KR102224544B1 - 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 - Google Patents

기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 기판 처리 장치 등의 서셉터의 위치 변화에 의한 프로세스 재현성에 대한 영향을 해소한다. 기판을 처리하는 처리실과, 상기 기판에 전자파를 공급하는 전자파 공급부와, 적어도 1개의 상기 기판과 상기 기판의 에지에 대한 상기 전자파의 흡수를 억제하는 적어도 1개의 서셉터를 보유 지지하는 기판 보유 지지부와, 상기 기판을 반송하는 기판 반송부와, 상기 기판 반송부에 의해 상기 서셉터의 위치를 보정하도록 구성된 제어부를 갖는 기판 처리 장치가 제공된다.

Description

기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PROGRAM}
본 발명은 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램에 관한 것이다.
반도체 장치(반도체 디바이스)의 제조 공정의 일 공정으로서, 예를 들어 가열 장치를 사용해서 처리실 내의 기판을 가열하여, 기판의 표면에 성막된 박막 중의 조성이나 결정 구조를 변화시키거나, 성막된 박막 내의 결정 결함 등을 수복하는 어닐 처리로 대표되는 개질 처리가 있다. 최근의 반도체 디바이스에 있어서는, 미세화, 고집적화가 현저해지고 있으며, 이에 수반하여, 높은 애스펙트비를 갖는 패턴이 형성된 고밀도의 기판에 대한 개질 처리가 요구되고 있다. 이러한 고밀도 기판에 대한 개질 처리 방법으로서 예를 들어 특허문헌 1에 보는 바와 같은 전자파를 사용한 열처리 방법이 검토되어 있다.
일본 특허 공개 제2015-070045호 공보
종래의 전자파를 사용한 처리에서는, 열처리에 의해 고온으로 가열된 기판을 처리실 내에서 냉각한다는 냉각 공정을 마련할 필요가 있기 때문에, 생산성이 저하되어버리는 경우가 있다.
본 발명의 목적은, 기판의 냉각 공정을 마련한 경우에도 생산성의 저하를 억제하는 것이 가능해지는 기술을 제공하는 데 있다.
본 발명의 제2 목적은, 반응실에 있어서 반도체 기판 처리를 반복하기 때문에 발생하는 서셉터 위치 변화를 개선하고, 프로세스 재현성이 가능한 기술을 제공하는 데 있다.
상기 제2 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일 형태에 의하면, 적어도 하나의 기판을 처리하는 처리실과, 상기 기판에 전자파를 공급하는 전자파 공급부와, 상기 적어도 하나의 기판과 상기 적어도 하나의 기판의 에지에 대한 전자파의 흡수를 억제하는 서셉터를 보유 지지하는 기판 보유 지지부와, 상기 적어도 하나의 기판을 반송하는 기판 반송부와, 기판 반송부에 의해 서셉터 위치를 보정하도록 구성된 제어부를 갖는 기술을 제공한다.
본 발명에 따르면, 생산성의 저하를 억제하는 것이 가능해지는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 서셉터 위치를 보정함으로써 프로세스 재현성이 가능한 기술을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 개략 구성을 처리로의 위치에서 도시한 종단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타낸 횡단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 처리로 부분을 종단면도로 도시한 개략 구성도이다.
도 4는 본 발명의 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 개략 구성을 냉각실의 위치에서 도시한 종단면도이다.
도 5의 (A)는 웨이퍼를 냉각실에 반송하는 방법에 대해서 모식적으로 도시한 도이고, (B)는 냉각이 완료된 웨이퍼를 냉각실로부터 반출하는 방법에 대해서 모식적으로 도시한 도이다.
도 6은 본 발명의 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 컨트롤러의 개략 구성도이다.
도 7은 실시예 1에서의 기판 처리의 플로우를 도시하는 도면이다.
도 8은 실시예 2에 따른, 서셉터 위치 보정을 행하는 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 모식도이다.
도 9는 실시예 2에 따른, 서셉터 위치 보정을 행하는 기판 반송부의 일 구성예를 도시하는 도면이다.
이하, 도면에 따라, 본 발명을 실시하기 위한 각종 형태에 대해서 설명한다.
[실시예 1]
(1) 기판 처리 장치의 구성
실시예 1에 따른 기판 처리 장치(100)는, 1매 또는 복수매의 웨이퍼에 각종 열처리를 실시하는 매엽식 열처리 장치로서 구성되어 있고, 후술하는 전자파를 사용한 어닐 처리(개질 처리)를 행하는 장치로서 설명을 행한다. 본 실시예에서의 기판 처리 장치(100)에서는, 기판으로서의 웨이퍼(200)를 내부에 수용한 수납 용기(캐리어)로서 FOUP(FrontOpening Unified Pod: 이하, 포드라고 칭함)(110)가 사용된다. 포드(110)는, 웨이퍼(200)를 다양한 기판 처리 장치간을 반송하기 위한 반송 용기로서도 사용된다.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 기판 처리 장치(100)는, 웨이퍼(200)를 반송하는 반송실(203)을 내부에 갖는 반송 하우징(202)과, 반송 하우징(202)의 측벽에 마련되고, 웨이퍼(200)를 처리하는 처리실(201-1, 201-2)을 각각 내부에 갖는 후술하는 처리 용기로서의 케이스(102-1, 102-2)를 구비하고 있다. 또한, 처리실(201-1, 201-2)의 사이에는, 후술하는 냉각실(204)을 형성하는 냉각 케이스(109)가 마련되어 있다.
반송 하우징(202)의 전방측인 도 1을 바라보고 우측(도 2를 바라보고 하측)에는, 포드(110)의 덮개를 개폐하여, 웨이퍼(200)를 반송실(203)에 반입·반출하기 위한, 포드 개폐 기구로서의 로드 포드 유닛(LP)(106)이 배치되어 있다. 로드 포드 유닛(106)은, 하우징(106a)과, 스테이지(106b)와, 오프너(106c)를 구비하고, 스테이지(106b)는, 포드(110)를 적재하여, 반송실(203)의 하우징 전방에 형성된 기판 반입 반출구(134)에 포드(110)를 근접시키도록 구성되고, 오프너(106c)에 의해 포드(110)에 마련되어 있는 도시하지 않은 덮개를 개폐시킨다. 또한, 로드 포드 유닛(106)은, 포드(110) 내부를 N2 가스 등의 퍼지 가스로 퍼지 가능한 기능을 갖고 있어도 된다. 또한, 반송 하우징(202)은, 반송실(203) 내를 N2 등의 퍼지 가스를 순환시키기 위한 후술하는 퍼지 가스 순환 구조를 갖고 있다.
반송 하우징(202)의 후방측인 도 1을 바라보고 좌측(도 2를 바라보고 상측)에는, 처리실(201-1, 201-2)을 개폐하는 게이트 밸브(GV)(205-1, 205-2)가 각각 배치되어 있다. 반송실(203)에는, 웨이퍼(200)를 이동 탑재하는 기판 이동 탑재 기구인 기판 이동 탑재 로봇, 기판 반송부로서의 이동 탑재기(125)가 설치되어 있다. 이동 탑재기(125)는, 웨이퍼(200)를 적재하는 적재부로서의 트위저(암)(125a-1, 125a-2)와, 트위저(125a-1, 125a-2) 각각을 수평 방향으로 회전 또는 직선 이동 가능하게 하는 이동 탑재 장치(125b)와, 이동 탑재 장치(125b)를 승강시키는 이동 탑재 장치 엘리베이터(125c)로 구성되어 있다. 트위저(125a-1, 125a-2), 이동 탑재 장치(125b), 이동 탑재 장치 엘리베이터(125c)의 연속 동작에 의해, 후술하는 기판 보유 지지구(기판 보유 지지부)(217), 냉각실(204)이나 포드(110)에 웨이퍼(200)를 장전(차징) 또는 장전 해제(디스차징)하는 것이 가능한 구성으로 하고 있다. 이후, 케이스(102-1, 102-2), 처리실(201-1, 201-2), 트위저(125a-1 및 125a-2) 각각은, 특별히 구별해서 설명할 필요가 없을 경우에는, 간단히 케이스(102), 처리실(201), 트위저(125a)로서 기재한다.
트위저(125a-1)는, 통상의 알루미늄 재질이며, 저온 및 상온의 웨이퍼의 반송에 사용된다. 트위저(125a-2)는, 내열성이 높고, 열전도율이 나쁜 알루미늄이나 석영 부재 등의 재질이며, 고온 및 상온의 웨이퍼의 반송에 사용된다. 즉, 트위저(125a-1)는 저온용 기판 반송부이며, 트위저(125a-2)는 고온용 기판 반송부이다. 고온용 트위저(125a-2)는, 예를 들어 100℃ 이상, 보다 바람직하게는 200℃ 이상의 내열성을 갖도록 구성하는 것이 좋다. 저온용 트위저(125a-1)에는, 매핑 센서를 설치할 수 있다. 저온용 트위저(125a-1)에 매핑 센서를 마련함으로써, 로드 포드 유닛(106) 내의 웨이퍼(200)의 매수의 확인, 반응실(201) 내의 웨이퍼(200)의 매수의 확인, 냉각실(204) 내의 웨이퍼(200)의 매수의 확인을 행하는 것이 가능해진다.
본 실시예에서, 트위저(125a-1)를 저온용 트위저로 하고, 트위저(125a-2)는 고온용 트위저로 해서 설명을 행하지만, 이것에 한정되지 않는다. 트위저(125a-1)를 내열성이 높고, 열전도율이 나쁜 알루미늄이나 석영 부재 등의 재질로 구성하여, 고온 및 상온의 웨이퍼의 반송에 사용하고, 트위저(125a-2)를, 통상의 알루미늄 재질로 구성하여, 저온 및 상온의 웨이퍼의 반송에 사용해도 된다. 또한, 트위저(125a-1, 125a-2) 양쪽을, 내열성이 높고, 열전도율이 나쁜 알루미늄이나 석영 부재 등의 재질로 구성해도 된다.
(처리로)
도 1의 파선으로 둘러싸인 영역 A에는, 도 3에 도시한 바와 같은 기판 처리 구조를 갖는 처리로가 구성된다. 도 2에 도시한 바와 같이, 본 실시예에서는 처리로가 복수 마련되어 있지만, 처리로의 구성은 동일하기 때문에, 하나의 구성만을 설명하고, 다른 쪽의 처리로 구성의 설명은 생략한다.
도 3에 도시한 바와 같이, 처리로는, 금속 등의 전자파를 반사하는 재료로 구성되는 캐비티(처리 용기)로서의 케이스(102)를 갖고 있다. 또한, 금속 재료로 구성된 캡 플랜지(폐색판)(104)가, 도시를 생략한 시일 부재로서의 O링을 통해서 케이스(102)의 상단을 폐색하도록 구성한다. 주로 케이스(102)와 캡 플랜지(104)의 내측 공간을 실리콘 웨이퍼 등의 기판을 처리하는 처리실(201)로서 구성하고 있다. 케이스(102)의 내부에 전자파를 투과시키는 석영제의 도시하지 않은 반응관을 설치해도 되고, 반응관 내부가 처리실이 되도록 처리 용기를 구성해도 된다. 또한, 캡 플랜지(104)를 마련하지 않고, 천장이 폐색된 케이스(102)를 사용해서 처리실(201)을 구성하도록 해도 된다.
처리실(201) 내에는 적재대(210)가 마련되어 있고, 적재대(210)의 상면에는, 기판으로서의 웨이퍼(200)를 보유 지지하는 기판 보유 지지구로서의 보트(217)가 적재되어 있다. 보트(217)에는, 처리 대상인 웨이퍼(200)와, 웨이퍼(200)를 사이에 끼우도록 웨이퍼(200)의 수직 방향 상하로 적재된 서셉터(103a, 103b)가 소정의 간격으로 보유 지지되어 있다. 이 서셉터(103a, 103b)는, 예를 들어 실리콘 플레이트(Si판)나 탄화 실리콘 플레이트(SiC판) 등의 재료로서 웨이퍼(200)의 상하에 배치함으로써, 웨이퍼(200)의 에지에 대한 전계 강도가 집중되는 것을 억제한다. 즉, 서셉터는, 웨이퍼의 에지에 대한 전자파의 흡수를 억제하는 것이다. 또한, 서셉터(103a, 103b)의 위 및 아래에, 단열판으로서의 석영 플레이트(101a, 101b)가 소정의 간격으로 보유 지지되도록 해도 된다. 본 실시예에서, 석영 플레이트(101a와 101b) 각각, 서셉터(103a와 103b) 각각은 동일한 부품으로 구성되어 있고, 이후, 특별히 구별해서 설명할 필요가 없을 경우에는, 석영 플레이트(101), 서셉터(103)라고 칭해서 설명한다.
처리 용기로서의 케이스(102)는, 예를 들어 횡단면이 원형이며, 평평한 밀폐 용기로서 구성되어 있다. 또한, 하부 용기로서의 반송 하우징(202)은, 예를 들어 알루미늄(Al)이나 스테인리스(SUS) 등의 금속 재료, 또는 석영 등에 의해 구성되어 있다. 또한, 케이스(102)에 둘러싸인 공간을 처리 공간으로서의 처리실(201) 또는 반응 에어리어(201)라고 칭하고, 반송 하우징(202)에 둘러싸인 공간을 반송 공간으로서의 반송실 또는 반송 에어리어(203)라고 칭하는 경우도 있다. 또한, 처리실(201)과 반송실(203)은, 본 실시예와 같이 수평 방향으로 인접시켜 구성하는 것에 한하지 않고, 수직 방향으로 인접시켜, 소정의 구조를 갖는 기판 보유 지지구를 승강시키는 구성으로 해도 된다.
도 1, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 반송 하우징(202)의 측면에는, 게이트 밸브(205)에 인접한 기판 반입 반출구(206)가 마련되어 있고, 웨이퍼(200)는 기판 반입 반출구(206)를 통해서 처리실(201)과 반송실(203)의 사이를 이동한다. 게이트 밸브(205) 또는 기판 반입 반출구(206)의 주변에는, 후술하는 전자파의 누설 대책으로서, 사용되는 전자파의 1/4 파장의 길이를 갖는 초크 구조가 마련되어 있다.
케이스(102)의 측면에는, 후에 상세하게 설명하는 가열 장치로서의 전자파 공급부가 설치되어 있고, 전자파 공급부로부터 공급된 마이크로파 등의 전자파가 처리실(201)에 도입되어 웨이퍼(200) 등을 가열하여, 웨이퍼(200)를 처리한다.
적재대(210)는 회전축으로서의 샤프트(255)에 의해 지지된다. 샤프트(255)는, 처리실(201)의 저부를 관통하고 있고, 또한 처리실(201)의 외부에서 회전 동작을 행하는 구동 기구(267)에 접속되어 있다. 구동 기구(267)를 작동시켜 샤프트(255) 및 적재대(210)를 회전시킴으로써, 보트(217) 상에 적재되는 웨이퍼(200)를 회전시키는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 샤프트(255) 하단부의 주위는 벨로우즈(212)에 의해 덮여 있어, 처리실(201) 및 반송 에어리어(203) 내는 기밀하게 유지되어 있다.
여기서, 적재대(210)는 기판 반입 반출구(206)의 높이에 따라, 구동 기구(267)에 의해, 웨이퍼(200)의 반송 시에는 웨이퍼(200)가 웨이퍼 반송 위치로 되도록 상승 또는 하강하고, 웨이퍼(200)의 처리 시에는 웨이퍼(200)가 처리실(201) 내의 처리 위치(웨이퍼 처리 위치)까지 상승 또는 하강하도록 구성되어 있어도 된다.
처리실(201)의 하방이며, 적재대(210)의 외주측에는, 처리실(201)의 분위기를 배기하는 배기부가 마련되어 있다. 도 3에 도시한 바와 같이, 배기부에는 배기구(221)가 마련되어 있다. 배기구(221)에는 배기관(231)이 접속되어 있고, 배기관(231)에는, 처리실(201) 내의 압력에 따라서 밸브 개방도를 제어하는 APC 밸브 등의 압력 조정기(244), 진공 펌프(246)가 순서대로 직렬로 접속되어 있다.
여기서, 압력 조정기(244)는, 처리실(201) 내의 압력 정보, 후술하는 압력 센서(245)로부터의 피드백 신호를 수신해서 배기량을 조정할 수 있는 것이라면 APC 밸브에 한하지 않고, 통상의 개폐 밸브와 압력 조정 밸브를 병용하도록 구성되어 있어도 된다.
주로, 배기구(221), 배기관(231), 압력 조정기(244)에 의해 배기부(배기계 또는 배기 라인이라고도 칭함)가 구성된다. 또한, 적재대(210)를 둘러싸도록 배기구를 마련하고, 웨이퍼(200)의 전체 둘레로부터 가스를 배기 가능하게 구성해도 된다. 또한, 배기부의 구성에, 진공 펌프(246)를 더해도 된다.
캡 플랜지(104)에는, 불활성 가스, 원료 가스, 반응 가스 등의 각종 기판 처리를 위한 처리 가스를 처리실(201) 내에 공급하기 위한 가스 공급관(232)이 마련되어 있다. 이 가스 공급관(232)에는, 상류부터 순서대로, 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(241), 및 개폐 밸브인 밸브(243)가 마련되어 있다. 가스 공급관(232)의 상류측에는, 예를 들어 불활성 가스인 질소(N2) 가스를 공급하는 N2 가스 공급원이 접속되어, MFC(241), 밸브(243)를 통해서 처리실(201) 내에 공급된다. 기판 처리 시에 복수 종류의 가스를 사용하는 경우에는, 가스 공급관(232)의 밸브(243)보다도 하류측에, 상류측부터 순서대로 유량 제어기인 MFC 및 개폐 밸브인 밸브가 마련된 가스 공급관이 접속된 구성을 사용함으로써 복수 종류의 가스를 공급할 수 있다. 가스종마다 MFC, 밸브가 마련된 가스 공급관을 설치해도 된다.
주로, 가스 공급관(232), MFC(241), 밸브(243)에 의해 가스 공급계(가스 공급부)가 구성된다. 가스 공급계에 불활성 가스를 흘리는 경우에는, 불활성 가스 공급계라고도 칭한다. 불활성 가스로서는, N2 가스 외에, 예를 들어 Ar 가스, He 가스, Ne 가스, Xe 가스 등의 희가스를 사용할 수 있다.
캡 플랜지(104)에는, 비접촉식의 온도 측정 장치로서 온도 센서(263)가 설치되어 있다. 온도 센서(263)에 의해 검출된 온도 정보에 기초하여 후술하는 마이크로파 발진기(655)의 출력을 조정함으로써, 기판을 가열하여, 기판 온도가 원하는 온도 분포로 된다. 온도 센서(263)는, 예를 들어 IR(Infrared Radiation) 센서 등의 방사 온도계로 구성되어 있다. 온도 센서(263)는, 석영 플레이트(101a)의 표면 온도, 또는 웨이퍼(200)의 표면 온도를 측정하도록 설치된다. 상술한 발열체로서의 서셉터가 마련되어 있는 경우에는, 서셉터의 표면 온도를 측정하도록 구성해도 된다. 또한, 본 실시예에서 웨이퍼(200)의 온도(웨이퍼 온도)라고 기재했을 경우에는, 후술하는 온도 변환 데이터에 의해 변환된 웨이퍼 온도, 즉, 추측된 웨이퍼 온도를 의미하는 경우와, 온도 센서(263)에 의해 직접 웨이퍼(200)의 온도를 측정해서 취득한 온도를 의미하는 경우와, 그들 양쪽을 의미하는 경우를 가리키는 것으로서 설명한다.
온도 센서(263)에 의해 석영 플레이트(101) 또는 서셉터(103)와, 웨이퍼(200) 각각에 대하여 온도 변화의 추이를 미리 취득해 둠으로써, 석영 플레이트(101) 또는 서셉터(103)와, 웨이퍼(200)의 온도의 상관 관계를 나타낸 온도 변환 데이터를 기억 장치(121c) 또는 외부 기억 장치(123)에 기억시켜도 된다. 이렇게 미리 온도 변환 데이터를 작성함으로써, 웨이퍼(200)의 온도는, 석영 플레이트(101)의 온도만을 측정함으로써, 웨이퍼(200)의 온도를 추측 가능하게 하고, 추측된 웨이퍼(200)의 온도를 바탕으로, 마이크로파 발진기(655)의 출력, 즉 가열 장치의 제어를 행하는 것이 가능하게 된다.
또한, 기판의 온도를 측정하는 수단으로서, 상술한 방사 온도계에 한하지 않고, 열전쌍을 사용해서 온도 측정을 행해도 되고, 열전쌍과 비접촉식 온도계를 병용해서 온도 측정을 행해도 된다. 단, 열전쌍을 사용해서 온도 측정을 행한 경우, 열전쌍을 웨이퍼(200)의 근방에 배치해서 온도 측정을 행할 필요가 있다. 즉, 처리실(201) 내에 열전쌍을 배치할 필요가 있기 때문에, 후술하는 마이크로파 발진기로부터 공급된 마이크로파에 의해 열전쌍 자체가 가열되어버리므로 정확하게 측온할 수 없다. 따라서, 비접촉식 온도계를 온도 센서(263)로서 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 온도 센서(263)는, 캡 플랜지(104)에 설치하는 것에 한하지 않고, 적재대(210)에 설치하도록 해도 된다. 또한, 온도 센서(263)는, 캡 플랜지(104)나 적재대(210)에 직접 설치할 뿐만 아니라, 캡 플랜지(104)나 적재대(210)에 마련된 측정 창으로부터의 방사 광을 거울 등으로 반사시켜 간접적으로 측정하도록 구성되어도 된다. 또한, 온도 센서(263)는 1개 설치하는 것에 한하지 않고, 복수 설치하도록 해도 된다.
케이스(102)의 측벽에는 전자파 도입 포트(653-1, 653-2)가 설치되어 있다. 전자파 도입 포트(653-1, 653-2) 각각에는 처리실(201) 내에 전자파(마이크로파)를 공급하기 위한 도파관(654-1, 654-2) 각각의 일단이 접속되어 있다. 도파관(654-1, 654-2) 각각의 타단에는 처리실(201) 내에 전자파를 공급해서 가열하는 가열원으로서의 마이크로파 발진기(전자파원)(655-1, 655-2)가 접속되어 있다. 마이크로파 발진기(655-1, 655-2)는 마이크로파 등의 전자파를 도파관(654-1, 654-2)에 각각 공급한다. 또한, 마이크로파 발진기(655-1, 655-2)는, 마그네트론이나 클라이스트론 등이 사용된다. 이후, 전자파 도입 포트(653-1, 653-2), 도파관(654-1, 654-2), 마이크로파 발진기(655-1, 655-2)는, 특별히 각각을 구별해서 설명할 필요가 없는 경우에는, 전자파 도입 포트(653), 도파관(654), 마이크로파 발진기(655)라고 기재해서 설명한다.
마이크로파 발진기(655)에 의해 발생하는 전자파의 주파수는, 바람직하게는 13.56MHz 이상 24.125GHz 이하의 주파수 범위가 되도록 제어된다. 더욱 적합하게는, 2.45GHz 또는 5.8GHz의 주파수가 되도록 제어되는 것이 바람직하다. 여기서, 마이크로파 발진기(655-1, 655-2) 각각의 주파수는 동일한 주파수로 해도 되고, 상이한 주파수로 설치되어도 된다.
또한, 본 실시예에서, 마이크로파 발진기(655)는, 케이스(102)의 측면에 2개 배치되도록 기재되어 있지만, 이에 한정하지 않고, 1개 이상 마련되어 있으면 되고, 또한 케이스(102)의 대향하는 측면 등의 서로 다른 측면에 마련되도록 배치해도 된다. 주로, 마이크로파 발진기(655-1, 655-2), 도파관(654-1, 654-2) 및 전자파 도입 포트(653-1, 653-2)에 의해 가열 장치로서의 전자파 공급부(전자파 공급 장치, 마이크로파 공급부, 마이크로파 공급 장치라고도 칭함)가 구성된다.
마이크로파 발진기(655-1, 655-2) 각각에는 후술하는 컨트롤러(121)가 접속되어 있다. 컨트롤러(121)에는 처리실(201) 내에 수용되는 석영 플레이트(101a 또는 101b), 또는 웨이퍼(200)의 온도를 측정하는 온도 센서(263)가 접속되어 있다. 온도 센서(263)는, 상술한 방법에 의해 석영 플레이트(101) 또는 웨이퍼(200)의 온도를 측정해서 컨트롤러(121)에 송신하고, 컨트롤러(121)에 의해 마이크로파 발진기(655-1, 655-2)의 출력을 제어하여, 웨이퍼(200)의 가열을 제어한다. 또한, 가열 장치에 의한 가열 제어의 방법으로서는, 마이크로파 발진기(655)에 입력하는 전압을 제어함으로써 웨이퍼(200)의 가열을 제어하는 방법과, 마이크로파 발진기(655)의 전원을 ON으로 하는 시간과 OFF로 하는 시간의 비율을 변경함으로써 웨이퍼(200)의 가열을 제어하는 방법 등을 사용할 수 있다.
여기서, 마이크로파 발진기(655-1, 655-2)는, 컨트롤러(121)로부터 송신되는 동일한 제어 신호에 의해 제어된다. 그러나, 이에 한정하지 않고, 마이크로파 발진기(655-1, 655-2) 각각에 컨트롤러(121)로부터 개별의 제어 신호를 송신함으로써 마이크로파 발진기(655-1, 655-2)가 개별적으로 제어되도록 구성해도 된다.
(냉각실)
도 2 및 도 4에 도시한 바와 같이, 반송실(203)의 측방이며, 처리실(201-1, 201-2)의 사이에 처리실(201-1, 201-2)로부터 대략 등거리가 되는 위치, 구체적으로는, 처리실(201-1, 201-2)의 기판 반입 반출구(206)로부터의 반송 거리가 대략 동일 거리로 되도록, 소정의 기판 처리를 실시한 웨이퍼(200)를 냉각하는 냉각 영역으로서의 냉각실(냉각 에어리어, 냉각부라고도 칭함)(204)이 냉각 케이스(109)에 의해 형성되어 있다. 냉각실(204)의 내부에는, 기판 보유 지지구로서의 보트(217)와 마찬가지의 구조를 갖는 웨이퍼 냉각용 적재 도구(쿨링 스테이지라고도 칭함, 이하, CS라고 기재함)(108)가 마련되어 있다. CS(108)는, 후술하는 도 5에 도시한 바와 같이, 복수의 웨이퍼 보유 지지 홈(107a 내지 107d)에 의해 복수매의 웨이퍼(200)를 수직 다단으로 수평 보유 지지하는 것이 가능하게 구성되어 있다. 또한, 냉각 케이스(109)에는, 가스 공급 배관(냉각실용 가스 공급 배관)(404)을 통해서 냉각실(204) 내의 분위기를 퍼지하는 퍼지 가스(냉각실용 퍼지 가스)로서의 불활성 가스를 미리 정해진 제1 가스 유량으로 공급하는, 냉각실용 퍼지 가스 공급부로서의 가스 공급 노즐(냉각실용 가스 공급 노즐)(401)이 설치된다. 가스 공급 노즐(401)은, 노즐 단부가 개구된 개구 노즐이어도 되고, 바람직하게는 CS(108)측에 면하는 노즐 측벽에 복수의 가스 공급구가 마련된 다공 노즐을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 가스 공급 노즐(401)은 복수 마련되어 있어도 된다. 또한, 가스 공급 노즐(401)로부터 공급되는 퍼지 가스는, CS(108)에 적재되는 처리 후의 웨이퍼(200)를 냉각하는 냉각 가스로서 사용해도 된다.
냉각실(204)은, 도 2에 도시한 바와 같이, 처리실(201-1) 및 처리실(201-2)의 사이에 마련하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 처리실(201-1)과 냉각실(204)의 이동 거리(이동 시간)와 처리실(201-2)과 냉각실(204)의 이동 거리를 동일하게 할 수 있어, 택트 타임을 동일하게 할 수 있다. 또한, 처리실(201-1)과 처리실(201-2)의 사이에 냉각실(204)을 마련함으로써, 반송 스루풋을 향상시킬 수 있다.
냉각실(204)의 내부에 마련되는 CS(108)는, 도 5에 도시한 바와 같이, 4매의 웨이퍼(200)를 보유 지지 가능하다. 즉, CS(108)는, 처리실(201-1 또는 201-2)에서 가열되는 웨이퍼(200)의 매수(2매)의 적어도 2배의 웨이퍼(200)(4매)를 냉각할 수 있는 구성으로 되어 있다.
또한, 냉각실(204)에는, 냉각실용 퍼지 가스를 배기하기 위한 배기구(405)와, 가스 배기량을 조절하기 위한 냉각실용 배기 밸브로서의 개폐 밸브(또는 APC 밸브)(406), 냉각실용 배기 배관으로서의 배기 배관(407)이 마련되어 있다. 개폐 밸브(406)의 후단의 배기 배관(407)에는, 냉각실(204) 내의 분위기를 적극적으로 배기하기 위한 도시하지 않은 냉각실용 진공 펌프를 마련할 수도 있다. 배기 배관(407)은, 후술하는 반송실(203) 내의 분위기를 순환시키기 위한 퍼지 가스 순환 구조에 접속되어 순환하도록 해도 된다.
또한, 냉각 케이스(109)에는 냉각실(204) 내의 압력을 검지하는 냉각실용 압력 센서(냉각실용 압력계)(408)가 마련되어 있고, 반송실용 압력 센서(반송실용 압력계)(180)에 의해 검지된 반송실(203) 내의 압력과 냉각실(204) 내의 압력의 차압을 일정하게 하도록, 후술하는 컨트롤러(121)에 의해, 냉각실용 MFC로서의 MFC(403), 냉각실용 밸브로서의 밸브(402)가 제어되어 퍼지 가스의 공급 또는 공급 정지가 실시되고, 또한 개폐 밸브(406)와 냉각실용 진공 펌프가 제어되어 퍼지 가스의 배기 또는 배기 정지가 제어된다. 이들 제어에 의해, 냉각실(204) 내의 압력 제어 및 CS(108)에 적재된 웨이퍼(200)의 온도 제어가 행하여진다. 또한, 주로 가스 공급 노즐(401), 밸브(402), MFC(403), 가스 공급 배관(404)에 의해 냉각실용 가스 공급계(제1 가스 공급부)가 구성되고, 또한 주로 배기구(405), 개폐 밸브(406), 배기 배관(407)에 의해 냉각실용 가스 배기계(냉각실용 가스 배기부)가 구성된다. 냉각실용 가스 배기계에는 냉각실용 진공 펌프를 포함하도록 해도 된다. 또한, 냉각실(204) 내에는, CS(108)에 적재된 웨이퍼(200)의 온도를 측정하기 위한 도시하지 않은 온도 센서를 마련하고 있어도 된다. 여기서, 웨이퍼 보유 지지 홈(107a 내지 107d) 각각은, 특별히 구별해서 설명할 필요가 없는 경우에는, 간단히 웨이퍼 보유 지지 홈(107)으로서 기재한다.
(제어 장치)
도 6에 도시하는 바와 같이, 제어부(제어 장치, 제어 수단)인 컨트롤러(121)는, CPU(Central Processing Unit)(121a), RAM(Random Access Memory)(121b), 기억 장치(121c), I/O 포트(121d)를 구비한 컴퓨터로서 구성되어 있다. RAM(121b), 기억 장치(121c), I/O 포트(121d)는, 내부 버스(121e)를 통해서, CPU(121a)와 데이터 교환 가능하게 구성되어 있다. 컨트롤러(121)에는, 예를 들어 터치 패널 등으로서 구성된 입출력 장치(122)가 접속되어 있다.
기억 장치(121c)는, 예를 들어 플래시 메모리, HDD(Hard Disk Drive) 등으로 구성되어 있다. 기억 장치(121c) 내에는, 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어 프로그램이나, 어닐(개질) 처리의 수순이나 조건 등이 기재된 프로세스 레시피 등이, 판독 가능하게 저장되어 있다. 프로세스 레시피는, 후술하는 기판 처리 공정에서의 각 수순을 컨트롤러(121)에 실행시켜, 소정의 결과를 얻을 수 있게 조합된 것이며, 프로그램으로서 기능한다. 이하, 이 프로세스 레시피나 제어 프로그램 등을 총칭하여, 간단히 프로그램이라고도 한다. 또한, 프로세스 레시피를, 간단히 레시피라고도 한다. 본 명세서에서 프로그램이라는 말을 사용한 경우에는, 레시피 단체만을 포함하는 경우, 제어 프로그램 단체만을 포함하는 경우, 또는 그들 양쪽을 포함하는 경우가 있다. RAM(121b)은, CPU(121a)에 의해 판독된 프로그램이나 데이터 등이 일시적으로 유지되는 메모리 영역(워크 에어리어)으로서 구성되어 있다.
I/O 포트(121d)는, 상술한 이동 탑재기(125), MFC(241), 밸브(243), 압력 센서(245), APC 밸브(244), 진공 펌프(246), 온도 센서(263), 구동 기구(267), 마이크로파 발진기(655) 등에 접속되어 있다.
CPU(121a)는, 기억 장치(121c)로부터 제어 프로그램을 판독해서 실행함과 함께, 입출력 장치(122)로부터의 조작 커맨드의 입력 등에 따라서 기억 장치(121c)로부터 레시피를 판독하도록 구성되어 있다. CPU(121a)는, 판독한 레시피의 내용을 따르도록, 이동 탑재기(125)에 의한 기판의 이동 탑재 동작, MFC(241)에 의한 각종 가스의 유량 조정 동작, 밸브(243)의 개폐 동작, 압력 센서(245)에 기초하는 APC 밸브(244)에 의한 압력 조정 동작, 진공 펌프(246)의 기동 및 정지, 온도 센서(263)에 기초하는 마이크로파 발진기(655)의 출력 조정 동작, 구동 기구(267)에 의한 적재대(210)(또는 보트(217))의 회전 및 회전 속도 조절 동작, 또는 승강 동작 등을 제어하도록 구성되어 있다.
컨트롤러(121)는, 외부 기억 장치(예를 들어, 하드 디스크 등의 자기 디스크, CD 등의 광 디스크, MO 등의 광자기 디스크, USB 메모리 등의 반도체 메모리)(123)에 저장된 상술한 프로그램을, 컴퓨터에 인스톨함으로써 구성할 수 있다. 기억 장치(121c)나 외부 기억 장치(123)는, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서 구성되어 있다. 이하, 이들을 총칭하여, 간단히 기록 매체라고도 한다. 본 명세서에서 기록 매체라는 말을 사용한 경우에는, 기억 장치(121c) 단체만을 포함하는 경우, 외부 기억 장치(123) 단체만을 포함하는 경우, 또는 그들 양쪽을 포함하는 경우가 있다. 또한, 컴퓨터에의 프로그램의 제공은, 외부 기억 장치(123)를 사용하지 않고, 인터넷이나 전용 회선 등의 통신 수단을 사용해서 행해도 된다.
(2) 기판 처리 공정
이어서, 상술한 기판 처리 장치(100)의 처리로를 사용하여, 반도체 장치(디바이스)의 제조 공정의 일 공정으로서, 예를 들어 기판 상에 형성된 실리콘 함유막으로서의 아몰퍼스 실리콘막의 개질(결정화) 방법의 일례에 대해서, 도 7에 도시한 처리 플로우를 따라 설명한다. 이하의 설명에서, 기판 처리 장치(100)를 구성하는 각 부의 동작은 컨트롤러(121)에 의해 제어된다. 또한, 상술한 처리로 구조와 마찬가지로 본 실시예에서의 기판 처리 공정에서도, 처리 내용, 즉 레시피에 대해서는 복수 마련된 처리로에 있어서 동일 레시피를 사용하기 때문에, 한쪽의 처리로를 사용한 기판 처리 공정에 대해서만 설명하고, 다른 쪽의 처리로를 사용한 기판 처리 공정의 설명은 생략한다.
여기서, 본 명세서에서 「웨이퍼」라는 말을 사용한 경우에는, 웨이퍼 그 자체를 의미하는 경우나, 웨이퍼와 그 표면에 형성된 소정의 층이나 막과의 적층체를 의미하는 경우가 있다. 본 명세서에서 「웨이퍼의 표면」이라는 말을 사용한 경우에는, 웨이퍼 그 자체의 표면을 의미하는 경우나, 웨이퍼 상에 형성된 소정의 층 등의 표면을 의미하는 경우가 있다. 본 명세서에서 「웨이퍼 상에 소정의 층을 형성한다」라고 기재했을 경우에는, 웨이퍼 그 자체의 표면 상에 소정의 층을 직접 형성하는 것을 의미하는 경우나, 웨이퍼 상에 형성되어 있는 층 등의 위에 소정의 층을 형성하는 것을 의미하는 경우가 있다. 본 명세서에서 「기판」이나 「반도체 기판」이라는 말을 사용한 경우도, 「웨이퍼」라는 말을 사용한 경우와 동의이다.
(기판 취출 공정(S801))
도 1에 도시되는 바와 같이, 이동 탑재기(125)는 로드 포드 유닛(106)에 의해 개구된 포드(110)로부터 처리 대상이 되는 웨이퍼(200)를 소정 매수 취출하고, 트위저(125a-1, 125a-2)의 양쪽에 웨이퍼(200)를 적재한다. 즉, 포드(110)로부터 취출된 2매의 웨이퍼는 각각 저온용 트위저(125a-1), 고온용 트위저(125a-2)에 적재된다.
(기판 반입 공정(S802))
도 1 및 3에 도시된 바와 같이, 트위저(125a-1, 125a-2)의 양쪽에 적재된 웨이퍼(200)는, 게이트 밸브(205)의 개폐 동작에 의해 처리실(201)에 반입(보트 로딩)된다. 즉, 저온용 트위저(125a-1), 고온용 트위저(125a-2)에 적재된 2매의 웨이퍼를, 처리실(201)에 반입한다.
(노내 압력·온도 조정 공정(S803))
처리실(201) 내에의 보트(217)의 반입이 완료되면, 처리실(201) 내가 소정의 압력(예를 들어 10 내지 102000Pa)이 되도록 처리실(201) 내의 분위기를 제어한다. 구체적으로는, 진공 펌프(246)에 의해 배기하면서, 압력 센서(245)에 의해 검출된 압력 정보에 기초하여 압력 조정기(244)의 밸브 개방도를 피드백 제어하여, 처리실(201) 내를 소정의 압력으로 한다. 또한, 동시에 예비 가열로서 전자파 공급부를 제어하여, 소정의 온도까지 가열을 행하도록 제어해도 된다(S803). 전자파 공급부에 의해, 소정의 기판 처리 온도까지 승온시킬 경우, 웨이퍼(200)가 변형·파손되지 않도록, 후술하는 개질 공정의 출력보다도 작은 출력으로 승온을 행하는 것이 바람직하다. 또한, 대기압 하에서 기판 처리를 행하는 경우, 노내 압력 조정을 행하지 않고, 로내의 온도 조정만을 행한 후, 후술하는 불활성 가스 공급 공정 S804로 이행하도록 제어해도 된다.
(불활성 가스 공급 공정(S804))
노내 압력·온도 조정 공정 S803에 의해 처리실(201) 내의 압력과 온도를 소정의 값으로 제어하면, 구동 기구(267)는, 샤프트(255)를 회전시켜, 적재대(210) 상의 보트(217)를 통해서 웨이퍼(200)를 회전시킨다. 이때, 질소 가스 등의 불활성 가스가 가스 공급관(232)을 통해서 공급된다(S804). 또한 이때, 처리실(201) 내의 압력은 10Pa 이상 102000Pa 이하의 범위가 되는 소정의 값이며, 예를 들어 101300Pa 이상 101650Pa 이하가 되도록 조정된다. 또한, 샤프트(255)는 기판 반입 공정 S802 시, 즉, 웨이퍼(200)를 처리실(201) 내에 반입 완료 후에 회전시켜도 된다.
(개질공정(S805))
처리실(201) 내를 소정의 압력이 되도록 유지하면, 마이크로파 발진기(655)는 상술한 각 부를 통해서 처리실(201) 내에 마이크로파를 공급한다. 처리실(201) 내에 마이크로파가 공급됨으로써, 웨이퍼(200)가 100℃ 이상, 1000℃ 이하의 온도, 적합하게는 400℃ 이상, 900℃ 이하의 온도가 되도록 가열하고, 더욱 적합하게는, 500℃ 이상, 700℃ 이하의 온도가 되도록 가열한다. 이러한 온도에서 기판 처리함으로써, 웨이퍼(200)가 효율적으로 마이크로파를 흡수하여, 개질 처리의 속도 향상이 가능하게 된다. 환언하면, 웨이퍼(200)의 온도를 100℃보다도 낮은 온도, 또는 1000℃보다도 높은 온도 하에서 처리해버리면, 웨이퍼(200)의 표면이 변질되어버려, 마이크로파를 흡수하기 어려워져버리기 때문에 웨이퍼(200)를 가열하기 어려워져버리게 된다. 이 때문에, 상술한 온도대에서 기판 처리를 행할 것이 요망된다.
마이크로파에 의한 가열 방식으로 가열을 행하는 본 실시예에서는, 멀티 모드 애플리케이터를 사용하는 실시예 2의 구성과 달리, 처리실(201)에 정재파가 발생하고, 웨이퍼(200)(서셉터(103)가 적재되어 있을 경우에는 서셉터(103)도 웨이퍼(200)와 마찬가지로) 상에 국소적으로 가열되어버리는 가열 집중 영역(핫스폿)과 그 이외의 가열되지 않는 영역(비가열 영역)이 발생하여, 웨이퍼(200)(서셉터(103)가 적재되어 있을 경우에는 서셉터(103)도 웨이퍼(200)와 마찬가지로)가 변형되는 것을 억제하기 위해서, 전자파 공급부의 전원 ON/OFF를 제어함으로써 웨이퍼(200)에 핫스폿이 발생하는 것을 억제하고 있다. 이때, 전자파 공급부의 공급 전력을 저출력으로 함으로써, 핫스폿의 영향이 작아지도록 제어함으로써, 웨이퍼(200)의 변형을 억제하는 것도 가능하다. 단, 이 경우, 웨이퍼(200)나 서셉터(103)에 조사되는 에너지가 작아지기 때문에, 승온 온도도 작아져, 가열 시간을 길게 할 필요가 있다.
여기서, 상술한 바와 같이 온도 센서(263)는 비접촉식 온도 센서이며, 측정 대상인 웨이퍼(200)(서셉터(103)도 웨이퍼(200)와 마찬가지로)에 변형, 위치 어긋남이나 파손이 발생하면, 온도 센서(263)가 모니터하는 웨이퍼(200)의 위치나, 웨이퍼(200)에 대한 측정 각도가 변화하기 때문에, 측정값(모니터 값)이 부정확하게 되어, 측정 온도가 급격하게 변화해버리게 된다. 본 실시예에서는, 이러한 측정 대상의 변형이나 파손에 수반하여 방사 온도계의 측정 온도가 급격하게 변화하는 것을 전자파 공급부의 ON/OFF를 행하는 트리거로서 이용하고 있다. 또한, 서셉터의 위치 어긋남에 대해서는, 실시예 2에서 상세하게 설명한 바와 같이 서셉터의 위치 보정 처리로 대응한다.
이상과 같이 마이크로파 발진기(655)를 제어함으로써, 웨이퍼(200)를 가열하여, 웨이퍼(200) 표면 상에 형성되어 있는 아몰퍼스 실리콘막을 폴리실리콘막으로 개질(결정화)시킨다(S805). 즉, 웨이퍼(200)를 균일하게 개질하는 것이 가능하게 된다. 또한, 웨이퍼(200)의 측정 온도가 상술한 역치를 초과해서 높거나 또는 낮아진 경우, 마이크로파 발진기(655)를 OFF로 하는 것은 아니고, 마이크로파 발진기(655)의 출력을 낮게 하도록 제어함으로써, 웨이퍼(200)의 온도가 소정의 범위의 온도로 되도록 해도 된다. 이 경우, 웨이퍼(200)의 온도가 소정의 범위의 온도로 돌아가면, 마이크로파 발진기(655)의 출력을 높게 하도록 제어된다.
미리 설정된 처리 시간이 경과하면, 보트(217)의 회전, 가스의 공급, 마이크로파의 공급 및 배기관의 배기가 정지한다.
(기판 반출 공정(S806))
처리실(201) 내의 압력을 대기압 복귀시킨 후, 게이트 밸브(205)를 개방해서 처리실(201)과 반송실(203)을 공간적으로 연통시킨다. 그 후, 보트(217)에 적재되어 있는 가열(처리)후의 1매의 웨이퍼(200)를 이동 탑재기(125)의 고온용 트위저(125a-2)에 의해 반송실(203)에 반출한다(S806).
(기판 냉각 공정(S807))
고온용 트위저(125a-2)에 의해 반출된 가열(처리) 후의 1매의 웨이퍼(200)는, 이동 탑재 장치(125b), 이동 탑재 장치 엘리베이터(125c)의 연속 동작에 의해, 냉각실(204)까지 이동되고, 고온용 트위저(125a-2)에 의해 CS(108)에 적재된다. 구체적으로는, 도 5의 (A)에 도시하는 바와 같이, 고온용 트위저(125a-21)에 보유 지지된 개질 처리 S805 후의 웨이퍼(200a)가, CS(108)에 마련된 웨이퍼 보유 지지 홈(107b)에 이송되어, 소정 시간 적재됨으로써 웨이퍼(200a)가 냉각된다(S807). 이때, 도 5의 (B)에 도시하는 바와 같이 이미 선행해서 CS(108)에 냉각되어 있던 냉각 완료 웨이퍼(200b)가 적재되어 있을 경우에는, 개질 처리 S805 완료 후의 웨이퍼(200a)를 웨이퍼 보유 지지 홈(107b)에 적재한 후의 고온용 트위저(125a-2), 및 저온용 트위저(125a-1)가 2매의 냉각 완료 웨이퍼(200b)를 로드 포트, 즉 포드(110)에 반송한다.
처리실(201) 내의 보트(217) 상에서 2매의 웨이퍼(200)가 일괄해서 가열(처리)되는 경우, 기판 반출 공정(S806) 및 기판 냉각 공정(S807)이 연속해서 복수회(이 예에서는, 2회) 실시됨으로써, 2매의 고온의 웨이퍼(200a)가, 고온용 트위저(125a-2)에 의해 1매씩, CS(108)에 적재된다. 이때, CS(108)에 2매의 냉각 완료 웨이퍼(200b)가 적재되어 있을 경우, 2매의 냉각 완료 웨이퍼(200b)는 고온용 트위저(125a-2) 및 저온용 트위저(125a-1)에 의해, CS(108)로부터 포드(110)에 반출된다. 이에 의해, 고온용 트위저(125a-2)가 고온의 웨이퍼(200a)를 보유 지지하는 시간을 짧게 할 수 있으므로, 이동 탑재기(125)에 대한 열부하를 경감할 수 있다. 또한, 웨이퍼(200)를 냉각하는 시간도 길게 할 수 있다.
이상과 같이, 고온용 트위저(125a-2)를 마련하고, 처리실(201) 내의 가열(처리) 후의 고온의 웨이퍼(200a)를, 처리실(201) 내에서, 예를 들어 100℃ 이하가 될 때까지 냉각하지 않고, 비교적 고온인 채 그대로, 고온용 트위저(125a-2)를 사용하여, 냉각실(204) 내의 CS(108)에 이동시킨다.
(기판 수용 공정(S808))
기판 냉각 공정 S807에 의해 냉각된 2매의 웨이퍼(200)는, 저온용 트위저(125a-1) 및 고온용 트위저(125a-2)에 의해, 냉각된 2매의 웨이퍼를, 냉각실(204)로부터 취출하여, 포드(110)에 반송한다. 이렇게 웨이퍼의 1매 반송(냉각실(204)에의 반입)과 2매 반송(냉각실(204)로부터의 반송)을 조합함으로써, 웨이퍼(200)의 반송 시간을 고속화할 수 있다.
이상의 동작이 반복됨으로써, 웨이퍼(200)가 개질 처리되어, 다음의 기판 처리 공정으로 이행하게 된다. 또한, 웨이퍼(200)를 보트(217)에 2매 적재시킴으로써 기판 처리를 행하도록 구성해서 설명했지만, 이에 한정하지 않고, 처리실(201-1, 201-2) 각각에 설치되어 있는 보트(217)에 1매씩 적재시켜 동일한 처리를 행하도록 해도 되고, 스와프 처리를 행함으로써, 웨이퍼(200)를 2매씩, 처리실(201-1, 201-2)에서 처리하도록 해도 된다. 이때, 처리실(201-1, 201-2) 각각에서 행하여지는 기판 처리의 횟수가 일치하도록 웨이퍼(200)의 반송처를 제어해도 된다. 이렇게 제어함으로써 각 처리실(201-1, 201-2)에서의 기판 처리의 실시 횟수가 일정해져, 메인터넌스 등의 보수 작업을 효율적으로 행하는 것이 가능하게 된다. 예를 들어, 전회의 웨이퍼(200)를 반송한 처리실이 처리실(201-1)인 경우, 다음의 웨이퍼(200)의 반송처는 처리실(201-2)로 하도록 제어함으로써, 각 처리실(201-1, 201-2)에서의 기판 처리의 실시 횟수를 제어할 수 있다.
본 실시예의 기판 처리 장치에 의하면, 이하에 나타내는 하나 또는 복수의 효과가 얻어진다.
(I) 기판 반송부(125)를 사용하여, 포드(110)로부터 처리실(201)에 반입하는 웨이퍼(200)의 매수(2매)가, 처리실(201)로부터 냉각실(204)에 반입하는 웨이퍼(200)의 매수(1매)보다 많은 구성으로 하였다. 웨이퍼(200)의 1매 반송과 2매 반송을 조합함으로써, 웨이퍼(200)의 반송 시간을 고속화할 수 있다.
(II) 처리실(201) 내의 가열(처리) 후의 고온의 웨이퍼(200)를, 처리실(201) 내에서 냉각하지 않고, 비교적 고온인 채 그대로, 고온용 트위저(125a-2)를 사용하여 냉각실(204) 내의 CS(108)에 이동시킬 수 있다. 그 때문에, 처리실(201)의 이용 효율을 향상시킬 수 있고, 웨이퍼(200)의 개질 처리 등의 생산성을 향상시킬 수 있다.
(III) 냉각실(204)은, 처리실(201-1) 및 처리실(201-2)의 사이에 마련하는 구성으로 하였다. 이에 의해, 처리실(201-1)과 냉각실(204)의 이동 거리(이동 시간)와 처리실(201-2)과 냉각실(204)의 이동 거리를 동일하게 할 수 있어, 택트 타임을 동일하게 할 수 있다.
(IV) 처리실(201-1)과 처리실(201-2)의 사이에 냉각실(204)을 마련함으로써, 웨이퍼(200)의 반송 스루풋을 향상시킬 수 있다.
(V) 냉각실(204)의 내부에 마련되는 CS(108)는, 4매의 웨이퍼(200)를 보유 지지 가능한 구성으로 하였다. 즉, CS(108)는, 처리실(201-1 또는 201-2)에서 가열되는 웨이퍼(200)의 매수(2매)의 적어도 2배의 웨이퍼(200)(4매)를 냉각할 수 있는 구성으로 되어 있다. 처리실(201) 내의 보트(217) 상에서 2매의 웨이퍼(200)가 일괄해서 가열(처리)되는 경우, 2매의 고온의 웨이퍼(200)가, 고온용 트위저(125a-2)에 의해 1매씩, CS(108)에 적재된다. 이때, CS(108)에 2매의 냉각 완료 웨이퍼(200b)가 적재되어 있을 경우, 2매의 냉각 완료 웨이퍼(200b)는 고온용 트위저(125a-2) 및 저온용 트위저(125a-1)에 의해, CS(108)로부터 포드(110)에 반출된다. 이에 의해, 고온용 트위저(125a-2)가 고온의 웨이퍼(200a)를 보유 지지하는 시간을 짧게 할 수 있으므로, 이동 탑재기(125)에 대한 열부하를 경감할 수 있다.
이상 설명한 실시예 1의 구성은, 적절히 변경해서 사용할 수 있어, 그 효과도 얻을 수 있다. 예를 들어, 상술한 설명에서는, 실리콘을 주성분으로 하는 막으로서, 아몰퍼스 실리콘막을 폴리실리콘막으로 개질하는 처리에 대해서 기재했지만, 이에 한정하지 않고, 산소(O), 질소(N), 탄소(C), 수소(H) 중 적어도 하나 이상을 포함하는 가스를 공급시켜, 웨이퍼(200)의 표면에 형성된 막을 개질해도 된다. 예를 들어, 웨이퍼(200)에, 고유전체 막으로서의 하프늄 산화막(HfxOy막)이 형성되어 있는 경우에, 산소를 포함하는 가스를 공급하면서 마이크로파를 공급해서 가열 시킴으로써, 하프늄 산화막 내의 결손된 산소를 보충하여, 고유전체 막의 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 여기에서는, 하프늄 산화막에 대해서 나타냈지만, 이에 한정하지 않고, 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 탄탈륨(Ta), 니오븀(Nb), 란탄(La), 세륨(Ce), 이트륨(Y), 바륨(Ba), 스트론튬(Sr), 칼슘(Ca), 납(Pb), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 등의 적어도 어느 것을 포함하는 금속 원소를 포함하는 산화막, 즉, 금속계 산화막을 개질하는 경우에도, 적합하게 적용 가능하다. 즉, 상술한 성막 시퀀스는, 웨이퍼(200) 상에 형성된, TiOCN막, TiOC막, TiON막, TiO막, ZrOCN막, ZrOC막, ZrON막, ZrO막, HfOCN막, HfOC막, HfON막, HfO막, TaOCN막, TaOC막, TaON막, TaO막, NbOCN막, NbOC막, NbON막, NbO막, AlOCN막, AlOC막, AlON막, AlO막, MoOCN막, MoOC막, MoON막, MoO막, WOCN막, WOC막, WON막, WO막을 개질하는 경우에도, 적합하게 적용하는 것이 가능하게 된다.
또한, 고유전체 막에 한하지 않고, 불순물이 도핑된 실리콘을 주성분으로 하는 막을 가열시키도록 해도 된다. 실리콘을 주성분으로 하는 막으로서는, 실리콘 질화막(SiN막), 실리콘 산화막(SiO막) 실리콘 산탄화막(SiOC막), 실리콘 산탄질화막(SiOCN막), 실리콘 산질화막(SiON막) 등의 Si계 산화막이 있다. 불순물로서는, 예를 들어 브롬(B), 탄소(C), 질소(N), 알루미늄(Al), 인(P), 갈륨(Ga), 비소(As) 등의 적어도 하나 이상을 포함한다.
또한, 메타크릴산 메틸 수지(Polymethyl methacrylate: PMMA), 에폭시 수지, 노볼락 수지, 폴리비닐페닐 수지 등의 적어도 어느 것을 베이스로 하는 레지스트막이어도 된다.
또한, 상술에서는, 반도체 장치의 제조 공정의 일 공정에 대해서 기재했지만, 이에 한정하지 않고, 액정 패널의 제조 공정의 패터닝 처리, 태양 전지의 제조 공정의 패터닝 처리나, 파워 디바이스의 제조 공정의 패터닝 처리 등의, 기판을 처리하는 기술에도 적용 가능하다.
[실시예 2]
실시예 2는 실시예 1에서 설명한 기판 처리 장치에서의 기판 반출 공정(S806)에서, 기판의 반출뿐만 아니라, 서셉터의 위치 보정, 처리가 끝난 기판의 반출, 미처리의 기판의 반입 등을 행하는 기판 처리 장치의 실시예이다. 즉, 본 실시예는, 기판을 처리하는 처리실과, 기판에 전자파를 공급하는 전자파 공급부와, 기판과 기판의 에지에 대한 전자파의 흡수를 억제하는 서셉터를 보유 지지하는 기판 보유 지지부와, 기판을 반송하는 기판 반송부와, 기판 반송부에 의해 서셉터의 위치를 보정하도록 구성된 제어부를 구비한 기판 처리 장치의 실시예이다.
실시예 1에서 설명한 도 7의 기판 처리의 흐름도에 있어서, 기판 반출 공정(S806)에서는, 보트에 적재되어 있는 가열 처리 후의 기판을 반송실에 반출했지만, 본 실시예에서는, 기판의 반출뿐만 아니라, 서셉터의 위치 보정, 처리가 끝난 기판의 반출(보트로부터의 취출), 미처리의 기판의 반입(보트에의 적재)을 행한다.
반응실이 멀티 모드 애플리케이터인 경우, 파장보다 큰 치수의 반응실이 되어, 반응실 내에서 마이크로파가 다중 반사하여, 복수의 마이크로파 모드가 존재하므로, 반도체 기판 상의 전자장 분포를 균일하게 하기 위한 서셉터가 없을 경우, 마이크로파 에지 효과에 의해 반도체 기판의 단부에 전계가 집중되어, 이상 가열이 발생하여, 반도체 기판의 면내 온도 균일성이 매우 나빠, 온도 차에 의해 반도체 기판이 크게 휘어버리고, 최악의 경우에는 반도체 기판이 깨져버린다.
그 때문에, 에지 효과 억제를 포함한 서셉터를 설치할 필요가 있는데, 서셉터를 설치한 경우에도, 반도체 기판을 마이크로파 가열로 직접 가열하고 있기 때문에, 반도체 기판의 온도를 올렸을 경우, 기판 온도가 불균일해진다. 그 결과, 반도체 기판이 온도 상승에 수반하여 휨으로써, 서셉터를 설치하고 있는 위치가 어긋나버린다. 이렇게 서셉터의 위치가 변화하면 반도체 기판과 서셉터의 사이의 전자장 분포가 변화하여, 프로세스 재현성에 영향을 미친다.
실시예 2는 이러한 문제를 해결하기 위해서 서셉터 위치 어긋남을 기판 반송부에 의해 보정함으로써, 양호한 프로세스 재현성을 가능하게 하는 기판 처리 장치를 제공한다. 즉, 도 8에 도시하는 바와 같이, 반응실 중에 1매 또는 적층된 반도체 기판(308)과 그 반도체 기판의 상하에 반도체 기판의 에지 효과를 억제하는 서셉터(307, 309)를 설치한 구성에서, 반도체 기판(308) 및 서셉터(307, 309)의 위치를, 에지 그립을 갖는 대기 로봇의 고온용 트위저(303)로 보정한다. 이 서셉터의 위치 보정과, 또한 처리가 끝난 기판의 반출 등을 행하는 수순 순서로서, 예를 들어 다음에 4가지 양태를 나타낸다.
(I) 서셉터의 위치 보정 후에, 처리가 끝난 반도체 기판을 반출한다.
도 8에 도시하는 바와 같이, 먼저, 상부 서셉터의 위치를 보정하고, 상부 반도체 기판의 교환(SWAP)을 행하기 위해서, 로드 포드 유닛(LP)에서 미처리 기판(301)을 저온용 트위저(302)에 적재하고, 게이트 밸브(GV)를 개방한다. 처리실(PM)에서 고온용 트위저(303)를 사용해서 상부 서셉터(307)의 위치 보정 처리를 행한다. 그 후, 상부의 처리가 끝난 반도체 기판(308)을 고온용 트위저(303)에 적재해서 보트로부터 취출하고, 저온용 트위저(302)에 의해 미처리 기판(301)을 상부 기판 보유 지지 위치에 적재한다. 그 후, 처리가 끝난 반도체 기판(308)을 고온용 트위저(303)로 처리실로부터 웨이퍼 냉각용 적재 도구(쿨링 스테이지: CS)에 반출한다.
계속해서 하부 서셉터의 위치를 보정하고, 하부 반도체 기판의 SWAP를 행하기 위해서, LP에서 처리 전의 기판을 저온용 트위저(302)에 적재하고, 처리실에서 하부 서셉터(309)의 위치 보정 처리를 고온용 트위저(303)로 행한다. 처리실에서 하부의 처리가 끝난 반도체 기판(308)을 고온용 트위저(303)에 적재해서 보트로부터 취출하고, 저온용 트위저(302)를 사용해서 미처리 기판(301)을 하부 기판 보유 지지 위치에 적재하고, GV를 폐쇄하고, 기판 처리를 개시한다. 또한, 고온용 트위저(303)를 사용해서 처리가 끝난 반도체 기판(308)을 처리실로부터 CS에 반출한다.
(II) 처리가 끝난 기판을 반출한 후에, 서셉터 위치 보정을 한다.
본 형태의 경우, 먼저 LP에서 미처리 기판(301)을 저온용 트위저(302)에 적재하고 GV를 개방하고, 처리실에서 상부의 처리가 끝난 반도체 기판(308)을 고온용 트위저(303)에 적재해서 보트로부터 취출하고, 미처리 기판(301)을 저온용 트위저(302)에 의해 상부 기판 보유 지지 위치에 적재한다. 또한, 처리가 끝난 반도체 기판(308)을 고온용 트위저(303)에 의해 처리실로부터 CS에 반출한 후에, 처리실에서 고온용 트위저(303)에 의해 상부 서셉터(307)의 위치 보정 처리를 행한다. 이어서, 처리실에서 하부의 처리가 끝난 반도체 기판(308)을 고온용 트위저(303)에 적재해서 보트로부터 취출하고, 미처리 기판(301)을 저온용 트위저(302)로 하부 기판 보유 지지 위치에 적재한다. 처리가 끝난 반도체 기판(308)을 고온용 트위저(303)에 의해 PM으로부터 CS에 반송한 후에, 처리실에서 고온용 트위저(303)를 사용하여, 하부 서셉터(309)의 위치 보정 처리를 행한다. GV를 폐쇄하고, 기판 처리를 개시한다.
(III) 2매의 처리가 끝난 기판을 반출한 후에, 미처리 기판을 적재하고 나서, 서셉터 위치 보정을 한다.
본 형태에서, 먼저 GV를 열고, 처리실에서 고온용 트위저(303)에 상부의 처리가 끝난 반도체 기판(308)을 적재하고, 처리가 끝난 반도체 기판(308)을 고온용 트위저(303)로 처리실로부터 CS에 반출한다. 처리실에서 고온용 트위저(303)에 하부의 처리가 끝난 반도체 기판(308)을 적재하고, 고온용 트위저(303)로 처리가 끝난 반도체 기판(308)을 처리실로부터 CS에 반송한다. LP에서 2매의 미처리 기판(301)을 저온용 트위저(302) 및 고온용 트위저(303)에 적재하고, 처리실에서 2매의 미처리 기판(301)을 상부 기판 보유 지지 위치 및 하부 기판 보유 지지 위치에 적재한다. 처리실에서 상부 서셉터(307)의 위치 보정 처리를 고온용 트위저(303)로 행한다. 계속해서 처리실에서 하부의 서셉터(309)의 위치 보정 처리를 고온용 트위저(303)로 행하고, GV를 폐쇄하고, 기판 처리를 개시한다.
(IV) 2매의 처리가 끝난 기판을 반출한 후에, 미처리 기판을 적재하기 전에, 서셉터의 위치를 보정한다.
본 형태에서, 먼저 GV를 열고, 처리실에서 고온용 트위저(303)에 상부의 처리가 끝난 반도체 기판(308)을 적재하고, 처리가 끝난 반도체 기판(308)을 고온용 트위저(303)로 처리실로부터 CS에 반출한다. 처리실에서 고온용 트위저(303)에 하부의 처리가 끝난 반도체 기판(308)을 적재하고, 고온용 트위저(303)로 처리가 끝난 반도체 기판(308)을 처리실로부터 CS에 반송한다. 그리고, 처리실에서 상부 서셉터(307)의 위치 보정 처리를 고온용 트위저(303)로 행한다. 계속해서 처리실에서 하부의 서셉터(309)의 위치 보정 처리를 고온용 트위저(303)로 행한다. 그 후, LP에서 2매의 미처리 기판(301)을 저온용 트위저(302) 및 고온용 트위저(303)에 적재하고, 처리실에서 2매의 미처리 기판(301)을 상부 기판 보유 지지 위치 및 하부 기판 보유 지지 위치에 적재하고, GV를 폐쇄하고, 기판 처리를 개시한다. 또한, 이상의 본 실시예의 각 양태에서 사용하는 저온의 웨이퍼의 반입 등에 사용하는 저온용 트위저(302)가 통상의 알루미늄 재질, 고온 및 상온의 웨이퍼의 반송에 사용되는 고온용 트위저(303)가, 내열성이 높고, 열전도율이 나쁜 알루미늄이나 석영 부재 등의 재질이면 적합하다.
또한, 본 실시예에서, 1FOUP(기판 25매)의 처리마다 1회의 서셉터의 위치 보정 처리를 행한다. 즉, 1 처리에 2매의 기판 처리를 하므로, 13회의 처리마다, 서셉터의 위치 보정 처리를 행한다. 예를 들어, 마이크로파 10KW로, 1회의 처리 시간을 2분으로 했을 경우, 1FOUP(기판 25매) 처리마다, 26분마다 1회의 서셉터 위치 보정 처리를 행하는 것으로 한다. 이러한 서셉터 위치 보정을 실시하는 타이밍은, 반도체 기판 처리 전후의 어느 한쪽에서 그때마다 보정하는 것이 가장 적절한 방법이지만, 생산성의 저하를 고려하면, 반도체 기판의 처리 횟수나 마이크로파 가열의 조사 시간 등을 규정함으로써, 그 처리 횟수나 조사 시간마다 실시하는 것도 가능하다. 즉, 반도체 기판의 처리가 소정 횟수 반복해서 행하여진 후에, 기판 반송부가 서셉터의 위치를 보정하거나, 전자파의 조사 시간이 소정 시간 경과한 후에, 기판 반송부가 서셉터의 위치를 보정하거나 한다.
도 9에, 본 실시예에서의 기판 반송부인 저온용, 고온용 트위저의 에지 그립으로 서셉터 등을 집는 경우의 일례를 모식적으로 도시하였다. 동 도면에 도시하는 바와 같이, 기판 반송부의 각 트위저(311)의 에지 그립(312, 313)으로 반도체 기판이나 서셉터(314)의 에지를 집는 위치를 보정한다.
이렇게 본 실시예에 의하면, 멀티 모드 애플리케이터의 반응실에 있어서, 반도체 기판 처리를 실시하는 전후에, 대기 로봇으로 파지함으로써 서셉터의 위치를 원래의 설치 위치로 보정한다. 이에 의해 서셉터는 원래의 설치 위치로 돌아가기 때문에, 반도체 기판 처리에 영향을 미치지 않고, 프로세스 재현성을 확보할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되는 것은 아니며, 다양한 변형예가 포함된다. 예를 들어, 상기한 실시예는 본 발명의 보다 나은 이해를 위해서 상세하게 설명한 것이며, 반드시 설명의 모든 구성을 구비하는 것에 한정되는 것은 아니다. 또한, 어느 실시예의 구성의 일부를 다른 실시예의 구성으로 치환하는 것이 가능하고, 또한 어떤 실시예의 구성에 다른 실시예의 구성을 첨가하는 것이 가능하다. 또한, 각 실시예의 구성의 일부에 대해서, 다른 구성의 추가·삭제·치환을 하는 것이 가능하다.
또한, 상술한 각 구성, 기능, 제어 장치 등은, 그것들의 일부 또는 전부를 실현하는 프로그램을 제작하는 예를 설명했지만, 그것들의 일부 또는 전부를 예를 들어 집적 회로에서 설계하거나 하여 하드웨어로 실현해도 되는 것은 물론이다. 즉, 처리부의 전부 또는 일부의 기능은, 프로그램 대신해, 예를 들어 ASIC(Application Specific Integrated Circuit), FPGA(Field Programmable Gate Array) 등의 집적 회로 등에 의해 실현해도 된다.
125 : 기판 반송부로서의 이동 탑재기
125a-1, 302 : 저온용 트위저 125a-2, 303 : 고온용 트위저
108 : 웨이퍼 냉각용 적재 도구(쿨링 스테이지, CS)
200 : 웨이퍼(기판) 201 : 처리실
203 : 반송실 204 : 냉각실
301 : 미처리 반도체 기판 307, 309, 314 : 서셉터
308 : 반도체 기판 312, 313 : 에지 그립

Claims (19)

  1. 적어도 하나의 기판을 처리하는 처리실과,
    상기 처리실의 벽면에 마련되고, 상기 기판에 전자파를 공급하는 전자파 공급부와,
    상기 처리실 내에 마련되고, 상기 적어도 하나의 기판과 상기 적어도 하나의 기판의 에지에 대한 상기 전자파의 흡수를 억제하는 적어도 하나의 서셉터를 보유 지지하는 기판 보유 지지부와,
    상기 전자파 공급부에 대향하는 상기 처리실의 벽면에 마련되고, 상기 처리실 내에 상기 기판을 반입출하는 기판 반입출구와,
    미처리된 기판을 반송하는 저온용 기판 반송부와, 상기 미처리된 기판 및 처리가 끝난 기판을 반송하는 고온용 기판 반송부를 구비하는 기판 반송부와,
    상기 기판 반입출구를 통해서, 상기 고온용 기판 반송부에 의해 상기 서셉터의 위치를 보정하도록 구성된 제어부를 갖는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어부가,
    상기 처리실 내에 상기 저온용 기판 반송부에 의해 반입된 상기 미처리된 기판이 처리되기 전 또는 상기 미처리된 기판이 처리된 후에, 상기 적어도 하나의 서셉터의 위치를 보정하도록 상기 기판 반송부를 제어하는, 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제어부가,
    상기 처리실 내에서 처리된 상기 처리가 끝난 기판이, 상기 고온용 기판 반송부에 의해 상기 처리실로부터 반출되기 전 또는 상기 처리실로부터 반출된 후에, 상기 적어도 하나의 서셉터의 위치를 보정하도록 상기 기판 반송부를 제어하는, 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 서셉터는, 상부 서셉터 및 하부 서셉터를 포함하고,
    상기 상부 서셉터는, 상기 적어도 하나의 기판의 상방에 배치되며, 상기 하부 서셉터는, 상기 적어도 하나의 기판의 하방에 배치되는, 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 적어도 하나의 기판의 처리가 소정 횟수 반복해서 행하여진 후에, 상기 고온용 기판 반송부에 의해 상기 적어도 하나의 서셉터의 위치를 보정하도록 상기 기판 반송부를 제어하는, 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 전자파의 조사 시간이 소정 시간 경과한 후에, 상기 고온용 기판 반송부에 의해 상기 적어도 하나의 서셉터의 위치를 보정하도록 상기 기판 반송부를 제어하는, 기판 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 기판 반송부는, 상기 적어도 하나의 서셉터의 에지부를 상기 고온용 기판 반송부의 그립으로 집는 것으로 상기 적어도 하나의 서셉터의 위치를 보정하는, 기판 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 처리실에 인접해서 위치하고, 상기 처리실에서 처리된 후에, 상기 처리실로부터 반출된 상기 적어도 하나의 기판을 냉각하는 냉각실을 갖는, 기판 처리 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 기판은, 복수의 기판을 포함하고,
    상기 처리실은, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 복수의 기판을 처리하는 처리실이며,
    상기 제어부는,
    상기 처리실 내에서 처리된 상기 처리가 끝난 기판이, 상기 고온용 기판 반송부에 의해 상기 처리실로부터 반출되기 전 또는 상기 처리실로부터 반출된 후에, 상기 고온용 기판 반송부에 의해 상기 서셉터의 위치를 보정하도록 상기 기판 반송부를 제어하는, 기판 처리 장치.
  10. 기판을 처리하는 처리실과, 상기 처리실의 벽면에 마련되고, 상기 기판에 전자파를 공급하는 전자파 공급부와, 상기 처리실 내에 마련되고, 상기 기판과 상기 기판의 에지에 대한 상기 전자파의 흡수를 억제하는 서셉터를 보유 지지하는 기판 보유 지지부와, 상기 전자파 공급부에 대향하는 상기 처리실의 벽면에 마련되고, 상기 처리실 내에 상기 기판을 반입출하는 기판 반입출구와, 미처리된 기판을 반송하는 저온용 기판 반송부와, 상기 미처리된 상기 기판 및 처리가 끝난 기판을 반송하는 고온용 기판 반송부를 구비하는 기판 반송부와, 상기 기판 반입출구를 통해서, 상기 고온용 기판 반송부에 의해 상기 서셉터의 위치를 보정하도록 구성된 제어부를 갖는 기판 처리 장치의 상기 처리실에 상기 기판을 반입하는 반입 공정과,
    상기 기판을 전자파로 처리하는 처리 공정과,
    상기 기판을 상기 처리실로부터 반출하는 반출 공정과,
    상기 고온용 기판 반송부에 의해 상기 서셉터의 위치를 보정하는 보정 공정
    을 갖는 반도체 장치의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 처리 공정 전 또는 후에, 상기 보정 공정을 행하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 반출 공정 전 또는 후에, 상기 보정 공정을 행하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 반입 공정과 상기 처리 공정과 상기 반출 공정이, 소정 횟수 반복해서 행하여진 후에, 상기 보정 공정을 행하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 처리 공정에서의 상기 전자파의 조사 시간이 소정 시간 경과한 후에, 상기 보정 공정을 행하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  15. 기판을 처리하는 처리실과, 상기 처리실의 벽면에 마련되고, 상기 기판에 전자파를 공급하는 전자파 공급부와, 상기 처리실 내에 마련되고, 상기 기판과 상기 기판의 에지에 대한 상기 전자파의 흡수를 억제하는 서셉터를 보유 지지하는 기판 보유 지지부와, 상기 전자파 공급부에 대향하는 상기 처리실의 벽면에 마련되고, 상기 처리실 내에 상기 기판을 반입출하는 기판 반입출구와, 미처리된 기판을 반송하는 저온용 기판 반송부와, 상기 미처리된 기판 및 처리가 끝난 기판을 반송하는 고온용 기판 반송부를 구비하는 기판 반송부와, 상기 기판 반입출구를 통해서, 상기 처리실 내에서 상기 고온용 기판 반송부에 의해 상기 서셉터의 위치를 보정하도록 구성된 제어부를 갖는 기판 처리 장치의 상기 처리실에 상기 기판을 반입하는 반입 수순과,
    상기 기판을 처리하는 처리 수순과,
    상기 기판을 상기 처리실로부터 반출하는 반출 수순과,
    상기 고온용 기판 반송부에 의해 상기 서셉터의 위치를 보정하는 보정 수순을 컴퓨터에 의해 상기 기판 처리 장치에 실행시키는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 저장된 프로그램.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 처리 수순 전 또는 후에, 상기 보정 수순을 행하는, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 저장된 프로그램.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 반출 수순 전 또는 후에, 상기 보정 수순을 행하는, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 저장된 프로그램.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 반입 수순과 상기 처리 수순과 상기 반출 수순이, 소정 횟수 반복해서 행하여진 후에, 상기 보정 수순을 행하는, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 저장된 프로그램.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 처리 수순에서의 상기 전자파의 조사 시간이 소정 시간 경과한 후에, 상기 보정 수순을 행하는, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 저장된 프로그램.
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