KR20200026306A - 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 - Google Patents

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가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭
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Abstract

기판의 냉각 공정을 마련한 경우에도 생산성의 저하를 억제하는 것이 가능하게 되는 전자파 처리 기술을 제공한다. 기판을 반송하는 반송실로부터 상기 기판이 반송되어 소정의 처리를 행하는 적어도 2개의 처리실과, 상기 반송실과 공간적으로 연결되고, 상기 적어도 2개의 처리실로부터 등거리이며 상기 반송실의 측벽에 배치되어, 내부의 분위기를 퍼지하는 퍼지 가스를 제1 가스 유량으로 공급하는 제1 가스 공급부와, 상기 퍼지 가스를 배기하는 배기 배관을 갖는 배기부를 구비한 냉각실을 갖는 기술이 제공된다.

Description

기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램
본 발명은, 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램에 관한 것이다.
반도체 장치(반도체 디바이스)의 제조 공정의 일 공정으로서, 예를 들어 가열 장치를 사용해서 처리실 내의 기판을 가열하여, 기판의 표면에 성막된 박막 중의 조성이나 결정 구조를 변화시키거나, 성막된 박막 내의 결정 결함 등을 수복하는 어닐 처리로 대표되는 개질 처리가 있다. 최근의 반도체 디바이스에서는, 미세화, 고집적화가 현저해지고 있으며, 이에 수반하여, 높은 애스펙트비를 갖는 패턴이 형성된 고밀도의 기판에 대한 개질 처리가 요구되고 있다. 이러한 고밀도 기판에의 개질 처리 방법으로서 전자파를 사용한 열처리 방법이 검토되어 있다.
일본 특허 공개 제2015-070045호
종래의 전자파를 사용한 처리에서는, 열처리에 의해 고온으로 가열된 기판을 처리실 내에서 냉각하는 냉각 공정을 마련할 필요가 있기 때문에, 생산성이 저하되어버리는 경우가 있다.
본 발명의 목적은, 기판의 냉각 공정을 마련한 경우에도 생산성의 저하를 억제하는 것이 가능하게 되는 전자파 처리 기술을 제공하는 데 있다.
본 발명의 일 형태에 의하면,
기판을 반송하는 반송실로부터 상기 기판이 반송되어 소정의 처리를 행하는 적어도 2개의 처리실과,
상기 반송실과 공간적으로 연결되고, 상기 적어도 2개의 처리실로부터 등거리이며 상기 반송실의 측벽에 배치되어, 내부의 분위기를 퍼지하는 퍼지 가스를 제1 가스 유량으로 공급하는 제1 가스 공급부와, 상기 퍼지 가스를 배기하는 배기 배관을 갖는 배기부를 구비한 냉각실
을 갖는 기술이 제공된다.
본 발명에 따르면, 기판의 냉각 공정을 마련한 경우에도 생산성의 저하를 억제하는 것이 가능하게 되는 전자파 처리 기술을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 개략 구성을 처리로의 위치에서 나타낸 종단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타낸 횡단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 처리로 부분을 종단면도로 나타낸 개략 구성도이다.
도 4는 본 발명의 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 개략 구성을 냉각실의 위치에서 나타낸 종단면도이다.
도 5의 (A)는 웨이퍼를 냉각실에 반송하는 방법에 대해서 모식적으로 도시한 도면이다. 도 5의 (B)는 냉각이 완료된 웨이퍼를 냉각실로부터 반출하는 방법에 대해서 모식적으로 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시 형태에서 적합하게 사용되는 반송실의 퍼지 가스 순환 구조를 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 컨트롤러의 개략 구성도이다.
도 8은 본 발명에서의 기판 처리의 흐름을 도시하는 도면이다.
도 9의 (A)는 처리실의 게이트 밸브 개방에 의해 반송실내 압력이 저하되었을 때의 각 부의 제어 내용을 도시하는 도면이다. 도 9의 (B)는 처리실의 게이트 밸브 개방에 의해 반송실내 압력이 상승했을 때의 각 부의 제어 내용을 도시하는 도면이다.
<본 발명의 일 실시 형태>
이하에 본 발명의 일 실시 형태를 도면에 기초하여 설명한다.
(1) 기판 처리 장치의 구성
본 실시 형태에서, 본 발명에 관한 기판 처리 장치(100)는, 1매 또는 복수매의 웨이퍼에 각종 열처리를 실시하는 매엽식 열처리 장치로서 구성되어 있으며, 후술하는 전자파를 사용한 어닐 처리(개질 처리)를 행하는 장치로서 설명을 행한다. 본 실시 형태에서의 기판 처리 장치(100)에서는, 기판으로서의 웨이퍼(200)를 내부에 수용한 수납 용기(캐리어)로서 FOUP(Front Opening Unified Pod: 이하, 포드라고 칭함)(110)가 사용된다. 포드(110)는, 웨이퍼(200)를 다양한 기판 처리 장치간에 반송하기 위한 반송 용기로서도 사용된다.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 기판 처리 장치(100)는, 웨이퍼(200)를 반송하는 반송실(반송 에어리어)(203)을 내부에 갖는 반송 하우징(하우징)(202)과, 반송 하우징(202)의 측벽에 마련되고, 웨이퍼(200)를 처리하는 처리실(201-1, 201-2)을 각각 내부에 갖는 후술하는 처리 용기로서의 케이스(102-1, 102-2)를 구비하고 있다. 또한, 처리실(201-1, 201-2)의 사이에는, 후술하는 냉각실(204)을 형성하는 냉각 케이스(냉각 용기, 냉각 하우징)(109)가 마련되어 있다. 반송실(203)의 하우징 전방측인 도 1을 향해서 우측(도 2를 향해서 하측)에는, 포드(110)의 덮개를 개폐하여, 웨이퍼(200)를 반송실(203)에 반송·반출하기 위한, 포드 개폐 기구로서의 로드 포트 유닛(LP)(106)이 배치되어 있다. 로드 포트 유닛(106)은, 하우징(106a)과, 스테이지(106b)와, 오프너(106c)를 구비하고, 스테이지(106b)는, 포드(110)를 적재하여, 반송실(203)의 하우징 전방에 형성된 기판 반입 반출구(134)에 포드(110)를 근접시키도록 구성되고, 오프너(106c)에 의해 포드(110)에 마련되어 있는 도시하지 않은 덮개를 개폐시킨다. 또한, 로드 포트 유닛(106)은, 포드(110) 내부를 N2 가스 등의 퍼지 가스로 퍼지 가능한 기능을 갖고 있어도 된다. 또한, 하우징(202)은, 반송실(203) 내를 N2 등의 퍼지 가스를 순환시키기 위한 후술하는 퍼지 가스 순환 구조를 갖고 있다.
반송실(203)의 하우징(202) 후방측인 도 1을 향해서 좌측(도 2를 향해서 상측)에는, 처리실(201-1, 202-2)을 개폐하는 게이트 밸브(GV)(205-1, 205-2)가 각각 배치되어 있다. 반송실(203)에는, 웨이퍼(200)를 이동 탑재하는 기판 이동 탑재 기구(기판 이동 탑재 로봇)로서의 이동 탑재기(125)가 설치되어 있다. 이동 탑재기(125)는, 웨이퍼(200)를 적재하는 적재부로서의 트위저(암)(125a-1, 125a-2)와, 트위저(125a-1, 125a-2) 각각을 수평 방향으로 회전 또는 직동 가능한 이동 탑재 장치(125b)와, 이동 탑재 장치(125b)를 승강시키는 이동 탑재 장치 엘리베이터(125c)로 구성되어 있다. 트위저(125a-1, 125a-2), 이동 탑재 장치(125b), 이동 탑재 장치 엘리베이터(125c)의 연속 동작에 의해, 후술하는 기판 보유 지지구(217)나 포드(110)에 웨이퍼(200)를 장전(차징) 또는 장착 해제(디스차징)하는 것이 가능한 구성으로 하고 있다. 이후, 케이스(102-1, 102-2), 처리실(201-1, 201-2), 트위저(125a-1 및 125a-2) 각각은, 특별히 구별해서 설명할 필요가 없을 경우에는, 간단히 케이스(102), 처리실(201), 트위저(125a)로서 기재한다.
(처리로)
도 1의 파선으로 둘러싸진 영역 A에는, 도 3에 도시한 바와 같은 기판 처리 구조를 갖는 처리로가 구성된다. 도 2에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에서는 처리로가 복수 마련되어 있지만, 처리로의 구성은 동일하기 때문에, 하나의 구성을 설명하는 것에 그치고, 다른 쪽의 처리로 구성의 설명은 생략한다.
도 3에 도시한 바와 같이, 처리로는, 금속 등의 전자파를 반사하는 재료로 구성되는 캐비티(처리 용기)로서의 케이스(102)를 갖고 있다. 또한, 금속 재료로 구성된 캡 플랜지(폐색판)(104)가, 밀봉 부재(시일 부재)로서의 O링(도시하지 않음)을 통해서 케이스(102)의 상단을 폐색하도록 구성한다. 주로 케이스(102)와 캡 플랜지(104)의 내측 공간을 실리콘 웨이퍼 등의 기판을 처리하는 처리실(201)로서 구성하고 있다. 케이스(102)의 내부에 전자파를 투과시키는 석영제의 도시하지 않은 반응관을 설치해도 되고, 반응관 내부가 처리실이 되도록 처리 용기를 구성해도 된다. 또한, 캡 플랜지(104)를 마련하지 않고, 천장이 폐색된 케이스(102)를 사용해서 처리실(201)을 구성하도록 해도 된다.
처리실(201) 내에는 적재대(210)가 마련되어 있고, 적재대(210)의 상면에는, 기판으로서의 웨이퍼(200)를 보유 지지하는 기판 보유 지지구로서의 보트(217)가 적재되어 있다. 보트(217)에는, 처리 대상인 웨이퍼(200)와, 웨이퍼(200)를 끼워넣도록 웨이퍼(200)의 수직 방향 상하에 적재된 단열판으로서의 석영 플레이트(101a, 101b)가 소정의 간격으로 보유 지지되어 있다. 또한, 석영 플레이트(101a, 101b)와 웨이퍼(200) 각각의 사이에는, 예를 들어 실리콘 플레이트(Si판)나 탄화 실리콘 플레이트(SiC판) 등의 전자파를 흡수해서 자신이 가열되는 유전체 등의 유전 물질로 형성된, 웨이퍼(200)를 간접적으로 가열하는 서셉터(에너지 변환 부재, 복사판, 균열판이라고도 칭함)(103a, 103b)를 적재해도 된다. 이렇게 구성함으로써 서셉터(103a, 103b)로부터의 복사열에 의해 웨이퍼(200)를 보다 효율적으로 균일하게 가열하는 것이 가능하게 된다. 본 실시 형태에서, 석영 플레이트(101a와 101b) 각각, 서셉터(103a와 103b) 각각은 동일한 부품으로 구성되어 있고, 이후, 특별히 구별해서 설명할 필요가 없을 경우에는, 석영 플레이트(101), 서셉터(103)라고 칭해서 설명한다.
처리 용기로서의 케이스(102)는, 예를 들어 횡단면이 원형이며, 평평한 밀폐 용기로서 구성되어 있다. 또한, 하부 용기로서의 반송 용기(202)는, 예를 들어 알루미늄(Al)이나 스테인리스(SUS) 등의 금속 재료, 또는 석영 등에 의해 구성되어 있다. 또한, 케이스(102)에 둘러싸인 공간을 처리 공간으로서의 처리실(201) 또는 반응 에어리어(201)라고 칭하고, 반송 용기(202)에 둘러싸인 공간을 반송 공간으로서의 반송실(203) 또는 반송 에어리어(203)라고 칭하는 경우도 있다. 또한, 처리실(201)과 반송실(203)은, 본 실시 형태와 같이 수평 방향으로 인접시켜서 구성하는 것에 한하지 않고, 수직 방향으로 인접시켜, 소정의 구조를 갖는 기판 보유 지지구를 승강시키는 구성으로 해도 된다.
도 1, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 반송 용기(202)의 측면에는, 게이트 밸브(205)에 인접한 기판 반입 반출구(206)가 마련되어 있어, 웨이퍼(200)는 기판 반입 반출구(206)를 통해서 처리실(201)과 반송실(203)의 사이를 이동한다. 게이트 밸브(205) 또는 기판 반입 반출구(206)의 주변에는, 후술하는 전자파의 누설 대책으로서, 사용되는 전자파의 1/4 파장의 길이를 갖는 초크 구조가 마련되어 있다.
케이스(102)의 측면에는, 후에 상세하게 설명하는 가열 장치로서의 전자파 공급부가 설치되어 있어, 전자파 공급부로부터 공급된 마이크로파 등의 전자파가 처리실(201)에 도입되어서 웨이퍼(200) 등을 가열하여, 웨이퍼(200)를 처리한다.
적재대(210)는 회전축으로서의 샤프트(255)에 의해 지지된다. 샤프트(255)는, 반송 용기(202)의 저부를 관통하고 있고, 나아가 반송 용기(202)의 외부에서 회전 동작을 행하는 구동 기구(267)에 접속되어 있다. 구동 기구(267)를 작동시켜서 샤프트(255) 및 적재대(210)를 회전시킴으로써, 보트(217) 상에 적재되는 웨이퍼(200)를 회전시키는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 샤프트(255) 하단부의 주위는 벨로우즈(212)에 의해 덮여 있어, 처리실(201) 및 반송 에어리어(203) 내는 기밀하게 유지되어 있다.
여기서, 적재대(210)는 기판 반입 반출구(206)의 높이에 따라, 구동 기구(267)에 의해, 웨이퍼(200)의 반송 시에는 웨이퍼(200)가 웨이퍼 반송 위치로 되도록 상승 또는 하강하고, 웨이퍼(200)의 처리 시에는 웨이퍼(200)가 처리실(201) 내의 처리 위치(웨이퍼 처리 위치)까지 상승 또는 하강하도록 구성되어 있어도 된다.
처리실(201)의 하방이며, 적재대(210)의 외주측에는, 처리실(201)의 분위기를 배기하는 배기부가 마련되어 있다. 도 1에 도시한 바와 같이, 배기부에는 배기구(221)가 마련되어 있다. 배기구(221)에는 배기관(231)이 접속되어 있고, 배기관(231)에는, 처리실(201) 내의 압력에 따라서 밸브 개방도를 제어하는 APC 밸브 등의 압력 조정기(244), 진공 펌프(246)가 순서대로 직렬로 접속되어 있다.
여기서, 압력 조정기(244)는, 처리실(201) 내의 압력 정보(후술하는 압력 센서(245)로부터의 피드백 신호)를 수신해서 배기량을 조정할 수 있는 것이라면 APC 밸브에 한하지 않고, 통상의 개폐 밸브와 압력 조정 밸브를 병용하도록 구성되어 있어도 된다.
주로, 배기구(221), 배기관(231), 압력 조정기(244)에 의해 배기부(배기계 또는 배기 라인이라고도 칭함)가 구성된다. 또한, 적재대(210)를 둘러싸도록 배기구를 마련하여, 웨이퍼(200)의 전체 둘레로부터 가스를 배기 가능하게 구성해도 된다. 또한, 배기부의 구성에, 진공 펌프(246)를 추가하도록 해도 된다.
캡 플랜지(104)에는, 불활성 가스, 원료 가스, 반응 가스 등의 각종 기판 처리를 위한 처리 가스를 처리실(201) 내에 공급하기 위한 가스 공급관(232)이 마련되어 있다.
가스 공급관(232)에는, 상류로부터 순서대로, 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(241), 및 개폐 밸브인 밸브(243)가 마련되어 있다. 가스 공급관(232)의 상류측에는, 예를 들어 불활성 가스인 질소(N2) 가스원이 접속되어, MFC(241), 밸브(243)를 통해서 처리실(201) 내에 공급된다. 기판 처리 시에 복수 종류의 가스를 사용하는 경우에는, 가스 공급관(232)의 밸브(243)보다도 하류측에, 상류측부터 순서대로 유량 제어기인 MFC 및 개폐 밸브인 밸브가 마련된 가스 공급관이 접속된 구성을 사용함으로써 복수 종류의 가스를 공급할 수 있다. 가스종마다 MFC, 밸브가 마련된 가스 공급관을 설치해도 된다.
주로, 가스 공급관(232), MFC(241), 밸브(243)에 의해 가스 공급계(가스 공급부)가 구성된다. 가스 공급계에 불활성 가스를 흘리는 경우에는, 불활성 가스 공급계라고도 칭한다. 불활성 가스로서는, N2 가스 외에, 예를 들어 Ar 가스, He 가스, Ne 가스, Xe 가스 등의 희가스를 사용할 수 있다.
캡 플랜지(104)에는, 비접촉식 온도 측정 장치로서 온도 센서(263)가 설치되어 있다. 온도 센서(263)에 의해 검출된 온도 정보에 기초하여 후술하는 마이크로파 발진기(655)의 출력을 조정함으로써, 기판을 가열하여, 기판 온도가 원하는 온도 분포로 된다. 온도 센서(263)는, 예를 들어 IR(Infrared Radiation) 센서 등의 방사 온도계로 구성되어 있다. 온도 센서(263)는, 석영 플레이트(101a)의 표면 온도, 또는 웨이퍼(200)의 표면 온도를 측정하도록 설치된다. 상술한 발열체로서의 서셉터가 설치되어 있는 경우에는 서셉터의 표면 온도를 측정하도록 구성해도 된다. 또한, 본 발명에서 웨이퍼(200)의 온도(웨이퍼 온도)라고 기재한 경우는, 후술하는 온도 변환 데이터에 의해 변환된 웨이퍼 온도, 즉, 추측된 웨이퍼 온도를 의미하는 경우와, 온도 센서(263)에 의해 직접 웨이퍼(200)의 온도를 측정해서 취득한 온도를 의미하는 경우와, 그들 양쪽을 의미하는 경우를 가리키는 것으로서 설명한다.
온도 센서(263)에 의해 석영 플레이트(101) 또는 서셉터(103)와, 웨이퍼(200) 각각에 대하여, 온도 변화의 추이를 미리 취득해 둠으로써 석영 플레이트(101) 또는 서셉터(103)와, 웨이퍼(200)의 온도의 상관 관계를 나타낸 온도 변환 데이터를 기억 장치(121c) 또는 외부 기억 장치(123)에 기억시켜도 된다. 이렇게 미리 온도 변환 데이터를 작성함으로써, 웨이퍼(200)의 온도는, 석영 플레이트(101)의 온도만을 측정함으로써, 웨이퍼(200)의 온도를 추측 가능하게 하고, 추측된 웨이퍼(200)의 온도를 바탕으로, 마이크로파 발진기(655)의 출력, 즉 가열 장치의 제어를 행하는 것이 가능하게 된다.
또한, 기판의 온도를 측정하는 수단으로서, 상술한 방사 온도계에 한하지 않고, 열전쌍을 사용해서 온도 측정을 행해도 되고, 열전쌍과 비접촉식 온도계를 병용해서 온도 측정을 행해도 된다. 단, 열전쌍을 사용해서 온도 측정을 행한 경우, 열전쌍을 웨이퍼(200)의 근방에 배치해서 온도 측정을 행할 필요가 있다. 즉, 처리실(201) 내에 열전쌍을 배치할 필요가 있기 때문에, 후술하는 마이크로파 발진기로부터 공급된 마이크로파에 의해 열전쌍 자체가 가열되어버리므로 정확하게 측온할 수 없다. 따라서, 비접촉식 온도계를 온도 센서(263)로서 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 온도 센서(263)는, 캡 플랜지(104)에 마련하는 것에 한하지 않고, 적재대(210)에 마련하도록 해도 된다. 또한, 온도 센서(263)는, 캡 플랜지(104)나 적재대(210)에 직접 설치할 뿐만 아니라, 캡 플랜지(104)나 적재대(210)에 마련된 측정 창으로부터의 방사 광을 거울 등으로 반사시켜서 간접적으로 측정하도록 구성되어도 된다. 또한, 온도 센서(263)는 1개 설치하는 것에 한하지 않고, 복수 설치하도록 해도 된다.
케이스(102)의 측벽에는 전자파 도입 포트(653-1, 653-2)가 설치되어 있다. 전자파 도입 포트(653-1, 653-2) 각각에는 처리실(201) 내에 전자파(마이크로파)를 공급하기 위한 도파관(654-1, 654-2) 각각의 일단이 접속되어 있다. 도파관(654-1, 654-2) 각각의 타단에는 처리실(201) 내에 전자파를 공급해서 가열하는 가열원으로서의 마이크로파 발진기(전자파원)(655-1, 655-2)가 접속되어 있다. 마이크로파 발진기(655-1, 655-2)는 마이크로파 등의 전자파를 도파관(654-1, 654-2)에 각각 공급한다. 또한, 마이크로파 발진기(655-1, 655-2)는, 마그네트론이나 클라이스트론 등이 사용된다. 이후, 전자파 도입 포트(653-1, 653-2), 도파관(654-1, 654-2), 마이크로파 발진기(655-1, 655-2)는, 특별히 각각을 구별해서 설명할 필요가 없을 경우에는, 전자파 도입 포트(653), 도파관(654), 마이크로파 발진기(655)라고 기재해서 설명한다.
마이크로파 발진기(655)에 의해 발생하는 전자파의 주파수는, 바람직하게는 13.56MHz 이상 24.125GHz 이하의 주파수 범위가 되도록 제어된다. 더욱 적합하게는, 2.45GHz 또는 5.8GHz의 주파수가 되도록 제어되는 것이 바람직하다. 여기서, 마이크로파 발진기(655-1, 655-2) 각각의 주파수는 동일한 주파수로 해도 되고, 상이한 주파수로 설치되어도 된다.
또한, 본 실시 형태에서, 마이크로파 발진기(655)는, 케이스(102)의 측면에 2개 배치되도록 기재되어 있지만, 이에 한하지 않고, 1개 이상 마련되어 있으면 되며, 또한, 케이스(102)의 대향하는 측면 등의 서로 다른 측면에 마련되도록 배치해도 된다. 주로, 마이크로파 발진기(655-1, 655-2), 도파관(654-1, 654-2) 및 전자파 도입 포트(653-1, 653-2)에 의해 가열 장치로서의 전자파 공급부(전자파 공급 장치, 마이크로파 공급부, 마이크로파 공급 장치라고도 칭함)가 구성된다.
마이크로파 발진기(655-1, 655-2) 각각에는 후술하는 컨트롤러(121)가 접속되어 있다. 컨트롤러(121)에는 처리실(201) 내에 수용되는 석영 플레이트(101a 또는 101b), 혹은 웨이퍼(200)의 온도를 측정하는 온도 센서(263)가 접속되어 있다. 온도 센서(263)는, 상술한 방법에 의해 석영 플레이트(101) 또는 웨이퍼(200)의 온도를 측정해서 컨트롤러(121)에 송신하고, 컨트롤러(121)에 의해 마이크로파 발진기(655-1, 655-2)의 출력을 제어하여, 웨이퍼(200)의 가열을 제어한다. 또한, 가열 장치에 의한 가열 제어의 방법으로서는, 마이크로파 발진기(655)에 입력하는 전압을 제어함으로써 웨이퍼(200)의 가열을 제어하는 방법과, 마이크로파 발진기(655)의 전원을 ON으로 하는 시간과 OFF로 하는 시간의 비율을 변경함으로써 웨이퍼(200)의 가열을 제어하는 방법 등을 사용할 수 있다.
여기서, 마이크로파 발진기(655-1, 655-2)는, 컨트롤러(121)로부터 송신되는 동일한 제어 신호에 의해 제어된다. 그러나, 이에 한하지 않고, 마이크로파 발진기(655-1, 655-2) 각각에 컨트롤러(121)로부터 개별의 제어 신호를 송신함으로써 마이크로파 발진기(655-1, 655-2)가 개별적으로 제어되도록 구성해도 된다.
(냉각실)
도 2 및 도 4에 도시한 바와 같이, 반송실(203)의 측방이며, 처리실(201-1, 201-2)의 사이에 처리실(201-1, 201-2)로부터 대략 등거리가 되는 위치, 구체적으로는, 처리실(201-1, 201-2)의 기판 반입 반출구(206)로부터의 반송 거리가 대략 동일 거리로 되도록, 소정의 기판 처리를 실시한 웨이퍼(200)를 냉각하는 냉각 영역으로서의 냉각실(냉각 에어리어, 냉각부라고도 칭함)(204)이 냉각 케이스(109)에 의해 형성되어 있다. 냉각실(204)의 내부에는, 기판 보유 지지구로서의 보트(217)와 마찬가지의 구조를 갖는 웨이퍼 냉각용 적재 도구(쿨링 스테이지라고도 칭함, 이하, CS라고 기재함)(108)가 마련되어 있다. CS(108)는, 후술하는 도 5에 도시한 바와 같이, 복수의 웨이퍼 보유 지지 홈(107a 내지 107d)에 의해 복수매의 웨이퍼(200)를 수직 다단으로 수평 보유 지지하는 것이 가능하게 구성되어 있다. 또한, 냉각 케이스(109)에는, 가스 공급 배관(냉각실용 가스 공급 배관)(404)을 통해서 냉각실(204) 내의 분위기를 퍼지하는 퍼지 가스(냉각실용 퍼지 가스)로서의 불활성 가스를 미리 정해진 제1 가스 유량으로 공급하는, 냉각실용 퍼지 가스 공급부로서의 가스 공급 노즐(냉각실용 가스 공급 노즐)(401)이 설치된다. 가스 공급 노즐(401)은, 노즐 단부가 개구된 개구 노즐이어도 되고, 바람직하게는 CS(108)측에 면하는 노즐 측벽에 복수의 가스 공급구가 마련된 다공 노즐을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 가스 공급 노즐(401)은 복수 마련되어 있어도 된다. 또한, 가스 공급 노즐(401)로부터 공급되는 퍼지 가스는, CS(108)에 적재되는 처리 후의 웨이퍼(200)를 냉각하는 냉각 가스로서 사용해도 된다.
또한, 냉각실(204)에는, 냉각실용 퍼지 가스를 배기하기 위한 배기구(405)와, 가스 배기량을 조절하기 위한 냉각실용 배기 밸브로서의 개폐 밸브(또는 APC 밸브)(406), 냉각실용 배기 배관으로서의 배기 배관(407)이 마련되어 있다. 개폐 밸브(406)의 후단의 배기 배관(407)에는, 냉각실(204) 내의 분위기를 적극적으로 배기하기 위한 도시하지 않은 냉각실용 진공 펌프를 마련하도록 해도 된다. 배기 배관(407)은, 후술하는 반송실(203) 내의 분위기를 순환시키기 위한 퍼지 가스 순환 구조에 접속되어 순환하도록 해도 된다. 그 경우 배기 배관(407)은, 후술하는 도 6에 도시하는 순환로(168A)에 접속되는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는, 순환로(168A)의 하류이며, 클린 유닛(166)의 직전이 되는 상류 위치에 접속(합류)되는 것이 바람직하다.
또한, 냉각 케이스(109)에는 냉각실(204) 내의 압력을 검지하는 냉각실용 압력 센서(냉각실용 압력계)(408)가 마련되어 있고, 반송실용 압력 센서(반송실용 압력계)(180)에 의해 검지된 반송실 내의 압력과 냉각실(204) 내의 차압을 일정하게 하도록, 후술하는 컨트롤러(121)에 의해, 냉각실용 MFC로서의 MFC(403), 냉각실용 밸브로서의 밸브(402)가 제어되어 퍼지 가스의 공급 또는 공급 정지가 실시되고, 또한, 개폐 밸브(405)와 냉각실용 진공 펌프가 제어되어 퍼지 가스의 배기 또는 배기 정지가 제어된다. 이러한 제어에 의해, 냉각실(204) 내의 압력 제어 및 CS(108)에 적재된 웨이퍼(200)의 온도 제어가 행하여진다. 또한, 주로 가스 공급 노즐(401), 밸브(402), MFC(403), 가스 공급 배관(404)에 의해 냉각실용 가스 공급계(제1 가스 공급부)가 구성되고, 또한, 주로 배기구(405), 개폐 밸브(406), 배기 배관(407)에 의해 냉각실용 가스 배기계(냉각실용 가스 배기부)가 구성된다. 냉각실용 가스 배기계에는 냉각실용 진공 펌프를 포함하도록 해도 된다. 또한, 냉각실(204) 내에는, CS(108)에 적재된 웨이퍼(200)의 온도를 측정하기 위한 도시하지 않은 온도 센서를 마련하고 있어도 된다. 여기서, 웨이퍼 보유 지지 홈(107a 내지 107d) 각각은, 특별히 구별해서 설명할 필요가 없을 경우에는, 간단히 웨이퍼 보유 지지 홈(107)으로서 기재한다.
(퍼지 가스 순환 구조)
이어서, 본 실시 형태의 반송실(203)에 마련되어 있는 반송실(203) 내의 퍼지 가스 순환 구조에 대해서 도 1, 도 6을 사용해서 설명한다. 도 6에 도시하는 바와 같이, 반송실(203)은, 반송실(203)의 주위에 형성된 덕트 내에 퍼지 가스로서의 불활성 가스 또는 공기(프레시 에어)를 미리 정해진 제2 가스 유량으로 공급하는 퍼지 가스 공급 기구(제2 가스 공급부)(162)와, 반송실(203) 내의 압력 제어를 행하는 압력 제어 기구(150)를 구비한다. 퍼지 가스 공급 기구(162)는, 주로 반송실(203) 내의 산소 농도를 검출하는 검출기(160)에 의한 검출값에 따라서 덕트 내에 퍼지 가스를 공급하도록 구성되어 있다. 검출기(160)는, 티끌이나 불순물을 제거하고, 반송실(203) 내에 퍼지 가스를 공급하는 가스 공급 기구로서의 클린 유닛(166)의 상방(상류측)에 설치되어 있다. 클린 유닛(166)은, 티끌이나 불순물을 제거하기 위한 필터와 퍼지 가스를 송풍하기 위한 송풍기(팬)로 구성되어 있다. 퍼지 가스 공급 기구(162)와 압력 제어 기구(150)에 의해, 반송실(203) 내의 산소 농도를 제어하는 것이 가능하게 된다. 여기서, 검출기(160)는, 산소 농도 외에도 수분 농도도 검출 가능하도록 구성되어 있어도 된다.
압력 제어 기구(150)는, 반송실(203) 내를 소정의 압력으로 유지하도록 구성된 조정 댐퍼(154)와, 배기로(152)를 완전 개방 또는 완전 폐쇄로 하도록 구성된 배기 댐퍼(156)에 의해 구성된다. 조정 댐퍼(154)는, 반송실(203) 내의 압력이 소정의 압력보다 높아지면 개방되도록 구성된 오토 댐퍼(배압 밸브)(151)와, 오토 댐퍼(151)의 개폐를 제어하도록 구성된 프레스 댐퍼(153)에 의해 구성된다. 이렇게 조정 댐퍼(154) 및 배기 댐퍼(156)의 개폐를 제어함으로써, 반송실(203) 내를 임의의 압력으로 제어하는 것이 가능하도록 구성되어 있다.
도 6에 도시하는 바와 같이, 반송실(203)의 천장부에는, 클린 유닛(166)이 좌우에 1개씩 배치된다. 이동 탑재기(125)의 주변에는, 퍼지 가스의 흐름을 정리하는 정류판인 다공판(174)이 설치된다. 다공판(174)은 복수의 구멍을 갖고, 예를 들어 펀칭 패널로 형성된다. 다공판(174)을 마련함으로써, 반송실(203) 내의 공간이 상부 공간인 제1 공간(170)과 하부 공간인 제2 공간(176)으로 구획된다. 즉, 천장부와 다공판(174)의 사이의 공간에 웨이퍼 반송 영역인 제1 공간(170)이 형성되고, 또한, 다공판(174)과 반송실(203)의 바닥면의 사이의 공간에 가스 배기 영역인 제2 공간(176)이 형성된다.
반송실(203)의 하방인 제2 공간(176)의 하부에는, 반송실(203) 내를 흐른 퍼지 가스를 순환 및 배기하는 흡출부(164)가 이동 탑재기(125)를 사이에 두고 좌우에 각각 1개씩 배치되어 있다. 또한, 하우징(202)의 벽면 내, 즉, 하우징(202)의 외벽면과 내벽면의 사이에는, 좌우 한 쌍의 흡출부(164)와 좌우 한 쌍의 필터 유닛(166)을 각각 연결하는 순환 경로 및 배기 경로로서의 경로(168)가 형성되어 있다. 경로(168)에는, 유체를 냉각하는 도시하지 않은 냉각 기구(라디에이터)를 설치함으로써, 순환 퍼지 가스의 온도 제어가 가능하게 된다.
경로(168)는, 순환 경로인 순환로(168A)와 배기로(168B)의 2개의 경로로 분기된다. 순환로(168A)는, 클린 유닛(166)의 상류측에 접속되어, 반송실(203) 내에 퍼지 가스를 다시 공급하는 유로이다. 배기로(168B)는, 압력 제어 기구(150)에 접속되어, 퍼지 가스를 배기하는 유로이며, 하우징(202)의 좌우에 마련된 배기로(168B)는 하류측에서 1개의 외부 배기 경로(152)에 합류된다.
이어서, 반송실(203) 내의 가스의 흐름에 대해서 설명한다. 도 6에 도시하는 화살표는, 퍼지 가스 공급 기구(162)로부터 공급된 퍼지 가스의 흐름을 모식적으로 도시한 것이다. 예를 들어 퍼지 가스로서의 N2 가스(불활성 가스)를 반송실(203) 내에 도입할 경우, N2 가스는 클린 유닛(166)을 통해서, 반송실(203)의 천장부로부터 반송실(203) 내에 공급되어, 반송실(203) 내에 다운 플로우(111)를 형성한다. 반송실(203) 내에는, 다공판(174)이 마련되어, 반송실(203) 내의 공간을, 주로 웨이퍼(200)가 반송되는 영역인 제1 공간(170)과, 파티클이 침강하기 쉬운 제2 공간(176)으로 구획함으로써, 제1 공간(170)과 제2 공간(176)의 사이에 차압을 형성하는 구조를 갖고 있다. 이때, 제1 공간(170)의 압력은 제2 공간(176)의 압력보다도 높게 되어 있다. 이와 같은 구성에 의해, 트위저(125a) 하방의 이동 탑재기 엘리베이터(125c) 등의 구동부로부터 발생하는 파티클이 웨이퍼 반송 영역 내에 비산하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 반송실(203)의 바닥면의 파티클이 제1 공간(170)으로 말려 올라가는 것을 억제할 수 있다.
다운 플로우(111)에 의해 제2 공간(176)에 공급된 N2 가스는, 흡출부(164)에 의해 반송실(203)로부터 흡출된다. 반송실(203)로부터 흡출된 N2 가스는, 흡출부(164)의 하류에서 순환로(168A)와 배기로(168B)의 2개의 유로로 나뉜다. 순환로(168A)에 도입된 N2 가스는, 하우징(202)의 상방으로 흘러, 클린 유닛(166)을 통해서 반송실(203) 내에 순환된다. 또한, 배기로(168B)에 도입된 N2 가스는, 하우징(202)의 하방으로 흘러, 외부 배기 경로(152)로부터 외부로 배기되게 된다. 여기서, 순환로(168)의 컨덕턴스가 작은 경우, 좌우의 흡출부(164)에 N2 가스의 순환을 촉진시키는 송풍기로서의 팬(178)을 설치해도 된다. 팬(178)을 설치함으로써, N2 가스의 흐름을 좋게 할 수 있어, 순환 에어 플로우를 형성하기 쉬워진다. 이와 같이, 좌우 2개의 계통으로 나뉘어져 순환 및 배기를 행함으로써, 반송실(203) 내에서 균일한 에어 플로우를 형성할 수 있다.
여기서, 반송실(203) 내에 N2 가스를 순환시킬지 여부는, 조정 댐퍼(154)와, 배기 댐퍼(156)의 개폐를 제어함으로써 가능하게 해도 된다. 즉, 반송실(203) 내에 N2 가스를 순환시킬 때는, 오토 댐퍼(151) 및 프레스 댐퍼(153)를 개방으로 하고, 배기 댐퍼(156)를 폐쇄로 함으로써 반송실(203) 내의 순환 에어 플로우를 형성하기 쉽게 하도록 구성해도 된다. 이 경우, 배기로(168B)에 도입된 N2 가스는, 배기로(168B) 내에 체류시켜도 되고, 순환로(168A)에 흐르도록 구성해도 된다.
여기서, 포드(110) 내의 압력, 반송실(203) 내의 압력, 처리실(201) 내의 압력 및 냉각실(204) 내의 압력은, 모두 대기압 또는 대기압보다도 10Pa 이상 내지 200Pa 이하(게이지압) 정도의 높은 압력으로 컨트롤러(121)에 의해 각 부가 제어된다. 또한, 후술하는 로내 압력·온도 조정 공정 S803, 불활성 가스 공급 공정 S804, 개질공정 S805 각각에서는, 반송실(203) 내의 압력이 처리실(201) 및 냉각실(204)의 압력보다도 더 높고, 또한, 처리실(201) 내의 압력이 포드(110) 내의 압력보다도 더 높아지도록 제어하는 것이 바람직하고, 기판 반입 공정 S802, 기판 반출 공정 S806, 기판 냉각 공정 S807 각각에서는, 반송실(203) 내의 압력이 처리실(201) 내의 압력보다도 낮고, 또한, 냉각실(204) 내의 압력보다도 높아지도록 제어되는 것이 바람직하다.
(제어 장치)
도 7에 도시하는 바와 같이, 제어부(제어 장치, 제어 수단)인 컨트롤러(121)는, CPU(Central Processing Unit)(121a), RAM(Random Access Memory)(121b), 기억 장치(121c), I/O 포트(121d)를 구비한 컴퓨터로서 구성되어 있다. RAM(121b), 기억 장치(121c), I/O 포트(121d)는, 내부 버스(121e)를 통해서, CPU(121a)와 데이터 교환 가능하게 구성되어 있다. 컨트롤러(121)에는, 예를 들어 터치 패널 등으로서 구성된 입출력 장치(122)가 접속되어 있다.
기억 장치(121c)는, 예를 들어 플래시 메모리, HDD(Hard Disk Drive) 등으로 구성되어 있다. 기억 장치(121c) 내에는, 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어 프로그램이나, 어닐(개질) 처리의 수순이나 조건 등이 기재된 프로세스 레시피 등이, 판독 가능하게 저장되어 있다. 프로세스 레시피는, 후술하는 기판 처리 공정에서의 각 수순을 컨트롤러(121)에 실행시켜, 소정의 결과를 얻을 수 있게 조합된 것이며, 프로그램으로서 기능한다. 이하, 이 프로세스 레시피나 제어 프로그램 등을 총칭하여, 간단히 프로그램이라고도 한다. 또한, 프로세스 레시피를, 간단히 레시피라고도 한다. 본 명세서에서 프로그램이라는 말을 사용한 경우는, 레시피 단체만을 포함하는 경우, 제어 프로그램 단체만을 포함하는 경우, 또는 그들 양쪽을 포함하는 경우가 있다. RAM(121b)은, CPU(121a)에 의해 판독된 프로그램이나 데이터 등이 일시적으로 보유되는 메모리 영역(워크 에어리어)으로서 구성되어 있다.
I/O 포트(121d)는, 상술한 MFC(241), 밸브(243), 압력 센서(245), APC 밸브(244), 진공 펌프(246), 온도 센서(263), 구동 기구(267), 마이크로파 발진기(655) 등에 접속되어 있다.
CPU(121a)는, 기억 장치(121c)로부터 제어 프로그램을 판독해서 실행함과 함께, 입출력 장치(122)로부터의 조작 커맨드의 입력 등에 따라서 기억 장치(121c)로부터 레시피를 판독하도록 구성되어 있다. CPU(121a)는, 판독한 레시피의 내용을 따르도록, MFC(241)에 의한 각종 가스의 유량 조정 동작, 밸브(243)의 개폐 동작, 압력 센서(245)에 기초하는 APC 밸브(244)에 의한 압력 조정 동작, 진공 펌프(246)의 기동 및 정지, 온도 센서(263)에 기초하는 마이크로파 발진기(655)의 출력 조정동작, 구동 기구(267)에 의한 적재대(210)(또는 보트(217))의 회전 및 회전 속도 조절 동작, 또는 승강 동작 등을 제어하도록 구성되어 있다.
컨트롤러(121)는, 외부 기억 장치(예를 들어, 하드 디스크 등의 자기 디스크, CD 등의 광 디스크, MO 등의 광자기 디스크, USB 메모리 등의 반도체 메모리)(123)에 저장된 상술한 프로그램을, 컴퓨터에 인스톨함으로써 구성할 수 있다. 기억 장치(121c)나 외부 기억 장치(123)는, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서 구성되어 있다. 이하, 이들을 총칭하고, 간단히 기록 매체라고도 한다. 본 명세서에서 기록 매체라는 말을 사용한 경우는, 기억 장치(121c) 단체만을 포함하는 경우, 외부 기억 장치(123) 단체만을 포함하는 경우, 또는 그들 양쪽을 포함하는 경우가 있다. 또한, 컴퓨터에의 프로그램의 제공은, 외부 기억 장치(123)를 사용하지 않고, 인터넷이나 전용 회선 등의 통신 수단을 사용해서 행해도 된다.
(2) 기판 처리 공정
이어서, 상술한 기판 처리 장치(100)의 처리로를 사용하여, 반도체 장치(디바이스)의 제조 공정의 일 공정으로서, 예를 들어 기판 상에 형성된 실리콘 함유막으로서의 아몰퍼스 실리콘막의 개질(결정화) 방법의 일례에 대해서 도 8에 도시한 처리 흐름을 따라 설명한다. 이하의 설명에서, 기판 처리 장치(100)를 구성하는 각 부의 동작은 컨트롤러(121)에 의해 제어된다. 또한, 상술한 처리로 구조와 마찬가지로 본 실시 형태에서의 기판 처리 공정에서도, 처리 내용, 즉 레시피에 대해서는 복수 마련된 처리로에 있어서 동일 레시피를 사용하기 때문에, 한쪽의 처리로를 사용한 기판 처리 공정에 대해서 설명하는 것에 그치고, 다른 쪽의 처리로를 사용한 기판 처리 공정의 설명은 생략한다.
여기서, 본 명세서에서 「웨이퍼」라는 말을 사용한 경우는, 웨이퍼 그 자체를 의미하는 경우나, 웨이퍼와 그 표면에 형성된 소정의 층이나 막의 적층체를 의미하는 경우가 있다. 본 명세서에서 「웨이퍼의 표면」이라는 말을 사용한 경우는, 웨이퍼 그 자체의 표면을 의미하는 경우나, 웨이퍼 상에 형성된 소정의 층 등의 표면을 의미하는 경우가 있다. 본 명세서에서 「웨이퍼 상에 소정의 층을 형성한다」라고 기재한 경우는, 웨이퍼 그 자체의 표면 상에 소정의 층을 직접 형성하는 것을 의미하는 경우나, 웨이퍼 상에 형성되어 있는 층 등의 위에 소정의 층을 형성하는 것을 의미하는 경우가 있다. 본 명세서에서 「기판」이라는 말을 사용한 경우도, 「웨이퍼」라는 말을 사용한 경우와 동의이다.
(기판 취출 공정(S801))
도 1에 도시되는 바와 같이, 이동 탑재기(125)는 로드 포트 유닛(106)에 의해 개구된 포드(110)로부터 처리 대상이 되는 웨이퍼(200)를 소정 매수 취출하여, 트위저(125a-1, 125a-2)의 어느 한쪽 또는 양쪽에 웨이퍼(200)를 적재한다.
(기판 반입 공정(S802))
도 3에 도시된 바와 같이, 트위저(125a-1, 125a-2)의 어느 한쪽, 또는 양쪽에 적재된 웨이퍼(200)는 게이트 밸브(205)의 개폐 동작에 의해 소정의 처리실(201)에 반입(보트 로딩)된다(S802).
(로내 압력·온도 조정 공정(S803))
처리실(201) 내의 보트(217)의 반입이 완료되면, 처리실(201) 내가 소정의 압력(예를 들어 10 내지 102000Pa)이 되도록 처리실(201) 내의 분위기를 제어한다. 구체적으로는, 진공 펌프(246)에 의해 배기하면서, 압력 센서(245)에 의해 검출된 압력 정보에 기초하여 압력 조정기(244)의 밸브 개방도를 피드백 제어하여, 처리실(201) 내를 소정의 압력으로 한다. 또한, 동시에 예비 가열로서 전자파 공급부를 제어하여, 소정의 온도까지 가열을 행하도록 제어해도 된다(S803). 전자파 공급부에 의해, 소정의 기판 처리 온도까지 승온시킬 경우, 웨이퍼(200)가 변형·파손되지 않도록, 후술하는 개질 공정의 출력보다도 작은 출력으로 승온을 행하는 것이 바람직하다. 또한, 대기압 하에서 기판 처리를 행하는 경우, 로내 압력 조정을 행하지 않고, 로내의 온도 조정만을 행한 후, 후술하는 불활성 가스 공급 공정 S804로 이행하도록 제어해도 된다.
(불활성 가스 공급 공정(S804))
로내 압력·온도 조정 공정 S803에 의해 처리실(201) 내의 압력과 온도를 소정의 값으로 제어하면, 구동 기구(267)는, 샤프트(255)를 회전시켜, 적재대(210) 상의 보트(217)를 통해서 웨이퍼(200)를 회전시킨다. 이때, 질소 가스 등의 불활성 가스가 가스 공급관(232)을 통해서 공급된다(S804). 또한 이때, 처리실(201) 내의 압력은 10Pa 이상 102000Pa 이하의 범위가 되는 소정의 값이며, 예를 들어 101300Pa 이상 101650Pa 이하가 되도록 조정된다. 또한, 샤프트는 기판 반입 공정 S402 시, 즉, 웨이퍼(200)를 처리실(201) 내에 반입 완료 후에 회전시켜도 된다.
(개질 공정(S805))
처리실(201) 내를 소정의 압력이 되도록 유지하면, 마이크로파 발진기(655)는 상술한 각 부를 통해서 처리실(201) 내에 마이크로파를 공급한다. 처리실(201) 내에 마이크로파가 공급됨으로써, 웨이퍼(200)가 100℃ 이상, 1000℃ 이하의 온도, 적합하게는 400℃ 이상, 900℃ 이하의 온도가 되도록 가열하고, 더욱 적합하게는, 500℃ 이상, 700℃ 이하의 온도가 되도록 가열한다. 이러한 온도에서 기판 처리함으로써, 웨이퍼(200)가 효율적으로 마이크로파를 흡수하는 온도 하에서의 기판 처리가 되어, 개질 처리의 속도 향상이 가능하게 된다. 환언하면, 웨이퍼(200)의 온도를 100℃보다도 낮은 온도, 또는 1000℃보다도 높은 온도 하에서 처리해버리면, 웨이퍼(200)의 표면이 변질되어버려, 마이크로파를 흡수하기 어려워져버리기 때문에 웨이퍼(200)를 가열하기 어려워져버리게 된다. 이 때문에, 상술한 온도대에서 기판 처리를 행할 것이 요망된다.
마이크로파에 의한 가열 방식으로 가열을 행하는 본 실시 형태에서는, 처리실(201)에 정재파가 발생하여, 웨이퍼(200)(서셉터(103)가 적재되어 있을 경우는 서셉터(103)도 웨이퍼(200)와 마찬가지로) 상에, 국소적으로 가열되어버리는 가열 집중 영역(핫스폿)과 그 이외의 가열되지 않는 영역(비가열 영역)이 발생하여, 웨이퍼(200)(서셉터(103)가 적재되어 있을 경우는 서셉터(103)도 웨이퍼(200)와 마찬가지로)가 변형되는 것을 억제하기 위해서, 전자파 공급부의 전원의 ON/OFF를 제어함으로써 웨이퍼(200)에 핫스폿이 발생하는 것을 억제하고 있다. 이때, 전자파 공급부의 공급 전력을 저출력으로 함으로써, 핫스폿의 영향이 작아지도록 제어함으로써, 웨이퍼(200)의 변형을 억제하는 것도 가능하다. 단 이 경우, 웨이퍼(200)나 서셉터(103)에 조사되는 에너지가 작아지기 때문에, 승온 온도도 작아져, 가열 시간을 길게 할 필요가 있다.
여기서, 상술한 바와 같이 온도 센서(263)는 비접촉식 온도 센서이며, 측정 대상인 웨이퍼(200)(서셉터(103)가 적재되어 있을 경우는 서셉터(103)도 웨이퍼(200)와 마찬가지로)에 변형이나 파손이 발생하면, 온도 센서가 모니터하는 웨이퍼(200)의 위치나, 웨이퍼(200)에 대한 측정 각도가 변화하기 때문에, 측정값(모니터 값)이 부정확하게 되어, 측정 온도가 급격하게 변화해버리게 된다. 본 실시 형태에서는, 이러한 측정 대상의 변형이나 파손에 수반하여 방사 온도계의 측정 온도가 급격하게 변화하는 것을 전자파 공급부의 ON/OFF를 행하는 트리거로서 이용하고 있다.
이상과 같이 마이크로파 발진기(655)를 제어함으로써, 웨이퍼(200)를 가열하여, 웨이퍼(200) 표면 상에 형성되어 있는 아몰퍼스 실리콘막을 폴리실리콘막으로 개질(결정화)시킨다(S805). 즉, 웨이퍼(200)를 균일하게 개질하는 것이 가능하게 된다. 또한, 웨이퍼(200)의 측정 온도가 상술한 역치를 초과해서 높거나 또는 낮아진 경우, 마이크로파 발진기(655)를 OFF로 하는 것은 아니고, 마이크로파 발진기(655)의 출력을 낮게 하도록 제어함으로써 웨이퍼(200)의 온도가 소정의 범위의 온도로 되도록 해도 된다. 이 경우, 웨이퍼(200)의 온도가 소정의 범위의 온도로 돌아가면 마이크로파 발진기(655)의 출력을 높게 하도록 제어된다.
미리 설정된 처리 시간이 경과하면, 보트(217)의 회전, 가스의 공급, 마이크로파의 공급 및 배기관의 배기가 정지된다.
(기판 반출 공정(S806))
처리실(201) 내의 압력을 대기압으로 복귀시킨 후, 게이트 밸브(205)를 개방하여 처리실(201)과 반송실(203)을 공간적으로 연통시킨다. 그 후, 보트에 적재되어 있는 웨이퍼(200)를 이동 탑재기(125)의 트위저(125a)에 의해, 반송실(203)에 반출한다(S806).
(기판 냉각 공정(S807))
트위저(125a)에 의해 반출된 웨이퍼(200)는, 이동 탑재 장치(125b), 이동 탑재 장치 엘리베이터(125c)의 연속 동작에 의해, 냉각실(204)까지 이동되어, 트위저(125a)에 의해 CS(108)에 적재된다. 구체적으로는, 도 5의 (A)에 도시하는 바와 같이, 트위저(125a-1)에 보유 지지된 개질 처리 S805 후의 웨이퍼(200a)가, CS(108)에 마련된 웨이퍼 보유 지지 홈(107b)에 이송되어, 소정 시간 적재됨으로써 웨이퍼(200a)가 냉각된다(S807). 이때, 도 5의 (B)에 도시하는 바와 같이 이미 선행해서 CS(108)에 냉각되어 있던 냉각 완료 웨이퍼(200b)가 적재되어 있을 경우에는, 개질 처리 S805 완료 후의 웨이퍼(200a)를 웨이퍼 보유 지지 홈(107b)에 적재한 후의 트위저(125a-1), 또는 다른 비어 있는 트위저(예를 들어 트위저(125a-2))가 냉각 완료 웨이퍼(200b)를 로드 포트, 즉 포드(110)에 반송한다.
(기판 수용 공정(S808))
기판 냉각 공정 S807에 의해 냉각된 웨이퍼(200)는, 트위저(125a)에 의해 CS(108)로부터 반출되어, 소정의 포드(110)에 반송된다(S808).
이상의 동작이 반복됨으로써, 웨이퍼(200)가 개질 처리되어, 다음의 기판 처리 공정으로 이행하게 된다. 또한, 웨이퍼(200)를 보트(217)에 2매 적재시킴으로써 기판 처리를 행하도록 구성해서 설명했지만, 이에 한하지 않고, 처리실(201-1, 201-2) 각각에 설치되어 있는 보트(217)에 1매씩 적재시켜서 동일한 처리를 행하도록 해도 되고, 스와프 처리를 행함으로써, 웨이퍼(200)를 2매씩, 처리실(201-1, 201-2)에서 처리하도록 해도 된다. 이때, 처리실(201-1, 201-2) 각각에서 행하여지는 기판 처리의 횟수가 일치하도록 웨이퍼(200)의 반송처를 제어해도 된다. 이렇게 제어함으로써 각 처리실(201-1, 201-2)에서의 기판 처리의 실시 횟수가 일정해져, 메인터넌스 등의 보수 작업을 효율적으로 행하는 것이 가능하게 된다. 예를 들어, 전회 웨이퍼(200)를 반송한 처리실이 처리실(201-1)인 경우, 다음 웨이퍼(200)의 반송처는 처리실(201-2)로 하도록 제어함으로써 각 처리실(201-1, 201-2)에서의 기판 처리의 실시 횟수를 제어할 수 있다.
또한, 트위저(125a-1과 125a-2)는 각각, 기판 처리에 의해 고온이 된 웨이퍼(200)를 반송하기 위한 고온용 트위저와, 고온 이외의 온도의 웨이퍼(200)를 반송하기 위한 저온용 트위저가 되도록 마련되어 있어도 된다. 예를 들어, 트위저(125a-1)를 고온용 트위저로 하고, 트위저(125a-2)를 저온용 트위저로 함으로써, 개질 공정 S805에 의해 고온이 된 웨이퍼(200)를 트위저(125a-1)만으로 냉각실(204)에 반송하고, 처리실(201)로부터 반출할 때 이외의 반송 타이밍에는, 트위저(125a-2)로 웨이퍼(200)를 반송하도록 제어해도 된다.
(3) 냉각실 내 압력 제어
이어서 도 9의 (A), (B)를 사용해서 냉각실(204) 내의 압력 제어에 대해서 설명한다. 기판 처리 공정과 마찬가지로 이하의 설명에서, 각 부의 동작은 컨트롤러(121)에 의해 제어된다.
도 4에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태에서의 냉각실(204)에는, 처리실(201)과 반송실(203)을 공간적으로 격리하는 게이트 밸브(205)와 같은 격벽이 배치되어 있지 않다. 이 때문에, 냉각실(204) 내의 압력에 따라서 반송실(203) 내를 흐르는 퍼지 가스의 가스 흐름에 변화가 발생해버린다. 반송실(203) 내의 가스 흐름의 변화는 반송실(203) 내에서 퍼지 가스의 난류를 발생시키는 원인이 되어, 반송실 내의 파티클을 말아 올려버리는 원인이나, 웨이퍼 반송 시의 웨이퍼 어긋남의 원인이 되어버리기 때문에, 결과적으로, 형성된 막질의 저하나 스루풋의 저하 등의 악영향이 발생해버리게 된다. 이러한 악영향을 억제하기 위해서, 냉각실(204) 내의 압력 제어가 필요해진다. 이 압력 제어를 행하기 위해서, 반송실(203) 내에 공급되는 퍼지 가스의 유량은, 냉각실(204)에 공급되는 퍼지 가스의 유량보다도 커지도록 제어된다.
여기서, 반송실(203) 내에 공급되는 퍼지 가스의 유량은, 100slm 이상, 2000slm 이하가 되도록 공급되는 것이 바람직하다. 가령 100slm보다도 작은 유량으로 가스 공급한 경우, 반송실(203) 내를 완전히 퍼지하는 것이 곤란해져, 반송실(203) 내에 불순물이나 부생성물이 잔류해버리게 된다. 또한, 가령 2000slm보다도 큰 유량으로 가스 공급한 경우, 이동 탑재기(125)에 의한 웨이퍼(200)를 반송할 때, 소정의 위치에 적재되어 있던 웨이퍼(200)가 어긋나버리는 원인이 되거나, 반송실 하우징(202)의 코너부 등에서 소용돌이 등의 난류가 발생해버리는 원인이 되어, 파티클 등의 불순물을 말아 올리는 원인이 되어버린다.
또한, 상술한 반송실(203) 내에의 가스 공급 유량으로 한 경우, 냉각실(204) 내에 공급되는 퍼지 가스의 유량은, 10slm 이상, 800slm 이하로 되도록 공급되는 것이 바람직하다. 가령 10slm보다도 작은 유량으로 가스 공급한 경우, 냉각실(204) 내를 완전히 퍼지하는 것이 곤란해져, 반송실(203) 내에 불순물이나 부생성물이 잔류해버리게 된다. 또한, 가령 800slm보다도 큰 유량으로 가스 공급한 경우, 이동 탑재기(125)에 의한 웨이퍼(200)를 반송할 때, 소정의 위치에 적재되어 있던 웨이퍼(200)가 어긋나버리는 원인이 되거나, 냉각실 케이스(109)의 코너부 등에서 소용돌이 등의 난류가 발생해버리는 원인이 되어, 파티클 등의 불순물을 말아 올리는 원인이 되어버린다.
반송실(203) 내의 압력과 냉각실(204) 내의 압력을 제어할 때는, 예를 들어 반송실용 압력 센서(180)에 의해 검지되는 반송실(203) 내의 압력값이 냉각실용 압력 센서(407)에 의해 검지되는 냉각실(204) 내의 압력값보다도 상시 높아지도록 제어되는 것이 바람직하다. 즉, 반송실(203) 내의 압력이 냉각실(204) 내의 압력보다도 더 높아지도록 제어되는 것이 바람직하다. 이때, 특히 반송실(203)과 냉각실(204)의 압력차를 0Pa보다 크고, 100Pa 이하를 유지하도록 제어함으로써, 냉각실(204) 내의 압력이 반송실(203) 내의 퍼지 가스 흐름에 미치는 영향을 최소한으로 하는 것이 가능하게 된다. 가령, 반송실(203)과 냉각실(204)의 압력차를 0Pa로 하면, 반송실(203)과 냉각실(204)의 압력차가 없어져, 냉각실에 공급되는 퍼지 가스가 반송실(203)로 역류하여, 반송실(203) 내의 가스 흐름에 변화가 발생해버린다. 또한, 반송실(203)과 냉각실(204)의 압력차가 100Pa보다도 커져버리면, 반송실(203)에 공급되는 퍼지 가스가 필요 이상으로 냉각실(204) 내에 유입되어버려, 반송실(203) 내의 가스 흐름에 큰 변화가 발생해버린다. 이하의 설명에서는, 반송실(203)과 냉각실(204)의 압력차가 10Pa이 되도록 제어하는 경우에 대해서 기재한다.
먼저, 처리실(201)에 마련된 게이트 밸브(205)를 개방함으로써, 반송실(203) 내의 압력이 저하된 경우의 제어에 대해서 도 9의 (A)를 사용해서 설명한다.
도 9의 (A)에 도시하는 바와 같이, 예를 들어 기판 처리 공정에서의 로내 압력·온도 조정 공정 S803 내지 개질 공정 S805를 실시하고 있는 동안 등의, 처리실(201)에 배치된 게이트 밸브(205)가 폐쇄되어 있는 상태에서, 반송실(203) 내의 압력이 50Pa이며, 냉각실(204) 내의 압력이 40Pa로 되도록, 개폐 밸브(406)를 폐쇄하여, 가스 공급 노즐(401)로부터 냉각실(204) 내에 공급되는 가스 유량이, 100slm으로 되도록 MFC(403)를 제어하고 있다(STEP 1).
STEP 1의 상태로부터, 예를 들어 기판 반출 공정 S806 등을 실시하여, 처리실(201)에 배치된 게이트 밸브(205)가 개방됨으로써, 반송실(203) 내의 압력이 저하되고, 40Pa이 된 것을 반송실용 압력 센서(180)가 검지한다(STEP 2).
반송실용 압력 센서(180)가, 소정의 압력값을 검출하면, 컨트롤러(121)는, 개폐 밸브(405)를 개방하여, 냉각실(204) 내의 압력이 저하되도록 제어한다(STEP 3). 이때, 게이트 밸브(205)는 개방된 상태를 유지하고 있다.
STEP 3의 상태 후, 예를 들어 기판 반출 공정 S806에서, 처리실(201)로부터 웨이퍼(200)의 반출 처리가 완료되면, 게이트 밸브(205)가 폐쇄된다. 게이트 밸브(205)가 폐쇄되면 컨트롤러(121)는, 개폐 밸브를 폐쇄하여, 반송실(203)과 냉각실(204)의 압력차가 소정의 값을 유지하도록 제어한다(STEP 4).
이상과 같이 제어함으로써, 게이트 밸브(205)가 개방됨으로써 반송실(203) 내의 압력이 저하된 경우에도, 적절히 냉각실(204) 내의 압력을 조정하여, 반송실(203)과 냉각실(204)의 압력차를 일정하게 유지하는 것이 가능하게 되어, 반송실(203) 내에서의 가스 흐름을 흐트러뜨리지 않고, 막질의 저하나 스루풋의 저하를 억제하는 것이 가능하게 된다.
이어서, 처리실(201)에 마련된 게이트 밸브(205)를 개방함으로써, 반송실(203) 내의 압력이 상승한 경우의 제어에 대해서 도 9의 (B)를 사용해서 설명한다.
도 9의 (B)에 도시하는 바와 같이, 예를 들어 기판 처리 공정에서의 로내 압력·온도 조정 공정 S803 내지 개질 공정 S805를 실시하고 있는 동안 등의, 처리실(201)에 배치된 게이트 밸브(205)가 폐쇄되어 있는 상태에서, 반송실(203) 내의 압력이 50Pa이며, 냉각실(204) 내의 압력이 40Pa로 되도록, 개폐 밸브(406)를 폐쇄하여, 가스 공급 노즐(401)로부터 냉각실(204) 내에 공급되는 가스 유량이 100slm으로 되도록 MFC(403)를 제어하고 있다(STEP 5). 또한, 이 상태에서의 각 부의 제어는, 도 9의 (A)에서 행한 STEP 1의 설명과 동일하다.
STEP 5의 상태로부터 게이트 밸브(205)가 개방됨으로써, 반송실(203) 내의 압력이 상승하여, 60Pa이 된 것을 반송실용 압력 센서(180)가 검지한다(STEP 6).
반송실용 압력 센서(180)가, 소정의 압력값을 검출하면, 컨트롤러(121)는, 개폐 밸브(406)는 폐쇄된 상태를 유지한 채, 가스 공급 노즐(401)로부터 냉각실 내에 공급되는 가스 유량을 150slm으로 증가시켜, 냉각실(204) 내의 압력이 상승하도록 MFC(403)를 제어한다(STEP 7).
STEP 7에 의해 냉각실(204) 내의 압력이 소정의 값이 되면, 컨트롤러(121)는, 개폐 밸브를 폐쇄하여, 반송실(203)과 냉각실(204)의 압력차가 소정의 값을 유지하도록 제어한다(STEP 8).
이상과 같이 제어함으로써, 게이트 밸브(205)가 개방됨으로써 반송실(203) 내의 압력이 상승한 경우에도, 적절히 냉각실(204) 내의 압력을 조정하여, 반송실(203)과 냉각실(204)의 압력차를 일정하게 유지하는 것이 가능하게 되어, 반송실(203) 내에서의 가스 흐름을 흐트러뜨리지 않고, 막질의 저하나 스루풋의 저하를 억제하는 것이 가능하게 된다.
또한, 본 실시 형태에서는, 반송실(203)과 냉각실(204)을 공간적으로 격리하는 게이트 밸브를 설치하지 않는 구조에 대해서 설명했지만, 이에 한하지 않고, 냉각실(204)의 측벽에 반송실(203)과 냉각실(204)을 공간적으로 격리하는 게이트 밸브를 설치하는 경우에도, 상술한 냉각실 내의 압력 제어를 행해도 된다. 또한, 냉각실(204)의 측벽면에 냉매가 유통되는 냉매 배관(409)을 마련해서 냉각 효율을 향상시키도록 구성해도 된다.
(4) 본 실시 형태에 의한 효과
본 실시 형태에 따르면 이하에 나타내는 하나 또는 복수의 효과가 얻어진다.
(a) 냉각실 내에 퍼지 가스를 공급함으로써, 냉각실 내의 불순물이나 부생성물을 퍼지하는 것이 가능하게 되어, 처리가 끝난 웨이퍼 상에 불순물이 부착되는 등, 막질의 저하를 억제하는 것이 가능하게 된다.
(b) 냉각실 내에 퍼지 가스를 공급함으로써, 퍼지 가스를 냉각 가스로서 기능시키는 것이 가능하게 되어, 처리가 끝난 웨이퍼를 효율적으로 냉각시키는 것이 가능하게 된다.
(c) 냉각실 내에 가스 공급계와 가스 배기계를 마련함으로써 냉각실 내의 압력 제어를 가능하게 하여, 반송실 내와의 압력차를 제어 가능하게 함으로써, 반송실 내의 가스 흐름에의 영향을 최소한으로 하는 것이 가능하게 된다.
(d) 반송실 내의 가스 흐름에의 영향을 최소한으로 함으로써, 장치의 스루풋 저하나 웨이퍼에 형성된 막의 막질 저하를 억제하는 것이 가능하게 된다.
이상, 본 발명을 실시 형태를 따라 설명했지만, 상술한 실시 형태는, 적절히 변경해서 사용할 수 있고, 그 효과도 얻을 수 있다.
예를 들어, 상술한 각 실시 형태에서는, 실리콘을 주성분으로 하는 막으로서, 아몰퍼스 실리콘막을 폴리실리콘막으로 개질하는 처리에 대해서 기재했지만, 이에 한하지 않고, 산소(O), 질소(N), 탄소(C), 수소(H) 중 적어도 하나 이상을 포함하는 가스를 공급시켜, 웨이퍼(200)의 표면에 형성된 막을 개질해도 된다. 예를 들어, 웨이퍼(200)에, 고유전체막으로서의 하프늄 산화막(HfxOy막)이 형성되어 있는 경우에, 산소를 포함하는 가스를 공급하면서 마이크로파를 공급해서 가열시킴으로써, 하프늄 산화막 중의 결손된 산소를 보충하여, 고유전체막의 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 여기에서는, 하프늄 산화막에 대해서 나타냈지만, 이에 한하지 않고, 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 탄탈륨(Ta), 니오븀(Nb), 란탄(La), 세륨(Ce), 이트륨(Y), 바륨(Ba), 스트론튬(Sr), 칼슘(Ca), 납(Pb), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 등의 적어도 어느 것을 포함하는 금속 원소를 포함하는 산화막, 즉, 금속계 산화막을 개질하는 경우에도, 적합하게 적용 가능하다. 즉, 상술한 성막 시퀀스는, 웨이퍼(200) 상에 TiOCN막, TiOC막, TiON막, TiO막, ZrOCN막, ZrOC막, ZrON막, ZrO막, HfOCN막, HfOC막, HfON막, HfO막, TaOCN막, TaOC막, TaON막, TaO막, NbOCN막, NbOC막, NbON막, NbO막, AlOCN막, AlOC막, AlON막, AlO막, MoOCN막, MoOC막, MoON막, MoO막, WOCN막, WOC막, WON막, WO막을 개질하는 경우에도, 적합하게 적용하는 것이 가능하게 된다.
또한, 고유전체막에 한하지 않고, 불순물이 도핑된 실리콘을 주성분으로 하는 막을 가열시키도록 해도 된다. 실리콘을 주성분으로 하는 막으로서는, 실리콘 질화막(SiN막), 실리콘 산화막(SiO막) 실리콘 산탄화막(SiOC막), 실리콘 산탄질화막(SiOCN막), 실리콘 산질화막(SiON막) 등의 Si계 산화막이 있다. 불순물로서는, 예를 들어 브롬(B), 탄소(C), 질소(N), 알루미늄(Al), 인(P), 갈륨(Ga), 비소(As) 등의 적어도 하나 이상을 포함한다.
또한, 메타크릴산메틸 수지(Polymethyl methacrylate: PMMA), 에폭시 수지, 노볼락 수지, 폴리비닐페닐 수지 등의 적어도 어느 것을 베이스로 하는 레지스트막이어도 된다.
또한, 상술에서는, 반도체 장치의 제조 공정의 일 공정에 대해서 기재했지만, 이에 한하지 않고, 액정 패널의 제조 공정의 패터닝 처리, 태양 전지의 제조 공정의 패터닝 처리나, 파워 디바이스의 제조 공정의 패터닝 처리 등의, 기판을 처리하는 기술에도 적용 가능하다.
이상 서술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 기판의 냉각 공정을 마련했을 경우에도 생산성의 저하를 억제하는 것이 가능하게 되는 전자파 처리 기술을 제공할 수 있다.
200: 웨이퍼(기판)
201: 처리실
203: 반송실
204: 냉각실
401: 가스 공급 노즐(냉각실용 퍼지 가스 공급부, 냉각실용 가스 공급 노즐)
402: 밸브(냉각실용 밸브)
403: MFC(냉각실용 MFC)
404: 가스 공급 배관(냉각실용 가스 공급 배관)
405: 배기구
406: 개폐 밸브(냉각실용 배기 밸브, APC 밸브)
407: 배기 배관(냉각실용 배기 배관)

Claims (11)

  1. 기판을 반송하는 반송실로부터 상기 기판이 반송되어 소정의 처리를 행하는 적어도 2개의 처리실과,
    상기 반송실과 공간적으로 연결되고, 상기 적어도 2개의 처리실로부터 등거리이며 상기 반송실의 측벽에 배치되어, 내부의 분위기를 퍼지하는 퍼지 가스를 제1 가스 유량으로 공급하는 제1 가스 공급부와, 상기 퍼지 가스를 배기하는 배기 배관을 갖는 배기부를 구비한 냉각실
    을 갖는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반송실은, 내부의 분위기를 퍼지하는 퍼지 가스를 상기 제1 가스 유량보다도 큰 유량의 제2 가스 유량으로 공급하는 제2 가스 공급부를 갖는, 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 가스 유량은 10slm 이상, 800slm 이하이고, 상기 제2 가스 유량은 100slm 이상, 2000slm 이하가 되도록 상기 제1 가스 공급부 및 상기 제2 가스 공급부를 제어하도록 구성되는 제어부를 갖는, 기판 처리 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 배기 배관은, 상기 제2 가스 공급부의 상류에 합류하도록 배치되어, 상기 배기부로부터 배기된 가스가 순환하는 순환 구조를 구성하는, 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 반송실 내의 압력과 상기 냉각실 내의 압력의 검지한 값에 따라, 상기 제1 가스 공급부와 상기 배기부를 제어하도록 구성되는 제어부를 갖는, 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 반송실 내의 압력은 상기 처리실 각각에서의 내부 압력보다도 낮고, 상기 냉각실 내의 압력보다도 높게 제어되는, 기판 처리 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 반송실 내의 압력과 상기 처리실의 압력의 차는, 0Pa보다도 크고, 100Pa 이하인, 기판 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 냉각실의 측벽에, 내부에 냉매를 유통시키기 위한 냉매 배관을 더 갖는, 기판 처리 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 처리실 내에서 상기 기판을 마이크로파에 의해 가열하는 가열 장치를 더 구비한, 기판 처리 장치.
  10. 기판을 반송하는 반송실로부터 상기 기판이 반송되어 소정의 처리를 행하는 적어도 2개의 처리실과, 상기 반송실과 공간적으로 연결되고, 상기 적어도 2개의 처리실로부터 등거리이며 상기 반송실의 측벽에 배치되어, 내부의 분위기를 퍼지하는 퍼지 가스를 제1 가스 유량으로 공급하는 제1 가스 공급부와, 상기 퍼지 가스를 배기하는 배기 배관을 갖는 배기부를 구비한 냉각실을 갖는 기판 처리 장치의 상기 처리실 내에 상기 기판을 반송하는 공정과,
    상기 처리실 내에서 상기 기판에 소정의 처리를 행하는 공정과,
    소정의 처리를 행한 상기 기판을 상기 처리실로부터 반출하는 공정과,
    상기 처리실로부터 반출된 상기 기판을 상기 냉각실에 반송하여, 상기 기판을 냉각하는 공정
    을 갖는 반도체 장치의 제조 방법.
  11. 기판을 반송하는 반송실로부터 상기 기판이 반송되어 소정의 처리를 행하는 적어도 2개의 처리실과, 상기 반송실과 공간적으로 연결되고, 상기 적어도 2개의 처리실로부터 등거리이며 상기 반송실의 측벽에 배치되어, 내부의 분위기를 퍼지하는 퍼지 가스를 제1 가스 유량으로 공급하는 제1 가스 공급부와, 상기 퍼지 가스를 배기하는 배기 배관을 갖는 배기부를 구비한 냉각실을 갖는 기판 처리 장치의 상기 처리실 내에 상기 기판을 반송하는 수순과,
    상기 처리실 내에서 상기 기판에 소정의 처리를 행하는 수순과,
    소정의 처리를 행한 상기 기판을 상기 처리실로부터 반출하는 수순과,
    상기 처리실로부터 반출된 상기 기판을 상기 냉각실에 반송하여, 상기 기판을 냉각하는 수순
    을 컴퓨터에 의해 상기 기판 처리 장치에 실행시키는 프로그램.
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