JP2948842B2 - インライン型ｃｖｄ装置 - Google Patents
インライン型ｃｖｄ装置Info
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- film
- substrate holder
- etching
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
- C23C16/0245—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching by etching with a plasma
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、例えば液晶ディスプレイ用薄膜トランジス
タ（TFT）や太陽電池等に用いられるアモルファスSi:H
膜やSiNx膜を形成するのに使用され得るインライン型CV
D装置に関するものである。
タ（TFT）や太陽電池等に用いられるアモルファスSi:H
膜やSiNx膜を形成するのに使用され得るインライン型CV
D装置に関するものである。
［従来の技術］ 従来、液晶ディスプレイ用薄膜トランジスタ（TFT）
や太陽電池等に用いられるアモルファスSi:H膜やSiNx膜
は一般にプラズマCVD法により成膜されている。そして
これに用いられる量産装置として、大気中にて基板を基
板ホルダーに装着し、基板の装着された基板ホルダーを
仕込み室に搬入して真空排気し、そしてプズマCVD成膜
室でCVD成膜を行い、その後取出し室へ移動させてベン
トし、そして基板取外し部へ移して大気中で基板を取外
すという工程を連続して実施するように構成したインラ
イン型プラズマCVD装置が一般的である。
や太陽電池等に用いられるアモルファスSi:H膜やSiNx膜
は一般にプラズマCVD法により成膜されている。そして
これに用いられる量産装置として、大気中にて基板を基
板ホルダーに装着し、基板の装着された基板ホルダーを
仕込み室に搬入して真空排気し、そしてプズマCVD成膜
室でCVD成膜を行い、その後取出し室へ移動させてベン
トし、そして基板取外し部へ移して大気中で基板を取外
すという工程を連続して実施するように構成したインラ
イン型プラズマCVD装置が一般的である。
そして実際の装置の構成として、基板ホルダー垂直に
設置した縦型装置や、基板ホルダーを垂直にして装置の
両側を移動させるようにした縦型両面装置、基板ホルダ
ー水平に設置して移動させるようにした横型装置等が知
られている。
設置した縦型装置や、基板ホルダーを垂直にして装置の
両側を移動させるようにした縦型両面装置、基板ホルダ
ー水平に設置して移動させるようにした横型装置等が知
られている。
このような従来公知の装置はいずれも、まず基板ホル
ダーに処理すべき基板を装着し、仕込み室に移動させ
て、真空排気を行い10-3〜10-5Torrまで排気した後、CV
D成膜室へ移動する。この場合仕込み室において基板を2
00℃〜300℃程度に加熱するようにしたものもある。CVD
成膜室では、SiH4、NH3、N2等のガスを導入して基板上
にａ−Si:H膜やSiNx膜が形成される。この場合プラズマ
CVD法では、CVD成膜室内において基板に対向する位置に
RFカソード電極を設け、この電極にRF電圧を印加し、グ
ロー放電を発生させて上記のガスを分解させ、基板上に
ａ−Si:H膜やSiNx膜を析出させるようにしている。また
将来的に考えられ得る熱CVDや光CVDを適用する場合には
RFカソード電極の代わりにヒーターや光源を設け、熱エ
ネルギーや光エネルギーにより上記ガスを分解させてａ
−Si:H膜やSiNx膜、さらには多結晶Si膜やSiO2膜を折出
させるようにされる。
ダーに処理すべき基板を装着し、仕込み室に移動させ
て、真空排気を行い10-3〜10-5Torrまで排気した後、CV
D成膜室へ移動する。この場合仕込み室において基板を2
00℃〜300℃程度に加熱するようにしたものもある。CVD
成膜室では、SiH4、NH3、N2等のガスを導入して基板上
にａ−Si:H膜やSiNx膜が形成される。この場合プラズマ
CVD法では、CVD成膜室内において基板に対向する位置に
RFカソード電極を設け、この電極にRF電圧を印加し、グ
ロー放電を発生させて上記のガスを分解させ、基板上に
ａ−Si:H膜やSiNx膜を析出させるようにしている。また
将来的に考えられ得る熱CVDや光CVDを適用する場合には
RFカソード電極の代わりにヒーターや光源を設け、熱エ
ネルギーや光エネルギーにより上記ガスを分解させてａ
−Si:H膜やSiNx膜、さらには多結晶Si膜やSiO2膜を折出
させるようにされる。
またCVD成膜室は複数の部屋からに構成されている例
もあり、例えば、ａ−Si:H膜とSiNx膜との二層膜を形成
する場合に、二つのCVD成膜室を連結するか、それぞれ
のガスが混入するのを防止する場合には二つのCVD成膜
室の間に隔離室を設けている。
もあり、例えば、ａ−Si:H膜とSiNx膜との二層膜を形成
する場合に、二つのCVD成膜室を連結するか、それぞれ
のガスが混入するのを防止する場合には二つのCVD成膜
室の間に隔離室を設けている。
CVD成膜室で成膜した後、基板ホルダーは取出し室へ
移され、ベントされる。こうして大気中に出された基板
ホルダーは最初の基板装着場所へ戻され、新たに成膜処
理すべき基板が装着され、上記の工程を繰返すようにさ
れている。この場合、基板ホルダーは全系において複数
個が順次連続して動くようにされている。
移され、ベントされる。こうして大気中に出された基板
ホルダーは最初の基板装着場所へ戻され、新たに成膜処
理すべき基板が装着され、上記の工程を繰返すようにさ
れている。この場合、基板ホルダーは全系において複数
個が順次連続して動くようにされている。
［発明が解決しようとする課題］ 上記のような従来のインライン型CVD装置において
は、同一基板ホルダーを順次繰返し使用するため、基板
以外のホルダー部分にもａ−Si:H膜やSiNx膜が積層され
ていくことになる。特にTFT用のCVD装置ではSiNx膜を50
00〜10000Å程度の膜厚で形成するため、基板ホルダー
上には極めて厚く積層されることになる。その結果、こ
の膜が剥離し、基板上に欠陥を生じさせる原因となり、
特にSiNx膜は、内部応力が大きいので剥離し易い性質が
ある。
は、同一基板ホルダーを順次繰返し使用するため、基板
以外のホルダー部分にもａ−Si:H膜やSiNx膜が積層され
ていくことになる。特にTFT用のCVD装置ではSiNx膜を50
00〜10000Å程度の膜厚で形成するため、基板ホルダー
上には極めて厚く積層されることになる。その結果、こ
の膜が剥離し、基板上に欠陥を生じさせる原因となり、
特にSiNx膜は、内部応力が大きいので剥離し易い性質が
ある。
そのため、従来装置においてはこのような堆積膜の剥
離が生じ始めた段階で、装置を停止させて内部を掃除す
ること必要であった。このため、装置の稼動率が著しく
悪く、そして製品の歩留まりも悪かった。
離が生じ始めた段階で、装置を停止させて内部を掃除す
ること必要であった。このため、装置の稼動率が著しく
悪く、そして製品の歩留まりも悪かった。
また、従来のインライン型プラズマCVD装置において
は、基板ホルダーと同様にカソード電極表面にも同程度
の膜が析出される。そのためカソード電極からの析出膜
の剥離による欠陥形成も重要な問題となっている。カソ
ード電極板は通常真空容器に固定されているので、掃除
をするためには容器内を大気圧に戻す必要があり、その
為に結果として装置の稼動率の低下が避けられない。
は、基板ホルダーと同様にカソード電極表面にも同程度
の膜が析出される。そのためカソード電極からの析出膜
の剥離による欠陥形成も重要な問題となっている。カソ
ード電極板は通常真空容器に固定されているので、掃除
をするためには容器内を大気圧に戻す必要があり、その
為に結果として装置の稼動率の低下が避けられない。
このような基板ホルダー及びカソード電極板に析出さ
れた膜の掃除には従来、CVD成膜室へCF4やSF6を導入
し、カソード電極にRF電圧を印加してドライエッチング
する方法も使用されているが、しかし、長時間にわたっ
て析出された厚膜をエッチングにより除去するためには
極めて長い時間装置を停止させる必要があり、この方法
も装置の稼動率を著しく低下させることになっていた。
れた膜の掃除には従来、CVD成膜室へCF4やSF6を導入
し、カソード電極にRF電圧を印加してドライエッチング
する方法も使用されているが、しかし、長時間にわたっ
て析出された厚膜をエッチングにより除去するためには
極めて長い時間装置を停止させる必要があり、この方法
も装置の稼動率を著しく低下させることになっていた。
そこで、本発明はこれらの従来装置に伴う問題点を解
決して実質的に稼動率を低下させることなしに基板ホル
ダー等に析出される膜を除去できるように構成したイン
ライン型CVD装置を提供することを目的としている。
決して実質的に稼動率を低下させることなしに基板ホル
ダー等に析出される膜を除去できるように構成したイン
ライン型CVD装置を提供することを目的としている。
［課題を解決するための手段］ 上記の目的を達成するために、本発明によれば、大気
中にて基板を基板ホルダーに装着する基板装着部と、真
空排気される仕込み部と、基板に成膜を行う成膜処理部
と、基板取出し部と、基板ホルダーから成膜された基板
を取外す基板取外し部とを順次設け、各部を順次移動し
ながら連続的に前記基板に成膜を行うインライン型CVD
装置において、基板ホルダーと共にカソード電極表面板
は移動可能に構成され、また基板取外し部の後に成膜さ
れた基板の取外された少なくとも基板ホルダーを真空中
でエッチング処理するエッチング処理部が設けられ、こ
のエッチング処理部を介して基板取外し部と前記基板装
着部とが連続して配列される。
中にて基板を基板ホルダーに装着する基板装着部と、真
空排気される仕込み部と、基板に成膜を行う成膜処理部
と、基板取出し部と、基板ホルダーから成膜された基板
を取外す基板取外し部とを順次設け、各部を順次移動し
ながら連続的に前記基板に成膜を行うインライン型CVD
装置において、基板ホルダーと共にカソード電極表面板
は移動可能に構成され、また基板取外し部の後に成膜さ
れた基板の取外された少なくとも基板ホルダーを真空中
でエッチング処理するエッチング処理部が設けられ、こ
のエッチング処理部を介して基板取外し部と前記基板装
着部とが連続して配列される。
本発明の装置におけるエッチング処理部は、エッチン
グ対象物をアノード側にしたプラズマエッチング法やエ
ッチング対象物をカソード側にしたRIE法等の通常のド
ライエッチング法を用いて構成され、プラズマCVD装置
として実施する場合には、エッチング処理部内において
もカソード電極表面板にRF電圧を印加し、基板ホルダー
をアノード電極としてプラズマCVDと同様な関係でエッ
チング処理するように構成することもできる。またエッ
チング処理には真空排気、ガス導入しながらのエッチン
グ及びベントの三工程が必要であるが、本発明の装置に
おけるエッチング処理部、これらの工程を一つのチヤン
バーで或いはそれぞれ別個のチャンバーで行うように構
成してもよい。
グ対象物をアノード側にしたプラズマエッチング法やエ
ッチング対象物をカソード側にしたRIE法等の通常のド
ライエッチング法を用いて構成され、プラズマCVD装置
として実施する場合には、エッチング処理部内において
もカソード電極表面板にRF電圧を印加し、基板ホルダー
をアノード電極としてプラズマCVDと同様な関係でエッ
チング処理するように構成することもできる。またエッ
チング処理には真空排気、ガス導入しながらのエッチン
グ及びベントの三工程が必要であるが、本発明の装置に
おけるエッチング処理部、これらの工程を一つのチヤン
バーで或いはそれぞれ別個のチャンバーで行うように構
成してもよい。
［作用］ このように構成された本発明によるインライン型CVD
装置においては、インラインプロセスの一工程として基
板ホルダー等のクリーニング工程を実施できる装置を組
み込んで構成したことにより、基板ホルダー及びカソー
ド電極表面板は各基板の成膜工程終了毎にエッチングク
リーニングされる。
装置においては、インラインプロセスの一工程として基
板ホルダー等のクリーニング工程を実施できる装置を組
み込んで構成したことにより、基板ホルダー及びカソー
ド電極表面板は各基板の成膜工程終了毎にエッチングク
リーニングされる。
［実 施 例］ 以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて説明す
る。
る。
第１図には本発明の適用できる熱CVD法を利用したイ
ンライン型CVD装置の構成を示し、図示装置は、基板装
着部１と、仕込み部２と、成膜処理部３と、基板取出し
部４と、基板取出し部５と、エッチング処理部６とを有
し、各隣接した部間はそれぞれドアバルブ７、８、９、
10、11で仕切られている。
ンライン型CVD装置の構成を示し、図示装置は、基板装
着部１と、仕込み部２と、成膜処理部３と、基板取出し
部４と、基板取出し部５と、エッチング処理部６とを有
し、各隣接した部間はそれぞれドアバルブ７、８、９、
10、11で仕切られている。
エッチング処理部６の出口側はドアバルブ12を介して
リターンコンベア13の一端に結合され、このリターンコ
ンベア13の他端は基板装着部１の入口側に直接結合され
ている。
リターンコンベア13の一端に結合され、このリターンコ
ンベア13の他端は基板装着部１の入口側に直接結合され
ている。
基板装着部１は成膜処理すべき基板14を移動可能な基
板ホルダー15に大気中で装着できるように構成されてい
る。
板ホルダー15に大気中で装着できるように構成されてい
る。
仕込み部２はバルブ16を介して真空排気系に接続さ
れ、真空排気されるように構成されている。またこの仕
込み部２を加熱室として兼用する場合には図面に点線で
示すヒーター17が組み込まれ、真空排気中に加熱するよ
うにされ得る。
れ、真空排気されるように構成されている。またこの仕
込み部２を加熱室として兼用する場合には図面に点線で
示すヒーター17が組み込まれ、真空排気中に加熱するよ
うにされ得る。
成膜処理部３には、可変流量バルブ18を介してSiH4、
NH3等の反応ガスのガス供給系がまたバルブ19を介して
真空排気系がそれぞれ接続され、所要の反応ガスを導入
して成膜処理が行われる。
NH3等の反応ガスのガス供給系がまたバルブ19を介して
真空排気系がそれぞれ接続され、所要の反応ガスを導入
して成膜処理が行われる。
基板取出し部４はバルブ20を介して真空排気系に接続
され、成膜処理部３で成膜処理された基板14の装着され
た基板ホルダー15を真空を破らずに成膜処理部３から取
出すように機能する。
され、成膜処理部３で成膜処理された基板14の装着され
た基板ホルダー15を真空を破らずに成膜処理部３から取
出すように機能する。
基板取出し部５では基板取出し部４から移送されてき
た基板ホルダー15から成膜処理済みの基板14が外され、
基板ホルダー15だけが次段のエッチング処理部６へ送ら
れる。
た基板ホルダー15から成膜処理済みの基板14が外され、
基板ホルダー15だけが次段のエッチング処理部６へ送ら
れる。
エッチング処理部６は可変流量バルブ21を介してCF4
等のエッチングガスのガス供給系に、またバルブ22を介
して真空排気系にそれぞれ接続され、そしてエッチング
処理部６内には表面にSiO2板を装着したRFカソード電極
23が設けられ、このRFカソード電極23は外部のRF電源24
に接続されている。
等のエッチングガスのガス供給系に、またバルブ22を介
して真空排気系にそれぞれ接続され、そしてエッチング
処理部６内には表面にSiO2板を装着したRFカソード電極
23が設けられ、このRFカソード電極23は外部のRF電源24
に接続されている。
第２図には第１図の装置で使用される基板ホルダー15
の移動機構が示され、図示基板ホルダーは縦型両面装着
式のものであり、基板ホルダー15の垂直両側支持面に基
板14を押えピン25によりそれぞれ支持するようにされて
いる。基板ホルダー15の基部にはローラー26が取り付け
られ、各ローラー26は第１図には示されてないが各処理
部を通って設けられるレール27上を転動する。また基板
ホルダー15の下側にはラック28が軸線方向に沿って設け
られ、このラック28は各処理部に設けられた駆動用ピニ
オン29と係合し、それで駆動用ピニオン29の回転に応じ
て基板ホルダー15はレール27に沿って移動することがで
きる。
の移動機構が示され、図示基板ホルダーは縦型両面装着
式のものであり、基板ホルダー15の垂直両側支持面に基
板14を押えピン25によりそれぞれ支持するようにされて
いる。基板ホルダー15の基部にはローラー26が取り付け
られ、各ローラー26は第１図には示されてないが各処理
部を通って設けられるレール27上を転動する。また基板
ホルダー15の下側にはラック28が軸線方向に沿って設け
られ、このラック28は各処理部に設けられた駆動用ピニ
オン29と係合し、それで駆動用ピニオン29の回転に応じ
て基板ホルダー15はレール27に沿って移動することがで
きる。
このように構成された図示装置の動作においては、ま
ず成膜処理すべき基板14は基板装着部１において適当な
手段により基板ホルダー15の両側面に装着される。基板
14の装着された基板ホルダー15はドアバルブ７を開けて
仕込み部２へ搬入される。仕込み部２ではドアバルブ７
を閉じた後真空排気され、或いは必要によりヒーター17
を作動させて真空排気中に加熱される。こうして所定の
真空度及び（または）温度になった後、ドアバルブ８を
開けて予め真空排気されている成膜処理部３へ移送され
る。成膜処理部３では、可変流量バルブ18を開いてS
iH4、NH3等の反応ガスが導入され通常の熱CVD法により
各基板14に対して成膜が行われる。成膜処理の終了後、
ドアバルブ９が開かれ、基板取出し部４へ送られ、ベン
トされ、そしてドアバルブ10を介して基板取出し部５へ
移送され、成膜された各基板14が取外される。
ず成膜処理すべき基板14は基板装着部１において適当な
手段により基板ホルダー15の両側面に装着される。基板
14の装着された基板ホルダー15はドアバルブ７を開けて
仕込み部２へ搬入される。仕込み部２ではドアバルブ７
を閉じた後真空排気され、或いは必要によりヒーター17
を作動させて真空排気中に加熱される。こうして所定の
真空度及び（または）温度になった後、ドアバルブ８を
開けて予め真空排気されている成膜処理部３へ移送され
る。成膜処理部３では、可変流量バルブ18を開いてS
iH4、NH3等の反応ガスが導入され通常の熱CVD法により
各基板14に対して成膜が行われる。成膜処理の終了後、
ドアバルブ９が開かれ、基板取出し部４へ送られ、ベン
トされ、そしてドアバルブ10を介して基板取出し部５へ
移送され、成膜された各基板14が取外される。
その後、基板14の取外された基板ホルダー15はエッチ
ング処理部６へ移され、エッチング処理部６において
は、バルブ22を介して真空排気系により10-3Torr程度ま
で真空排気され、そして、可変流量バルブ21を介してCF
4等のエッチングガスを0.5Torr導入し、RFカソード電極
23に外部のRF電源24から13.56MHzのRF電力を印加する。
それにより基板ホルダー15を対向アース電極としてプラ
ズマエッチングが行なわれ、基板ホルダー15に付着して
いる膜、例えばａ−Si膜やａ−SiN膜が除去される。膜
の除去後、エッチングガスを止め、代わりにH2ガスを0.
5Torr導入してエッチング過程で生じた微量のＣや重合
物が除去される。その後、RF電力を止め、大気圧間でベ
ントし、そしてドアゲートバルブ12を介してクリーニン
グされた基板ホルダー15はリターンコンベア13へ移さ
れ、リターンコンベア13によって基板装着部１へ戻さ
れ、次の動作のため用意される。
ング処理部６へ移され、エッチング処理部６において
は、バルブ22を介して真空排気系により10-3Torr程度ま
で真空排気され、そして、可変流量バルブ21を介してCF
4等のエッチングガスを0.5Torr導入し、RFカソード電極
23に外部のRF電源24から13.56MHzのRF電力を印加する。
それにより基板ホルダー15を対向アース電極としてプラ
ズマエッチングが行なわれ、基板ホルダー15に付着して
いる膜、例えばａ−Si膜やａ−SiN膜が除去される。膜
の除去後、エッチングガスを止め、代わりにH2ガスを0.
5Torr導入してエッチング過程で生じた微量のＣや重合
物が除去される。その後、RF電力を止め、大気圧間でベ
ントし、そしてドアゲートバルブ12を介してクリーニン
グされた基板ホルダー15はリターンコンベア13へ移さ
れ、リターンコンベア13によって基板装着部１へ戻さ
れ、次の動作のため用意される。
第３図にはプラズマCVDを利用した本発明の実施例の
構成を概略的に示す。この図面において31は基板装着
部、32は仕込み部、33は成膜処理部、34は基板取出し
部、35は基板取外し部、36はエッチング処理部であり、
それぞれドアバルブ37、38、39、40、41を介して順次連
接されている。
構成を概略的に示す。この図面において31は基板装着
部、32は仕込み部、33は成膜処理部、34は基板取出し
部、35は基板取外し部、36はエッチング処理部であり、
それぞれドアバルブ37、38、39、40、41を介して順次連
接されている。
エッチング処理部36の出口側は第１図の装置の場合と
同様にドアバルブ42を介してリターンコンベア43の一端
に結合され、このリターンコンベア43の他端は基板装着
部31の入口側に直接結合されている。
同様にドアバルブ42を介してリターンコンベア43の一端
に結合され、このリターンコンベア43の他端は基板装着
部31の入口側に直接結合されている。
各処理部は成膜処理部33の構成を除いて基本的には第
１図の装置の場合と同様に構成されている。
１図の装置の場合と同様に構成されている。
成膜処理部33は第１図の場合の構成に加えてRFカソー
ド電極板44が設けられ、このRFカソード電極板44は後で
説明するように基板ホルダー45と一緒にまたは別個に移
動可能に構成されそして動作時には外部のRF電源46に接
続される。
ド電極板44が設けられ、このRFカソード電極板44は後で
説明するように基板ホルダー45と一緒にまたは別個に移
動可能に構成されそして動作時には外部のRF電源46に接
続される。
この実施例で使用され得る基板ホルダー45の一例は第
４図に示され、この例では二つの基板ホルダー45が設け
られ、それぞれ一側に処理すべき基板47が装着され、そ
して各処理部の上下に設けられた移動ローラー48、49で
垂直に支持され移動されるように構成されている。各基
板ホルダー45の横方向外側にはRFカソード電極板50が絶
縁部材51を介して移動ローラー48、49により垂直に支持
され移動される支持枠52に取り付けられている。従って
この例では各RFカソード電極板50は各基板ホルダー45と
共に移動ローラー48、49により移動され得る。また成膜
処理部33及びエッチング処理部36には各RFカソード電極
板50に対して横方向から接触するRF導入電極が設けられ
ており、これらの各RF導入電極53は横方向に移動可能に
構成され、各RF導入電極53は各RFカソード電極板50の移
動時にはそれらから離れるようにされている。また第４
図において54、55はアースシールドで、各でRFカソード
電極板50及び各基板ホルダー45の裏面に膜が付着しない
ようにされている。
４図に示され、この例では二つの基板ホルダー45が設け
られ、それぞれ一側に処理すべき基板47が装着され、そ
して各処理部の上下に設けられた移動ローラー48、49で
垂直に支持され移動されるように構成されている。各基
板ホルダー45の横方向外側にはRFカソード電極板50が絶
縁部材51を介して移動ローラー48、49により垂直に支持
され移動される支持枠52に取り付けられている。従って
この例では各RFカソード電極板50は各基板ホルダー45と
共に移動ローラー48、49により移動され得る。また成膜
処理部33及びエッチング処理部36には各RFカソード電極
板50に対して横方向から接触するRF導入電極が設けられ
ており、これらの各RF導入電極53は横方向に移動可能に
構成され、各RF導入電極53は各RFカソード電極板50の移
動時にはそれらから離れるようにされている。また第４
図において54、55はアースシールドで、各でRFカソード
電極板50及び各基板ホルダー45の裏面に膜が付着しない
ようにされている。
この実施例では、各基板ホルダー45と各RFカソード電
極板50とは同時に移動できるので、一動作サイクル毎に
エッチングしてクリーニングすることができる。その他
の処理は第１図に示す装置の場合と実質的に同じである
ので詳細な説明は省略する。
極板50とは同時に移動できるので、一動作サイクル毎に
エッチングしてクリーニングすることができる。その他
の処理は第１図に示す装置の場合と実質的に同じである
ので詳細な説明は省略する。
ところで、図示の各実施例おける基板ホルダー及びRF
カソード電極板の移動機構は第２図及び第４図に例示し
たものに限定されず、当該技術で使用されている任意の
他の機構を採用することができ、また基板ホルダーにつ
いても任意の形式のものを用いることができる。
カソード電極板の移動機構は第２図及び第４図に例示し
たものに限定されず、当該技術で使用されている任意の
他の機構を採用することができ、また基板ホルダーにつ
いても任意の形式のものを用いることができる。
また、図示実施例では、プラズマCVDやエッチングは
二極RF放電を用いて行うよう構成てされているが、当
然、本発明はマグネトロン放電やペニング放電、ECR放
電等の全てのプラズマ方式に適用できる。
二極RF放電を用いて行うよう構成てされているが、当
然、本発明はマグネトロン放電やペニング放電、ECR放
電等の全てのプラズマ方式に適用できる。
さらに、エッチング処理部は図示実施例では同一のチ
ャンバーで排気、エッチング、ベントを行うようにして
いるが、必要により、例えば時間が足りない場合には仕
込み室、エッチング室及び取出し室の三室に分離して構
成してもよい。
ャンバーで排気、エッチング、ベントを行うようにして
いるが、必要により、例えば時間が足りない場合には仕
込み室、エッチング室及び取出し室の三室に分離して構
成してもよい。
さらにまた、第３図及び第４図に示す実施例におい
て、各RFカソード電極板を基板ホルダーと一緒に移動さ
せる代わりに、独立して移動させるように構成すること
も可能であ、その場合には基板ホルダーとRFカソード電
極板とのエッチング処理は別個に行われ得る。
て、各RFカソード電極板を基板ホルダーと一緒に移動さ
せる代わりに、独立して移動させるように構成すること
も可能であ、その場合には基板ホルダーとRFカソード電
極板とのエッチング処理は別個に行われ得る。
［発明の効果］ 以上説明してきたように、本発明によれば、インライ
ン型CVD装置において、成膜後大気に取出した基板ホル
ダーから基板を取外した後、基板ホルダー等を一工程と
してエッチングしてクリーニングするエッチング処理部
を組み込んで構成したことにより、基板ホルダー等に付
着した膜の剥離による欠陥の発生が減少され、また動作
サイクル毎のエッチングによるクリーニングによって掃
除するサイクルを延ばすことができるので、装置の稼動
率を飛躍的に増加させることができる。
ン型CVD装置において、成膜後大気に取出した基板ホル
ダーから基板を取外した後、基板ホルダー等を一工程と
してエッチングしてクリーニングするエッチング処理部
を組み込んで構成したことにより、基板ホルダー等に付
着した膜の剥離による欠陥の発生が減少され、また動作
サイクル毎のエッチングによるクリーニングによって掃
除するサイクルを延ばすことができるので、装置の稼動
率を飛躍的に増加させることができる。
さらに、本発明をプラズマCVD装置として実施した場
合には、カソード電極板を移動可能として、基板ホルダ
ーと同様にエッチング処理することができるので、付着
膜の剥離の危険を一層低減でき、それにより上記の効果
はさらに増大させることができる。
合には、カソード電極板を移動可能として、基板ホルダ
ーと同様にエッチング処理することができるので、付着
膜の剥離の危険を一層低減でき、それにより上記の効果
はさらに増大させることができる。
第１図は本発明が適用できるCVD装置を示す概略線図、
第２図は第１図の装置に用いられる基板ホルダーの移動
機構の一例を示す断面図、第３図は本発明の実施例を示
す概略線図、第４図は第３図の装置に用いられる基板ホ
ルダー及びカソード電極板の移動機構の一例を示す断面
図である。 図中 31:基板装着部、32:仕込み部、33:成膜処理部、34:基板
取出し部、35:基板取外し部、36:エッチング処理部、4
3:リターンコンベア、44:RFカソード電極板、45:基板ホ
ルダー、47:基板、50:RFカソード電極板。
第２図は第１図の装置に用いられる基板ホルダーの移動
機構の一例を示す断面図、第３図は本発明の実施例を示
す概略線図、第４図は第３図の装置に用いられる基板ホ
ルダー及びカソード電極板の移動機構の一例を示す断面
図である。 図中 31:基板装着部、32:仕込み部、33:成膜処理部、34:基板
取出し部、35:基板取外し部、36:エッチング処理部、4
3:リターンコンベア、44:RFカソード電極板、45:基板ホ
ルダー、47:基板、50:RFカソード電極板。
フロントページの続き (72)発明者 谷 典明 千葉県山武郡山武町横田523番地 日本 真空技術株式会社千葉超材料研究所内 (72)発明者 橋本 征典 千葉県山武郡山武町横田523番地 日本 真空技術株式会社千葉超材料研究所内 (72)発明者 太田 賀文 千葉県山武郡山武町横田523番地 日本 真空技術株式会社千葉超材料研究所内 (56)参考文献 特開 昭63−161636（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/56 H01L 21/205 H01L 21/31 C23F 4/00
Claims (1)
- 【請求項１】大気中にて基板を基板ホルダーに装着する
基板装着部と、真空排気される仕込み部と、前記基板に
成膜を行う成膜処理部と、基板取出し部と、前記基板ホ
ルダーから成膜された前記基板を取外す基板取外し部と
を順次設け、前記の各部を順次移動しながら連続的に前
記基板に成膜を行うインライン型CVD装置において、前
記基板ホルダーと共にカソード電極表面板を移動可能に
構成し、また前記基板取外し部の後に成膜された前記基
板の取外された少なくとも前記基板ホルダーを真空中で
エッチング処理するエッチング処理部を設け、前記エッ
チング処理部を介して前記基板取外し部と前記基板装着
部とを連続させて配列したことを特徴とするインライン
型CVD装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1303063A JP2948842B2 (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | インライン型ｃｖｄ装置 |
| US07/616,106 US5288329A (en) | 1989-11-24 | 1990-11-20 | Chemical vapor deposition apparatus of in-line type |
| DE69011052T DE69011052T2 (de) | 1989-11-24 | 1990-11-22 | Chemische Gasphasen-Beschichtungsanlage der In-Line-Bauart. |
| EP90122334A EP0430079B1 (en) | 1989-11-24 | 1990-11-22 | Chemical vapor deposition apparatus of in-line type |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1303063A JP2948842B2 (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | インライン型ｃｖｄ装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03166373A JPH03166373A (ja) | 1991-07-18 |
| JP2948842B2 true JP2948842B2 (ja) | 1999-09-13 |
Family
ID=17916459
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP1303063A Expired - Fee Related JP2948842B2 (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | インライン型ｃｖｄ装置 |
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| EP (1) | EP0430079B1 (ja) |
| JP (1) | JP2948842B2 (ja) |
| DE (1) | DE69011052T2 (ja) |
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- 1990-11-20 US US07/616,106 patent/US5288329A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-22 EP EP90122334A patent/EP0430079B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-22 DE DE69011052T patent/DE69011052T2/de not_active Expired - Lifetime
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| EP0430079A3 (en) | 1992-03-18 |
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