JP2565740B2 - プラズマエッチング方法 - Google Patents
プラズマエッチング方法Info
- Publication number
- JP2565740B2 JP2565740B2 JP63126138A JP12613888A JP2565740B2 JP 2565740 B2 JP2565740 B2 JP 2565740B2 JP 63126138 A JP63126138 A JP 63126138A JP 12613888 A JP12613888 A JP 12613888A JP 2565740 B2 JP2565740 B2 JP 2565740B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- ultraviolet light
- chamber
- lower electrode
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明はプラズマエッチング方法に関するものであ
り、より特定的には、半導体基板をプラズマエッチング
する方法に関するものである。
り、より特定的には、半導体基板をプラズマエッチング
する方法に関するものである。
［従来の技術］ 第４図は従来のプラズマエッチング装置の概念図であ
る。
る。
第４図を参照して、６はチャンバである。チャンバ６
はガス導入口４と真空排気口５を備えている。チャンバ
６内には上部電極１と下部電極２が設けられている。上
部電極１には高周波電源10が接続されている。下部電極
２の上には、被処理基板である半導体基板３が置かれて
いる。
はガス導入口４と真空排気口５を備えている。チャンバ
６内には上部電極１と下部電極２が設けられている。上
部電極１には高周波電源10が接続されている。下部電極
２の上には、被処理基板である半導体基板３が置かれて
いる。
次に動作について説明する。
下部電極２の上に半導体基板３を置く。次いでチャン
バ６内を真空排気口５より真空排気する。その後、ガス
導入口４より、所望のガスたとえばCF4ガスを所望の流
量だけチャンバ６内に導入し、チャンバ６内を所望の圧
力に保つ。その後、高周波電源10をONし、上部電極１に
高周波電力を印加する。すると、上部電極１と下部電極
２との間にガスプラズマが発生し、半導体基板３をドラ
イエッチングする。一例として、CF4ガスプラズマによ
れば， CF4→CF3＋Ｆ＊,CF2＋2F＊，…,C＋4F＊ のようにフッ素ラジカルＦ＊が発生し、 Si＋4F＊→SiF4↑ の反応によりSiがエッチングされる。
バ６内を真空排気口５より真空排気する。その後、ガス
導入口４より、所望のガスたとえばCF4ガスを所望の流
量だけチャンバ６内に導入し、チャンバ６内を所望の圧
力に保つ。その後、高周波電源10をONし、上部電極１に
高周波電力を印加する。すると、上部電極１と下部電極
２との間にガスプラズマが発生し、半導体基板３をドラ
イエッチングする。一例として、CF4ガスプラズマによ
れば， CF4→CF3＋Ｆ＊,CF2＋2F＊，…,C＋4F＊ のようにフッ素ラジカルＦ＊が発生し、 Si＋4F＊→SiF4↑ の反応によりSiがエッチングされる。
［発明が解決しようとする課題］ 従来のプラズマエッチング装置は以上のように構成さ
れている。しかしながら、エッチング処理により、半導
体基板にはプラズマによるダメージ（たとえば、チャー
ジアップ、ゲート膜中への中性電子トラップ、あるいは
正電荷の誘起等）が発生する、という問題点があった。
このようなダメージが半導体基板に残ると、たとえばコ
ンデンサが導通するといった問題点を招来し、半導体装
置の電気的特性が劣化するという問題点があった。
れている。しかしながら、エッチング処理により、半導
体基板にはプラズマによるダメージ（たとえば、チャー
ジアップ、ゲート膜中への中性電子トラップ、あるいは
正電荷の誘起等）が発生する、という問題点があった。
このようなダメージが半導体基板に残ると、たとえばコ
ンデンサが導通するといった問題点を招来し、半導体装
置の電気的特性が劣化するという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためにな
されたもので、たとえ、プラズマにより半導体基板にダ
メージが発生しても、そのダメージを容易に除去するこ
とのできる、プラズマエッチング方法を提供することを
目的とする。
されたもので、たとえ、プラズマにより半導体基板にダ
メージが発生しても、そのダメージを容易に除去するこ
とのできる、プラズマエッチング方法を提供することを
目的とする。
［課題を解決するための手段］ この発明は半導体基板をプラズマエッチングする方法
に係るものである。まず最初に、真空容器内に設けられ
た上部電極と下部電極とを備え、該下部電極の上に置か
れた半導体基板をガスプラズマによりドライエッチング
するプラズマエッチング装置であり、上記真空容器内に
紫外光または近紫外光を照射する光照射手段をさらに備
え、上記光照射手段を設ける位置を該光照射手段から照
射される上記紫外光または近紫外光の進行方向が、上記
下部電極の上に置かれた上記半導体基板に対し平行にな
るように、選ばれている、プラズマエッチング装置を準
備する。上記下部電極の上に半導体基板を置く。上記半
導体基板をドライエッチングする。上記ドライエッチン
グによりエッチングが完了した後、半導体基板上にチャ
ージした電荷を除去するために、上記光照射手段を作動
させ、それによって、上記紫外光または近紫外光を上記
半導体基板に対して平行になるように上記真空容器内に
照射する。
に係るものである。まず最初に、真空容器内に設けられ
た上部電極と下部電極とを備え、該下部電極の上に置か
れた半導体基板をガスプラズマによりドライエッチング
するプラズマエッチング装置であり、上記真空容器内に
紫外光または近紫外光を照射する光照射手段をさらに備
え、上記光照射手段を設ける位置を該光照射手段から照
射される上記紫外光または近紫外光の進行方向が、上記
下部電極の上に置かれた上記半導体基板に対し平行にな
るように、選ばれている、プラズマエッチング装置を準
備する。上記下部電極の上に半導体基板を置く。上記半
導体基板をドライエッチングする。上記ドライエッチン
グによりエッチングが完了した後、半導体基板上にチャ
ージした電荷を除去するために、上記光照射手段を作動
させ、それによって、上記紫外光または近紫外光を上記
半導体基板に対して平行になるように上記真空容器内に
照射する。
［作用］ 本発明において、プラズマによりチャージアップ等が
発生した半導体基板に、半導体基板に対し平行になるよ
うに紫外光または近紫外光を照射すると、チャージアッ
プ等のダメージが低減した半導体基板が得られる。
発生した半導体基板に、半導体基板に対し平行になるよ
うに紫外光または近紫外光を照射すると、チャージアッ
プ等のダメージが低減した半導体基板が得られる。
［実施例］ 以下、この発明の実施例を図について説明するが、本
発明はこれらのものに限定されるものではない。
発明はこれらのものに限定されるものではない。
第１図はこの発明の一実施例の概念図である。
第１図を参照して、６はチャンバである。チャンバ６
はガス導入口４と真空排気口５を備えている。チャンバ
６内には上部電極１と下部電極２が設けられている。上
部電極１には高周波電源10が接続されている。下部電極
２の上には、被処理基板である半導体基板３が置かれて
いる。以上は、従来のプラズマエッチング装置と同様の
構成であるが、従来のプラズマエッチング装置の構成と
異なる点は、チャンバ６に透明ポート９が設けられて、
透明ポート９に対向して、紫外光または近紫外光７を照
射する光源が設置されている点である。透明ポート９と
光源８の位置は、半導体基板３に水平方向に光を照射で
きるように、選ばれている。透明ポート９の材質として
は、石英板が好ましく用いられるが、これに限定される
ものではない。
はガス導入口４と真空排気口５を備えている。チャンバ
６内には上部電極１と下部電極２が設けられている。上
部電極１には高周波電源10が接続されている。下部電極
２の上には、被処理基板である半導体基板３が置かれて
いる。以上は、従来のプラズマエッチング装置と同様の
構成であるが、従来のプラズマエッチング装置の構成と
異なる点は、チャンバ６に透明ポート９が設けられて、
透明ポート９に対向して、紫外光または近紫外光７を照
射する光源が設置されている点である。透明ポート９と
光源８の位置は、半導体基板３に水平方向に光を照射で
きるように、選ばれている。透明ポート９の材質として
は、石英板が好ましく用いられるが、これに限定される
ものではない。
次に、動作について説明する。下部電極２の上に半導
体基板３を置く。続いて、チャンバ６内を真空排気口５
より真空排気する。その後、ガス導入口４より、所望の
ガスたとえばCF4ガスを所望の流量だけチャンバ６内に
導入し、チャンバ６内を所望の圧力に保つ。その後、高
周波電源10をONし、上部電極１に高周波電力を印加す
る。すると、上部電極１と下部電極２との間にガスプラ
ズマが発生し、半導体基板３はドライエッチングされ
る。このとき、半導体基板３に、上述のプラズマにより
ダメージが発生する。次いで、プラズマによりエッチン
グが完了した後に、光源８をONし、紫外光または近紫外
光をチャンバ６内に導入する。すると、半導体基板３
に、紫外光または近紫外光７のエネルギが付与される。
これによって、半導体基板上に生じていたダメージ（た
とえば、チャージアップ、ゲート膜中への中性電子トラ
ップ、あるいは正電荷の誘起等）が効果的に除去され
る。しかしながら、その作用機構については明らかでな
い。
体基板３を置く。続いて、チャンバ６内を真空排気口５
より真空排気する。その後、ガス導入口４より、所望の
ガスたとえばCF4ガスを所望の流量だけチャンバ６内に
導入し、チャンバ６内を所望の圧力に保つ。その後、高
周波電源10をONし、上部電極１に高周波電力を印加す
る。すると、上部電極１と下部電極２との間にガスプラ
ズマが発生し、半導体基板３はドライエッチングされ
る。このとき、半導体基板３に、上述のプラズマにより
ダメージが発生する。次いで、プラズマによりエッチン
グが完了した後に、光源８をONし、紫外光または近紫外
光をチャンバ６内に導入する。すると、半導体基板３
に、紫外光または近紫外光７のエネルギが付与される。
これによって、半導体基板上に生じていたダメージ（た
とえば、チャージアップ、ゲート膜中への中性電子トラ
ップ、あるいは正電荷の誘起等）が効果的に除去され
る。しかしながら、その作用機構については明らかでな
い。
なお、上記実施例では、光源８は紫外光または紫外光
の１系統としたが、２系統以上（たとえば第１光源が紫
外光または近紫外光であって、第２光源が波長の異なる
紫外光である場合等）の紫外光であってもよい。
の１系統としたが、２系統以上（たとえば第１光源が紫
外光または近紫外光であって、第２光源が波長の異なる
紫外光である場合等）の紫外光であってもよい。
また、上記実施例では、上部電極１側に高周波電力を
印加する場合について説明したが、逆に下部電極２側に
高周波電力を印加するように構成しても、実施例と同様
の効果を実現する。
印加する場合について説明したが、逆に下部電極２側に
高周波電力を印加するように構成しても、実施例と同様
の効果を実現する。
第２図はこの発明の他の実施例の概念図である。第２
図を参照して、６はチャンバである。チャンバ６は、ガ
ス導入口４と真空排気口５を備えている。チャンバ６内
には下部電極２が設けられている。しかし、第１図にお
いて示すような上部電極は存在しない。下部電極２には
高周波電源10が接続されている。下部電極２の上には半
導体基板３が置かれている。チャンバ６には透明ポート
９が設けられ、透明ポート９に対向して光源８が設置さ
れている。チャンバ６が透明の場合、透明ポート９は不
必要である。というのは、チャンバ６は通常石英である
ためである。透明ポート９と光源８の位置は、光が半導
体基板３に平行に照射されるように、選ばれている。さ
らに、当該装置は、半導体基板３に磁界を印加するソレ
ノイドコイル11（DC電流を流して、磁界を発生させるも
の）が設けられている。また、当該装置はチャンバ６の
内部にマイクロ波電力を印加するマイクロ波発振器12
（通称マグネトロンと言い、2.45GHzのマイクロ波を発
振するもの）を備えている。
図を参照して、６はチャンバである。チャンバ６は、ガ
ス導入口４と真空排気口５を備えている。チャンバ６内
には下部電極２が設けられている。しかし、第１図にお
いて示すような上部電極は存在しない。下部電極２には
高周波電源10が接続されている。下部電極２の上には半
導体基板３が置かれている。チャンバ６には透明ポート
９が設けられ、透明ポート９に対向して光源８が設置さ
れている。チャンバ６が透明の場合、透明ポート９は不
必要である。というのは、チャンバ６は通常石英である
ためである。透明ポート９と光源８の位置は、光が半導
体基板３に平行に照射されるように、選ばれている。さ
らに、当該装置は、半導体基板３に磁界を印加するソレ
ノイドコイル11（DC電流を流して、磁界を発生させるも
の）が設けられている。また、当該装置はチャンバ６の
内部にマイクロ波電力を印加するマイクロ波発振器12
（通称マグネトロンと言い、2.45GHzのマイクロ波を発
振するもの）を備えている。
次に動作について説明する。下部電極２の上に半導体
基板３を置く。チャンバ６内を真空排気口５より真空排
気する。次いで、ガス導入口４より、所望のガスたとえ
ばCF4ガスを所望の流量だけチャンバ６内に導入し、チ
ャンバ６内を所望の圧力に保つ。その後、高周波電源10
をONし、下部電極２に高周波電力を印加する。さらに、
マイクロ波発振器12とソレノイドコイル11をONする。す
ると、チャンバ６内にはガスプラズマが発生し、半導体
基板３をドライエッチングする。このとき、半導体基板
３にダメージが発生する。
基板３を置く。チャンバ６内を真空排気口５より真空排
気する。次いで、ガス導入口４より、所望のガスたとえ
ばCF4ガスを所望の流量だけチャンバ６内に導入し、チ
ャンバ６内を所望の圧力に保つ。その後、高周波電源10
をONし、下部電極２に高周波電力を印加する。さらに、
マイクロ波発振器12とソレノイドコイル11をONする。す
ると、チャンバ６内にはガスプラズマが発生し、半導体
基板３をドライエッチングする。このとき、半導体基板
３にダメージが発生する。
次いで、プラズマによるエッチングが完了した後、光
源８をONし、紫外光または近紫外光７をチャンバ６内に
導入し、半導体基板に紫外光のエネルギを付与する。こ
れにより、半導体基板上に発生した上述のダメージが効
果的に除去される。
源８をONし、紫外光または近紫外光７をチャンバ６内に
導入し、半導体基板に紫外光のエネルギを付与する。こ
れにより、半導体基板上に発生した上述のダメージが効
果的に除去される。
第３図は、この発明のさらに他の実施例の概念図であ
る。当該装置では、チャンバ６がプラズマ発生室6aと処
理室6bに分離されている。プラズマ発生室6aと処理室6b
は輸送管6cで連結されている。プラズマ発生室6aにはガ
ス導入口４が設けられ、処理室6bには真空排気口５が設
けられている。処理室6bには下部電極２が設置され、下
部電極２の上には半導体基板３が置かれている。処理室
6bには透明ポート９が設けられ、透明ポート９に対向し
て光源８が設置されている。透明ポート９と光源８の位
置は、半導体基板３に平行に光が入射されるように、選
ばれている。プラズマ発生室6aは電極21を備えており、
該電極21には高周波電源10が接続されている。次に動作
について説明する。
る。当該装置では、チャンバ６がプラズマ発生室6aと処
理室6bに分離されている。プラズマ発生室6aと処理室6b
は輸送管6cで連結されている。プラズマ発生室6aにはガ
ス導入口４が設けられ、処理室6bには真空排気口５が設
けられている。処理室6bには下部電極２が設置され、下
部電極２の上には半導体基板３が置かれている。処理室
6bには透明ポート９が設けられ、透明ポート９に対向し
て光源８が設置されている。透明ポート９と光源８の位
置は、半導体基板３に平行に光が入射されるように、選
ばれている。プラズマ発生室6aは電極21を備えており、
該電極21には高周波電源10が接続されている。次に動作
について説明する。
下部電極２の上に半導体基板３を置く。チャンバ６内
を真空排気口５より真空排気する。次いで、ガス導入口
４より、所望のガスたとえばCF4ガスを所望の流量だけ
チャンバ６内に導入し、チャンバ６内を所望の圧力に保
つ。その後、高周波電源10（これはマイクロ波でもよ
い）をONし、電極21に高周波電力を印加する。すると、
プラズマ発生室6aでガスプラズマが発生し、該ガスプラ
ズマは輸送管6cを通って処理室6bに送られる。この送ら
れてきたガスプラズマによって半導体基板３がドライエ
ッチングされる。このとき、このガスプラズマによって
半導体基板３にダメージが発生する。次いで、プラズマ
エッチングが終了した後に、光源８をONし、紫外光また
は近紫外光７を処理室6b内に導入する。すると、半導体
基板３に紫外光または近紫外光のエネルギが付与され
る。これによって、半導体基板上に形成されていたダメ
ージが効果的に除去される。
を真空排気口５より真空排気する。次いで、ガス導入口
４より、所望のガスたとえばCF4ガスを所望の流量だけ
チャンバ６内に導入し、チャンバ６内を所望の圧力に保
つ。その後、高周波電源10（これはマイクロ波でもよ
い）をONし、電極21に高周波電力を印加する。すると、
プラズマ発生室6aでガスプラズマが発生し、該ガスプラ
ズマは輸送管6cを通って処理室6bに送られる。この送ら
れてきたガスプラズマによって半導体基板３がドライエ
ッチングされる。このとき、このガスプラズマによって
半導体基板３にダメージが発生する。次いで、プラズマ
エッチングが終了した後に、光源８をONし、紫外光また
は近紫外光７を処理室6b内に導入する。すると、半導体
基板３に紫外光または近紫外光のエネルギが付与され
る。これによって、半導体基板上に形成されていたダメ
ージが効果的に除去される。
［発明の効果］ 以上説明したとおり、この発明に係るプラズマエッチ
ング方法によれば、半導体基板のドライエッチングを行
なった後、紫外光または近紫外光を半導体基板に対して
平行になるように真空容器内に照射するので、その作用
機構は明らかではないが、この紫外光または近紫外光に
より、上記ドライエッチングによって半導体基板に生じ
たダメージが効果的に除去されるという効果を奏する。
ング方法によれば、半導体基板のドライエッチングを行
なった後、紫外光または近紫外光を半導体基板に対して
平行になるように真空容器内に照射するので、その作用
機構は明らかではないが、この紫外光または近紫外光に
より、上記ドライエッチングによって半導体基板に生じ
たダメージが効果的に除去されるという効果を奏する。
第１図はこの発明の一実施例の概念図である。 第２図はこの発明の他の実施例の概念図である。 第３図はこの発明のさらに他の実施例の概念図である。
第４図は従来のプラズマエッチング装置の概念図であ
る。 図において、１は上部電極、２は下部電極、３は半導体
基板、４はガス導入口、５は真空排気口、６はチャン
バ、７は紫外光または近紫外光、８は光源、９は透明ポ
ート、10は高周波電源である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
第４図は従来のプラズマエッチング装置の概念図であ
る。 図において、１は上部電極、２は下部電極、３は半導体
基板、４はガス導入口、５は真空排気口、６はチャン
バ、７は紫外光または近紫外光、８は光源、９は透明ポ
ート、10は高周波電源である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板をプラズマエッチングする方法
であって、 真空容器内に設けられた上部電極と下部電極とを備え、
前記下部電極の上に置かれた半導体基板をガスプラズマ
によりドライエッチングするプラズマエッチング装置で
あり、前記真空容器内に紫外光または近傍外光を照射す
る光照射手段をさらに備え、前記光照射手段を設ける位
置は、該光照射手段により照射された前記紫外光または
近紫外光の進行方向が、前記下部電極の上に置かれた前
記半導体基板に対して平行になるように、選ばれてい
る、プラズマエッチング装置を準備する工程と、 前記下部電極の上に半導体基板を置く工程と、 前記半導体基板をドライエッチングする工程と、 前記ドライエッチングによりエッチングが完了した後、
前記半導体基板上にチャージした電荷を除去するため
に、前記光照射手段を作動させ、それによって、前記紫
外光または近紫外光を前記半導体基板に対して平行にな
るように前記真空容器内に照射する工程と、 を備えた、プラズマエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63126138A JP2565740B2 (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | プラズマエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63126138A JP2565740B2 (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | プラズマエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01293618A JPH01293618A (ja) | 1989-11-27 |
| JP2565740B2 true JP2565740B2 (ja) | 1996-12-18 |
Family
ID=14927613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63126138A Expired - Lifetime JP2565740B2 (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | プラズマエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2565740B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2707796B1 (fr) * | 1993-06-30 | 1995-10-06 | Sgs Thomson Microelectronics | Procédé de gravure sous plasma d'une couche conductrice sur une tranche de silicium avec interposition d'une couche isolante mince. |
| JP2842344B2 (ja) * | 1995-11-14 | 1999-01-06 | 日本電気株式会社 | 中性粒子ビーム処理装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5858726A (ja) * | 1981-10-05 | 1983-04-07 | Hitachi Ltd | 半導体処理装置 |
| JPS61160939A (ja) * | 1985-01-09 | 1986-07-21 | Nec Corp | ドライエツチング後Ｓｉ表面損傷の乾式による除去方法 |
| JPS622623A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Toshiba Corp | 高密度プラズマの形成方法 |
| JPS62115723A (ja) * | 1985-11-15 | 1987-05-27 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
| JPS62186533A (ja) * | 1986-02-12 | 1987-08-14 | Fujitsu Ltd | 半導体装置のエツチング方法 |
| JPS62232927A (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-13 | Toshiba Corp | ドライエツチング方法及び装置 |
| JPH0630354B2 (ja) * | 1987-06-30 | 1994-04-20 | 日本電気株式会社 | Ｓｉ表面の乾式による洗浄方法 |
-
1988
- 1988-05-23 JP JP63126138A patent/JP2565740B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01293618A (ja) | 1989-11-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4512868A (en) | Microwave plasma processing apparatus | |
| KR970005035B1 (ko) | 플라즈마발생방법 및 그 장치 | |
| JPH098014A (ja) | プラズマ成膜方法及びその装置 | |
| JPH03218627A (ja) | プラズマエッチング方法及び装置 | |
| JP2010500758A (ja) | エッチング処理を実行する前のマスク層処理方法 | |
| JPH02119134A (ja) | シリコン表面の処理方法 | |
| US5401358A (en) | Dry etching method | |
| JP2565740B2 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| JPH03263827A (ja) | デジタルエツチング装置 | |
| JP2569019B2 (ja) | エッチング方法及びその装置 | |
| JPH04171918A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63116428A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JP3202877B2 (ja) | プラズマアッシング装置 | |
| JPS61141141A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPH03131024A (ja) | 半導体のエッチング方法 | |
| JPH051072Y2 (ja) | ||
| JP2615070B2 (ja) | エツチング方法 | |
| JPS6015931A (ja) | 反応性イオンエツチング方法 | |
| JP2768317B2 (ja) | 表面処理装置 | |
| JPH07335618A (ja) | プラズマプロセスの方法及びプラズマプロセス装置 | |
| JPS62286227A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPS6396282A (ja) | マイクロ波プラズマ発生装置 | |
| JPH08246146A (ja) | プラズマ処理方法及びその装置 | |
| JPH0727887B2 (ja) | 有機物の灰化方法 | |
| JPS6132523A (ja) | 有機膜の除去方法 |