JPH01293618A - プラズマエッチング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明はプラズマエツチング装置に関するものであり
、特に、真空容器内に導入された半導体基板をガスプラ
ズマによりドライエツチングするプラズマエツチング装
置に関するものである。

［従来の技術］ 第４図は従来のプラズマエツチング装置の概念図である
。

第４図を参照して、６はチャンバである。チャンバ６は
ガス導入口４と真空排気口５を備えている。チャンバ６
内には上部電極１と下部電極２が設けられている。上部
電極１には高周波電源１０が接続されている。下部電極
２の上には、被処理基板である半導体基板３が置かれて
いる。

次に動作について説明する。

下部電極２の上に半導体基板３を置く。次いでチャンバ
６内を真空排気口５より真空排気する。

その後、ガス導入口４より、所望のガスたとえばＣＦ４
ガスを所望の流量だけチャンバ６内に導入し、チャンバ
６内を所望の圧力に保つ。その後、高周波電源１０をＯ
ＮＬ、、上部電極１に高周波電力を印加する。すると、
上部電極１と下部電極２との間にガスプラズマが発生し
、半導体基板３をドライエツチングする。−例として、
ＣＦ４ガスプラズマによれば。

ＣＦ４→ＣＦ、　十Ｆ”、ＣＦ２＋２Ｆ車、・・・。

Ｃ＋４Ｆ＊ のようにフッ素ラジカルＦ＊が発生し、Ｓｉ＋４Ｆ”→
ＳｉＦ、　　↑ の反応によりＳｔがエツチングされる。

［発明が解決しようとする課題］ 従来のプラズマエツチング装置は以上のように構成され
ている。しかしながら、エツチング処理により、半導体
基板にはプラズマによるダメージ（たとえば、チャージ
アップ、ゲート膜中への中性電子トラップ、あるいは正
電荷の誘起等）が発生する、という問題点があった。こ
のようなダメージが半導体基板に残ると、たとえばコン
デンサが導通ずるといった問題点を招来し、半導体装置
の電気的特性が劣化するという問題点があった。

この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、たとえ、プラズマにより半導体基板にダメ
ージが発生しても、そのダメージを容易に除去すること
のできる、プラズマエツチング装置を提供することを目
的とする。

［課題を解決するための手段］ この発明はチャンバ内に導入された半導体基板をガスプ
ラズマによりドライエツチングするプラズマエツチング
装置に係るものである。そして、上記問題点を解決する
ために、チャンバ内に紫外光または近紫外光を照射する
、光照射手段を備えたことを特徴とする。

プラズマエツチング装置に光照射手段を設ける方法とし
ては、チャンバに透明ボートを設け、該透明ボートに対
向させて、紫外光または近紫外光を照射する光源を設置
するのが好ましい。

光の照射方向としては、半導体基板に水平方向に照射す
るのが好ましいが、半導体基板に対して垂直または斜め
方向に照射してもよい。

また、さらに、当該プラズマエツチング装置に、半導体
基板に磁界を印加するソレノイドコイルと、単独電極に
マイクロ波電力を印加するマイクロ波発振器とを、さら
に付加した装置も好ましく用いられる。

また、上記チャンバをプラズマ発生室と処理室との２つ
に分離し、処理室に光照射手段を取付ける、という構成
であってもよい。

ガスにはエツチングガスたとえばフレオン系、塩素系ガ
スが好ましく用いられるが、酸素または酸素にフレオン
系ガスを添加したガス系を用いてもよい。酸素または酸
素にフレオン系ガスを添加したガスを用いた場合には、
当該装置をアッシング装置としても使用できる。

チャンバ内に紫外光を照射する時期は、エツチングの途
中であってもよいし、エツチング終了後であってもよい
。

［作用］ 本発明において、プラズマによりダメージが発生した半
導体基板に、紫外光または近紫外光を照射した場合、ど
のような作用で、そのダメージが除去されるのか、その
作用機構自体は明らかでない。しかしながら、事実、チ
ャンバ内に紫外光または近紫外光を照射する光照射手段
、を備えた本発明に係るプラズマエツチング装置で処理
すると、ダメージのない（ダメージが除去された）半導
体基板が得られる。

［実施例］ 以下、この発明の実施例を図について説明するが、本発
明はこれらのものに限定されるものではない。

第１図はこの発明の一実施例の概念図である。

第１図を参照して、６はチャンバである。チャンバ６は
ガス導入口４と真空排気口５を備えている。

チャンバ６内には上部電極１と下部電極２が設けられて
いる。上部電極１には高周波電源１０が接続されている
。下部電極２の上には、被処理基板である半導体基板３
が置かれている。以上は、従来のプラズマエツチング装
置と同様の構成であるが、従来のプラズマエツチング装
置の構成と異なる点は、チャンバ６に透明ボート９が設
けられて、透明ボート９に対向して、紫外光または近紫
外光７を照射する光源が設置されている点である。透明
ボート９と光源８の位置は、半導体基板３に水平方向に
光を照射できるように、選ばれている。

透明ボート９の材質としては、石英板が好ましく用いら
れるが、これに限定されるものではない。

次に、動作について説明する。下部電極２の上に半導体
基板３を置く。続いて、チャンバ６内を真空排気口５よ
り真空排気する。その後、ガス導入口４より、所望のガ
スたとえばＣＦ、ガスを所望の流量だけチャンバ６内に
導入し、チャンバ６内を所望の圧力に保つ。その後、高
周波電源１０をＯＮＬ、上部電極１に高周波電力を印加
する。

すると、上部電極１と下部電極２との間にガスプラズマ
が発生し、半導体基板３はドライエツチングされる。こ
のとき、半導体基板３に、上述のプラズマによりダメー
ジが発生する。次いで、プラズマによりエツチングが完
了した後に、光源８をＯＮＬ、紫外光または近紫外光を
チャンバ６内に導入する。すると、半導体基板３に、紫
外光または近紫外光７のエネルギが付与される。これに
よって、半導体基板上に生じていたダメージ（たとえば
、チャージアップ、ゲート膜中への中性電子トラップ、
あるいは正電荷の誘起等）が効果的に除去される。しか
しながら、その作用機構については明らかでない。

なお、上記実施例では、光源８は紫外光または近紫外光
の１系統としたが、２系統以上（たとえば第１光源が紫
外光または近紫外光であって、第２光源が波長の異なる
紫外光である場合等）の紫外光であってもよい。

また、上記実施例では、上部電極１側に高周波電力を印
加する場合について説明したが、逆に下部電極２側に高
周波電力を印加するように構成しても、実施例と同様の
効果を実現する。

第２図はこの発明の他の実施例の概念図である。

第２図を参照して、６はチャンバである。チャンバ６は
、ガス導入口４と真空排気口５を備えている。チャンバ
６内には下部電極２が設けられている。しかし、第１図
において示すような上部電極は存在しない。下部電極２
には高周波電源１ｏが接続されている。下部電極２の上
には半導体基板３が置かれている。チャンバ６には透明
ボート９が設けられ、透明ポート９に対向して光源８が
設置されている。透明ポート９と光源８の位置は、光が
半導体基板３に平行に照射されるように、選ばれている
。さらに、当該装置は、半導体基板３に磁界を印加する
ソレノイドコイル１１（ＤＣ電流を流して、磁界を発生
させるもの）が設けられている。また、当該装置は下部
電極２にマイクロ波電力を印加するマイクロ波発振器１
２（通称マグネトロンと言い、２．４５ＧＨｚのマイク
ロ波を発振するもの）を備えている。

次に動作について説明する。下部電極２の上に半導体基
板３を置く。チャンバ６内を真空排気口５より真空排気
する。次いで、ガス導入口４より、所望のガスたとえば
ＣＦ４ガスを所望の流量だけチャンバ６内に導入し、チ
ャンバ６内を所望の圧力に保つ。その後、高周波電源１
０をＯＮＬ、下部電極２に高周波電力を印加する。さら
に、マイクロ波発振器１２とソレノイドコイル１１をＯ
Ｎする。すると、チャンバ６内にはガスプラズマが発生
し、半導体基板３をドライエツチングする。

このとき、半導体基板３にダメージが発生する。

次いで、プラズマによるエツチングが完了した後、光源
８をＯＮＬ、紫外光または近紫外光７をチャンバ６内に
導入し、半導体基板に紫外光のエネルギを付与する。こ
れにより、半導体基板上に発生した上述のダメージが効
果的に除去される。

第３図は、この発明のさらに他の実施例の概念図である
。当該装置では、チャンバ６がプラズマ発生室６ａと処
理室６ｂに分離されている。プラズマ発生室６ａと処理
室６ｂは輸送管６ｃで連結されている。プラズマ発生室
６ａにはガス導入口４が設けられ、処理室６ｂには真空
排気口５が設けられている。処理室６ｂには下部電極２
が設置され、下部電極２の上には半導体基板３が置かれ
ている。処理室６ｂには透明ポート９が設けられ、透明
ボート９に対向して光源８が設置されている。

透明ボート９と光源８の位置は、半導体基板３に平行に
光が入射されるように、選ばれている。プラズマ発生室
６ａは電極２１を備えており、該電極２１には高周波電
源１０が接続されている。次に動作について説明する。

下部電極２の上に半導体基板３を置く。チャンバ６内を
真空排気口５より真空排気する。次いで、ガス導入口４
より、所望のガスたとえばＣＦ、ガスを所望の流量だけ
チャンバ６内に導入し、チャンバ６内を所望の圧力に保
つ。その後、高周波電源１０をＯＮＬ、、電極２１に高
周波電力を印加する。すると、プラズマ発生室６ａでガ
スプラズマが発生し、該ガスプラズマは輸送管６Ｃを通
って処理室６ｂに送られる。この送られてきたガスプラ
ズマによって半導体基板３がドライエツチングされる。

このとき、このガスプラズマによって半導体基板３にダ
メージが発生する。次いで、プラズマエツチングが終了
した後に、光源８をＯＮＬ、紫外光または近紫外光７を
処理室６ｂ内に導入する。すると、半導体基板３に紫外
光または近紫外光のエネルギが付与される。これによっ
て、半導体基板上に形成されていたダメージが効果的に
除去される。

なお、上記実施例では、プラズマエツチングの終了後に
、光照射する場合について説明したがエツチング中に光
を照射してもよい。

［発明の効果］ 以上説明したとおり、この発明に係るプラズマエツチン
グ装置によれば、チャンバ内に紫外光または近紫外光を
照射する、光照射手段を備えているので、ダメージが発
生した半導体基板に紫外光または近紫外光を照射できる
。その結果、その作用機構は明らかではないが、この紫
外光または近紫外光のエネルギにより、半導体基板のダ
メージが効果的に除去されるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例の概念図である。 第２図はこの発明の他の実施例の概念図である。 第３図はこの発明のさらに他の実施例の概念図である。 第４図は従来のプラズマエツチング装置の概念図である
。 図において、１は上部電極、２は下部電極、３は半導体
基板、４はガス導入口、５は真空排気口、６はチャンバ
、７は紫外光または近紫外光、８は光源、９は透明ポー
ト、１０は高周波電源である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　真空容器内に導入された半導体基板をガスプラズマに
   よりドライエッチングするプラズマエッチング装置にお
   いて、 前記真空容器内に紫外光または近紫外光を照射する、光
   照射手段を備えたことを特徴とするプラズマエッチング
   装置。