JPH09104982A

JPH09104982A - 基板処理装置

Info

Publication number: JPH09104982A
Application number: JP8223120A
Authority: JP
Inventors: Shuji Yonemitsu; 修司米満; Riichi Kano; 利一狩野; Hisashi Yoshida; 久志吉田; Shinichiro Watabiki; 真一郎綿引; Yuji Yoshida; 祐治吉田; Hideo Shimura; 日出男志村; Takeshi Sugimoto; 毅杉本; Yukinori Yuya; 幸則油谷; Kazuto Ikeda; 和人池田
Original assignee: Kokusai Electric Corp
Current assignee: Kokusai Electric Corp
Priority date: 1995-08-05
Filing date: 1996-08-05
Publication date: 1997-04-22

Abstract

(57)【要約】【課題】専有面積が小さくしかも稼働効率が高い基板処
理装置を提供する。【解決手段】ウェーハ搬送室５０の壁５３に複数の反応
室７０を互いに離間して鉛直方向に積層して設ける。ウ
ェーハ搬送室５０の壁５４に複数のウェーハ収容室３０
を互いに離間して鉛直方向に積層して設ける。複数の反
応室７０とウェーハ搬送室５０との間にゲートバルブ９
３を設け、複数のウェーハ収容室３０とウェーハ搬送室
５０との間にゲートバルブ９２を設ける。ウェーハ搬送
室５０を真空引きできるように構成し、その内部には反
応室７０とウェーハ収容室３０との間で真空中で基板を
搬送可能なウェーハ搬送真空ロボット６０を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は基板処理装置に関
し、特に半導体ウェーハ処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体ウェーハ処理装置の専有面
積を小さくするために、例えば、図１４に示すような半
導体ウェーハ処理装置が提案されている（特開平５−１
５２２１５号参照。）。

【０００３】この半導体ウェーハ処理装置２０００にお
いては、複数の反応室２０４を設置床面に対して垂直方
向に積み重ねることによって半導体ウェーハ処理装置２
０００の専有床面積を小さくしている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この半
導体ウェーハ処理装置２０００においては、隣接する反
応室２０４間では壁を共有しているので、いずれかの反
応室２０４にメンテナンスが必要となったとき場合に
は、その反応室２０４のみを取り外すことはできず、そ
の結果、いずれか１つの反応室２０４のメンテナンスを
行う場合であっても、半導体ウェーハ処理装置２０００
全体の稼働を停止させなければならず、半導体ウェーハ
処理装置２０００の稼働効率が悪いという問題があっ
た。

【０００５】従って、本発明の目的は、専有面積が小さ
くしかも稼働効率が高い基板処理装置を提供することに
ある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板搬
送室と、前記基板搬送室の一側壁に鉛直方向に積み重ね
られ、互いに離間して設けられた複数の基板処理室と、
前記基板搬送室内に設けられた基板搬送機であって、基
板を前記複数の基板処理室に搬送可能な基板搬送機と、
を備えることを特徴とする基板処理装置が提供される。

【０００７】本発明においては、複数の基板処理室を鉛
直方向に積み重ねて設けているから、基板処理室による
クリーンルームの専有面積を減少させることができ、ま
た、基板搬送室の辺数も減少させて基板搬送室を小さく
してその専有面積を減少させることができて、基板処理
装置によるクリーンルームの専有面積を減少させること
ができる。

【０００８】また、基板搬送室の辺数を減少させると、
基板搬送室の製作コストも減少させることができ、多方
向のメンテナンス領域も減少させることができる。さら
に、基板搬送室を他の基板搬送室等と接続する距離も短
くできて、その接続部に基板搬送機を設けなくても基板
搬送室と他の基板搬送室等との間で基板を移載できるよ
うになり、基板処理装置が、その分、簡単な構造とな
り、安価に製造できるようになる。

【０００９】さらに、本発明においては、このように鉛
直方向に積み重ねられた複数の基板処理室を互いに離間
して設けているから、いずれかの基板処理室にメンテナ
ンスが必要となった場合に、メンテナンスが必要な基板
処理室のみを容易に取り外すことができ、その基板処理
室のメンテナンスを行っている際にも他の基板処理室を
稼働させることができ、その結果、装置の稼働効率が大
幅に向上する。

【００１０】上記構成の基板処理装置は、前記基板搬送
室が、減圧下で基板搬送を行う基板搬送室である場合に
特に好適に適用される。

【００１１】また、上記構成の基板処理装置は、前記基
板搬送室が減圧可能であり、前記基板搬送機が減圧下で
基板搬送可能である場合にも特に好適に適用される。

【００１２】好ましくは、前記複数の基板処理室と前記
基板搬送室との間に、閉じた場合には前記基板処理室と
前記基板搬送室との間を気密にすることができ、開いた
場合には基板がその内部を通って移動可能な第１のバル
ブをそれぞれ設ける。

【００１３】このようにすれば、複数の基板処理室と基
板搬送室とをそれぞれ気密に保つことができて、複数の
基板処理室および基板搬送室のそれぞれを他と独立して
所定のガス雰囲気や真空雰囲気にすることができ、しか
も、複数の基板処理室のそれぞれと基板搬送室との間を
それぞれ基板が移動できる。

【００１４】また、好ましくは、前記複数の基板処理室
と前記基板搬送室との間に、閉じた場合には前記基板処
理室と前記基板搬送室との間を真空的に気密にすること
ができ、開いた場合には基板がその内部を通って移動可
能な第１のバルブをそれぞれ設ける。

【００１５】このようにすれば、複数の基板処理室と基
板搬送室とをそれぞれ独立に真空にすることができ、し
かも、複数の基板処理室のそれぞれと基板搬送室との間
をそれぞれ基板が移動できる。

【００１６】また、好ましくは、前記基板搬送室の前記
一側壁とは異なる他の側壁に鉛直方向に積み重ねられ、
互いに離間して設けられた複数の基板収容室をさらに有
する。

【００１７】このようにすれば、複数の基板収容室をさ
らに設けても、基板収容室を鉛直方向に積み重ねて設け
ているから、基板収容室によるクリーンルームの専有面
積を減少させることができ、また、基板搬送室の辺数も
減少させて基板搬送室を小さくしてその専有面積を減少
させることができて、基板処理装置によるクリーンルー
ムの専有面積を減少させることができる。

【００１８】また、基板搬送室の辺数を減少させると、
基板搬送室の製作コストも減少させることができ、多方
向のメンテナンス領域も減少させることができる。さら
に、基板搬送室を他の基板搬送室等と接続する距離も短
くできて、その接続部に基板搬送機を設けなくても基板
搬送室と他の基板搬送室等との間で基板を移載できるよ
うになり、基板処理装置が、その分、簡単な構造とな
り、安価に製造できるようになる。

【００１９】さらに、このように鉛直方向に積み重ねら
れた複数の基板収容室を互いに離間して設けるから、い
ずれかの基板収容室にメンテナンスが必要となった場合
に、メンテナンスが必要な基板収容室のみを容易に取り
外すことができ、その基板収容室のメンテナンスを行っ
ている際にも他の基板収容室を稼働させることができ、
その結果、装置の稼働効率が大幅に向上する。

【００２０】好ましくは、前記複数の基板収容室と前記
基板搬送室との間に、閉じた場合には前記基板収容室と
前記基板搬送室との間を気密にすることができ、開いた
場合には基板がその内部を通って移動可能な第２のバル
ブをそれぞれ設ける。

【００２１】このようにすれば、複数の基板収容室と基
板搬送室とをそれぞれ気密に保つことができて、複数の
基板収容理室および基板搬送室のそれぞれを他と独立し
て所定のガス雰囲気や真空雰囲気にすることができ、し
かも、複数の基板収容室のそれぞれと基板搬送室との間
をそれぞれ基板が移動できる。

【００２２】また、好ましくは、前記複数の基板収容室
と前記基板搬送室との間に、閉じた場合には前記基板収
容室と前記基板搬送室との間を真空的に気密にすること
ができ、開いた場合には基板がその内部を通って移動可
能な第２のバルブをそれぞれ設ける。

【００２３】このようにすれば、複数の基板収容室と基
板搬送室とをそれぞれ独立に真空にすることができ、し
かも、複数の基板収容室のそれぞれと基板搬送室との間
をそれぞれ基板が移動できる。

【００２４】なお、この第１、第２のバルブとしては、
好ましくはゲートバルブが用いられる。

【００２５】なお、基板としては、好ましくは半導体ウ
ェーハが用いられ、その場合には、基板処理装置は半導
体ウェーハ処理装置として機能する。

【００２６】また、基板としては、液晶表示素子用のガ
ラス基板等を使用することもできる。

【００２７】基板処理室においては、好ましくは、プラ
ズマＣＶＤ（Chemical Vapor deposition）法、ホット
ウォールＣＶＤ法、光ＣＶＤ法等の各種ＣＶＤ法等によ
る絶縁膜、配線用金属膜、ポリシリコン、アモルファス
シリコン等の形成や、エッチング、アニール等の熱処
理、エピタキシャル成長、拡散等が行われる。

【００２８】

【発明の実施の形態】次に、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。

【００２９】図１は、本発明の第１の実施の形態の半導
体ウェーハ処理装置を説明するための平面図である。図
２は、図１のＸＸ線断面図である。

【００３０】本実施の形態の半導体ウェーハ処理装置１
は、プロセス部７００と、トランスファ部５００と、フ
ロント部１００とを備えている。

【００３１】プロセス部７００は複数のプロセスモジュ
ール７０１を備え、各プロセスモジュール７０１は反応
室７０とゲートバルブ９３とを備えている。トランスフ
ァ部５００はトランスファモジュール５０１を備え、ト
ランスファモジュール５０１はウェーハ搬送室５０とウ
ェーハ搬送真空ロボット６０とを備えている。フロント
部１００は複数のロードロックモジュール３００と大気
圧部２００とを備えている。ロードロックモジュール３
００はウェーハ収容室３０とゲートバルブ９２とフロン
トドアバルブ９１とを備えている。大気圧部にはカセッ
ト１０を載置するカセット棚１１と、カセット搬送兼ウ
ェーハ搬送機２０が設けられている。

【００３２】複数の反応室７０は鉛直方向に互いに離間
して積み重ねられてウェーハ搬送室５０のウェーハ搬送
室壁５３に設けられている。各反応室７０とウェーハ搬
送室５０との間にはそれぞれゲートバルブ９３が設けら
れている。各反応室７０は、排気配管８２を介して独立
して真空引きできるように構成されている。反応室７０
内には複数枚（本実施の形態では２枚）の半導体ウェー
ハ５を搭載できるウェーハボート７５が載置されてお
り、複数枚のウェーハ５の処理を同時に行うことがで
き、ウェーハ処理の効率を高めることができる。また、
ウェーハボート７５に搭載されるウェーハ５間のピッチ
は、反応室７０内でのガスの流れ等を考慮して、例えば
成膜が行われるのならば、膜厚の均一性が所定の範囲内
に維持されるように決定されている。

【００３３】反応室７０内においては、例えば、プラズ
マＣＶＤ、ホットウォールＣＶＤ、光ＣＶＤ等の各種Ｃ
ＶＤ等による絶縁膜、配線用金属膜、ポリシリコン、ア
モルファスシリコン等の形成や、エッチング、アニール
等の熱処理、エピタキシャル成長、拡散等が行われる。

【００３４】複数の反応室７０を鉛直方向に積み重ねて
ウェーハ搬送室５０のウェーハ搬送室壁５３に設けてい
るから、反応室７０室によるクリーンルームの専有面積
を減少させることができ、また、ウェーハ搬送室５０の
辺数も減少させてウェーハ搬送室５０を小さくしてその
専有面積を減少させることができて、半導体ウェーハ処
理装置１によるクリーンルームの専有面積を減少させる
ことができる。

【００３５】また、ウェーハ搬送室５０の辺数を減少さ
せると、ウェーハ搬送室５０の製作コストも減少させる
ことができ、多方向のメンテナンス領域も減少させるこ
とができる。さらに、ウェーハ搬送室５０を他のウェー
ハ搬送室等と接続する距離も短くできて、その接続部に
ウェーハ搬送機を設けなくてもウェーハ搬送室５０と他
のウェーハ搬送室等との間でウェーハを移載できるよう
になり、半導体ウェーハ処理装置１が、その分、簡単な
構造となり、安価に製造できるようになる。

【００３６】さらに、本発明においては、このように鉛
直方向に積み重ねられた複数の反応室７０を互いに離間
して設けているから、いずれかの反応室７０にメンテナ
ンスが必要となった場合に、メンテナンスが必要な反応
室７０のみを容易に取り外すことができ、その反応室７
０のメンテナンスを行っている際にも他の反応室７０を
稼働させることができ、その結果、半導体ウェーハ処理
装置１の稼働効率が大幅に向上する。

【００３７】複数のウェーハ収容室３０は鉛直方向に互
いに離間して積み重ねられてウェーハ搬送室５０のウェ
ーハ搬送室壁５４に設けられている。各ウェーハ収容室
３０とウェーハ搬送室５０との間にはそれぞれゲートバ
ルブ９２が設けられている。各ウェーハ収容室３０の右
側と大気圧部２００との間にはそれぞれフロントドアバ
ルブ９１が設けられている。各ウェーハ収容室３０は、
排気配管８３、８１を介して独立して真空引きできるよ
うに構成されている。

【００３８】ウェーハ収容室３０内にはウェーハ保持具
４０が載置されている。図３はこのウェーハ保持具４０
を説明するための概略斜視図である。ウェーハ保持具４
０は、上下に設けられた円柱状の２枚の支柱支持板４
１、４２と、この支柱支持板４１、４２の間に設けられ
た２つの角柱状の支柱４３、４４とを備え、この支柱４
３、４４の内側に複数のウェーハ載置用溝４５が互いに
対向してそれぞれ設けられている。このウェーハ載置用
溝４５の両端は開放されているので、ウェーハ保持具４
０の両側からウェーハをそれぞれ搬入でき、両側にそれ
ぞれ搬出できる。ウェーハ保持具４０は石英から成って
いる。

【００３９】ウェーハ保持具４０のウェーハ載置用溝４
５間のピッチ、すなわち、ウェーハ保持具４０に保持さ
れるウェーハ５間のピッチを、反応室７０内のウェーハ
ボート７５に搭載されるウェーハ５間のピッチと同じと
している。なお、ウェーハ保持具４０のウェーハ載置用
溝４５間のピッチはカセット１０内のウェーハ載置用溝
間のピッチよりも大きい。

【００４０】また、ウェーハ保持具４０のウェーハ載置
用溝４５の数、すなわち、ウェーハ保持具４０が保持可
能なウェーハ５の枚数を、反応室７０内のウェーハボー
ト７５が搭載可能なウェーハ５の枚数の２倍以上とし、
反応室７０内において一度に処理可能なウェーハ５の枚
数の２倍以上としている。このようにすれば、反応室７
０とカセット１０との間で効率的に基板を搬送すること
ができ、スループットが向上する。

【００４１】ウェーハ保持具４０は石英から成っている
ので、ウェーハ収容室３０内を真空にしても、ウェーハ
保持具４０からアウトガス等の不純物が発生することは
ないので、ウェーハ収容室３０の雰囲気を清浄に保つこ
とができる。

【００４２】また、このウェーハ保持具４０は石英から
成っており、耐熱性に優れているので、反応室７０で処
理が終わった高温のウェーハをこのウェーハ保持具４０
で保持した状態で冷却することができる。このように、
ウェーハ保持具４０はウェーハ冷却用に使用できるの
で、ウェーハ収容室３０はウェーハ冷却室として機能す
る。従って、反応室７０で処理が終わった高温のウェー
ハを冷却するための冷却室をウェーハ搬送室５０の側壁
に別に設ける必要はなく、その分、半導体ウェーハ処理
装置１によるクリーンルームの専有面積を減少させるこ
とができ、また、ウェーハ搬送室５０の辺数も減少させ
てウェーハ搬送室５０を小さくしてその専有面積を減少
させることができて、半導体ウェーハ処理装置１による
クリーンルームの専有面積を減少させることができる。
さらに、ウェーハ搬送室５０の製作コストも減少させる
ことができる。

【００４３】そして、このウェーハ保持具４０は、カセ
ット１０からウェーハ処理室７０へのウェーハ５を一時
収容するか、ウェーハ処理室７０からカセット１０への
ウェーハ５を一時収容するか、またはカセット１０から
ウェーハ処理室７０へのウェーハ５を一時収容すると共
にウェーハ処理室７０からカセット１０へのウェーハ５
を一時収容するウェーハ保持具であるので、カセット１
０を収容するカセット室をウェーハ搬送室５０の側壁に
設ける必要はなくなる。その結果、ウェーハ搬送室５０
の側壁に設ける室数が減少して、その分、半導体ウェー
ハ処理装置１によるクリーンルームの専有面積を減少さ
せることができ、また、ウェーハ搬送室５０の辺数も減
少させてウェーハ搬送室５０を小さくしてその専有面積
を減少させることができて、半導体ウェーハ処理装置１
によるクリーンルームの専有面積を減少させることがで
きる。さらに、ウェーハ搬送室５０の製作コストも減少
させることができる。

【００４４】本実施の形態では、ウェーハ搬送室５０の
ウェーハ搬送室壁５４に複数のウェーハ収容室３０を設
けているから、あるウェーハ収容室３０でウェーハを冷
却している間に他のウェーハ収容室３０を利用してウェ
ーハを反応室７０に搬入できる等、時間を節約できる。
また、搬入用、搬出用の２種類のウェーハ収容室３０を
別々に設けてもよい。このようにすれば、搬入用、搬出
用の２種類のウェーハ収容室３０を交互に使用でき、時
間の節約となる。さらに、あるウェーハ収容室３０をモ
ニタウェーハ用とし、他のウェーハ収容室３０を実際の
製品となるプロセスウェーハ用として利用することもで
きる。

【００４５】また、複数のウェーハ収容室３０を、ウェ
ーハ搬送室５０のウェーハ搬送室壁５４に鉛直方向に積
み重ねて設けているから、ウェーハ収容室３０によるク
リーンルームの専有面積を減少させることができ、ま
た、ウェーハ搬送室５０の辺数も減少させてウェーハ搬
送室５０を小さくしてその専有面積を減少させることが
できて、半導体ウェーハ処理装置１によるクリーンルー
ムの専有面積を減少させることができる。さらに、ウェ
ーハ搬送室５０の製作コストも減少させることができ
る。

【００４６】さらに、本発明においては、このように鉛
直方向に積み重ねられた複数のウェーハ収容室３０を互
いに離間して設けているから、いずれかのウェーハ収容
室３０にメンテナンスが必要となった場合に、メンテナ
ンスが必要なウェーハ収容室３０のみを容易に取り外す
ことができ、そのウェーハ収容室３０のメンテナンスを
行っている際にも他のウェーハ収容室３０を稼働させる
ことができ、その結果、半導体ウェーハ処理装置１の稼
働効率が大幅に向上する。

【００４７】ウェーハ搬送室５０とウェーハ収容室３０
との間にゲートバルブ９２を設けているからウェーハ搬
送室５０を減圧状態に保ったままでウェーハ収容室３０
を大気圧に戻すことができ、ウェーハ収容室３０内を大
気圧に戻している間にウェーハ５が自然冷却し、ウェー
ハ収容室３０を出る段階でウェーハ５の温度が下がって
いるようにすることができる。従って、その後大気圧中
に取り出しても、大気圧雰囲気によりウェーハ５が汚染
されることが防止される。このようにしてウェーハ収容
室３０で大気圧に戻す工程とウェーハ５を冷却する工程
を同時に行い、冷却されたウェーハ５を大気圧下でカセ
ット１０まで搬送し、ウェーハ５を収容したカセット１
０を半導体ウェーハ処理装置１外に搬送することができ
る。

【００４８】また、本実施の形態においては、ウェーハ
収容室３０とカセット１０との間のウェーハ５の受け渡
しはウェーハ搬送室５０内のウェーハ搬送真空ロボット
６０とは異なるカセット搬送兼ウェーハ搬送機２０で行
うことができるので、ウェーハ搬送時間を短くすること
ができる。そして、本実施の形態においては、カセット
搬送兼ウェーハ搬送機２０を大気圧部２００に配置して
いるから、カセット搬送兼ウェーハ搬送機２０の構造を
真空中にある場合に比べて簡単なものとすることができ
る。

【００４９】ウェーハ搬送室５０は排気配管８４、８１
を介して真空引きできるように構成されている。そし
て、複数の反応室７０、ウェーハ搬送室５０および複数
のウェーハ収容室３０は、それぞれ独立して真空引きで
きるように構成されている。

【００５０】ウェーハ搬送室５０を減圧可能とし、ウェ
ーハ収容室３０も減圧可能としているから、酸素濃度を
極限まで減少できて、ウェーハ搬送室５０やウェーハ収
容室３０でウェーハ５が酸化されるのを抑制できる。

【００５１】また、反応室７０を独立して真空引きでき
るので、反応室７０を減圧下で処理を行う反応室とする
こともでき、また、反応室７０内を一度減圧にした後に
所定の雰囲気ガスに置換することもでき、純度の高いガ
ス雰囲気にすることもできる。

【００５２】本実施の形態では、複数の反応室７０を全
て減圧下で処理を行う反応室としたが、複数の反応室７
０全てを常圧下で処理を行う反応室とすることもでき、
またこれら複数の反応室７０のうち少なくとも一つの反
応室７０を常圧下でウェーハの処理を行う反応室とし、
これら複数の反応室７０のうちの他の残りの反応室７０
を減圧下で処理を行う反応室とすることもできる。

【００５３】ウェーハ搬送室５０の内部にはウェーハ搬
送真空ロボット６０が設けられている。図４はウェーハ
搬送真空ロボット６０を説明するための概略斜視図であ
る。ウェーハ搬送真空ロボット６０は、多関節ロボット
であり、水平面内を回転移動するアーム６３、６５、６
７と、それぞれのアームを回転可能にする回転軸６２、
６４、６６と、回転軸６２に回転を与える２軸の駆動部
６９と、回転軸６２の回転を回転軸６４、６６に伝達す
る歯車機構（図示せず）と、この駆動部６９を収容する
駆動部収容部６１とを備えている。なお、アーム６７の
先はウェーハを搭載するためのウェーハ搭載アーム６８
として機能する。回転軸６２が回転すると、アーム６
３、６５、６７が水平方向に回転移動し、それによっ
て、ウェーハを水平方向に移動させることができる。

【００５４】アーム６７およびウェーハ搭載アーム６８
は２本設けられておりウェーハ搭載アーム６８間のピッ
チはウェーハ保持具４０のウェーハ載置用溝４５間のピ
ッチおよび反応室７０内のウェーハボート７５に搭載さ
れるウェーハ５間のピッチと同じとしている。従って、
ウェーハ搭載アーム６８が２本設けられているので、ウ
ェーハ搬送真空ロボット６０によって２枚のウェーハを
同時に搬送可能であるが、搬送中にウェーハ５間のピッ
チを変える必要がないので、ウェーハ搬送真空ロボット
６０の構造が簡単なものとなり、また、真空の汚染も防
止できる。そして２枚のウェーハを同時に搬送できるの
で、ウェーハ搬送の効率も高くなる。

【００５５】駆動部収容部６１は気密構造であり、駆動
部６９がこの気密性の駆動部収容部６１内に収容されて
いるから、ウェーハ搬送室５０内の雰囲気を清浄に保つ
ことができる。

【００５６】ウェーハ搬送室５０の底面５６に駆動部収
容部６１の外形に合わせた凸部５２を設けている。従っ
て、この凸部５２内に駆動部収容部６１を収容でき、こ
のようにすれば、ウェーハ搬送室５０全体を大きくせず
に、ウェーハ搬送真空ロボット６０の駆動部収容部６１
を収容する凸部５２のみをウェーハ搬送室５０から突出
させればよいから、ウェーハ搬送室５０の空間を小さく
でき、真空引き等の時間を短くできる。

【００５７】ウェーハ搬送室５０の底面５６には貫通孔
５７が設けられている。ウェーハ搬送室５０の外部の下
側にはねじ軸５６１が鉛直方向に設けられている。ねじ
軸５６１の上部にはモータ５６６が設けられており、ね
じ軸５６１はモータ５６６により回転する。ねじ軸５６
１と共にボールねじを構成するナット５６５が設けら
れ、ナット５６５には昇降台５６４が固定されている。
昇降台５６４にはウェーハ搬送真空ロボット支持棒５６
３の一端が固定されており、支持棒５６３が鉛直に昇降
台５６４に取り付けられている。ウェーハ搬送真空ロボ
ット支持棒５６３の他端はウェーハ搬送真空ロボット６
０の駆動部収容部６１の上端部に固定されている。ウェ
ーハ搬送真空ロボット支持棒５６３はステンレス鋼から
成っている。ウェーハ搬送室５０の底面５６の貫通孔５
７の周囲の底面５６には、ベロー５６２の一端が気密に
固定されており、ベロー５６２の他端は昇降台５６４の
上面に気密に固定されている。ベロー５６２は金属製で
あり、ウェーハ搬送真空ロボット支持棒５６３を覆って
取り付けられている。

【００５８】モーター５６６によってねじ軸５６１を回
転させると、ナット５６５が昇降し、それによって、ナ
ット５６５に固定された昇降台５６４が昇降する。昇降
台５６４が昇降すれば、それに鉛直に取り付けられたウ
ェーハ搬送真空ロボット支持棒５６３も昇降して、それ
に取り付けられたウェーハ搬送真空ロボット６０も昇降
する。

【００５９】本実施の形態では、ねじ軸５６１とナット
５６５とから構成されるボールねじ５６０を使用してい
るから、摩擦を小さくし、機械効率を高くできる。そし
て、このボールねじ５６０をウェーハ搬送室５０の外部
に設けているから、ウェーハ搬送室５０の内部が汚染さ
れることを防止でき、その結果、ウェーハ５が汚染され
ることが防止される。また、ボールネジ５６０をウェー
ハ搬送室５０の底面５６の下側に設けているから、ベロ
ー５６２から発生するパーティクルによってウェーハ搬
送室５０内が汚染されるのを防止できる。

【００６０】また、剛体のステンレス鋼からなるウェー
ハ搬送真空ロボット支持棒５６３によってウェーハ搬送
真空ロボット６０を昇降台５６４と機械的に接続してい
るから、昇降台５６４の昇降に応じてウェーハ搬送真空
ロボット６０が確実に昇降する。

【００６１】さらに、ウェーハ搬送真空ロボット支持棒
５６３がベロー５６２によって覆われており、ベロー５
６２の一端がウェーハ搬送室５０の底面５６の貫通孔５
７の周囲の底面５６に気密に固定されており、ベロー５
６２の他端が昇降台５６４の上面に気密に固定されてい
るから、ベロー５６２によって気密が保たれるので、気
密が確実になってウェーハ搬送室５０内を真空にするこ
とができるとともに、ウェーハ搬送真空ロボット支持棒
５６３の移動も気密の維持の問題とは切り放せるので、
ウェーハ搬送真空ロボット支持棒５６３の移動もスムー
ズで確実なものとなる。

【００６２】さらに、また、ウェーハ搬送真空ロボット
支持棒５６３の先端をウェーハ搬送真空ロボット６０の
駆動部収容部６１の上端部に固定しているから、ウェー
ハ搬送室５０の高さを低くでき、ひいては、半導体ウェ
ーハ処理装置１全体の高さを低くできる。

【００６３】半導体ウェーハ処理装置１全体が筺体９０
０に収容されている。フロント部１００の筺体９００の
天井面にはフィルタ（図示せず）とファン（図示せず）
とが設けられており、筺体９００内をダウンフローでき
るようになっている。筺体９００の内部にはカセット１
０を載置するカセット棚１１が筺体９００に取り付けら
れている。カセット棚１１は、ウェーハ収容室３０に対
してウェーハ搬送室５０とはほぼ反対側に配置されてい
る。カセット棚１１は平面方向には３つの位置に配置さ
れており、垂直方向には、２段に縦積みされている。筺
体９００内にカセット棚１１を設けることによって、カ
セット１０に搭載されているウェーハ表面を清浄に保つ
ことができる。また、このように複数のカセット棚１１
を設けることにより、複数の処理に合わせて、処理の種
類毎にカセットをそれぞれ配置することができる。ま
た、モニタ用ウェーハやダミー用ウェーハが収容された
カセットを配置することもできる。

【００６４】筺体９００の装置正面９０１の下部にはカ
セット投入口１３が設けられ、筺体９００の内部であっ
て、カセット投入口１３とほぼ同じ高さにカセットステ
ージ１２が設けられている。カセットステージ１２は、
カセット投入口１３から半導体ウェーハ処理装置１の筺
体９００内に投入されたカセット１０を最初に一時的に
保持し、また、半導体ウェーハ処理装置１によって処理
が終わり、筺体９００からカセット１０を搬出する前に
カセットを一時的に保持するために使用される。

【００６５】カセットステージ１２はカセット棚１１の
下部に設けられており、カセットステージ１２にカセッ
トを投入する際に筺体９００の外部からカセット投入口
１３を通って流れ込んでくるパーティクル等が、カセッ
ト棚１１に載置されたカセット１０内のウェーハ５に及
ぼす影響を小さくできる。

【００６６】ウェーハ収容室３０とカセット棚１１との
間に、カセット１０をカセット棚１１に搬入できカセッ
ト棚１１からカセット１０を搬出できると共に、ウェー
ハ５をカセット１０とウェーハ収容室３０との間で搬送
できるカセット搬送兼ウェーハ搬送機２０が設けられて
いる。このカセット搬送兼ウェーハ搬送機２０は、垂直
に設けられたねじ軸２９とボールねじを構成するナット
（図示せず）とを備えており、ねじ軸２９を回転するこ
とで、カセット搬送兼ウェーハ搬送機２０を昇降させる
ことができる。カセット搬送兼ウェーハ搬送機２０も筺
体９００内に設けられているので、カセット搬送兼ウェ
ーハ搬送機２０によって搬送されているウェーハ５の表
面を清浄に保つことができる。

【００６７】図５は、このカセット搬送兼ウェーハ搬送
機２０を説明するための概略斜視図である。

【００６８】ベース２５、２６上にカセット搬送機２１
とウェーハ搬送機２３が設けられており、カセット搬送
機２１とウェーハ搬送機２３とは、独立に矢印の方向に
平行移動することができる。カセット搬送機２１はカセ
ット搬送アーム２２を備えており、カセット搬送アーム
２２の先に取り付けられたカセットホルダー２７上にカ
セット１０を載置してカセット１０を搬送する。ウェー
ハ搬送機２３は複数のツィーザ２４を備えており、この
ツィーザ２４上にウェーハ５をそれぞれ搭載してウェー
ハ５を搬送する。

【００６９】図６は、カセット搬送兼ウェーハ搬送機の
ピッチ変換機構を説明するための図であり、図６Ａは側
面図、図６Ｂは、図６ＡのＹ−Ｙ線より見た背面図であ
る。

【００７０】本実施の形態では、ウェーハ搬送機２３
は、５枚のツィーザ２４１乃至２４５を備えている。ツ
ィーザ２４１はブロック２６０と一体化されている。ツ
ィーザ２４２、２４３、２４４、２４５にはナット２３
２、２３３、２３４、２３５がそれぞれ固着されてい
る。ナット２３２とナット２３４はねじ軸２１０と噛み
合わせられておりナット２３２とナット２３４はねじ軸
２１０とそれぞれボールねじを構成している。ナット２
３３とナット２３５はねじ軸２１１と噛み合わせられて
おりナット２３３とナット２３５はねじ軸２１１とそれ
ぞれボールねじを構成している。ねじ軸２１０の上端お
よびねじ軸２１１の上端はモータ２２０と歯車機構（図
示せず。）を介して接続されており、ねじ軸２１０の下
端およびねじ軸２１１の下端は、ブロック２５０に回転
自在に取り付けられている。ブロック２５０とブロック
２６０にはナット２７０が取り付けられており、ナット
２７０はねじ軸２８０と噛み合って設けられており、ナ
ット２７０とねじ軸２８０とによりボールねじを構成し
ている。ねじ軸２８０が回転すると、ナット２７０が左
右に動いてツイーザ２４１乃至２４５を左右に移動させ
る。

【００７１】ナット２３２と噛み合っているねじ軸２１
０の領域２１２には１倍ピッチのねじが形成されてお
り、ナット２３３と噛み合っているねじ軸２１１の領域
２１３には２倍ピッチのねじが形成されており、ナット
２３４と噛み合っているねじ軸２１０の領域２１４には
３倍ピッチのねじが形成されており、ナット２３５と噛
み合っているねじ軸２１１の領域２１５には４倍ピッチ
のねじが形成されている。また、ブロック２５０とブロ
ック２６０との間の上下方向の相対位置は変化しない。
モータ２２０によってねじ軸２１０とねじ軸２１１を回
転させると、ブロック２５０とブロック２６０とは昇降
せず、ナット２３２は所定の距離昇降し、ナット２３３
はナット２３２の２倍の距離昇降し、ナット２３４はナ
ット２３２の３倍の距離昇降し、ナット２３５はナット
２３２の４倍の距離昇降する。従って、ツィザー２４１
は昇降せず、ツィーザ２４２は所定の距離昇降し、ツィ
ーザ２４３はツィーザ２４２の２倍の距離昇降し、ツィ
ーザ２４４はツィーザ２４２の３倍の距離昇降し、ツィ
ーザ２４５はツィーザ２４２の４倍の距離昇降する。そ
の結果、ツィーザ２４１乃至２４５間のピッチを均等に
保ったまま、ツィーザ２４１乃至２４５間のピッチを変
換できる。

【００７２】図７は、半導体ウェーハ処理装置１におけ
るウェーハ５の搬送操作を説明するための概略断面図で
あり、図１乃至図７を参照してウェーハ５の搬送および
処理方法を説明する。

【００７３】カセット投入口１３から半導体ウェーハ処
理装置１の筺体９００内に投入されたカセット１０は、
まず、カセットステージ１２に置かれる。次に、カセッ
ト搬送兼ウェーハ搬送機２０のカセット搬送アーム２２
の先に取り付けられたカセットホルダー２７上に載置さ
れて、筺体９００の上部まで運ばれ、その後カセット棚
１１上に載置される。次に、カセット搬送機２１が左に
移動し、代わって、ウェーハ搬送機２３が右に移動し
て、カセット１０内のウェーハ５をツィーザ２４上に搭
載する。この時、ツイーザ２４間のピッチはカセット１
０の溝間の間隔とされている。その後、ウェーハ搬送機
２３が一度後退し、方向を１８０度変え、その後、ツィ
ーザ２４間のピッチを変換して、ウェーハ保持具４０の
ウェーハ載置用溝４５間のピッチとする。その後、ツィ
ーザ２４を左に移動してウェーハ収容室３０内のウェー
ハ保持具４０にウェーハ５を搭載する。本実施の形態で
は、５枚のウェーハ５を一度にカセット１０からウェー
ハ保持具４０までカセット搬送兼ウェーハ搬送機２０に
より搬送する。なお、カセット搬送兼ウェーハ搬送機２
０によってウェーハ５をウェーハ収容室３０内に搬送す
る際には、ゲートバルブ９２は閉じておき、フロントド
アバルブ９１は開けておく。

【００７４】ウェーハ収容室３０内のウェーハ保持具４
０にウェーハ５を搭載した後、フロントドアバルブ９１
を閉じ、ウェーハ収容室３０内を真空引きする。

【００７５】真空引き後、ゲートバルブ９２を開ける。
なお、ウェーハ搬送室５０は予め真空引きされている。

【００７６】その後、ウェーハ５は、真空中で、ウェー
ハ搬送室５０内のウェーハ搬送真空ロボット６０のウェ
ーハ搭載アーム６８上に搭載されてウェーハ収容室３０
内のウェーハ保持具４０から反応室７０内のウェーハボ
ート７５に搬送される。なお、この際には、ゲートバル
ブ９３は開けられており、反応室７０も真空引きされて
いる。ウェーハ保持具４０のウェーハ載置用溝４５間の
ピッチはウェーハボート７５に搭載されるウェーハ５間
のピッチと同じだから、ウェーハ搬送真空ロボット６０
のウェーハ搭載アーム６８間のピッチは変換せず、一定
のままである。本実施の形態においては、２枚のウェー
ハを一度にウェーハ保持具４０からウェーハボート７５
までウェーハ搬送真空ロボット６０により搬送する。

【００７７】搬送後、ゲートバルブ９３を閉じ、反応室
７０を所定の雰囲気として反応室７０のウェーハボート
７５に搭載された２枚のウェーハ５に成膜等の所定の処
理を同時に行う。

【００７８】所定の処理が行われた後は、反応室７０を
真空引きし、その後ゲートバルブ９３を開ける。ウェー
ハ５は、真空中で、ウェーハ搬送真空ロボット６０によ
りウェーハ収容室３０内のウェーハ保持具４０に移載さ
れる。この際には、ウェーハ搬送真空ロボット６０のウ
ェーハ搭載アーム６８間のピッチは変換せず一定のまま
である。また、２枚のウェーハを一度に搬送する。

【００７９】その後、ゲートバルブ９２を閉じ、ウェー
ハ収容室３０内を窒素等で大気圧にし、ここでウェーハ
５を所定の温度になるまで冷却する。

【００８０】その後、フロントドアバルブ９１を開け、
カセット搬送兼ウェーハ搬送機２０のウェーハ搬送機２
３によってウェーハ５はカセット１０内に移載される。
この際、ウェーハ保持具４０のウェーハ載置用溝４５間
のピッチから、カセット１０の溝間のピッチとなるよう
にツィーザ２４間のピッチを変換する。

【００８１】所定枚数のウェーハ５がカセット１０内に
搬入されると、カセット搬送兼ウェーハ搬送機２０のカ
セット搬送機２１によってカセット１０がカセットステ
ージ１２に移載され、その後、カセット投入口１３から
搬出される。

【００８２】このように、反応室７０内で２枚のウェー
ハを同時に処理するからウェーハ処理の効率が高くな
る。また、ウェーハ保持具４０のウェーハ載置用溝４５
間のピッチはウェーハボート７５に搭載されるウェーハ
５間のピッチと同じであり、ウェーハ搬送真空ロボット
６０のウェーハ搭載アーム６８間のピッチは変換しない
から、ウェーハ搬送真空ロボット６０の構造が簡単とな
り、真空の汚染も防止できる。そして２枚のウェーハ５
を同時に搬送できるので、ウェーハ搬送の効率も高くな
る。

【００８３】そして、カセット搬送兼ウェーハ搬送機２
０によってウェーハ５間のピッチを可変としているが、
このカセット搬送兼ウェーハ搬送機２０は大気圧下で用
いるので、ウェーハ５間のピッチを可変にしても、真空
下での場合と比較すれば構造が簡単であり、安価に製造
でき、また、パーティクルの発生を抑えることができ
る。

【００８４】上記のように、大気圧下でウェーハ５間の
ピッチを可変とし減圧下ではウェーハ５間のピッチを固
定して、複数枚のウェーハ５を同時に搬送するようにす
れば、搬送装置の製造コストを低減でき、搬送装置の大
型化が抑制され、しかもパーティクルの発生が抑制され
てウェーハ５をクリーンな環境で搬送することができ
る。さらに、複数枚のウェーハ５を同時に搬送するの
で、スループットが向上し、ウェーハ５間のピッチが可
変であるので、反応室７０内において高精度でウェーハ
処理が行えるウェーハ５間のピッチに変換できる。

【００８５】なお、本実施の形態においては、ウェーハ
搬送室５０のウェーハ搬送室壁５３とウェーハ搬送室壁
５４とを互いに対向させて、反応室７０と、ウェーハ搬
送室５０と、ウェーハ収容室３０とをほぼ一直線上に配
置し、ウェーハ搬送室５０を平面図的には矩形状として
いる。ウェーハ搬送室５０が矩形状であると、ウェーハ
搬送室５０を小さくしてその専有面積を減少させること
ができて、半導体ウェーハ処理装置１によるクリーンル
ームの専有面積を減少させることができる。また、矩形
状であると、ウェーハ搬送室５０の製作コストも減少さ
せることができる。メンテナンス領域も減少させること
ができる。さらに、ウェーハ搬送室５０を他のウェーハ
搬送室等と接続する距離もより短くできて、その接続部
にウェーハ搬送機を設けなくてもウェーハ搬送室５０と
他のウェーハ搬送室等との間でウェーハ５を容易に移載
できるようになり、半導体ウェーハ処理装置１が、その
分、簡単な構造となり、安価に製造できるようになる。
また、反応室７０と、ウェーハ搬送室５０と、ウェーハ
収容室３０とをほぼ一直線上に配置しているから、この
ような構成の半導体ウェーハ処理装置ユニットを複数容
易に平行に配置して、専有面積を小さくできる。

【００８６】図８は本発明の第２の実施の形態の半導体
ウェーハ処理装置を説明するための断面図である。

【００８７】本実施の形態の半導体ウェーハ処理装置１
は、反応室７０、ウェーハ搬送室５０、ウェーハ収容室
３０を筺体９００の下方に設け、ウェーハ搬送真空ロボ
ット６０、このウェーハ搬送真空ロボット６０を昇降さ
せるねじ軸５６１等を筺体９００の上方に設けた点が第
一の実施の形態の半導体ウェーハ処理装置と異なるが、
他の点は同様である。

【００８８】図９は、本発明の第３の実施の形態の半導
体ウェーハ処理装置を説明するための断面図である。

【００８９】本実施の形態では、６個の反応室７０をウ
ェーハ搬送室５０のウェーハ搬送室壁５３に鉛直方向に
互いに離間して積層し、４個のウェーハ収容室３０をウ
ェーハ搬送室５０のウェーハ搬送室壁５４に鉛直方向に
互いに離間して積層している。このように、反応室７
０、ウェーハ収容室３０の数が増加しているので、ウェ
ーハ搬送室５０の高さも高くなっている。このように多
数の反応室７０やウェーハ収容室３０を筺体９００内に
設けるために、本実施の形態においては、ウェーハ搬送
室５０の凸部５２、ねじ軸５６１、ベロー５６２、ウェ
ーハ搬送真空ロボット支持棒５６３の一部を筺体９００
から突出させている。これらを筺体９００から突出させ
て設けることにより、これらをクリーンルームの床面か
ら下側に突出させることが可能になり、その結果、ウェ
ーハ搬送室５０の高さを高くできて、より多くの反応室
７０を鉛直方向に積層でき、また、より多くのウェーハ
収容室３０も鉛直方向に積層できて、より多くのウェー
ハを少ない専有面積で処理できるようになる。

【００９０】図１０は、本発明の第４の実施の形態の半
導体ウェーハ処理装置を説明するための平面図である。

【００９１】本実施の形態においては、反応室７０（７
０’）と、ウェーハ搬送室５０（５０’）と、ウェーハ
収容室３０（３０’）と、カセット搬送兼ウェーハ搬送
機２０（２０’）と、カセット棚１１（１１’）とをほ
ぼ一直線上に配置した構成の半導体ウェーハ処理装置ユ
ニット２（２’）を平行に配置している。反応室７０
（７０’）と、ウェーハ搬送室５０（５０’）と、ウェ
ーハ収容室３０（３０’）と、カセット搬送兼ウェーハ
搬送機２０（２０’）と、カセット棚１１（１１’）と
をほぼ一直線上に配置しているから、このような構成の
半導体ウェーハ処理装置ユニット２、２’を容易に平行
に配置して、装置全体の専有面積を小さくできる。

【００９２】また、ウェーハ搬送室５０（５０’）を平
面図的には矩形状としている。ウェーハ搬送室５０（５
０’）が矩形状であると、ウェーハ搬送室５０とウェー
ハ搬送室５０’とを接続する距離も短くできて、その接
続部に設けたウェーハ受け渡し室９０にはウェーハ搬送
機を設けなくてもウェーハ搬送室５０と他のウェーハ搬
送室５０’との間でウェーハを容易に移載できる。従っ
て、半導体ウェーハ処理装置１が、その分、簡単な構造
となり、安価に製造できるようになる。このウェーハ受
け渡し室９０は、ウェーハを冷却する冷却室、またはウ
ェーハを予備加熱する予備加熱室としても使用可能であ
る。

【００９３】また、反応室７０と反応室７０’との間の
空間も大きくとれ、半導体ウェーハ処理装置ユニット
２、２’の共有のメンテナンス領域３として使用でき
る。

【００９４】図１１は、本発明の第５の実施の形態の半
導体ウェーハ処理装置を説明するための平面図である。

【００９５】本実施の形態においては、反応室７０と、
ウェーハ搬送室５０と、ウェーハ収容室３０と、カセッ
ト搬送兼ウェーハ搬送機２０と、カセット１１棚とをほ
ぼ一直線上に配置した構成の本発明に係る半導体ウェー
ハ処理装置ユニット６と、上から見て六角形の形状のウ
ェーハ搬送室１５０と、ウェーハ搬送室１５０の側壁に
設けられたカセット室１３１、１３２と、反応室１７
１、１７２と、ウェーハ冷却室１４２とを備えた半導体
ウェーハ処理装置ユニット７とを連結している。

【００９６】このように、ウェーハ搬送室５０は矩形状
をしているので、そのウェーハ搬送室壁５１を介して他
の形態の半導体ウェーハ処理装置ユニットと容易に連結
できる。

【００９７】本実施の形態においても、ウェーハ搬送室
５０とウェーハ搬送室１５０とを接続する距離も短くで
きて、その接続部に設けたウェーハ受け渡し室９０には
ウェーハ搬送機を設けなくてもウェーハ搬送室５０とウ
ェーハ搬送室１５０との間でウェーハを容易に移載でき
る。従って、半導体ウェーハ処理装置全体が、その分、
簡単な構造となり、安価に製造できるようになる。この
ウェーハ受け渡し室９０は、ウェーハを冷却する冷却
室、またはウェーハを予備加熱する予備加熱室としても
使用可能である。

【００９８】図１２は、本発明の第６の実施の形態の半
導体ウェーハ処理装置を説明するための平面図である。

【００９９】本実施の形態では、ウェーハ搬送室５５を
平面的に８角形とし、その７つの各辺に反応室７０をそ
れぞれ多段に積層して設けている。

【０１００】図１３は、本発明の第７の実施の形態の半
導体ウェーハ処理装置を説明するための平面図である。

【０１０１】本実施の形態では、図１２の反応室７０ａ
を取り外したものと、図１２の反応室７０ｂを取り外し
たものとをウェーハ受け渡し室９０により連結してい
る。このウェーハ受け渡し室９０は、ウェーハを冷却す
る冷却室、またはウェーハを予備加熱する予備加熱室と
しても使用可能である。

【０１０２】

【発明の効果】本発明においては、複数の基板処理室を
鉛直方向に積み重ねて設けているから、基板処理室によ
るクリーンルームの専有面積を減少させることができ、
また、基板搬送室の辺数も減少させて基板搬送室を小さ
くしてその専有面積を減少させることができて、基板処
理装置によるクリーンルームの専有面積を減少させるこ
とができる。

【０１０３】また、基板搬送室の辺数を減少させると、
基板搬送室の製作コストも減少させることができ、多方
向のメンテナンス領域も減少させることができる。さら
に、基板搬送室を他の基板搬送室等と接続する距離も短
くできて、その接続部に基板搬送機を設けなくても基板
搬送室と他の基板搬送室等との間で基板を移載できるよ
うになり、基板処理装置が、その分、簡単な構造とな
り、安価に製造できるようになる。

【０１０４】さらに、本発明においては、このように鉛
直方向に積み重ねられた複数の基板処理室を互いに離間
して設けているから、いずれかの基板処理室にメンテナ
ンスが必要となった場合に、メンテナンスが必要な基板
処理室のみを容易に取り外すことができ、その基板処理
室のメンテナンスを行っている際にも他の基板処理室を
稼働させることができ、その結果、装置の稼働効率が大
幅に向上する。

【０１０５】また、複数の基板収容室を前記基板搬送室
の前記一側壁とは異なる他の側壁に鉛直方向に積み重
ね、しかも互いに離間して設けることにより、基板処理
装置によるクリーンルームの専有面積を減少させること
ができ、製作コストも減少させることができ、また、い
ずれかの基板収容室にメンテナンスが必要となった場合
に、メンテナンスが必要な基板収容室のみを容易に取り
外すことができ、その基板収容室のメンテナンスを行っ
ている際にも他の基板収容室を稼働させることができ、
その結果、装置の稼働効率を大幅に向上させることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態の半導体ウェーハ処
理装置を説明するための平面図である。

【図２】図１のＸＸ線断面図である。

【図３】本発明の第１乃至第７の実施の形態において使
用するウェーハ保持具を説明するための概略斜視図であ
る。

【図４】本発明の第１乃至第７の実施の形態において使
用するウェーハ搬送真空ロボットを説明するための概略
斜視図である。

【図５】本発明の第１乃至第７の実施の形態において使
用するカセット搬送兼ウェーハ搬送機を説明するための
概略斜視図である。

【図６】本発明の第１乃至第７の実施の形態において使
用するカセット搬送兼ウェーハ搬送機のピッチ変換機構
を説明するための図であり、図６Ａは側面図、図６Ｂ
は、図６ＡのＹ−Ｙ線より見た背面図である。

【図７】本発明の第１の実施の形態の半導体ウェーハ処
理装置におけるウェーハの搬送操作を説明するための概
略断面図である。

【図８】本発明の第２の実施の形態の半導体ウェーハ処
理装置を説明するための断面図である。

【図９】本発明の第３の実施の形態の半導体ウェーハ処
理装置を説明するための断面図である。

【図１０】本発明の第４の実施の形態の半導体ウェーハ
処理装置を説明するための平面図である。

【図１１】本発明の第５の実施の形態の半導体ウェーハ
処理装置を説明するための平面図である。

【図１２】本発明の第６の実施の形態の半導体ウェーハ
処理装置を説明するための平面図である。

【図１３】本発明の第７の実施の形態の半導体ウェーハ
処理装置を説明するための平面図である。

【図１４】従来の半導体製造装置を説明するための断面
図である。

【符号の説明】

１…半導体ウェーハ処理装置２、２’、６、７…半導体ウェーハ処理装置ユニット３…メンテナンス領域５…ウェーハ１０、１０’…カセット１１…カセット棚１２…カセットステージ１３…カセット投入口２０、２０’…カセット搬送兼ウェーハ搬送機２１…カセット搬送機２２…カセット搬送アーム２３…ウェーハ搬送機２４、２４１〜２４５…ツイーザ２７…カセットホルダー２９、２１０、２１１、２８０、５６１…ねじ軸３０、３０’…ウェーハ収容室４０、４０’…ウェーハ保持具４１、４２…支柱支持板４３、４４…支柱４５…ウェーハ載置用溝５０、５０’、５５、５５’…ウェーハ搬送室５２…凸部５１、５１’、５３、５４…ウェーハ搬送室壁６０、６０’…ウェーハ搬送真空ロボット６１…駆動部収容部６２、６４、６６…回転軸６８…ウェーハ搭載用アーム６９…駆動部７０、７０’、７０ａ、７０ｂ…反応室７５、７５’…ウェーハボート８１、８２、８３、８４…排気配管９０…ウェーハ受け渡し室９１、１９１…フロントドアバルブ９２、９３、９４、９４’、１９２、１９３…ゲートバ
ルブ１００…フロント部２００…大気圧部２２０、５６６…モータ２３２〜２３５、２７０、５６５…ナット２５０、２６０…ブロック３００…ロードロックモジュール５００…トランスファ部５０１…トランスファモジュール５６０…ボールネジ５６２…ベロー５６３…ウェーハ搬送真空ロボット支持棒５６４…昇降台７００…プロセス部７０１…プロセスモジュール９００…筺体９０１…装置正面９０２…装置背面９１０…筺体底面

フロントページの続き (72)発明者綿引真一郎東京都中野区東中野三丁目14番20号国際電気株式会社内 (72)発明者吉田祐治東京都中野区東中野三丁目14番20号国際電気株式会社内 (72)発明者志村日出男東京都中野区東中野三丁目14番20号国際電気株式会社内 (72)発明者杉本毅東京都中野区東中野三丁目14番20号国際電気株式会社内 (72)発明者油谷幸則東京都中野区東中野三丁目14番20号国際電気株式会社内 (72)発明者池田和人東京都中野区東中野三丁目14番20号国際電気株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板搬送室と、前記基板搬送室の一側壁に鉛直方向に積み重ねられ、互
いに離間して設けられた複数の基板処理室と、前記基板搬送室内に設けられた基板搬送機であって、基
板を前記複数の基板処理室に搬送可能な基板搬送機と、を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】前記基板搬送室が、減圧下で基板搬送を行
う基板搬送室であることを特徴とする請求項１記載の基
板処理装置。
【請求項３】前記基板搬送室が減圧可能であり、前記基
板搬送機が減圧下で基板搬送可能であることを特徴とす
る請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】前記複数の基板処理室と前記基板搬送室と
の間に、閉じた場合には前記基板処理室と前記基板搬送
室との間を気密にすることができ、開いた場合には基板
がその内部を通って移動可能な第１のバルブがそれぞれ
設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいず
れかに記載の基板処理装置。
【請求項５】前記複数の基板処理室と前記基板搬送室と
の間に、閉じた場合には前記基板処理室と前記基板搬送
室との間を真空的に気密にすることができ、開いた場合
には基板がその内部を通って移動可能な第１のバルブが
それぞれ設けられていることを特徴とする請求項１乃至
３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】前記基板搬送室の前記一側壁とは異なる他
の側壁に鉛直方向に積み重ねられ、互いに離間して設け
られた複数の基板収容室をさらに有することを特徴とす
る請求項１乃至５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】前記複数の基板収容室と前記基板搬送室と
の間に、閉じた場合には前記基板収容室と前記基板搬送
室との間を気密にすることができ、開いた場合には基板
がその内部を通って移動可能な第２のバルブがそれぞれ
設けられていることを特徴とする請求項１乃至６のいず
れかに記載の基板処理装置。
【請求項８】前記複数の基板収容室と前記基板搬送室と
の間に、閉じた場合には前記基板収容室と前記基板搬送
室との間を真空的に気密にすることができ、開いた場合
には基板がその内部を通って移動可能な第２のバルブが
それぞれ設けられていることを特徴とする請求項１乃至
６のいずれかに記載の基板処理装置。