JP4614529B2 - インライン式基板処理装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願の発明は、基板に対して真空中で連続して処理する基板処理装置に関するものであり、特に、基板の搬送路に沿って複数の真空チャンバーが配置されたインライン式基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板に対する表面処理は、薄膜作成処理やエッチング等として広く知られている。例えば薄膜作成処理は、スパッタリング装置や真空蒸着蒸着装置のような物理的な作用を利用したものや、化学蒸着装置（ＣＶＤ装置）のような化学的作用を利用したものが知られている。このような基板処理装置は、ＬＳＩ（大規模集積回路）等の半導体デバイスや液晶ディスプレイ等の表示装置、ハードディスク等の記録媒体の製造に盛んに使用されている。
このような基板処理装置の中には、異種又は同種の処理を真空中で連続して行うため、複数の真空チャンバーを基板の搬送路３に沿って気密に縦設した構成が採用したものがあり、インライン式基板処理装置と呼ばれる。特開平８−２７４１４２号公報に開示された装置は、このようなインライン式基板処理装置の一例である。
【０００３】
上述したインライン式基板処理装置においても、生産性の向上が重要な課題となっている。生産性を向上させる単純な方法は、生産現場により多くの装置を導入することである。つまり、従来一台の装置であったら、二台、三台と増やしていけば良い。そうすれば、生産性は二倍、三倍になる。
しかしながら、装置を二台、三台と増やしていけば、その分だけスペースが必要になる。生産性を向上させるため、ある程度大きなスペースが必要になるのは仕方のない面もあるが、必要スペースの拡大はある程度抑えたいという意向もある。
本願の発明は、このような課題を解決するため成されたものであり、占有スペースの拡大を抑えつつ生産性を向上させることが可能な実用的な構成のインライン式基板処理装置を提供する技術的意義がある。
【０００４】
上記課題を解決するため、本願の請求項１記載の発明は、処理対象物である基板を保持する基板保持具と、この基板保持具を移動させて基板を搬送する搬送系と、所定の処理を基板に対して真空中で連続的にできるように搬送路に沿って配置された複数の真空チャンバーとより成るインライン式基板処理装置であって、前記搬送路は無終端の周状であって、前記基板保持具は所定回数の成膜処理の間大気に取り出されることなく真空中で前記搬送路を周回するものであり、
前記搬送路は複数に区分されていて、各区分では同一又は異種の前記真空連続処理が行われるようになっており、各区分の搬送路の最上流部には大気側から基板を搬入する真空チャンバーであるロードロックチャンバーが設けられ、各区分の搬送路の最下流部には大気側に基板を搬出する真空チャンバーであるアンロードロックチャンバーが設けられているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項２記載の発明は、前記請求項１の構成において、前記搬送路は方形であるという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項３記載の発明は、前記請求項１又は２の構成において、前記基板保持具は、大気側に取り出されることなく前記搬送路を所定回数周回して基板の保持に利用されるものであるという構成を有する。
【０００５】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施形態を図に基づいて説明する。
図１は、本願発明の実施形態のインライン式基板処理装置の平面概略図である。
図１に示す装置は、処理対象物である基板（図１中不図示）を保持する基板保持具１と、この基板保持具１を移動させて基板を搬送する搬送系と、基板に対して真空中で連続して処理ができるように搬送路３に沿って配置された複数の真空チャンバー４１〜４９，５１〜５９とより成る構成である。
【０００６】
搬送路３は、図１に示すように無終端の周状、より具体的には方形である。基板保持具１は、所定回数の成膜処理の間大気に取り出されることなく真空中で搬送路３を所定回数周回するようになっている。各真空チャンバー４１〜４９，５１〜５９は、専用又は兼用の排気系によって排気される気密な容器である。各真空チャンバー４１〜４９，５１〜５９の境界部分には、ゲートバルブ６が設けられている。
【０００７】
次に、図２を使用して、基板保持具１の構成について説明する。図２は、図１の装置で使用される基板保持具１の正面概略図である。
本実施形態の装置は、液晶ディスプレイ用の基板のようなほぼ方形の基板９に対して薄膜を作成するものとなっている。この基板９は、隅の部分への膜の付着を防止するマスク枠９０内に収容されている。マスク枠９０は、基板９の形状寸法に適合したほぼ方形の開口を有し、その開口の縁がＶ溝となっている。そして、マスク枠９０は、このＶ溝に基板９の周縁を落とし込むようにして基板９を収容している。
【０００８】
基板保持具１は、このように基板９を収容したマスク枠９０を垂直な姿勢で保持するものである。基板保持具１は、保持具本体１１と、保持具本体１１に取り付けた二つの保持板１２とから成る構成である。各保持板１２は、垂直な姿勢であり、水平な上縁から下方にほぼ方形の切り欠きを設けた形状である。
マスク枠９０は、この方形の切り欠き内で保持されるようになっている。保持板１２は、切り欠きの両側の縁に、マスク枠９０の側縁が落とし込まれるＶ溝を有している。また、両側の縁のうちの下半分の部分には、マスク枠９０の転倒を防止する一対の凸部１２１が形成されている。
【０００９】
図３は、図２に示す保持板１２の凸部１２１の形状を示す平面断面概略図である。図３に示すように、一対の凸部１２１は、マスク枠９０を両側から挟み込み、転倒を防止している。基板保持具１は、搬送系によって移動する際、後述するように回転運動を行う場合があるので、このような場合にマスク枠９０が転倒しないようにしている。尚、一対の凸部１２１は、マスク枠９０の搭載及び回収の際、マスク枠９０の側縁の移動をガイドするガイドレールとしても機能する。
【００１０】
また、図２に示すように、各保持板１２は、切り欠きの下側の水平な縁の部分に、二つの突出部１２２を有している。二つの突出部１２２は、マスク枠９０の下縁に接触してマスク枠９０を支える部分である。突出部１２２は、水平方向に長いＶ溝を有し、このＶ溝にマスク枠９０の下縁が落とし込まれている。
【００１１】
次に、このような基板保持具１を移動させて基板９を搬送する搬送系の構成について、図２及び図４を使用して説明する。図４は、搬送系及び第一成膜チャンバー４５の構成について説明する側面概略図である。
図２に示すように、基板保持具１の保持具本体１１下端部には、小さな磁石（以下、保持具側磁石）１１１が多数設けられている。各保持具側磁石１１１は、上下の面に磁極を有している。この保持具側磁石１１１は、図２に示すように、配列方向に交互に逆の磁極になっている。
【００１２】
また、基板保持具１の下側には、図２中不図示の隔壁を挟んで磁気結合ローラ２１が設けられている。磁気結合ローラ２１は丸棒状の部材であり、図２に示すように、螺旋状に延びる細長い磁石（以下、ローラ側磁石）２１１を有している。このローラ側磁石２１１は互いに異なる磁極で二つ設けられており、二重螺旋状になっている。
【００１３】
磁気結合ローラ２１は、ローラ側磁石２１１が隔壁を挟んで保持具側磁石１１１に向かい合うよう配置されている。不図示の隔壁は、透磁率の高い材料で形成されており、保持具側磁石１１１とローラ側磁石２１１とは、隔壁を通して磁気結合している。尚、隔壁の基板保持具１側の空間は真空側であり、磁気結合ローラ２１側の空間は大気側である。このような磁気結合ローラ２１は、図１に示す方形の搬送路３に沿って設けられている。
【００１４】
また、図４に示すように、基板保持具１は、水平な回転軸の回りに回転する主プーリ２２の上に載せられている。主プーリ２２は、図１に示す方形の搬送路３に沿って多数設けられている。また、基板保持具１の下端部分には、垂直な回転軸の回りに回転する一対の副プーリ２３が当接している。この副プーリ２３は、基板保持具１の下端部分を両側から挟むように押さえて基板保持具１の転倒を防止している。この副プーリ２３も、搬送路３に沿って多数設けられている。
【００１５】
磁気結合ローラ（図４中不図示）には傘歯車２４を介して駆動棒２５が連結されている。そして、駆動棒３５には移動用モータ２６が接続されており、駆動棒２５を介して磁気結合ローラ２１をその中心軸の周りに回転させるようになっている。
磁気結合ローラ２１が回転すると、図２に示す二重螺旋状のローラ側磁石２１１も回転する。この際、ローラ側磁石２１１が回転する状態は、保持具側磁石１１１から見ると、交互に異なる磁極の複数の小さな磁石が一列に並んでその並びの方向に沿って一体に直線移動しているのと等価な状態となる。従って、ローラ側磁石２１１に結合している保持具側磁石１１１は、ローラ側磁石２１１の回転とともに直線移動し、この結果、基板保持具１が全体に直線移動することになる。この際、図４に示す主プーリ２２及び副プーリ２３は従動する。
【００１６】
また、図１に示す構成において、方形の搬送路３の角の部分に設けられた真空チャンバー４２，４８，５２，５８は、基板９の搬送方向を９０度転換する方向転換機構を備えた方向転換チャンバーになっている。方向転換機構の構成は、特開平８−２７４１４２号公報に開示されたものを使用することができるので、詳細な説明は省略する。
【００１７】
さて、本実施形態の装置の大きな特徴点は、上記搬送路３が複数に区分されていて、各区分での真空連続処理が行われるようになっている点である。以下、この点について図５を使用して説明する。図５は、図１に示す装置における搬送路３の区分について説明する図である。
本実施形態では、搬送路３は二つに区分されている。具体的には、図５に示すように、紙面上上下に延びる中心線を挟んで左側と右側とに区分されている。以下、左側の搬送路３を第一区分搬送路３１、右側の搬送路３を第二区分搬送路３２と呼ぶ。
【００１８】
図１及び図５に示す方形の搬送路３のうち、紙面上下側の辺には、第一区分搬送路３１の最上流部と、第二区分搬送路３２の最下流部が位置している。第一区分搬送路３１の最上流部には、第一区分搬送路３１上で真空連続処理を行う基板９を大気側から搬入する第一ロードロックチャンバー４１が設けられている。また、第二区分搬送路３２の最下流部には、第二区分搬送路３２上で真空連続処理がされた基板９を大気側に搬出する第二アンロードロックチャンバー５９が設けられている。第一ロードロックチャンバー４１と第二アンロードロックチャンバー５９とは、ゲートバルブ６を介して気密に接続されている。
【００１９】
また、図１に示す方形の搬送路３のうち、紙面上上側の辺には、第一区分搬送路３１の最下流部と第二区分搬送路３２の最上流部が位置している。第一区分搬送路３１の最下流部には、第一区分搬送路３１上で真空連続処理された基板９を大気側に搬出する第一アンロードロックチャンバー４９が設けられている。また、第二区分搬送路３２の最上流部には、第二区分搬送路３２上で真空連続処理を行う基板９を大気側から搬入する第二ロードロックチャンバー５１が設けられている。第一アンロードロックチャンバー４９と第二ロードロックチャンバー５１とは、同様にゲートバルブ６を介して気密に接続されている。
【００２０】
第一第二ロードロックチャンバー４１，５１内には、それぞれ搬入用ロボット７１が設けられている。また、第一第二アンロードロックチャンバー４９，５９内には、搬出用ロボット７２が設けられている。搬入用ロボット７１及び搬出用ロボット７２の構成について、図６及び図７を使用して説明する。
図６及び図７は、搬入用ロボット７１及び搬出用ロボット７２の構成について説明する図である。搬入用ロボット７１及び搬出用ロボット７２は、内部に基板９を収容したマスク枠９０を保持しながら基板９の搬入搬出を行うロボットである。搬入用ロボット７１及び搬出用ロボット７２は同様の構成なので、以下、一例として搬入用ロボット７１の構成について図示及び説明する。
【００２１】
搬入用ロボット７１は、図６に示すように、多関節のアーム７１１と、このアーム７１１を駆動するロボット本体７１２と、アーム７１１の先端に固定された先端ユニット７１３とから成っている。ロボット本体７１２は、アーム７１１の伸縮運動、垂直な軸の周りの回転運動及び上下運動を行うようになっている。
先端ユニット７１３は、アーム７１１の先端に固定された垂直な姿勢のベース板７１４と、ベース板７１４に固定された三つのフィンガ７１５，７１６，７１７とから成る。各フィンガ７１５，７１６，７１７は、水平に延びており、先端でマスク枠９０を保持するようになっている。
【００２２】
三つのフィンガ７１５，７１６，７１７のうちの一つ（以下、第一フィンガ）７１５は、ベース板７１４の下端中央に固定されている。残りの二つのフィンガ（第二第三フィンガ）７１６，７１７は、ベース板７１４の上端の両隅に固定されている。即ち、第二フィンガ７１６は、ベース板７１４の上端の左隅から水平に延びており、第三フィンガ７１７は、ベース板７１４の上端の右隅から水平に延びている。
【００２３】
第一フィンガ７１５の先端には、図６に示すようにＶ溝が二つ形成されている。マスク枠９０が保持される際、マスク枠９０の下縁がこのＶ溝に落とし込まれる。また、第二第三フィンガ７１６，７１７の先端にも、二つのＶ溝が形成されている。マスク枠９０の上端の両隅には、図２に示すように円形の保持用開口９１が設けられている。第二第三フィンガ７１６，７１７の先端は、図７に示すように、この保持用開口９１内に進入してＶ溝で保持用開口９１の上縁を受ける。この結果、各マスク枠９０が各フィンガ７１５，７１６，７１７に接触して支持されるようになっている。
【００２４】
次に、基板９の搬入搬出の動作について説明する。
未処理の基板９は、予めマスク枠９０に収容され、図１中不図示の未処理用カセット内に収められている。このカセットは、マスク枠９０を垂直な姿勢で複数収容可能なものである。第一第二ロードロックチャンバー４１，５１内では、所定の位置で空の（基板９を保持していない）基板保持具１が待機している。
【００２５】
搬入用ロボット７１は、前述したように未処理用カセット内のマスク枠９０を保持し、アーム７１１を伸ばして先端ユニット７１３を第一第二ロードロックチャンバー４１，５１内の基板保持具１の真上まで持っていく。搬入用ロボット７１は、マスク枠９０内の基板９の板面が、基板保持具１の保持板１２の板面方向に一致した状態とし、その状態を保持しながらアーム７１１を下降させ、マスク枠９０を前述したように保持板１２の切り欠き内に位置させる。この際、マスク枠９０は、その側部が保持板１２の一対の凸部１２１によってガイドされがら下降し、下縁が突出部１２２のＶ溝に落とし込まれる。これにより、マスク枠９０が基板保持具１に保持された状態となる。その後、搬入用ロボット７１は、先端ユニット７１３をわずかに下降させ、アーム７１１を縮めて先端ユニット７１３を後退させる。
【００２６】
処理済みの基板９を搬出する搬出用ロボット７２の動作は、これは逆になる。即ち、アーム７１１を伸ばして先端ユニット７１３を基板保持具１のところに持っていき、少し上昇させて三つのフィンガ７１５，７１６，７１７で保持枠を支持する。搬出用ロボット７２は、そのまま先端ユニット７１３を上昇させ、マスク枠９０を基板保持具１から引き抜く。マスク枠９０が所定の上昇位置に達したら、アーム７１１の縮めて先端ユニット７１３を後退させる。そして、マスク枠９０を、図１中不図示の処理済み用カセットのところまで持っていき、処理済み用カセットに収める。
【００２７】
次に、本実施形態の装置における各真空チャンバー４１〜４９，５１〜５９の構成について説明する。
本実施形態では、基板９に対する処理の一例として、薄膜作成処理（成膜処理）を含む処理を真空中で連続して行うようになっている。そして、第一区分搬送路３１上での真空連続処理と、第二区分搬送路３２上での真空連続処理とは同一のものとなっている。即ち、第一区分搬送路３１上の各真空チャンバー４１〜４９の構成と、第二区分搬送路３２上の各真空チャンバー５１〜５９の構成は、同一のものとなっている。以下、一例として、第一区分搬送路３１上の各真空チャンバー４１〜４９の構成について説明する。
【００２８】
第一区分搬送路３１上の各真空チャンバーについて、基板９が搬送される順に説明すると、第一ロードロックチャンバー４１、第一方向転換チャンバー４２、第一プリヒートチャンバー４３、第二プリヒートチャンバー４４、第一成膜チャンバー４５、第二成膜チャンバー４６、予備真空チャンバー４７、第二方向転換チャンバー４８、第一アンロードロックチャンバー４９となっている。
【００２９】
第一第二プリヒートチャンバー４３，４４は、真空中で基板９を加熱して基板９の表面又は内部のガスを予め放出させるものである。第一第二プリヒートチャンバー４３，４４は、ともに同様の構成であり、輻射加熱ランプによって基板９を所定の温度まで加熱するよう構成されるている。
【００３０】
第一第二成膜チャンバー４５，４６は、本実施形態では、同様の構成となっており、スパッタリングによる成膜を行うものとなっている。以下、一例として、第一成膜チャンバー４５の構成について説明する。図４には、第一成膜チャンバー４５の構成が示されている。
第一成膜チャンバー４５は、内部を排気する排気系４５１と、内部にプロセスガスを導入するガス導入系４５２と、内部の空間に被スパッタ面を露出させて設けたターゲット４５３と、ターゲット４５３にスパッタ放電用の電圧を印加するスパッタ電源４５４と、マグネトロンスパッタリングを行うためにターゲットの背後に設けられた磁石機構４５５とから主に構成されている。磁石機構４５５は、中央磁石４５６と、中央磁石を取り囲む周辺磁石４５７と、両者をつなぐヨーク４５８等から構成されている。
【００３１】
ガス導入系４５２によってプロセスガスを導入しながら排気系４５１によって第一成膜チャンバー４５内を所定の圧力に保ち、この状態でスパッタ電源４５４を動作させる。この結果、スパッタ放電が生じてターゲット４５３がスパッタされ、スパッタされたターゲット４５３の材料が基板９に達して基板９の表面に所定の薄膜が作成される。
尚、図２に示すように、本実施形態では基板保持具１は二枚の基板９を同時に保持している。第一成膜チャンバー４５内では、最初の基板９がターゲット４５３に対向する状態で成膜が行われた後、基板保持具１が移動して次の基板９がターゲット４５３に対向する状態とし、次の基板９への成膜を行う。
【００３２】
また、特開平１０−８８３３６号公報に開示されているように、磁石機構４５５をターゲット４５３の中心軸から偏心した配置とし、磁石機構４５５が、ターゲット４５３の中心軸の周りの回転（公転）及び自らの中心軸の周りの回転（自転）とを行うようにすると、エロージョンが均一になるので好適である。
【００３３】
成膜の一例としては、透明電極用のＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）膜が挙げられる。この場合、ターゲット４５３は、ＩＴＯから成るものが使用される。ガス導入系４５２は、アルゴンと酸素を混合して導入するよう構成される。酸素は、ターゲット４５３をスパッタする作用もあるが、酸化作用によって膜の組成や特性を良くするために導入される。
【００３４】
尚、図１に示す予備真空チャンバー４７は、必要に応じて構成が最適化される。例えば、成膜後に基板９を冷却する必要がある場合、冷却チャンバーとして構成される。冷却チャンバーは、特開平１１−２０３７３４号公報に開示されているように、所定の低温に冷却された冷却ブロックを基板９に対向させ、基板９と冷却ブロックとの間にヘリウム等の熱伝導性の高いガスを導入する構成とされる。
【００３５】
次に、上記構成に係る本実施形態の装置の全体の動作について説明する。本実施形態の装置は、全体として構成が左右対称であることから、動作も全体に左右対称であり、同じ動作をする。
まず、第一区分搬送路３１上の第一ロードロックチャンバー４１内には、基板９を保持していない基板保持具１が位置し、第一アンロードロックチャンバー４９内には、処理済みの基板９を搭載した基板保持具１が位置している。また、第二区分搬送路３２上の第二ロードロックチャンバー５１内には、基板９を搭載していない基板保持具１が位置し、第二アンロードロックチャンバー５９内には、処理済みの基板９を搭載した基板保持具１が位置している。さらに、第一区分搬送路３１上の各真空チャンバー４２〜４８及び第二区分搬送路３２上の各真空チャンバー５２〜５８内には、基板９を保持した基板保持具１が位置している。
【００３６】
この状態で、１タクトタイムが開始される。即ち、各プリヒートチャンバー４３，４４，５３，５４内では予備加熱が行われ、各成膜チャンバー４５，４６，５５，５６では所定の成膜が行われる。並行して、第一第二ロードロックチャンバー４１，５１内では未処理の基板９の基板保持具１への搭載動作が前述したように行われ、第一第二アンロードロックチャンバー４９，５９内では処理済みの基板９の基板保持具１からの回収動作がそれぞれ行われる。また、各方向転換チャンバー４２，４８，５２，５８では、不図示の方向転換機構が動作して基板９の搬送方向を９０度転換する。
【００３７】
１タクトタイムが経過すると、各ゲートバルブ６が開き、各基板保持具１は、搬送方向下流側の真空チャンバー４１〜４９，５１〜５９にそれぞれ移動する。そして、各ゲートバルブ６が閉じた後、同様にして次のタクトタイムの動作を繰り返す。
尚、第一アンロードロックチャンバー４９内にあった基板保持具１は、処理済みの基板９の回収動作の後、大気に取り出されることなく第二ロードロックチャンバー５１内に移動し、次の未処理の基板９の保持に利用される。また、第二アンロードロックチャンバー５９内にあった基板保持具１は、処理済みの基板９の回収動作の後、大気に取り出されることなく第一ロードロックチャンバー４１内に移動し、次の未処理の基板９の保持に利用される。
【００３８】
このようにして、各基板保持具１は、基板９を保持しながら第一区分搬送路３１上を移動した後、別の基板９を保持して第二区分搬送路３２上を移動する。そして、第一区分搬送路３１と第二区分搬送路３２から成る方形の搬送路３を何回も周回しながら、次々に基板９を保持して、基板９の処理が行われるようにする。
尚、基板保持具１は、所定回数の周回の後、メンテナンス等のため大気に取り出される。これは、例えば基板保持具１の表面に堆積した膜の除去のためである。堆積した膜を除去しておかないと、剥離により微粒子（パーティクル）を発生させる原因となるからである。パーティクルが基板９に付着すると、局部的な膜厚異常等の欠陥を生じさせる原因になる場合がある。
【００３９】
上記説明から解るように、本実施形態の構成によれば、一つの無終端状の搬送路３を区分して使い、未処理の基板９の投入と処理済みの基板９の投入とが複数箇所で行われるようにしている。このため、装置全体の占有スペースの増大を抑えつつ、生産性を高めることができる。生産性を高めるには、一例の連続真空処理を行う無終端状の搬送路３を複数設けることが考えられるが、このような構成は、前述したように装置自体を複数設置するのと同じであり、占有スペースが非常に大きくなってしまう。本実施形態のようにすれば、占有スペースの増大を抑えつつ真空チャンバーの数を増やすことができ、生産性をより高くすることができる。
【００４０】
尚、本願発明は、複数の無終端状の搬送路を設けることを排除するものではない。複数の無終端状の搬送路を複数に区分して、複数の真空連続処理を行うようにする場合もある。
また、本実施形態では、搬送路３が方形であるので、各真空チャンバー４１〜４９，５１〜５９の配列も方形となり、装置全体の構造が整然となる。このため、スペースの利用効率が高く、既存の生産ラインへの導入が容易である。尚、搬送路３の形状は方形に限られる訳ではなく、三角形や五角形、六角形等でも良い。
【００４１】
また、本実施形態では、基板保持具１が大気に取り出されることなく所定回数周回するので、大気中のゴミや不純ガスの取り込みが抑制されている。基板保持具１が一連の処理のたびに大気に取り出されると、大気中のゴミや不純ガスが基板保持具１の表面に付着し易い。これが遊離して基板９の表面に付着すると、基板９の表面を汚損する原因になる。また、基板保持具１が大気に取り出されると、基板保持具１に堆積した膜の表面酸化等が生じ内部応力が大きくなる。この結果、膜が剥離してパーティクルを発生させる可能性が高くなる。本実施形態の構成では、このような問題はない。
上記実施形態では、第一区分搬送路３１上での真空連続処理と第二区分搬送路３２上の真空連続処理は同じものであったが、異なる真空連続処理をするものであっても良い。また、区分搬送路の数は、三つ以上であっても良い。
【００４２】
さらに、上記実施形態の説明では、成膜はＩＴＯ膜の作成を例にして説明されたが、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）用の成膜、ブラックマトリックス用の成膜等でも良い。また、装置は、液晶ディスプレイ製造プロセスに使用されるものの他、プラズマディスプレイの製造プロセスに使用されるものでも良い。さらに、ディスプレイ用の他、ハードディスク等の情報記録媒体の製造プロセスや、ＬＳＩを始めとする各種電子製品の製造プロセスに使用されるものでも良い。処理を行う真空チャンバー４１〜４９，５１〜５９の構成は、それらの目的のために適宜変更され、最適化される。従って、前述したスパッタリング以外の他、化学蒸着（ＣＶＤ）のような成膜処理、プラズマを利用したエッチング処理等を行うよう構成される場合もある。
【００４３】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本願の請求項１記載の発明によれば、一つの無終端状の搬送路を区分して使い、未処理の基板の投入と処理済みの基板の投入とが複数箇所で行われるようにしているため、装置全体の占有スペースの増大を抑えつつ、生産性を高めることができる。
また、請求項２記載の発明によれば、上記効果に加え、搬送路が方形であるので、スペースの利用効率が高く、既存の生産ラインへの導入が容易である。
また、請求項３記載の発明によれば、上記効果に加え、基板保持具が大気に取り出されることなく所定回数周回するので、大気中のゴミや不純ガスの取り込みが抑制される。このため、基板に対する処理の品質が高くなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明の実施形態のインライン式基板処理装置の平面概略図である。
【図２】図１の装置で使用される基板保持具１の正面概略図である。
【図３】図２に示す保持板１２の凸部１２１の形状を示す平面断面概略図である。
【図４】搬送系及び第一成膜チャンバー４５の構成について説明する側面概略図である。
【図５】図１に示す装置における搬送路３の区分について説明する図である。
【図６】搬入用ロボット７１及び搬出用ロボット７２の構成について説明する図である。
【図７】搬入用ロボット７１及び搬出用ロボット７２の構成について説明する図である。
【符号の説明】
１ 基板保持具
３ 搬送路
３１ 第一区分搬送路
３２ 第二区分搬送路
４１ 第一ロードロックチャンバー
４５ 第一成膜チャンバー
４６ 第二成膜チャンバー
４９ 第一アンロードロックチャンバー
５１ 第二ロードロックチャンバー
５９ 第二アンロードロックチャンバー
６ ゲートバルブ
７１ 搬入用ロボット
７２ 搬出用ロボット
９ 基板
９０ マスク枠

Claims (3)

1. 処理対象物である基板を保持する基板保持具と、この基板保持具を移動させて基板を搬送する搬送系と、所定の処理を基板に対して真空中で連続的にできるように搬送路に沿って配置された複数の真空チャンバーとより成るインライン式基板処理装置であって、
   前記搬送路は無終端の周状であって、前記基板保持具は所定回数の成膜処理の間大気に取り出されることなく真空中で前記搬送路を周回するものであり、
   前記搬送路は複数に区分されていて、各区分では同一又は異種の前記真空連続処理が行われるようになっており、各区分の搬送路の最上流部には大気側から基板を搬入する真空チャンバーであるロードロックチャンバーが設けられ、各区分の搬送路の最下流部には大気側に基板を搬出する真空チャンバーであるアンロードロックチャンバーが設けられていることを特徴とするインライン式成膜装置。
2. 前記搬送路は方形であることを特徴とする請求項１記載のインライン式基板処理装置。
3. 前記基板保持具は、大気側に取り出されることなく前記搬送路を所定回数周回して基板の保持に利用されるものであることを特徴とする請求項１又は２記載のインライン式基板処理装置。

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