るとともにハンドリング等による歩留の低下を防止
することができる半導体処理装置を提供することにある
。
以下、本発明を図示の実施例により説明する。
第２図は本発明の一実施例の正面断面図であり、１０は
処理部、１１．１２はこの処理部へ被処理物であるウェ
ーハを搬入かつ搬出する搬送部、１３は紫外線照射部、
１４．１５は搬送部１１．１２と処理部１０との間でウ
ェーハを移載するローダおよびアンｎ−ダである。前記
処理部１１は中央処理室１６と、その左右に張設した処
理剤予備室１７および処理後予備室１８とを外部と気密
を保って構成している。中央処理室１６の上部にはヒー
タ１９を一体的に有する上部電極２０を固設し、その表
面（下面）には均熱板２１を、また背後には断熱板２２
を設けている。また、下部には上下動可能な下部電極２
３を上下動軸２４により支持しており、この下部電極２
３には４本の爪２５を有するサポータ２６を取着してい
る。前記上下動軸２４内には図外の反応ガス源に連通す
る透孔（図示せず）を形成し、この孔を通して中央処理
室１６内忙反応ガスを導入し得る。２７は反応ガス排気
路である。
処理部、１１．１２はこの処理部へ被処理物であるウェ
ーハを搬入かつ搬出する搬送部、１３は紫外線照射部、
１４．１５は搬送部１１．１２と処理部１０との間でウ
ェーハを移載するローダおよびアンｎ−ダである。前記
処理部１１は中央処理室１６と、その左右に張設した処
理剤予備室１７および処理後予備室１８とを外部と気密
を保って構成している。中央処理室１６の上部にはヒー
タ１９を一体的に有する上部電極２０を固設し、その表
面（下面）には均熱板２１を、また背後には断熱板２２
を設けている。また、下部には上下動可能な下部電極２
３を上下動軸２４により支持しており、この下部電極２
３には４本の爪２５を有するサポータ２６を取着してい
る。前記上下動軸２４内には図外の反応ガス源に連通す
る透孔（図示せず）を形成し、この孔を通して中央処理
室１６内忙反応ガスを導入し得る。２７は反応ガス排気
路である。
一方、前記各予備室１７．１８には夫々ウェーハの搬入
扉２８．搬出扉２９を上下方向に開閉できるように設け
、特に閉成したときには予備室１７゜１８内部を外部と
隔絶し、図外の真空ポンプの作用によって予備室内を真
空状１ａＫできる。また、このような真空状態としたと
きには、各予備室１７゜１８と中央処理室１６との境界
にある常閉シャッタ３０．３１を開放することができる
。更に、前記各予備室１７．１８内には支持部３２ｍ、
３３ａ上にウェーハを載置し得る搬送トレイ３２，３３
を左右方向に独立して往復移動できるように内装してい
る。また、前記搬入扉２８．搬出扉２９の近傍には上下
方向に約１８０度回転可能でかつウェーハを真空吸着可
能な反転アーム３４．３５を設置しており、一方の反転
アーム３４と搬送トレイ３２とでローダ１４を構成し、
他方の反転アーム３５と搬送トレイ３３とでアンローダ
１５を構成している。更に、前記各予備室１７．１８の
外側には図示の紙面と直角な方向に移動可能な搬送アー
ム３６．３７を配設し、この搬送アームにより搬送部１
１．１２を構成している。これら搬送アーム３６．３７
はその上面にウエーノ・を支承でき、図外のローダ側マ
ガジンから前記ローダへ、また前記アンローダから図外
のアンローブ側マガジンへ夫々ウェーハを搬送する。
扉２８．搬出扉２９を上下方向に開閉できるように設け
、特に閉成したときには予備室１７゜１８内部を外部と
隔絶し、図外の真空ポンプの作用によって予備室内を真
空状１ａＫできる。また、このような真空状態としたと
きには、各予備室１７゜１８と中央処理室１６との境界
にある常閉シャッタ３０．３１を開放することができる
。更に、前記各予備室１７．１８内には支持部３２ｍ、
３３ａ上にウェーハを載置し得る搬送トレイ３２，３３
を左右方向に独立して往復移動できるように内装してい
る。また、前記搬入扉２８．搬出扉２９の近傍には上下
方向に約１８０度回転可能でかつウェーハを真空吸着可
能な反転アーム３４．３５を設置しており、一方の反転
アーム３４と搬送トレイ３２とでローダ１４を構成し、
他方の反転アーム３５と搬送トレイ３３とでアンローダ
１５を構成している。更に、前記各予備室１７．１８の
外側には図示の紙面と直角な方向に移動可能な搬送アー
ム３６．３７を配設し、この搬送アームにより搬送部１
１．１２を構成している。これら搬送アーム３６．３７
はその上面にウエーノ・を支承でき、図外のローダ側マ
ガジンから前記ローダへ、また前記アンローダから図外
のアンローブ側マガジンへ夫々ウェーハを搬送する。
他方、前記紫外線照射部１３は前記処理後予備室１Ｂの
図示左側上下部に設け、内装した紫外線ランプ３８によ
り中央処理部１６から搬送トレイ３３によりて引き出さ
れるウエーノ・Ｗに紫外線を照射し得るようにしている
。３９は石英等の紫外線を透過し得る材料からなる窓で
ある。
図示左側上下部に設け、内装した紫外線ランプ３８によ
り中央処理部１６から搬送トレイ３３によりて引き出さ
れるウエーノ・Ｗに紫外線を照射し得るようにしている
。３９は石英等の紫外線を透過し得る材料からなる窓で
ある。
次に本発明装置による処理作用を説明する。
搬送部１１の搬送アーム３６がウエーノ・Ｗを支承して
処理剤予備室１７に搬送してくると、反転アーム３４が
ウェー７・Ｗを吸着し、次いで、搬入扉２８が開放する
のと略同時忙反転アーム３４が回転してウェーハＷを搬
送トレイ３２上に移載する。これＫよりウェーハＷはそ
の表面を下向きにした状態で搬送トレイ３２上に載置さ
れる。そして、搬入扉を閉成するとともに予備室１７を
真空引きし、所定の真空圧になったところで常閉シャッ
タ３０を開放する。次いで、搬送トレイ３２は右進し、
ウェーハＷがサポータ２６の直上位置に到達した時点で
停止する。すると、下部電極２３とともにサポータ２６
が上動して支、持部３２龜上からサポート２６上にウェ
ーハＷをすくい取り爪２５の上に支承する。その後搬送
トレイ３２は左方へ復動する。下部電極２３は更に引き
続いて上動し、最終的にはウェー／％Ｗを均熱板２１に
当接させる。そして、この状態でヒータ１９＆Ｃよりウ
ェーハを加熱しかつ透孔から中央処理室１６内に反応ガ
スを導入し、更に上、下電極２０．２３関に高周波を印
加するととＫよりプラズマを発生させ、所要の表面処理
を行なう。
処理剤予備室１７に搬送してくると、反転アーム３４が
ウェー７・Ｗを吸着し、次いで、搬入扉２８が開放する
のと略同時忙反転アーム３４が回転してウェーハＷを搬
送トレイ３２上に移載する。これＫよりウェーハＷはそ
の表面を下向きにした状態で搬送トレイ３２上に載置さ
れる。そして、搬入扉を閉成するとともに予備室１７を
真空引きし、所定の真空圧になったところで常閉シャッ
タ３０を開放する。次いで、搬送トレイ３２は右進し、
ウェーハＷがサポータ２６の直上位置に到達した時点で
停止する。すると、下部電極２３とともにサポータ２６
が上動して支、持部３２龜上からサポート２６上にウェ
ーハＷをすくい取り爪２５の上に支承する。その後搬送
トレイ３２は左方へ復動する。下部電極２３は更に引き
続いて上動し、最終的にはウェー／％Ｗを均熱板２１に
当接させる。そして、この状態でヒータ１９＆Ｃよりウ
ェーハを加熱しかつ透孔から中央処理室１６内に反応ガ
スを導入し、更に上、下電極２０．２３関に高周波を印
加するととＫよりプラズマを発生させ、所要の表面処理
を行なう。
次Ｋ、既に真空引きしである処理後予備室１８との間の
常閉シャッタ３１を開放し、搬送トレイ３３を左進させ
てその支持部３３ａをサポート２６の下に侵入させる。
常閉シャッタ３１を開放し、搬送トレイ３３を左進させ
てその支持部３３ａをサポート２６の下に侵入させる。
そして、下部電極を下げることによりウェーハＷは搬送
トレイ３３に移載され、搬送トレイ３謁右進することに
よりウエーノ・Ｗは予備室１８内に移動される。常閉シ
ャッタ３１はその後閉成する。予備室１８に移動された
ウエーノ・Ｗはその左側位置で予備室１８が大気圧に戻
る間、一時的に停止され紫外線ランプ３８により全面に
紫外線が照射される。これにより、プラズマ処理によっ
て生じたウェーハのダメージを除去することができる。
トレイ３３に移載され、搬送トレイ３謁右進することに
よりウエーノ・Ｗは予備室１８内に移動される。常閉シ
ャッタ３１はその後閉成する。予備室１８に移動された
ウエーノ・Ｗはその左側位置で予備室１８が大気圧に戻
る間、一時的に停止され紫外線ランプ３８により全面に
紫外線が照射される。これにより、プラズマ処理によっ
て生じたウェーハのダメージを除去することができる。
しかる後、搬送アーム３３が右進して所定の位置で停止
すると共に搬出扉２９を開放して反転アーム３５を作動
すれば、ウェーハＷは予備室１８から搬送アーム３７上
忙移載され、このアームによってアンローダ側マガジン
内圧収納されることになる。
すると共に搬出扉２９を開放して反転アーム３５を作動
すれば、ウェーハＷは予備室１８から搬送アーム３７上
忙移載され、このアームによってアンローダ側マガジン
内圧収納されることになる。
ここで、紫外線照射部１３は処理後予備室１８に一体的
に設ける代りに搬送アーム３７の上部に配置して予備室
１８から取り出されたウェーハに紫外線を照射するよう
にしてもよい。
に設ける代りに搬送アーム３７の上部に配置して予備室
１８から取り出されたウェーハに紫外線を照射するよう
にしてもよい。
以上のように本発明の半導体処理装置によれば、プラズ
マ反応炉の処理部とアンローダとの関に紫外線照射部を
一体的に設け、処理部にて処理されたウェーハなそのア
ンローダの途中で自動的に紫外線を照射してダメージ除
去を行ない得るように構成しているので、プラズマ処理
後におけるウェーハの取出し作業や別個に設けた紫外線
照射部へのウェーハの装填等の作業を省略でき、これＫ
よりウェーハ処理の作業工数の低減を図るとともにハン
ドリング等による歩留の低下を防止することができる等
の効果を奏する。
マ反応炉の処理部とアンローダとの関に紫外線照射部を
一体的に設け、処理部にて処理されたウェーハなそのア
ンローダの途中で自動的に紫外線を照射してダメージ除
去を行ない得るように構成しているので、プラズマ処理
後におけるウェーハの取出し作業や別個に設けた紫外線
照射部へのウェーハの装填等の作業を省略でき、これＫ
よりウェーハ処理の作業工数の低減を図るとともにハン
ドリング等による歩留の低下を防止することができる等
の効果を奏する。
第１図は従来の一般的なプラズマ処理装置の概略構成図
、第２図は本発明の半導体処理装置の正面断面図である
。 １０・・・プラズマ反応炉（処理部）、１３・・・紫外
線照射部、１４・・・ローダ、１５・・・アンローダ、
１６・・・中央処理室、１７・・・処理部予備室、１８
・・・処理後予備室、２０・・・上部電極、２３・・・
下部電極、３２゜３３・・搬送トレイ、３８・・・紫外
線ランプ。 代理人 弁理士 薄 １）利 幸 Ｓ
、第２図は本発明の半導体処理装置の正面断面図である
。 １０・・・プラズマ反応炉（処理部）、１３・・・紫外
線照射部、１４・・・ローダ、１５・・・アンローダ、
１６・・・中央処理室、１７・・・処理部予備室、１８
・・・処理後予備室、２０・・・上部電極、２３・・・
下部電極、３２゜３３・・搬送トレイ、３８・・・紫外
線ランプ。 代理人 弁理士 薄 １）利 幸 Ｓ
Claims (1)
- １、内部に電極を配設し１反応ガスを導入してプラズマ
を発生させるプラズマ反応炉と、このプラズマ反応炉に
おいて処理した被処理物の取出搬送路の途中に設け、前
記被処理物に紫外線を照射する紫外線照射部とを有し、
前記紫外線照射部はプラズマ反応炉に一体に設けたこと
を特徴とする半導体処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15751481A JPS5858726A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | 半導体処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15751481A JPS5858726A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | 半導体処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5858726A true JPS5858726A (ja) | 1983-04-07 |
Family
ID=15651334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15751481A Pending JPS5858726A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | 半導体処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5858726A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6039239U (ja) * | 1983-08-24 | 1985-03-19 | ウシオ電機株式会社 | 紫外線洗浄装置 |
| JPS6039240U (ja) * | 1983-08-24 | 1985-03-19 | ウシオ電機株式会社 | 紫外線洗浄装置 |
| JPS6054442A (ja) * | 1983-09-03 | 1985-03-28 | Nippon Ii M C:Kk | 半導体ウエハの処理方法とその装置 |
| JPS61236122A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-21 | Hitachi Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPH01293618A (ja) * | 1988-05-23 | 1989-11-27 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマエッチング方法 |
| US6467491B1 (en) * | 1999-05-04 | 2002-10-22 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus and processing method |
| WO2012014881A1 (ja) * | 2010-07-27 | 2012-02-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5344192A (en) * | 1976-08-25 | 1978-04-20 | Wacker Chemitronic | Method of producing semiconductor material of surface connected to substrate |
-
1981
- 1981-10-05 JP JP15751481A patent/JPS5858726A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5344192A (en) * | 1976-08-25 | 1978-04-20 | Wacker Chemitronic | Method of producing semiconductor material of surface connected to substrate |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6039239U (ja) * | 1983-08-24 | 1985-03-19 | ウシオ電機株式会社 | 紫外線洗浄装置 |
| JPS6039240U (ja) * | 1983-08-24 | 1985-03-19 | ウシオ電機株式会社 | 紫外線洗浄装置 |
| JPH0447957Y2 (ja) * | 1983-08-24 | 1992-11-12 | ||
| JPS6054442A (ja) * | 1983-09-03 | 1985-03-28 | Nippon Ii M C:Kk | 半導体ウエハの処理方法とその装置 |
| JPS61236122A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-21 | Hitachi Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPH01293618A (ja) * | 1988-05-23 | 1989-11-27 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマエッチング方法 |
| US6467491B1 (en) * | 1999-05-04 | 2002-10-22 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus and processing method |
| WO2012014881A1 (ja) * | 2010-07-27 | 2012-02-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JPWO2012014881A1 (ja) * | 2010-07-27 | 2013-09-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI763653B (zh) | 基板處理裝置 | |
| KR100613674B1 (ko) | 웨이퍼 처리 장치 및 처리 방법 | |
| US5028560A (en) | Method for forming a thin layer on a semiconductor substrate | |
| US5178682A (en) | Method for forming a thin layer on a semiconductor substrate and apparatus therefor | |
| JP5511536B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP3487497B2 (ja) | 被処理体収容治具及びこれを用いた熱処理装置 | |
| JPH0621356B2 (ja) | 改良されたロードロツク排気機構 | |
| WO2019003663A1 (ja) | エッチング方法およびエッチング装置 | |
| JPS63114969A (ja) | ウェ−ハ処理装置 | |
| US11054184B2 (en) | Methods and apparatus for processing a substrate to remove moisture and/or residue | |
| JP2600399B2 (ja) | 半導体ウエーハ処理装置 | |
| JPS59186326A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS5858726A (ja) | 半導体処理装置 | |
| CN112309851A (zh) | 基片处理方法、基片处理装置和清洁装置 | |
| JPS60113428A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2008311555A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP4876337B2 (ja) | 処理システム | |
| JPH01135015A (ja) | 半導体ウエハ処理装置 | |
| JPH0542507B2 (ja) | ||
| WO1991007773A1 (fr) | Procede de traitement sous vide d'un substrat et appareil utilise | |
| JPH01120811A (ja) | 半導体ウエハ処理装置 | |
| JPH0249428A (ja) | 半導体基板表面に薄膜を形成する方法およびその装置 | |
| JPH09143674A (ja) | 成膜装置及びその使用方法 | |
| JP2626782B2 (ja) | 真空処理装置 | |
| JPS6112035A (ja) | 半導体製造装置 |