JP3073376B2 - 成膜装置の基板搬送装置 - Google Patents

成膜装置の基板搬送装置

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JP3073376B2
JP3073376B2 JP27949793A JP27949793A JP3073376B2 JP 3073376 B2 JP3073376 B2 JP 3073376B2 JP 27949793 A JP27949793 A JP 27949793A JP 27949793 A JP27949793 A JP 27949793A JP 3073376 B2 JP3073376 B2 JP 3073376B2
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健太郎 加藤
英四郎 笹川
敬宣 近藤
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマCVD(chem
ical vapor deposition,化学蒸着)装置、スパッタリン
グ装置など、真空中で薄膜を形成する成膜装置の真空容
器内へ、ガラス、シリコンウエハー基板等を搬送するた
めの基板搬送装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、プラズマCVD装置、スパッタリ
ング装置などの真空容器への基板の出し入れを行う場
合、一般に基板を基板ホルダーに固定し、該基板ホルダ
ーを基板と一緒に搬送する方法が採用されている。
【0003】図10は従来の成膜装置の斜視図である。
図に示すように、成膜は真空容器01内で行うようにし
ており、開閉自在の扉02には電極03が設けられてい
る。基板04を搬送するためには、通常基板ホルダー0
5に複数の基板04を取付け、この基板ホルダー05を
真空容器01内の上部に設けられた基板搬送部06に吊
下げることによって、図示しない移動装置によって基板
搬送部06と共に移動するようにしている。真空容器0
1の中央には加熱ヒータ07が設けられている。搬送部
06に吊り下げられた基板ホルダー05が加熱ヒータ0
7と電極03との間に移動していき停止した後に、基板
04上に成膜が施される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来技術に係
る搬送方法では、基板ホルダー05に基板04を取り付
けるのに手間がかかり、自動化するためには非常に複雑
なロボットが必要になる。また、基板04の代表例とし
て例えばガラスを真空中で加熱する場合、基板ホルダー
05も一緒に加熱することになり、搬送系のトラブルの
原因になるばかりか、ガラスが割れる原因となる。特に
大面積基板は割れやすい。さらに、ガラスのみを加熱及
び冷却する場合に比べて、基板ホルダー05に取り付け
て加熱等を行う場合は長い処理時間を要する。また、基
板ホルダー05が真空容器01内を移動するため、不純
物の混入の原因と成ると共に、基板を取り付けた基板ホ
ルダー05を出口から入口へ戻さなければならないとい
う問題がある。
【0005】本発明は以上述べた従来技術の欠点を解消
し、基板ホルダーを不要とし、大面積基板でも割れがな
く、真空容器内への不純物の混入を防止し、且つ基板加
熱及び冷却に要する時間の短縮を図った成膜装置の基板
搬送装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
したものであって、真空容器内でヒータと電極との間で
基板に成膜を施す成膜装置のヒータの加熱面へ基板を搬
送する装置において、基板を安定する角度に傾けて保持
し上記ヒータに平行かつ水平の方向へ移動することので
きる台車、同台車を上記方向で移動させる駆動装置、上
記ヒータの加熱面に向き合う位置に設けられたポジショ
ナー、及び上記台車に保持された基板に対しほぼ直交す
る斜め上方へ向けて上記ポジショナーを移動させる斜め
送り装置からなり、同斜め送り装置は、上記台車が上記
ヒータとポジショナーの間に到着した時、上記ポジショ
ナーを上記台車上の基板の方向へ移動させ、台車上の同
基板を保持させ、更に同ポジショナーを移動させてそれ
が保持している上記基板をヒータの加熱面に密着させ、
かつ、上記駆動装置は、空になった上記台車を元に返す
ことを特徴とする成膜装置の基板搬送装置に関するもの
である。
【0007】
【作用】前記構成において、台車上に基板を斜めに立て
かけた状態で保持し、台車を真空容器内に移動させる。
基板をヒータとポジショナーの間へ移動させた後、ポジ
ショナーを斜め上方へ移動させて基板をポジショナーに
受渡し、該ポジショナーを移動させて加熱ヒータと密着
させ成膜処理等の基板処理を行う。これによって従来用
いていた基板を保持するための基板ホルダーが不要とな
る。
【0008】
【実施例】図1は本発明の一実施例に係る成膜装置の斜
視図である。本実施例の成膜装置は、プラズマCVD装
置等に応用する装置の一例を示したものである。図には
真空容器の内部に配置されている内部機構のみを示して
いる。真空容器自体は図示していない。11は真空容器
の内部中央に設けられているヒータであり、両面に熱を
伝えるものである。12はヒータ11の両側に設けられ
ているポジショナーであり、成膜処理の時、基板を保持
するものである。13は台車、17は同台車に設けられ
ている基板支持棒、14は同台車上に載せられている基
板、26は基板位置決め爪である。22はポジショナー
12に取付けられている支持アーム、23は真空容器の
外部から駆動される斜め送り装置である。また25はポ
ジショナーに設けられている切欠きであり、ポジショナ
ーが移動した時基板位置決め爪との接触を避けるために
設けられているものである。
【0009】図2は上記実施例の側面図である。図にお
いて、15は台車に取付けられているガイドローラー、
16は同ガイドローラーがその上を転動するガイドレー
ル、20は台車に設けられている駆動力伝達部(ラッ
ク)、21は同伝達部を介して台車13を移動させる駆
動装置(ピニオン)である。18はポジショナー12に
設けられている爪であり、基板を取付けるためのもので
ある。19はヒータ11に設けられている窪みであり、
前記の爪18が挿入される部分である。
【0010】図1および図2におけるZ軸は装置の鉛直
軸、Y軸は装置の前後方向水平軸、X軸は装置の横方向
水平軸であり、かつ台車13の移動方向、矢印θ方向
は、前記Y軸と角θをなす斜め上方向きの方向であり、
前記斜め送り装置23によって行われるポジショナー1
2の移動方向である。台車13の基板支持棒17も鉛直
に対して角θだけ傾斜して基板を保持している。台車が
移動した時、基板はポジショナーの移動方向(θ方向)
と直交する。角θは約10度である。斜め送り装置23
は真空容器の外部から図示していない油圧装置等によっ
て駆動される。
【0011】図3は上記実施例におけるポジショナー1
2の斜視図、図4は同ポジショナーの二面図であり、同
図(a)は正面図、同図(b)は側面図である。ポジシ
ョナー12の中央部は基板14と同じ寸法に切欠かれて
おり、その下端部は基板受取りの際、台車13をかわす
ために基板と同じ幅で切取られている。29はポジショ
ナー12の中央欠落部の四隅に設けられている止め部で
あって、基板を保持する部分、図中の点線24は基板外
形、25は基板位置決め爪26をかわすための切欠きで
ある。
【0012】図5は台車13とポジショナー12とが接
近した状態における相互位置関係を示す図であり、同図
(a)は正面図、同図(b)はポジショナーの側面図、
同図(c)は台車の一部の側面図である。本図は基板位
置決め爪26と切欠き25の相互位置関係を示したもの
である。
【0013】図6は上記実施例におけるポジショナーの
他の形状例を示す斜視図で、12’は左右に分離したポ
ジショナーである。基板を保持することができ、かつ台
車とポジショナーとが接触しない形状であればよい。図
に示すように爪18と斜め送り装置23があればポジシ
ョナーとして成立する。図示のもの以外にも色々な形状
が考えられる。
【0014】基板14は平板のガラスなどが使用され、
台車13の上方に角θ(約10°)傾斜して伸びた基板
支持棒17に立て掛けられた状態で基板位置決め爪26
により着脱自在に固定され、加熱ヒータ11と平行なX
軸方向に搬送されるものである。この基板搬送台車13
は、図2に示すように、真空容器内底部に設けられたガ
イドレール16上にガイドローラ(車輪等)15を介し
て載置された台であり、その横方向には駆動伝達部20
が設けられ、真空容器の底外部より貫通して立設された
駆動装置21に接している。この駆動装置21はガイド
レール16に従って、複数個が一定の間隔(搬送台車1
3の駆動伝達部20の長さより狭い)で配置され、外部
より回転力が伝えられることにて、駆動装置21が回転
し、この回転力が駆動伝達部20に伝わり基板搬送台車
13を移動するようにしている。本実施例における駆動
装置にはピニオン、また駆動伝達部20にはラックなど
を使用した場合を示しているが、これらはそれぞれロー
ラ、平板に置き換えても良く、また必要に応じてその他
の伝達手段を使用しても良い。
【0015】本装置は次のようにして用いられる。搬送
台車13は基板14を保持した状態でX方向に移動し、
基板14が加熱ヒータ11とポジショナー13との間の
所定位置に達したとき停止する。図2はこの状態を示し
た側面図である。
【0016】次いで真空容器の底外部より貫通して設け
られた斜め送り装置23がポジショナーをθ方向に移動
させる。ポジショナー12は台車13を図5(a)の位
置関係でかわし、基板14のみを受取り成膜装置に固定
する。基板14はそれぞれ1枚ずつ両面加熱用のヒータ
11の両面に位置しているポジショナー12に受け渡さ
れ、ヒータ11に押しあてられ、加熱される。このとき
ポジショナー12の爪18はヒータ11に設けられた窪
み19に収納されるので、基板はヒータに密着する。図
7はこの状態を示した側面図である。図において27は
ヒータに密着させられた基板14の位置、すなわち成膜
位置であり、この時、ポジショナー12は基板14の背
後に密接している。28は基板搬送位置(基板の元の位
置)、30はポジショナーの元の位置である。
【0017】この状態で台車を成膜室から基板を運んで
来た元の室へ戻せば、基板14だけが残ることとなり、
その後基板14に成膜が施される。図8は成膜室に基板
が残されている状態を示す側面図である。プラズマCV
D装置にこの搬送手段を用いる事により、基板14への
不純物の混入を最小限に抑えることが可能となり、加熱
冷却時間の短縮によって処理速度を上げることができ
る。
【0018】このように、台車13によりX軸方向へ基
板14を運搬し、ポジショナー12をθ方向へ移動する
とヒータ11に基板14だけがセットされる。さらに成
膜終了後は台車を定位置に置き、ポジショナー12をθ
下方へ戻せば、基板14が台車13に戻る。図9は再び
台車を成膜室へ移動し、ポジショナーを後退させ、台車
に基板を受け渡した状態を示す側面図である。この後基
板は台車によって他の室へ移動される。
【0019】以上詳しく述べたように、実施例によれ
ば、基板ホルダーを使用することなく基板処理を施すこ
とができるので、真空容器内の不純物の混入を最小限に
抑え、大面積基板においても割れることなく、基板加熱
及び冷却に関する時間を短縮できる。また、従来の基板
ホルダーのリターン機能が不要な真空用基板搬送装置が
可能となり、例えば大面積のプラズマCVD装置及びス
パッタリングなどの真空を要する薄膜製造装置に用いて
極めて有効である。
【0020】
【発明の効果】本発明の成膜装置の基板搬送装置におい
ては、基板を安定する角度に傾けて保持しヒータに平行
かつ水平の方向へ移動することのできる台車、同台車を
上記方向で移動させる駆動装置、上記ヒータの加熱面に
向き合う位置に設けられたポジショナー、及び上記台車
に保持された基板に対しほぼ直交する斜め上方へ向けて
上記ポジショナーを移動させる斜め送り装置からなり、
同斜め送り装置は、上記台車が上記ヒータとポジショナ
ーの間に到着した時、上記ポジショナーを上記台車上の
基板の方向へ移動させ、台車上の同基板を保持させ、更
に同ポジショナーを移動させてそれが保持している上記
基板をヒータの加熱面に密着させ、かつ、上記駆動装置
は、空になった上記台車を元に返すので、基板ホルダー
を使用することなく基板処理を施すことができるので、
真空容器内の不純物の混入を最小限に抑え、大面積基板
においても割れることなく、基板加熱及び冷却に関する
時間を短縮できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る成膜装置の斜視図。
【図2】上記実施例の側面図。
【図3】上記実施例におけるポジショナーの斜視図。
【図4】同ポジショナーの二面図。(a)は正面図、
(b)は側面図。
【図5】上記実施例において、台車とポジショナーとが
接近した状態における相互位置関係を示す図。(a)は
正面図、(b)はポジショナーの側面図、(c)は台車
の一部の側面図。
【図6】上記実施例におけるポジショナーの他の形状例
を示す斜視図。
【図7】上記実施例の作用説明図。
【図8】上記実施例の作用説明図。
【図9】上記実施例の作用説明図。
【図10】従来の成膜装置の斜視図。
【符号の説明】
01 従来の真空容器 02 従来の扉 03 従来の電極 04 従来の基板 05 従来の基板ホルダー 06 従来の基板搬送部 07 従来の加熱ヒータ 11 ヒータ 12 ポジショナー 13 台車 14 基板 15 ガイドローラ 16 ガイドレール 17 基板支持棒 18 爪 19 窪み 20 駆動力伝達部 21 駆動装置 22 支持アーム 23 斜め送り装置 24 基板外形 25 基板位置決め爪用切欠き 26 基板位置決め爪 27 成膜装置 28 基板搬送装置(基板の元の位置) 29 止め部 30 ポジショナーの元の位置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H01L 21/68 H01L 21/68 N (72)発明者 近藤 敬宣 長崎市飽の浦町1番1号 三菱重工業株 式会社長崎造船所内 (72)発明者 縄田 芳一 長崎市飽の浦町1番1号 三菱重工業株 式会社長崎造船所内 (56)参考文献 特開 平1−208466(JP,A) 実開 平1−114670(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C23C 14/00 - 14/58 B01J 3/02 C23C 16/44 C30B 25/12 H01L 21/68

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 真空容器内でヒータと電極との間で基板
    に成膜を施す成膜装置のヒータの加熱面へ基板を搬送す
    る装置において、基板を安定する角度に傾けて保持し上
    記ヒータに平行かつ水平の方向へ移動することのできる
    台車、同台車を上記方向で移動させる駆動装置、上記ヒ
    ータの加熱面に向き合う位置に設けられたポジショナ
    ー、及び上記台車に保持された基板に対しほぼ直交する
    斜め上方へ向けて上記ポジショナーを移動させる斜め送
    り装置からなり、同斜め送り装置は、上記台車が上記ヒ
    ータとポジショナーの間に到着した時、上記ポジショナ
    ーを上記台車上の基板の方向へ移動させ、台車上の同基
    板を保持させ、更に同ポジショナーを移動させてそれが
    保持している上記基板をヒータの加熱面に密着させ、か
    つ、上記駆動装置は、空になった上記台車を元に返すこ
    とを特徴とする成膜装置の基板搬送装置。
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JP4856308B2 (ja) * 2000-12-27 2012-01-18 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置及び経由チャンバー
DE102007022431A1 (de) * 2007-05-09 2008-11-13 Leybold Optics Gmbh Behandlungssystem für flache Substrate
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