JP4856308B2 - 基板処理装置及び経由チャンバー - Google Patents
基板処理装置及び経由チャンバー Download PDFInfo
- Publication number
- JP4856308B2 JP4856308B2 JP2000399442A JP2000399442A JP4856308B2 JP 4856308 B2 JP4856308 B2 JP 4856308B2 JP 2000399442 A JP2000399442 A JP 2000399442A JP 2000399442 A JP2000399442 A JP 2000399442A JP 4856308 B2 JP4856308 B2 JP 4856308B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- substrate
- substrate holder
- load lock
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/139—Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber
Description
【発明の属する技術分野】
本願の発明は、液晶ディスプレイ等の表示装置の製造に好適に使用される基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等の各種表示装置の製造においては、装置の元になる板状物(以下、基板と総称する)に対して表面処理等の処理を施すことが必要である。例えば、液晶ディスプレイでは、ガラス製の基板の板面(端面でない面)に透明電極を形成する処理等が必要となる。
このような処理に用いられる基板処理装置は、所定の雰囲気で基板を処理するため、真空に排気したり又は内部に所定のガスを導入したりすることができるよう構成されたチャンバーを備えている。そして、異なる処理を連続して行ったり、大気圧から徐々に圧力を下げる必要などから、複数のチャンバーを備えた構成とされる。
【0003】
このような従来の基板処理装置は、チャンバーのレイアウトの考え方から、大きく二つに分けられる。一つはインライン型と呼ばれるものであり、もう一つは、クラスターツール型と呼ばれるものである。
図9は、従来の代表的な基板処理装置の一つとして、インライン型の装置の概略構成を示したものである。インライン型では、一直線上に複数のチャンバー11,2,3,12を縦設した構成である。複数のチャンバー11,2,3,12を貫くようにして、基板9を搬送させる搬送系が設けられる。また、各チャンバー11,2,3,12間には、ゲートバルブ10が設けられる。
【0004】
基板9は、トレイ91に載せられた状態で搬送系によって各チャンバーに順次搬送され、処理が行われる。複数のチャンバーのうちの一つは、基板9の搬入の際に大気に開放されるロードロックチャンバー11、別の一つは、基板9の搬出の際に大気に開放されるアンロードロックチャンバー12である。残りのチャンバーのうちの幾つかは、処理用のチャンバー(以下、処理チャンバー)2である。また、処理チャンバー2とロードロックチャンバー11又はアンロードロックチャンバー12との間に設けられたチャンバー3は、調圧用チャンバーである。この調圧用チャンバー3は、ロードロックチャンバー11(又はアンロードロックチャンバー12)と処理チャンバー2との圧力差が大きいため、その中間の圧力に雰囲気を維持して調節するものである。
【0005】
図9に示すように、搬送系は、基板9を載せたトレイ91を搬送コロ41により移動させる構成とされる。搬送コロ41は、搬送方向に垂直で水平な方向に伸びる回転軸の両端に設けられた一対の小さな円盤状の部材である。回転軸及び一対の搬送コロ41の組を、搬送方向に所定間隔をおいて多数設けることにより、搬送系は構成される。図9から解るように、基板9は水平な姿勢で搬送され、処理される
【0006】
一方、図10は、従来の代表的な基板処理装置の別の一つとして、クラスターツール型の装置の概略構成を示したものである。クラスターツール型では、内部に搬送ロボット42を設けた搬送チャンバー5の周囲に、ロードロックチャンバー11や複数の処理チャンバー2を設けた構造である。図10に示す例では、ロードロックチャンバー11は二つ設けられている。また、搬送チャンバー5と各ロードロックチャンバー11及び各処理チャンバー2との間には、ゲートバルブ10が設けられている。
【0007】
搬送ロボット42は、一方のロードロックチャンバー11から基板9を取り出して各処置チャンバーに順次搬送する。そして、搬送ロボット42は、処理終了後、一方又は他方のロードロックチャンバー11に基板9を戻す。尚、図10に示すロードロックチャンバー11は、図9に示す装置におけるアンロードロックチャンバー12の機能も有するものであるが、「ロードロックチャンバー」の名称をそのまま使用する。
【0008】
搬送ロボット42は、多関節型のロボットであり、そのアームの先端に基板9を載せて搬送するようになっている。搬送ロボット42は、アームの伸縮、回転、上下の各運動を行って基板9を所定の位置まで搬送する。基板9は、水平な姿勢でアームに載せられて搬送される。また、処理チャンバー2内でも、基板9は水平な姿勢を維持して処理される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
このような基板処理装置では、基板の大型化が顕著な傾向となっている。例えば、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイの技術は、コンピュータの表示部用のみならず、壁掛けテレビとしても本格的な普及が近いとみられるが、壁掛けテレビの場合、コンピュータ用のディスプレイ等に比べて表示面積が大きくなる。このため、基板も大型化する。また、一般的な傾向として、一つの基板から二以上の製品を製造するようにして生産性を向上させたり製造コストを低減させたりすることが多くなっており、これに伴い基板は大型化している。
このような基板の大型化を背景として、上述した従来の基板処理装置は、以下のような問題を現状抱えている、又は、将来抱えると予想される。
【0010】
まず、インライン型であれ、クラスターツール型であれ、従来の装置では、基板は、搬送中及び処理中水平な姿勢を維持する。従って、基板が大型化すると、チャンバーの水平方向の占有面積(以下、単に占有面積)も必然的に大きくなる。この結果、装置全体の占有面積も大きくなってしまう。
そして、図9に示すインライン型の装置では、各チャンバー11,2,3,12が大型化すると、ライン方向の長さが長くなってしまう。現在、壁掛けテレビ等の家庭用テレビの製造では、1mX1.2m程度の大きさの基板を処理することが必要になっており、この程度の基板を処理する装置をインライン型で構成すると、ライン方向の長さは、10数メートルにも達してしまう。
また、図10に示すクラスターツール型の装置でも、基板9の大型化は各チャンバーの占有面積の増大に直結し、装置全体の占有面積の増大につながる。クラスターツール型の装置で深刻なのは、搬送チャンバー5の大型化である。
【0011】
図10から解るように、搬送チャンバー5では、搬送ロボット42の回転運動の中心軸は搬送チャンバー5の中央に設定されているものの、基板9はアームの先端に載るため、基板9は搬送チャンバー5の中央から偏心した位置で回転軸の周りを回転する。従って、基板9の回転に要する水平方向のスペースの半径(以下、必要回転半径)は、基板9の長辺又は短辺の長さの2倍以上となる。このため、基板9が大型化すると、必要回転半径は倍増し、ますます搬送チャンバー5が大型化してしまう。例えば前述した1mX1.2m程度の大きさの基板9を処理する場合、必要回転半径は、ゆうに2メートルを越えてしまう。
【0012】
搬送チャンバー5は、往々にして排気系によって真空に排気する必要があるが、搬送チャンバー5が大型化すると、所定の真空に排気するまでに長時間を要したり、排気系の構成が大がかりになって高コストとなる問題がある。また、このような搬送チャンバー5は、基板9の処理には本質的には不必要なものである。このようなものが、装置の占有面積の大部分を占めることは、装置の設計としては好ましくない。
【0013】
基板の大型化を背景とした別の問題は、搬送の際の基板の撓みである。液晶ディスプレイ等の表示装置では、表示面積の増大とともに薄型化が市場の強い要求である。このため、基板も、大型化する一方で厚さはそれほど厚くなっていない。むしろ、薄くなる傾向にある。前述した例でいうと、1mX1.2m程度の大きさでも厚さは0.7mm程度(数年前は0.9mm程度)である。
【0014】
この程度に大きく且つ薄い基板9を水平な姿勢で搬送したり処理したりすると、自重による基板の撓みの問題が顕在化してくる。例えば、インライン型の装置では、前述したようにトレイ91を搬送コロ41により移動させることで搬送されるが、搬送コロ41に当たっていない部分でトレイ91が撓むことにより基板9も下方に垂れるようにして撓み易い。また、クラスターツール型の装置でも、アームに接触していない両側の部分で基板9は下方に垂れて撓む。
このような撓みが生じた状態で処理が行われると、処理が不均一となり、表示ムラ等の製品の性能に障害を与える恐れがある。また、基板に不均一な内部応力が残留する結果、基板の割れ等の破損が生じやすくなり、製品の信頼性を低下させる恐れもある。
【0015】
また、クラスターツール型では、大型化する基板9を搬送ロボット42で搬送することは、現実的に不可能になりつつある。つまり、大型の基板9を保持するには、アームの大きさや剛性等を充分にする必要がある。そして、そのような大がかりなアームを高い精度で伸縮、回転、上下運動させる必要があるが、そのような運動機構を充分な精度で製作することは、非常に難しい。従って、多関節アームロボットによる搬送は、近い将来、限界に達すると考えられる。
【0016】
基板の大型化を背景としたさらに別の問題は、メンテナンス上の問題である。
即ち、装置を構成するチャンバーは、メンテナンスのため、内部を開放できる構造とされる。例えば、何らかの事情でチャンバー内で搬送エラーが生じた場合、装置の運転を止め、チャンバーの内部を点検する。そして、例えば基板9が搬送コロ41の上に正しく載っていなかったり、もしくは、アームの上に正しく載っていなかったりするのを発見した場合、基板9を正しい位置に復帰させて装置の運転を再開する。
【0017】
チャンバーは、このようなメンテナンスのため、開閉扉を有する。通常、チャンバーの上板部を蝶番を介して取り付け、開閉扉とする。上板部を開閉扉とするのは、開閉扉を開けることで、処理対象である基板の板面のチェックを行えるようにするためである。開閉扉を開けて、基板の板面に異物等が載っていないか、目視でチェックする。
【0018】
しかしながら、基板が大型化してチャンバーが大型化すると、開閉扉も大きくなる。前述した程度の大きさに基板が大型化すると、開閉扉の大きさも1メートル角を越える大きさとなってしまう。この程度まで開閉扉が大型化すると、もはや作業者の力では開閉することが困難となってしまい、クレーンのような大がかりな機構が必要になってしまう。
【0019】
本願の発明は、基板の大型化を背景とした上記諸課題を解決するためになされたものであり、占有面積の増大の抑制、基板の撓みの問題の解消、メンテナンスの容易化等の顕著な技術的意義を有するものである。
【0020】
上記課題を解決するため、本願の請求項1記載の基板処理装置は、内部で基板に所定の処理を施す真空チャンバーである処理チャンバーと、処理チャンバーの周囲に気密に接続された真空チャンバーである経由チャンバーと、経由チャンバーに気密に接続された真空チャンバーである中間チャンバーと、中間チャンバーに気密に接続された真空チャンバーであるロードロックチャンバーと、経由チャンバーを経由して処理チャンバーに順次基板を搬送する搬送系とを備えた基板処理装置であって、搬送系は、基板をその板面が水平方向に対して45度以上90度以下の保持角度になるよう立てて保持する基板保持具と、基板保持具を、経由チャンバーを経由して各真空チャンバーに移動させる水平移動機構と、から成り、ロードロックチャンバー内における基板保持具の搬送経路は、第1の方向に基板保持具を搬送するものであり、水平移動機構は、経由チャンバー内において、処理チャンバーとの間で基板保持具を移動させる際に、基板保持具を水平方向に対して垂直な回転軸の周りに回転させ、基板保持具を移動させようとする処理チャンバーの方向に基板保持具の向きを一致させるように転換する方向転換機構を有し、さらに中間チャンバー内において、基板保持具の基板を保持する面が第1の方向に平行になるように複数の基板保持具を並列させ、第1の方向に並列している複数の基板保持具を、第1の方向に垂直な水平方向である第2の方向に同時に移動させることができ、中間チャンバーからロードロックチャンバーへ基板保持具を移動させる際には、複数の基板保持具のうちの1つをロードロックチャンバー内の搬送経路の延長線上に移動した後に、第1の方向に移動してロードロックチャンバー内に搬送し、中間チャンバーから経由チャンバーへ基板保持具を移動させる際には、複数の基板保持具のうちの1つを経由チャンバー内の搬送経路の延長線上に移動した後に、第1の方向に移動して経由チャンバー内に搬送することを特徴とする。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の実施の形態(以下、実施形態)について説明する。
まず、図1を使用して、第一の実施形態の基板処理装置の全体の構成について説明する。図1は、第一の実施形態の基板処理装置の平面概略図である。
図1に示す基板処理装置は、内部で基板9に所定の処理を施す処理チャンバー21,22,23,24を含む複数の真空チャンバーを気密に接続した構造である。そして、装置は、複数の真空チャンバーに順次基板9を搬送する搬送系を有している。
【0022】
複数の真空チャンバーのうちの二つは、大気側との間の基板9の出し入れの際に基板9が一時的に滞留するロードロックチャンバー11L,11Rとなっている。また、複数の真空チャンバーのうちの別の一つは、基板9の搬送方向を転換する方向転換機構80を備えた方向転換チャンバー8となっている。そして、方向転換チャンバー8の周囲に四つの処理チャンバー21,22,23,24が接続されている。さらに、方向転換チャンバー8とロードロックチャンバー11L,11Rとの間には、中間チャンバー7が設けられている。
【0023】
これらのチャンバー11L,11R,21,22,23,24,7,8は、図1中不図示の排気系を備えた真空チャンバーである。排気系は、ターボ分子ポンプやクライオポンプにより、10−3Pa〜10−5Pa程度まで排気できる構成とされる。各チャンバー11L,11R,21,22,23,24,7,8は、ゲートバルブ10を介して気密に接続されている。ロードロックチャンバー11L,11Rの外側には、基板保持具に未処理の基板9を搭載したり、処理済みの基板9を基板保持具から回収したりする場所である不図示のロードステーションが設けられている。
【0024】
本実施形態では、基板9を垂直又は垂直に近い角度で保持して搬送及び処理するようになっている。具体的には、搬送系は、基板9をその板面が水平に対して45度以上90度以下の保持角度になるよう立てて保持する基板保持具と、基板保持具を水平方向に移動させて基板9を搬送する水平移動機構とを有している。
基板保持具及び水平移動機構の構成について、図2を使用して説明する。図2は、図1の装置における搬送系の構成について説明する斜視概略図である。
【0025】
図2に示す基板保持具92は、水平な姿勢の中間板921と、中間板921に固定された一対の受け板922,923と、中間板921の下面から下方に延びる支持板924とから主に構成されている。中間板921は、方形(長方形又は正方形)である。一対の受け板922,923は、その下端が折れ曲がり、その折れ曲がった部分(以下、下端部)が中間板921に固定され、上方に延びている。一対の受け板922,923の上方に延びた部分(以下、主部)は、互いに向かい合っており、横から見ると「ハ」の字を形成している。一対の受け板922,923の主部の水平に対する角度(図2にθで示す)は、45度以上90度以下となっている。
【0026】
受け板922,923の主部には、図2に示すように、方形の開口925が設けられている。本実施形態では方形の基板9を搬送して処理することが想定されている。基板9は、受け板922,923の開口925よりも少し大きい。基板9は、図2に示すように、下縁が受け板922,923の下端部の上に載り、板面が受け板922,923の主部に接触した形で(もたれかかった形で)受け板922,923に保持される。尚、基板9は、受け板922,923の開口925を塞ぐ位置で保持される。
【0027】
支持板924は、その上端面が中間板921の下面の中央に固定され、垂直に下方に延びている。横から見ると、支持板924と中間板921とによってT字が形成されている。支持板924の中間板921に固定された辺の方向は、中間板921の一辺に対して平行であり、保持された基板9の上縁及び下縁もこれと平行である。
【0028】
水平移動機構は、本実施形態では、ラックアンドピニオン機構により基板保持具92を移動させるようになっている。具体的に説明すると、支持板924の両側の側面には、ラック43が設けられている。ラック43が延びる方向は水平な方向であり、上述した中間板921の一辺の方向に一致している。
水平移動機構は、上記ラック43に噛み合う複数のピニオン44と、ピニオン44を駆動させるピニオン駆動機構45とから構成されている。ピニオン駆動機構45は、各ピニオン44に駆動軸を介して連結された駆動ギヤ451と、駆動ギヤ451に懸架されたタイミングベルト452と、駆動ギヤ451の一つに連結されたモータ453と、残りの駆動ギヤ451の駆動軸を受ける軸受け454とから主に構成されている。
【0029】
図2において、モータ453が動作すると、タイミングベルト452を介して駆動ギヤ451が回転し、この回転が駆動軸により各ピニオン44に伝えられる。そして、各ピニオン44の回転により、ラック43が水平方向に直線移動し、基板保持具92も全体に直線的に水平移動する。この結果、基板保持具92に保持されている基板9が搬送される。
【0030】
また、図2に示すように、基板保持具92全体を支えるとともに基板保持具92の移動をガイドするガイドレール48が設けられている。ガイドレール48は、支持板924の下端が填り込んだ溝を有する。基板保持具92の直線移動の方向に長い部材である。ガイドレール48の内面には、不図示のベアリング等が設けられており、支持板924の下端の移動をスムーズなものにしている。尚、磁気浮上機構を採用して支持板924の下端とガイドレール48との非接触にすると、塵や埃等の発生が防げるので好適である。
【0031】
このような水平移動機構は、各ロードロックチャンバー11L,11R、中間チャンバー7、方向転換チャンバー8、各処理チャンバー21,22,23,24、及び、不図示のロードステーションに設けられている。そして、それぞれの場所でピニオン駆動機構45がピニオン44を駆動することで、基板保持具92が、ラック43の長さ方向に移動し、ロードステーション、ロードロックチャンバー11L,11R、中間チャンバー7、方向転換チャンバー8、処理チャンバー21,22,23,24の順に基板9が移動するようになっている。
【0032】
以下の説明では、ロードロックチャンバー11L,11Rの中心と中間チャンバー7の中心とを結ぶ水平方向を、「第一の方向」と呼ぶ。搬送系は、中間チャンバー7内において、第一の方向の搬送に加え、第一の方向に垂直な水平方向である第二の方向に基板9を搬送できるようになっている。以下、この点について、図3及び図4を使用して説明する。図3は、図1に示す中間チャンバー7内における搬送系の構成を示した正面概略図、図4は、図1に示す中間チャンバー7内に設けられた水平移動機構の斜視概略図である。
【0033】
図3に示すように、中間チャンバー7内では、ピニオン44、ピニオン駆動機構45及びガイドレール48の組は、二組設けられていて左右に配されている。各組のピニオン44、ピニオン駆動機構45及びガイドレール48には、それらを上面に固定したベース板46が設けられている。各ベース板46は水平な姿勢であり、同一平面上に設けられている。図3に示す右側のピニオン44、ピニオン駆動機構45、ガイドレール48及びベース板46の組(以下、右側水平移動機構4R)と、左側のピニオン44、ピニオン駆動機構45、ガイドレール48及びベース板46の組(以下、左側水平移動機構4L)は、基本的に同じ構成である。尚、図4は、図3に示す右側水平移動機構4Rを示したものとなっている。
【0034】
図3に示すように、両水平移動機構のベース板46の下側には、ガイドロッド471が設けられている。図4に示すように、ガイドロッド471は、二本平行に設けられており、その間隔は、ベース板46の幅よりも少し短い。そして、各ベース板46の下面には、ガイドロッド471を挿通させたリニア軸受け472が設けられている。リニア軸受け472は、各ベース板46の下面の四隅に設けられている。
【0035】
そして、図3に示すように、右側水平移動機構4Rのベース板46の右端には、右側固定板473を介して右側駆動ロッド475が固定され、左側水平移動機構4Lのベース板46の左端には、左側固定板474を介して左側駆動ロッド476が固定されている。右側駆動ロッド475にはエアシリンダのような右側直線駆動源477が接続されており、左側駆動ロッド476にも同様の左側直線駆動源478が接続されている。
【0036】
右側直線駆動源477が動作すると、右側駆動ロッド475を介して右側水平移動機構4R全体がガイドロッド471にガイドされながら直線移動する。この結果、右側水平移動機構4R上にある基板保持具92も一体に移動し、この基板保持具92に保持された基板9はこの方向に搬送される。また、左側直線駆動源478が動作すると、左側駆動ロッド476を介して左側水平移動機構4L全体がガイドロッド471にガイドされながら直線移動する。この結果、左側水平移動機構4L上にある基板保持具92も一体に移動し、この基板保持具92に保持された基板9はこの方向に搬送される。
【0037】
この際の基板9の搬送方向は、ガイドロッド471の延びる方向に一致している。上記説明から解る通り、ガイドロッド471の延びる方向は第一の方向に垂直な水平方向(以下、第二の方向)である。即ち、基板9は、中間チャンバー7内で、第一の方向と第二の方向に搬送されることが可能となっている。
【0038】
また、本実施形態では、処理チャンバー21,22,23,24内での処理に先立ち、基板9が上記中間チャンバー7内でヒータにより予め所定温度まで加熱されるようになっている。本実施形態では、ヒータ6としてセラミックヒータが使用されている。セラミックヒータは、パネル状であり、基板保持具92に保持された基板9に対して平行になるよう同じ角度で傾けて設けられている。
【0039】
上記ヒータ6は、図3に示すように、ヒータ取付具61によって左側搬送機構4Lのベース板46に取り付けられている。ヒータ取付具61は、左側搬送機構4Lのベース板46の上面に固定された支柱部611と、支柱部611の先端に設けられたヒータ取付部612とから成っている。図3に示すように、支柱部611の上側は、水平に折れ曲がっており、その先端にヒータ取付部612が形成されている。
【0040】
ヒータ取付部612は、パネル状のヒータ6を上下で保持している。ヒータ取付具61は、不図示のヒータ電源とヒータ6とを接続するケーブルを内部に収容している。尚、図3に示すように、ヒータ取付部612は左右対称であり、左右にヒータ6を保持している。従って、二つの基板9が同時に加熱されるようになっている。また、基板保持具92の受け板922,923には、前述したように開口925が設けられており、ヒータ6から輻射線が基板9に充分に達するようになっている。
【0041】
次に、図5及び図6を使用して、方向転換チャンバー8内の構成について説明する。図5は、図1に示す方向転換チャンバー8内に設けられた水平移動機構及び方向転換転換機構の斜視概略図、図6は、図1に示す方向転換チャンバー8の正面断面概略図である。
【0042】
図5に示すように、方向転換チャンバー8内の水平移動機構も、水平なベース板46によって全体が保持されている。方向転換チャンバー8内のベース板46は、図5に示すように円盤状である。図5及び図6から解るように、ガイドレール48は、ベース板46の径方向(即ちベース板46の中心を通る方向)となっている。また、図6から解るように、ベース板46の中心軸は方向転換チャンバー8の中心軸に一致している。
【0043】
方向転換機構80は、ベース板46の下面中央に固定された回転駆動軸81と、回転駆動軸81を回転させる回転駆動部82とから構成されている。回転駆動軸81は、垂直に延びて方向転換チャンバー8の底板部を貫通しており、その下端には回転駆動部82が設けられている。回転駆動部82は、ベルト等の動力伝達機構やモータ等の駆動源を含んでいる。回転駆動軸81の貫通部分には、磁性流体を用いたメカニカルシールのような真空シール83が設けられている。
【0044】
回転駆動部82により回転駆動軸81が回転すると、ベース板46上の水平移動機構が全体に回転する。この際の回転軸は、ベース板46の中心軸に一致し、従って方向転換チャンバー8の中心軸に一致している。尚、ベース板46と方向転換チャンバー8の底板部との間には、ベアリング83が設けられている。ベアリング83は、ベース板46を支えつつ、ベース板46の回転を許容している。
【0045】
図6に示すように、基板9を保持した基板保持具92が方向転換チャンバー8内に移動してガイドレール48上に停止する。この状態で、回転駆動部82が動作すると、水平移動機構とともに基板保持具92も一体に回転する。回転駆動部82は、ガイドレール48がいずれかの処理チャンバー21,22,23,24に向いた姿勢で回転を停止する。回転を停止した際のガイドレール48は、方向転換チャンバー8の中心軸といずれかの処理チャンバー21,22,23,24の中心軸とを結ぶ方向に向くようになっている。
【0046】
四つの処理チャンバー21,22,23,24の構成は、基板9に施す処理の内容に応じて最適化される。例えば、スパッタリングによる成膜を行う場合、処理チャンバー21,22,23,24内に被スパッタ面を露出させてターゲットを設ける。ターゲットは、二枚の基板9に同時に成膜できるよう、一対のものを対向させて設ける。各ターゲットは、処理チャンバー21,22,23,24内の所定位置で停止した基板9に対して平行で同軸となるよう設けられることが好ましい。そして、ターゲットの背後にマグネトロンスパッタリングを可能にする磁石ユニットを設ける。ガス導入系によりアルゴン等のスパッタ用ガスを導入しながら、ターゲットに負の直流電圧又は高周波電圧を印加する。スパッタ放電が生じてターゲットがスパッタされ、ターゲットの材料の薄膜が基板9の表面に堆積する。
【0047】
また、CVD(化学蒸着)による成膜処理を行うよう構成する場合もある。この場合は、気相反応により膜堆積作用のある原料ガスを導入するガス導入系を設ける。プラズマCVDを行う場合には、高周波放電等を生じさせて原料ガスのプラズマを形成し、プラズマ中での気相反応を利用して基板9の表面に薄膜を作成する。例えば、アモルファスシリコン膜を作成する場合、シランと水素の混合ガスを原料ガスとして導入し、プラズマCVDにより水素化アモルファスシリコン膜を基板9の表面に作成する。その他、熱CVDによる成膜を行う場合もある。
【0048】
さらに、エッチング処理を行う場合もある。エッチング処理を行う場合、フッ素系ガスなどのエッチング作用のあるガスを導入する。プラズマエッチングを行う場合、同様に高周波等によりプラズマを形成し、プラズマ中で生成される活性種やイオンの作用により基板9の表面をエッチングする。
【0049】
次に、上記構成に係る本実施形態の装置の全体の動作について、図7を使用して説明する。図7は、図1乃至図6に示す実施形態の装置における搬送系の動作について説明する平面概略図である。図7では、搬送系による基板保持具92の動きを説明するため、基板保持具92の位置を一本の線(実線又は破線)で示している。また、説明の便宜上、二つのロードロックチャンバー11L,11Rを、左ロードロックチャンバー11L、右側ロードロックチャンバー11Rとする。さらに、四つの処理チャンバー21,22,23,24を、第一処理チャンバー21、第二処理チャンバー22、第三処理チャンバー23、第四処理チャンバー24と呼ぶ。
【0050】
まず、不図示のロードステーションで未処理の二枚の基板9が搭載された基板保持具92は、左側ロードロックチャンバー11L内に搬入される。そして、この基板保持具92は、図7(1)に示すように、中間チャンバー7内に移動する。より具体的に説明すると、図3に示す左側駆動源478が予め動作しており、左側水平移動機構4Lが、左側ロードロックチャンバー11L内の水平移動機構に対して同一直線上に並ぶ位置にしている。
【0051】
この状態で、左側ロードロックチャンバー11L内の水平移動機構と、中間チャンバー7内の左側水平移動機構4Lが同時に動作して、基板保持具92が左側ロードロックチャンバー11L内の搬送機構から中間チャンバー7内の左側水平移動機構4Lに受け渡される。基板保持具92が左側水平移動機構4Lのベース板46上の所定位置に達した時点で、各ピニオン駆動機構45が動作を停止する。
中間チャンバー7内の左側水平移動機構4Lに受け渡された基板保持具92に保持された基板9に対しては、図3に示すように、ヒータ6が向かい合う状態となる。ヒータ6は、未処理の基板9がこのようにして中間チャンバー7内に搬入されると動作し、基板9を予備加熱する。
【0052】
予備加熱が終了すると、左側水平移動機構4Lは、この基板保持具92を方向転換チャンバー8に移動させる。即ち、図3に示す左側直線駆動源478が再び動作し、基板保持具92を中間チャンバー7の中央の位置まで移動させる。一方、方向転換チャンバー8では、方向転換チャンバー8の中心軸と中間チャンバー7の中心軸とを結ぶ方向に方向転換チャンバー8内の水平移動機構のガイドレール48が向くよう回転駆動部82が方向転換チャンバー8内の水平移動機構を予め回転させている。
【0053】
この状態で、左側水平移動機構4Lと方向転換チャンバー8内の水平移動機構とを同時に動作させ、図7(2)に示すように基板保持具92を方向転換チャンバー8内に移動させる。並行して、左側ロードロックチャンバー11Lには、未処理の基板9を保持した次の基板保持具92が搬入される。
【0054】
そして、回転駆動部82が動作し、方向転換チャンバー8内で基板保持具92が方向転換して第一処理チャンバー21に向く姿勢を取る。即ち、図7(3)に示すように90度反時計回りに回転する。その後、第一処理チャンバー21内の水平移動機構と方向転換チャンバー8内の水平移動機構を同時に動作させ、基板保持具92を第一処理チャンバー21内に移動させる。そして、第一処理チャンバー21内で基板9に対して処理が行われる。並行して、次の基板保持具92が、図7(3)に示すように中間チャンバー7に移動し、同様に基板9の予備加熱が行われる。
【0055】
第一処理チャンバー21内での処理が終了すると、基板保持具92は、図7(4)に示すように、方向転換チャンバー8を経由して第二処理チャンバー22に移動する。即ち、第一処理チャンバー21内の水平移動機構と方向転換チャンバー8内の水平移動機構とが同時に動作して基板保持具92が方向転換チャンバー8内に移動し、その後、回転駆動部82が動作して方向転換チャンバー8内の水平移動機構を反時計回りに90度回転させる。そして、方向転換チャンバー8内の水平移動機構と第二処理チャンバー22内の水平移動機構が同時に動作し、基板保持具92が第二処理チャンバー22内に移動する。その後、第二処理チャンバー22内で基板9に対して処理が行われる。
この際、次の基板保持具92は、図7(4)に示すように、中間チャンバー7内の中央に移動する。また、左側ロードロックチャンバー11L内にさらに次の基板保持具92が搬入される。
【0056】
第二処理チャンバー22内での処理が終了すると、第二処理チャンバー22内の水平移動機構と第三処理チャンバー23内の水平移動機構とが同時に動作し、基板保持具92が図7(5)に示すように第三処理チャンバー23に移動する。並行して、次の基板保持具92が、同様に方向転換チャンバー8を経由して第一処理チャンバー21に移動する。そして、第三処理チャンバー23内及び第一処理チャンバー21内で並行して処理が行われる。この際、さらに次の基板保持具92は、中間チャンバー7内に移動し、基板9の予備加熱が行われる。
【0057】
第三処理チャンバー23内での処理が終わると、基板保持具92は、図7(6)に示すように第二処理チャンバー22内及び方向転換チャンバー8内を経由して、第四処理チャンバー24に移動する。また、左側ロードロックチャンバー11Lにはさらに次に基板保持具92が搬入される。
【0058】
第四処理チャンバー24内での処理が終了すると、基板保持具92は、図7(7)に示すように、方向転換チャンバー8内を経由して中間チャンバー7内の中央位置に移動する。この際、右側直線駆動源477が動作し、中間チャンバー7内の右側水平移動機構4Rは、中間チャンバー7内の中央位置に予め移動し、基板保持具92を受け取る。
【0059】
その後、図7(8)に示すように、基板保持具92は右側水平移動機構4Rにより右側ロードロックチャンバー11Rに搬出される。即ち、右側直線駆動源477が動作し、右側水平移動機構4Rが右側ロードロックチャンバー11R内の水平移動機構に対して同一直線上となる位置で停止する。そして、右側水平移動機構4Rと右側水平移動機構とが同時に動作して、基板保持具92が右側ロードロックチャンバー11Rに搬出される。
並行して、第一処理チャンバー21での処理が終了した次の基板保持具92は、同様に方向転換チャンバー8を経由して第二処理チャンバー22に移動する。そして、次の基板保持具92が保持した基板9に対して第二処理チャンバー22内で処理が行われる。
【0060】
最初の基板保持具92は、図7(9)に示すように、右側ロードロックチャンバー11Rから大気側のロードステーションに搬出される。並行して、第二処理チャンバー22内での処理が終了すると、次の基板保持具92は、第三処理チャンバー23に移動して処理が行われる。また、さらに次の基板保持具92は、同様に方向転換チャンバー8を経由して第一処理チャンバー21に移動して処理が行われる。
【0061】
そして、図7(10)に示すように、第三処理チャンバー23内で処理が終了すると、次の基板保持具92が同様に第四処理チャンバー24に移動し、さらに次の基板保持具92が中間チャンバー7内に移動する。以下、このような動作を繰り返し、基板保持具92は、中間チャンバー7や方向転換チャンバー8を経由して第一処理チャンバー21、第二処理チャンバー22、第三処理チャンバー23、第四処理チャンバー24の順に移動し、基板9に対して順次処理が行われる。尚、ゲートバルブ10は、基板保持具92の移動の際には開けられるが、それ以外では閉じられている。
【0062】
上記動作において、左側ロードロックチャンバー11Lは未処理の基板9の搬入用に使用され、右側ロードロックチャンバー11Rは処理済みの基板9の搬出用に使用されているが、これは必須ではない。左右のロードロックチャンバー11L,11Rとも、搬入用及び搬出用に兼用して用いることができる。但し、左側水平移動機構4Lと右側ロードロックチャンバー11Rとの間で基板保持具92の受け渡しを行う場合、右側水平搬送機構4Rはその位置よりさらに右側に退避できるようにする必要がある。また、右側水平移動機構4Rと左側ロードロックチャンバー11Lとの間で基板保持具92の受け渡しを行う場合、左側水平搬送機構4Lはその位置よりさらに左側に退避できるようにする必要がある。
【0063】
上述した構成及び動作に係る本実施形態の装置は、以下のような顕著な技術的意義を有する。
【0064】
まず第一に、基板9が垂直又は垂直に近い角度で保持された状態で搬送されて処理される構成は、装置の占有面積増大の抑制に顕著な効果を有する。即ち、基板9が垂直又は垂直に近い角度で保持された状態で搬送されて処理されるので、ロードロックチャンバー11L,11Rや中間チャンバー7、処理チャンバー21,22,23,24の占有面積は、基板9が水平に搬送されて処理される場合に比べて格段に小さくて済む。特に、基板9が水平に搬送されて処理される場合には、基板9が大型化するとその分だけ各チャンバーの占有面積が大きくならざるを得ないが、本実施形態では、垂直方向のスペースは多く必要になるものの、占有面積は本質的に大きくなることはない。このため、装置全体の占有面積も大きくなることはない。
【0065】
本実施形態のような装置は、クリーンルーム内に配置されることが多い。装置の占有面積が増大するとことは、それだけ大きなクリーンルームを必要とすることにつながり、施工コストやランニングコストが高くなってしまう欠点がある。本実施形態の装置によれば、占有面積の増大が抑制されるため、クリーンルームの施工コストやランニングコストの低減に有利である。
【0066】
また、基板9が垂直又は垂直に近い角度で保持された状態で搬送されて処理される構成は、基板9の撓みを防止する上でも顕著な技術的意義を有する。即ち、本実施形態では、前述したように基板9は基板保持具92にもたれかかった状態で載置されて保持されるので、水平な姿勢で保持される場合のような自重による撓みは発生しない。このため、処理の不均一化や表示ムラ等の製品の性能障害、不均一な残留内部応力による基板9の割れ等の破損が生じる恐れがない。
【0067】
さらに、基板9が垂直又は垂直に近い角度で保持された状態で搬送されて処理される構成は、装置のメンテナンスを容易にするという技術的意義を有する。前述したように、装置を構成する各チャンバーは、内部のメンテナンスのため開閉扉を設ける必要があるが、チャンバーの占有面積が小さくなるため、上板部に開閉扉を設けても、開閉扉がそれ程大きくなることはない。また、基板9の板面が側方に向いていることから、開閉扉はチャンバーの側板部に設けてもよく、この場合には大きな開閉扉であっても開閉は容易である。
【0068】
上記実施形態において、基板9の保持角度θは45度〜90度であるとしたが、これは、45度以下であると、水平に近くなり、上述したような技術的意義が充分に得られないからである。尚、この範囲において、θは、70度〜85度とすることが、より好ましい。θが85度を超えると、90度にあまりにも近くなり、基板保持具92にもたれかかった状態のみでは基板9の保持が充分でなくなる恐れがある。つまり、何らかの衝撃により基板9が倒れる可能性が高くなる。これを防止するには、基板9を基板保持具92に押さえつけるクランプ機構等が別途設けると良いが、構造が複雑になるし、基板9の着脱動作が煩雑になる欠点がある。また、θが70度より大きくしておくと、上述した垂直保持の技術的意義がより大きくなる。
【0069】
また、基板保持具92が二枚の基板9を同時に保持するものであり、二枚の基板9を同時に搬送及び処理することができるようになっているので、一枚保持の場合に比べて生産性が倍増している。この場合、基板9の保持角度θは、60度以上とすることが好ましい。60度より小さくなると、二枚分の水平方向の占有面積は、基板9が水平な姿勢である場合の一枚分の占有面積に比べて大きくなってしまうからである。
【0070】
また、前述したような方向転換チャンバー8を採用する本実施形態の構成は、クラスターツール型のチャンバーレイアウトの思想を一部取り入れたものである。即ち、経由チャンバーの周りに複数の真空チャンバーを接続し、経由チャンバーを経由して各真空チャンバー間の基板9の搬送を行うようにする思想である。このようなクラスターツール型の装置は、経由チャンバーの周りに任意の処理チャンバーやロードロックチャンバーを設けることができ、設計の自由度が高く、またプロセスの変更にも柔軟に対応できるというメリットがある。しかしながら、前述したように、基板9の大型化に伴い必要回転半径が増大し、経由チャンバーの大型化、搬送ロボットによる搬送の限界、基板9の撓み等の問題も生じると予想される。
【0071】
一方、本実施形態のように、基板9を垂直保持する構成では、回転軸から近い位置で基板9を回転させることができるので、基板9が大型化しても必要回転半径はそれほど増大しない。従って、経由チャンバー(本実施形態では方向転換チャンバー8)はそれほど増大しない。また、アームの先端に基板9を載せて保持する搬送ロボットではなく、水平移動機構全体を垂直な回転軸の周りに回転させて方向を転換する機構なので、アームの剛性等の搬送ロボットを使用する場合の問題からも無縁である。さらに、基板9が垂直に保持されるので、基板9の撓みの問題もない。従って、本実施形態の構成は、クラスターツール型のメリットを生かしつつ、基板9の大型化に対応した優れた構成であるということができる。
【0072】
また、中間チャンバー7内で基板9が第一の方向に加え第二の方向に移動可能である点は、以下のような技術的意義を有する。
【0073】
まず第一に、基板9が第一の方向にしか移動できない場合、中間チャンバー7に対してロードロックチャンバー11L,11Rや処理チャンバー21,22,23,24を縦設する以外のレイアウトは採用し得ない。つまり、図9に示す従来のインライン型のレイアウトしか採用できない。この構成では、前述したように、基板9の大型化によってライン方向の長さが長くなる問題が顕著となる。
しかしながら、本実施形態のように、第一の方向に垂直で水平な第二の方向に基板9の搬送が可能な場合、左右のロードロックチャンバー11L,11Rのように、中間チャンバー7に対して複数の別のチャンバーを横に並べて設ける(並設する)ことができる。このため、ライン方向の長さを長くすることなくチャンバーの数を増やすことができる。この点は、異なる処理を連続して多く行う場合や、圧力差のためにチャンバーが多く必要である場合などに特に有効である。
【0074】
また、本実施形態のように、基板9が中間チャンバー7内で第二の方向に移動可能である構成は、中間チャンバー7にバッファ機能を持たせることができるという点でも顕著な技術的意義がある。即ち、基板9が第一の方向にしか移動できない場合、一つの基板9が処理チャンバー21,22,23,24に搬入されて処理され、同じ経路を戻って大気側に出た後でしか、次の基板9を搬入動作を行うことができない。一方、本実施形態構成によれば、最初の基板9の処理チャンバー21,22,23,24での処理中に次の基板9を中間チャンバー7に搬入したり、最初の基板9の大気側への搬出動作の間に次の基板9の処理チャンバー21,22,23,24への搬送動作や次の基板9の処理を行うことができる。従って、生産性が高い。尚、この技術的意義は、ロードロックチャンバー11L,11Rが一つの場合でも基本的に同様である。勿論、二つのロードロックチャンバー11L,11Rを有する本実施形態では、基板9の搬入搬出動作の効率が倍増しており、生産性が高い。
【0075】
また、図2から解る通り、水平移動機構による基板保持具92の移動の方向は、基板9の板面とともに保持角度θを成す水平な方向に対して直角な水平方向である。この構成は、搬送に要する水平方向のスペースの占有面積を小さくする技術的意義がある。即ち、移動方向が、基板9の板面とともに保持角度θを成す水平な方向に一致している場合、基板9の板面を移動方向に対して前方又は後方に向けた状態で搬送することになる。この構成だと、搬送に要するスペースの幅は、基板9の板面の幅に一致してしまう。従って、搬送に要する水平方向のスペースの大きさは、本実施形態の場合に比べて大きくなってしまう。このため、装置全体の大型化につながり、これは基板9が大型化した場合により深刻となる。一方、本実施形態の構成によれば、このような問題はなく、搬送に要する水平方向のスペースは最小化される。
【0076】
また、上記構成は、ゲートバルブ10の簡略化にも貢献している。即ち、移動方向が、基板9の板面とともに保持角度θを成す水平な方向に一致する構成の場合、ロードロックチャンバー11L,11Rや処理チャンバー21,22,23,24はその方形の輪郭のうちの長辺の部分で中間チャンバー7に接続される構成となる。このため、ゲートバルブ10が開閉すべき開口の大きさが大きくなってしまう。従って、バルブ開閉に大きな駆動力を必要とする等、ゲートバルブ10が大がかりとなる。一方、本実施形態の構成によれば、このような問題はなく、ゲートバルブ10を簡略化できる。
【0077】
また、本実施形態では、処理チャンバー21,22,23,24内で処理された基板9が、中間チャンバー7を経由していずれか一方のロードロックチャンバー11L,11Rに戻ってくる構成(いわゆるインターバック型の一種の構成)となっている。この構成では、装置への基板9の搬入搬出が装置の同じ側で行える。従って、既存の製造ラインへの組み込みが容易である。
一方、前述したインライン型の装置の場合、装置への基板9の搬入搬出が左右に分かれるため、既存の製造ラインにおいて、左右の幅が広く開いている必要がある。従って、限られたスペースの製造ラインでは、前述したインライン型の装置は組み込みが難しい。
【0078】
上記説明から解るように、本実施形態では、装置内に三つないし四つのの基板保持具92が同時に搬入されており、処理チャンバー21,22,23,24内での処理中に、基板9の予備加熱や、左右のロードロックチャンバー11L,11Rを経由した基板9の搬送を行っている。従って、生産性が高い。
【0079】
また、本実施形態では、上記のようなバッファ機能を有する中間チャンバー7に基板9を予備加熱するヒータ6が設けられている。従って、予備加熱用のチャンバーを別途設ける必要がなく、装置の占有面積を低減させたり装置コストを低減させたりする技術的意義がある。そして、予備加熱を前の基板9の処理中に行えることから、リードタイムが短縮され、この点で生産性も向上している。
【0080】
また、上記中間チャンバー7に、調圧チャンバーの機能を持たせることも可能である。即ち、ロードロックチャンバー11L,11Rと処理チャンバー21,22,23,24との圧力差が大きい場合、中間チャンバー7内をその中間の圧力に維持して調節すると好適である。また、第四処理チャンバー24は、必要に応じて基板9を冷却する冷却チャンバーとすることができる。
【0081】
尚、上記構成において、ガイドレール48の入り口側の構成は、基板保持具92の支持板924の下端を受け入れやすくするようにすることが好ましい。即ち、搬送動作において、基板保持具92は、手前側のガイドレール48から前方のガイドレール48に乗り移るようにして移動するが、この際、前方のガイドレール48に支持板924の下端が正しく填り込まないと、搬送エラーになってしまう。これを防止するには、ガイドレール48の入り口側の溝の側面にテーパを設けて入り口側の開口を広げる等して、支持板924の下端を受け入れやすくすると良い。
【0082】
上記実施形態では、二つの処理チャンバー22,23を縦設したが、三つ又はそれ以上の処理チャンバーを縦設しても良い。また、縦設された二つの処理チャンバー22,23において、例えば第三処理チャンバー23内のガスが第二処理チャンバー22に拡散することによる雰囲気汚損の問題がある場合、第三処理チャンバー23の圧力が第二処理チャンバー22の圧力に比べて常に低くなるように排気する差動排気を行うことがある。
【0083】
次に、本願発明の第二の実施形態について説明する。図8は、第二の実施形態の基板処理装置の平面概略図である。図8に示すように、第二の実施形態の基板処理装置は、複数の方向転換チャンバー(この実施形態では三つ)801,802,803がインライン型の装置のように縦設されている。各方向転換チャンバー801,802,803の構成は、図1に示す第一の実施形態における方向転換チャンバー8と同様である。三つの方向転換チャンバーを第一方向転換チャンバー801、第二方向転換チャンバー802、第三方向転換チャンバー803とすると、第一方向転換チャンバー801が第一の実施形態の方向転換チャンバー8と同様に中間チャンバー7に接続され、第二方向転換チャンバー802が第一方向転換チャンバー801に接続され、第三方向転換チャンバー803が第二方向転換チャンバー802に接続されている。
【0084】
そして、第一第二方向転換チャンバー801,802にはそれぞれ両側に処理チャンバー2が接続され、第三方向転換チャンバー803には両側及び第二方向転換チャンバー802とは反対側に処理チャンバー2が接続されている。従って、本実施形態では、処理チャンバー2が7つ設けられている。各処理チャンバー2への基板9の搬送は、前述した第一の実施形態と同様に各方向転換チャンバー801,802,803を経由して行う。
【0085】
この第二の実施形態の構成は、前述したインライン型のチャンバーレイアウトの思想を一部に取り入れたものとなっている。ただ、本実施形態では、処理チャンバー2そのものを一列に縦設するのではなく、方向転換チャンバー801,802,803を縦設し、その方向転換チャンバー801,802,803に処理チャンバー2を接続している。従って、ライン方向の長さをそれほど長くすることなく多くの処理チャンバー2を設けることができる。
【0086】
上記各実施形態では、基板保持具92を水平方向に移動させる水平移動機構は、ラックアンドピニオン機構を採用するものであったが、これに限られるものではない。例えば、垂直な軸の回り回転する駆動ローラを水平な移動方向に沿って多数設け、各駆動ローラが支持板924の両側面に適当な摩擦力で接触するようにする。そして、両側の各駆動ローラを互いに逆向きに同時に回転させれば、基板保持具92を水平方向に直線移動させることができる。また、基板保持具92を牽引するワイヤー等の線状部材を基板保持具の前端と後端にそれぞれ設け、いずれか一方の線状部材を巻き取り機構等によって引っ張るようにして移動させる機構でも良い。
【0087】
また、請求項1又は2の発明の実施に際しては、経由チャンバーを前述したような方向転換チャンバー8とする必要はない。即ち、基板保持具92を回転させなくとも経由チャンバーを経由した基板9の搬送は可能である。例えば、基板保持具92が常に第二の方向に向くようにしておき、この状態で各処理チャンバー21,22,23,24間を基板保持具92が移動するようにしても良い。この場合には、経由チャンバー間の搬送や経由チャンバーと中間チャンバー7との間の搬送には、前述した中間チャンバー7内の水平移動機構と同様に、ガイドロッドにガイドさせながら水平移動機構全体を直線移動させる構成が採用できる。但し、基板保持具92とともに水平移動機構を一体に回転させる構成は、機構的に簡略であり、方向転換チャンバー8が小型化できるメリットがある。
【0088】
また、方向転換機構80が、方向転換チャンバー8の中心軸に一致した回転軸の周りに基板保持具92と水平移動機構を回転させる構成は、必要回転半径を小さくする技術的意義を有し、従って、方向転換チャンバー8をさらに小型化する技術的意義を有する。
【0089】
次に、請求項7及び8の発明の実施形態について説明する。
請求項7及び8の発明の実施形態は、上述した基板処理装置の発明の各実施形態における方向転換チャンバー8の構成がそのまま該当する。請求項7及び8の発明の実施形態は、このような方向転換チャンバー8が、単独で売買されることを想定している。
【0090】
即ち、クラスターツール型のチャンバーレイアウトの思想は、異なる装置メーカーあるいは異なるプロセスの統合や、デバイスメーカーにおける独自プロセスモジュールの組み込み等を可能にする思想から発生している(日本半導体製造装置協会編,日刊工業新聞社刊,「半導体製造装置用語辞典」,第2版131頁参照)。従って、水平移動機構及び方向転換機構80を組み込んだ方向転換チャンバー8を単独でデバイスメーカーが購入し、異種装置メーカーの処理チャンバーを接続したり、独自に開発した処理チャンバーを接続したりすることが想定される。
この場合にも、上述したような構成の方向転換チャンバー8とすることで、占有面積の増大の抑制、基板の撓みの問題の解消、メンテナンスの容易化等の効果とともに、ライン長を長くすることなしに処理チャンバーの数を増やせる等の効果が得られる。
【0091】
尚、本願発明において処理される基板9としては、半導体デバイス製造用の半導体ウェーハ、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等の表示装置用の基板9、ハードディスク等の情報記録媒体用の基板9、プリント配線盤用の基板9等が挙げられる。
【0092】
【発明の効果】
以上説明した通り、本願の請求項1記載の発明によれば、基板が垂直又は垂直に近い角度で保持された状態で搬送されて処理されるので、占有面積の増大の抑制、基板の撓みの問題の解消、メンテナンスの容易化等の顕著な効果が得られる。また、経由チャンバーの周囲に処理チャンバーを含む複数の真空チャンバーが気密に接続されているので、真空チャンバーの数を増やした場合でも、インライン型の装置のように装置が特定の方向に長くなることはない。
また、請求項2記載の発明によれば、同様に、基板が垂直又は垂直に近い角度で保持された状態で搬送されて処理されるので、占有面積の増大の抑制、基板の撓みの問題の解消、メンテナンスの容易化等の顕著な効果が得られる。また、縦設された複数の経由チャンバーのそれぞれの周囲に処理チャンバーが接続されているので、請求項1の装置に比べてさらに処理チャンバーの数を増やすことができ、この場合でも、装置はインライン型の装置のように特定の方向にそれほど長くなることはない。
また、請求項3記載の発明によれば、上記効果に加え、経由チャンバーは、水平移動機構による移動の方向を転換する方向転換機構を備えた方向転換チャンバーであり、方向転換機構は、基板保持具とともに水平移動機構を垂直な回転軸の周りに回転させることで移動方向を転換するものであるので、方向転換機構の構成が簡略化される。このため、方向転換チャンバーを小型化できる。
また、請求項4記載の発明によれば、上記効果に加え、方向転換機構は、方向転換チャンバーの中心軸に一致した回転軸の周りに基板保持具及び水平移動機構を回転させるものであるので、方向転換チャンバーがさらに小型化できる。
また、請求項5記載の発明によれば、上記効果に加え、基板保持具が二枚の基板を同時に保持するので、一枚の場合に比べて生産性が倍増する。
また、請求項6記載の発明によれば、上記効果に加え、基板保持具が60度以上の角度で基板を保持するので、二枚保持ではあっても一枚保持に比べて水平方向の占有面積が大きくなることはない。
また、請求項7記載の発明によれば、上記効果に加え、占有面積の増大の抑制、基板の撓みの問題の解消、メンテナンスの容易化等の効果とともに、ライン長を長くすることなしに処理チャンバーの数を増やせる等の効果が得られる。
また、請求項8記載の発明によれば、上記効果に加え、真空チャンバーがさらに小型化できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第一の実施形態の基板処理装置の平面概略図である。
【図2】図1の装置における搬送系の構成について説明する斜視概略図である。
【図3】図1に示す中間チャンバー7内における搬送系の構成を示した正面概略図である。
【図4】図1に示す中間チャンバー7内に設けられた水平移動機構の斜視概略図である。
【図5】図1に示す方向転換チャンバー8内に設けられた水平移動機構及び方向転換転換機構の斜視概略図である。
【図6】図1に示す方向転換チャンバー8の正面断面概略図である。
【図7】図1乃至図6に示す第一の実施形態の装置の動作について説明する平面概略図である。
【図8】第二の実施形態の基板処理装置の平面概略図である。
【図9】従来の代表的な基板処理装置の一つとして、インライン型の装置の概略構成を示したものである。
【図10】従来の代表的な基板処理装置の別の一つとして、クラスターツール型の装置の概略構成を示したものである。
【符号の説明】
11L ロードロックチャンバー
11R ロードロックチャンバー
2 処理チャンバー
21 処理チャンバー
22 処理チャンバー
23 処理チャンバー
24 処理チャンバー
43 ラック
44 ピニオン
45 ピニオン駆動機構
46 ベース板
471 ガイドロッド
48 ガイドレール
6 ヒータ
7 中間チャンバー
8 方向転換チャンバー
80 方向転換機構
81 回転駆動軸
82 回転駆動部
9 基板
92 基板保持具
Claims (6)
- 内部で基板に所定の処理を施す真空チャンバーである処理チャンバーと、該処理チャンバーの周囲に気密に接続された真空チャンバーである経由チャンバーと、該経由チャンバーに気密に接続された真空チャンバーである中間チャンバーと、該中間チャンバーに気密に接続された真空チャンバーであるロードロックチャンバーと、前記経由チャンバーを経由して前記処理チャンバーに順次基板を搬送する搬送系とを備えた基板処理装置であって、
前記搬送系は、前記基板をその板面が水平方向に対して45度以上90度以下の保持角度になるよう立てて保持する基板保持具と、該基板保持具を、前記経由チャンバーを経由して各真空チャンバーに移動させる水平移動機構と、から成り、
前記ロードロックチャンバー内における前記基板保持具の搬送経路は、第1の方向に前記基板保持具を搬送するものであり、
前記水平移動機構は、
前記経由チャンバー内において、前記処理チャンバーとの間で前記基板保持具を移動させる際に、前記基板保持具を水平方向に対して垂直な回転軸の周りに回転させ、前記基板保持具を移動させようとする前記処理チャンバーの方向に前記基板保持具の向きを一致させるように転換する方向転換機構を有し、
さらに前記中間チャンバー内において、
前記基板保持具の前記基板を保持する面が、前記第1の方向に平行になるように複数の前記基板保持具を並列させ、前記第1の方向に並列している複数の前記基板保持具を、前記第1の方向に垂直な水平方向である第2の方向に移動させることができ、
前記中間チャンバーから前記ロードロックチャンバーへ前記基板保持具を移動させる際には、複数の前記基板保持具のうちの1つを前記ロードロックチャンバー内の搬送経路の延長線上に移動した後に、前記第1の方向に移動して前記ロードロックチャンバー内に搬送し、
前記中間チャンバーから前記経由チャンバーへ前記基板保持具を移動させる際には、複数の前記基板保持具のうちの1つを前記経由チャンバー内の搬送経路の延長線上に移動した後に、前記第1の方向に移動して前記経由チャンバー内に搬送することを特徴とする基板処理装置。 - 前記ロードロックチャンバーは、第1ロードロックチャンバーと第2ロードロックチャンバーとからなり、
前記第1ロードロックチャンバー内、及び前記第2ロードロックチャンバー内における前記基板保持具の搬送方向はいずれも第1の方向であることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記方向転換機構は、前記方向転換チャンバーの中心軸に一致した回転軸の周りに前記基板保持具及び前記水平移動機構を回転させるものであることを特徴とする請求項1又は2に記載の基板処理装置。
- 前記基板保持具は、基板を同時に2枚保持するものであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記基板保持具は、各基板をその板面が水平に対して60度以上90度以下の保持角度になるよう立てて保持するものであることを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
- 気密に縦設された複数の前記経由チャンバーを備えることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の基板処理装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000399442A JP4856308B2 (ja) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 基板処理装置及び経由チャンバー |
US10/015,804 US6827788B2 (en) | 2000-12-27 | 2001-12-17 | Substrate processing device and through-chamber |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000399442A JP4856308B2 (ja) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 基板処理装置及び経由チャンバー |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002203884A JP2002203884A (ja) | 2002-07-19 |
JP4856308B2 true JP4856308B2 (ja) | 2012-01-18 |
Family
ID=18864221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000399442A Expired - Fee Related JP4856308B2 (ja) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 基板処理装置及び経由チャンバー |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6827788B2 (ja) |
JP (1) | JP4856308B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101767667B1 (ko) * | 2015-09-24 | 2017-08-11 | 한국알박(주) | 기판 이송 장치 및 이를 이용한 기판 이송 방법 |
Families Citing this family (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100330748A1 (en) | 1999-10-25 | 2010-12-30 | Xi Chu | Method of encapsulating an environmentally sensitive device |
US7198832B2 (en) * | 1999-10-25 | 2007-04-03 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
US6866901B2 (en) | 1999-10-25 | 2005-03-15 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
JP2002203885A (ja) | 2000-12-27 | 2002-07-19 | Anelva Corp | インターバック型基板処理装置 |
US8808457B2 (en) | 2002-04-15 | 2014-08-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
US8900366B2 (en) * | 2002-04-15 | 2014-12-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
US7039999B2 (en) * | 2002-04-25 | 2006-05-09 | Tarr Adam L | Method for installation of semiconductor fabrication tools |
TWI262165B (en) | 2002-10-16 | 2006-09-21 | Sez Ag | Device and method for transporting wafer-shaped articles |
US6822244B2 (en) | 2003-01-02 | 2004-11-23 | Loma Linda University Medical Center | Configuration management and retrieval system for proton beam therapy system |
ATE547048T1 (de) | 2003-08-12 | 2012-03-15 | Univ Loma Linda Med | Modulares patientenunterstützungssystem |
DE10348281B4 (de) * | 2003-10-17 | 2007-06-06 | Applied Materials Gmbh & Co. Kg | Vakuum-Behandlungsanlage für ebene rechteckige oder quadratische Substrate |
US20070286710A1 (en) * | 2003-11-10 | 2007-12-13 | Van Der Meulen Peter | Semiconductor manufacturing process modules |
US20070269297A1 (en) | 2003-11-10 | 2007-11-22 | Meulen Peter V D | Semiconductor wafer handling and transport |
US8696298B2 (en) * | 2003-11-10 | 2014-04-15 | Brooks Automation, Inc. | Semiconductor manufacturing process modules |
US10086511B2 (en) | 2003-11-10 | 2018-10-02 | Brooks Automation, Inc. | Semiconductor manufacturing systems |
US8313277B2 (en) | 2003-11-10 | 2012-11-20 | Brooks Automation, Inc. | Semiconductor manufacturing process modules |
US7458763B2 (en) | 2003-11-10 | 2008-12-02 | Blueshift Technologies, Inc. | Mid-entry load lock for semiconductor handling system |
DE102004008598B4 (de) * | 2004-02-21 | 2006-12-28 | Applied Films Gmbh & Co. Kg | Verfahren für den Betrieb einer Inline-Beschichtungsanlage |
US7678198B2 (en) * | 2004-08-12 | 2010-03-16 | Cardinal Cg Company | Vertical-offset coater |
JP2006310561A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Nec Electronics Corp | 真空処理装置および真空処理方法 |
US7767498B2 (en) | 2005-08-25 | 2010-08-03 | Vitex Systems, Inc. | Encapsulated devices and method of making |
US20070116872A1 (en) * | 2005-11-18 | 2007-05-24 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for thermal and plasma enhanced vapor deposition and method of operating |
CN101336467B (zh) * | 2005-11-25 | 2010-05-26 | 夏普株式会社 | 等离子体加工装置和等离子体加工方法 |
KR101281165B1 (ko) * | 2006-02-08 | 2013-07-02 | 삼성전자주식회사 | 대류 정렬을 이용한 나노입자의 배열방법 및 그에 적용되는대류 정렬 장치 |
BRPI0806833A2 (pt) | 2007-02-01 | 2014-05-13 | Willard & Kelsey Solar Group Llc | Sistema e método para revestir material semicondutor em lâminas de vidro, e, lâmina de vidro revestida de semicondutor. |
US20080219807A1 (en) * | 2007-03-05 | 2008-09-11 | Van Der Meulen Peter | Semiconductor manufacturing process modules |
DE102007022431A1 (de) * | 2007-05-09 | 2008-11-13 | Leybold Optics Gmbh | Behandlungssystem für flache Substrate |
US20090022572A1 (en) * | 2007-07-19 | 2009-01-22 | Thomas Pass | Cluster tool with a linear source |
US20090191031A1 (en) * | 2008-01-28 | 2009-07-30 | Willard & Kelsey Solar Group, Llc | System and method for cooling semiconductor coated hot glass sheets |
US9353436B2 (en) * | 2008-03-05 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Coating apparatus with rotation module |
JP5280441B2 (ja) * | 2008-06-06 | 2013-09-04 | 株式会社アルバック | 成膜装置 |
US20090324368A1 (en) * | 2008-06-27 | 2009-12-31 | Applied Materials, Inc. | Processing system and method of operating a processing system |
US8992153B2 (en) * | 2008-06-30 | 2015-03-31 | Intevac, Inc. | System and method for substrate transport |
US9157145B2 (en) | 2008-07-29 | 2015-10-13 | Intevac, Inc. | Processing tool with combined sputter and evaporation deposition sources |
DE102008059794B3 (de) * | 2008-12-01 | 2010-04-01 | Grenzebach Maschinenbau Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Umkehr der Beschickung von Sputter-Beschichtungsanlagen in Reinräumen, sowie Computerprogramm zur Durchführung des Verfahrens und maschinenlesbarer Träger mit dem Programmcode |
US9337446B2 (en) | 2008-12-22 | 2016-05-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Encapsulated RGB OLEDs having enhanced optical output |
US9184410B2 (en) | 2008-12-22 | 2015-11-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Encapsulated white OLEDs having enhanced optical output |
MY161955A (en) * | 2009-03-30 | 2017-05-15 | Ats Automation Tooling Systems Inc | Systems and methods for handling wafers |
KR101099371B1 (ko) * | 2009-10-14 | 2011-12-29 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 버퍼 챔버를 구비하는 금속 유기물 화학기상증착장치 |
US20110097878A1 (en) * | 2009-10-28 | 2011-04-28 | Applied Materials, Inc. | Chamber for pecvd |
US8590338B2 (en) | 2009-12-31 | 2013-11-26 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Evaporator with internal restriction |
US8409407B2 (en) | 2010-04-22 | 2013-04-02 | Primestar Solar, Inc. | Methods for high-rate sputtering of a compound semiconductor on large area substrates |
CN102859034B (zh) * | 2010-04-30 | 2015-04-29 | 应用材料公司 | 垂直直列cvd系统 |
KR101256192B1 (ko) * | 2010-07-06 | 2013-04-19 | 주식회사 에스에프에이 | 수직형 증착 시스템 |
KR101167077B1 (ko) | 2010-07-06 | 2012-07-20 | 주식회사 에스에프에이 | 수직형 증착 시스템 |
CN102183854B (zh) * | 2011-05-09 | 2012-11-21 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 面板对位装置及面板对位方法 |
US20120306139A1 (en) | 2011-06-03 | 2012-12-06 | Arthur Keigler | Parallel single substrate processing system holder |
EP2650135A1 (en) | 2012-04-12 | 2013-10-16 | KBA-NotaSys SA | Intaglio printing plate coating apparatus |
JP2014036132A (ja) * | 2012-08-09 | 2014-02-24 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置及び搬送手段 |
KR102048051B1 (ko) | 2012-09-04 | 2019-11-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 환경 검사용 마스크 조립체 및 이를 포함하는 증착 설비 |
KR20140053625A (ko) * | 2012-10-26 | 2014-05-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기물 증착 장치 |
DE102014017028A1 (de) * | 2014-11-19 | 2016-05-19 | Manz Ag | Transporteinrichtung zum Transportieren zumindest zweier Substrate |
CN108176826B (zh) * | 2018-02-09 | 2023-06-16 | 济南标美精密机械有限公司 | 冒口双工位湿态成型机及制造冒口的工艺 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US80291A (en) * | 1868-07-28 | letzkus | ||
US4405435A (en) | 1980-08-27 | 1983-09-20 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for performing continuous treatment in vacuum |
US4500407A (en) * | 1983-07-19 | 1985-02-19 | Varian Associates, Inc. | Disk or wafer handling and coating system |
JPS61105853A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-23 | Anelva Corp | オ−トロ−ダ− |
NL8503163A (nl) * | 1984-11-16 | 1986-06-16 | Sony Corp | Inrichting en werkwijze voor dampneerslag. |
DE3704505A1 (de) * | 1987-02-13 | 1988-08-25 | Leybold Ag | Einlegegeraet fuer vakuumanlagen |
US4993559A (en) | 1989-07-31 | 1991-02-19 | Motorola, Inc. | Wafer carrier |
JP2948842B2 (ja) | 1989-11-24 | 1999-09-13 | 日本真空技術株式会社 | インライン型cvd装置 |
US4981408A (en) * | 1989-12-18 | 1991-01-01 | Varian Associates, Inc. | Dual track handling and processing system |
JP3175333B2 (ja) * | 1992-06-15 | 2001-06-11 | 日新電機株式会社 | 基板処理装置 |
JP3073376B2 (ja) * | 1993-11-09 | 2000-08-07 | 三菱重工業株式会社 | 成膜装置の基板搬送装置 |
US5379984A (en) | 1994-01-11 | 1995-01-10 | Intevac, Inc. | Gate valve for vacuum processing system |
US5738767A (en) * | 1994-01-11 | 1998-04-14 | Intevac, Inc. | Substrate handling and processing system for flat panel displays |
JP3732250B2 (ja) | 1995-03-30 | 2006-01-05 | キヤノンアネルバ株式会社 | インライン式成膜装置 |
US5705044A (en) * | 1995-08-07 | 1998-01-06 | Akashic Memories Corporation | Modular sputtering machine having batch processing and serial thin film sputtering |
CH691376A5 (de) * | 1995-10-17 | 2001-07-13 | Unaxis Balzers Ag | Vakuumanlage zur Oberflächenbearbeitung von Werkstücken. |
JPH09129569A (ja) | 1995-10-27 | 1997-05-16 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
US6205870B1 (en) * | 1997-10-10 | 2001-03-27 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Automated substrate processing systems and methods |
JP3582330B2 (ja) * | 1997-11-14 | 2004-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及びこれを用いた処理システム |
US6176932B1 (en) * | 1998-02-16 | 2001-01-23 | Anelva Corporation | Thin film deposition apparatus |
TW461923B (en) * | 1998-02-17 | 2001-11-01 | Sharp Kk | Movable sputtering film forming apparatus |
US6083566A (en) * | 1998-05-26 | 2000-07-04 | Whitesell; Andrew B. | Substrate handling and processing system and method |
JP2000177842A (ja) | 1998-12-10 | 2000-06-27 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 搬送装置及び真空処理システム |
JP3723003B2 (ja) * | 1998-12-18 | 2005-12-07 | 三菱重工業株式会社 | 真空処理システム |
DE19900804C2 (de) | 1999-01-12 | 2000-10-19 | Siemens Ag | Fördersystem |
US6451181B1 (en) * | 1999-03-02 | 2002-09-17 | Motorola, Inc. | Method of forming a semiconductor device barrier layer |
US6336999B1 (en) * | 2000-10-11 | 2002-01-08 | Centre Luxembourgeois De Recherches Pour Le Verre Et Al Ceramique S.A. (C.R.V.C.) | Apparatus for sputter-coating glass and corresponding method |
JP2002203885A (ja) | 2000-12-27 | 2002-07-19 | Anelva Corp | インターバック型基板処理装置 |
-
2000
- 2000-12-27 JP JP2000399442A patent/JP4856308B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-12-17 US US10/015,804 patent/US6827788B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101767667B1 (ko) * | 2015-09-24 | 2017-08-11 | 한국알박(주) | 기판 이송 장치 및 이를 이용한 기판 이송 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20020078892A1 (en) | 2002-06-27 |
JP2002203884A (ja) | 2002-07-19 |
US6827788B2 (en) | 2004-12-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4856308B2 (ja) | 基板処理装置及び経由チャンバー | |
US7407358B2 (en) | Interback-type substrate processing device | |
US5788447A (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2002057203A (ja) | 基板処理装置 | |
US6540469B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2003077974A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JP3629371B2 (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
WO2003100848A1 (fr) | Dispositif et procede de traitement de substrats | |
JPH09104982A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4614529B2 (ja) | インライン式基板処理装置 | |
JP4739445B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2008202146A (ja) | 縦型化学気相成長装置及び該装置を用いた成膜方法 | |
JP4478376B2 (ja) | 縦型化学気相成長装置及び該装置を用いた成膜方法 | |
KR101066979B1 (ko) | 스퍼터 장치 | |
JPH11102951A (ja) | 処理装置 | |
TW201910545A (zh) | 用於處理基板的設備、用於處理基板的處理系統、以及用於保養用在處理基板的設備的方法 | |
US9803924B2 (en) | Vertical heat treatment apparatus | |
JP3150620B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JPH09104983A (ja) | 基板処理装置 | |
KR101028409B1 (ko) | 세미 배치 타입 프로세스 모듈 및 이를 구비하는 원자층 증착장치 | |
JP2012124406A (ja) | 基板の搬送方法 | |
JPH08260149A (ja) | 減圧表面処理装置及び太陽電池製作装置 | |
WO2011121632A1 (ja) | 搬送機構及びこれを用いた真空処理装置と電子デバイスの製造方法 | |
JP2003115523A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2003007794A (ja) | 基板搬送機構および基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071219 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091127 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20100309 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100415 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100728 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100927 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110301 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110418 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111019 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111028 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141104 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4856308 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |