JPS63161636A - プラズマ気相成長システム - Google Patents
プラズマ気相成長システムInfo
- Publication number
- JPS63161636A JPS63161636A JP61307734A JP30773486A JPS63161636A JP S63161636 A JPS63161636 A JP S63161636A JP 61307734 A JP61307734 A JP 61307734A JP 30773486 A JP30773486 A JP 30773486A JP S63161636 A JPS63161636 A JP S63161636A
- Authority
- JP
- Japan
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- holder
- substrate
- plasma cvd
- thin film
- removal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 25
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 21
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 2
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
この発明は、プラズマ気相成長システムに関する。
(従来の技術)
半導体装置やその他電子部品の基板に所要の薄膜パター
ンを形成するために、これをプラズマ気相成長(以下、
プラズマCVDと略記する)法でおこなう場合がある。
ンを形成するために、これをプラズマ気相成長(以下、
プラズマCVDと略記する)法でおこなう場合がある。
従来、このプラズマCVDは、第2図に示すように、搬
送装置(1)のコンベアにホルダー(2)を取付けて、
これを′wJ環させ、基板取付は部(3)でこのホルダ
ー(2)に基板(4)を搭載してプラズマCVD装置(
5)に搬送し、このプラズマCVD装置(5)において
、ホルダー(2)に搭載したまま基板(4)に薄膜パタ
ーンを形成して、基板取外し部(6)に突出し、この基
板取外し部(6)で上記基板(4)を取外したのち、ホ
ルダー(2)を基板取付は部(3)に返送する方法でお
こなわれている。
送装置(1)のコンベアにホルダー(2)を取付けて、
これを′wJ環させ、基板取付は部(3)でこのホルダ
ー(2)に基板(4)を搭載してプラズマCVD装置(
5)に搬送し、このプラズマCVD装置(5)において
、ホルダー(2)に搭載したまま基板(4)に薄膜パタ
ーンを形成して、基板取外し部(6)に突出し、この基
板取外し部(6)で上記基板(4)を取外したのち、ホ
ルダー(2)を基板取付は部(3)に返送する方法でお
こなわれている。
しかし、この方法で薄膜パターンを形成すると、基板(
4)ばかりでなくホルダー(2)にも、プラズマにより
活性化された薄膜形成用粒子が付着し、ホルダー(2)
を汚す。したがって、このホルダー(2)をそのまま薄
膜形成に使用すると、ホルダー(2)上の付着物が剥難
して基板(4)に付着し、所要の薄膜パターンが形成で
きなくなる。そのため、従来は、ホルダー(2)を着脱
可能とし、これをコンベアから取外し、搬送装置(1)
以外の場所で、ウェットエツチング、ドライエツチング
、ドライホーニングなどの方法によりその汚れを除去し
ていた。
4)ばかりでなくホルダー(2)にも、プラズマにより
活性化された薄膜形成用粒子が付着し、ホルダー(2)
を汚す。したがって、このホルダー(2)をそのまま薄
膜形成に使用すると、ホルダー(2)上の付着物が剥難
して基板(4)に付着し、所要の薄膜パターンが形成で
きなくなる。そのため、従来は、ホルダー(2)を着脱
可能とし、これをコンベアから取外し、搬送装置(1)
以外の場所で、ウェットエツチング、ドライエツチング
、ドライホーニングなどの方法によりその汚れを除去し
ていた。
しかし、このような方法でシステ11の稼動率を良好に
するためには予備のホルダー(2)を必要とする。また
、予備のホルダーを設けても、な才9これを入替えると
きロスタイムを生ずるので、システ13の稼動率を十分
に上げることができない。
するためには予備のホルダー(2)を必要とする。また
、予備のホルダーを設けても、な才9これを入替えると
きロスタイムを生ずるので、システ13の稼動率を十分
に上げることができない。
(発明が解決しようとする問題点)
」−2のようにプラズマCVDシステムでは、ホルダー
に基板を搭載してプラズマCVD装置に搬送して、ホル
ダーに搭載したままでJ、(板に薄膜パターンを形成す
るため、ホルダーにも薄膜形成粒子が付着し、その付着
物が剥離して基板に付着し、その後の薄膜パターンの形
成が不可能になる。そのため、従来は、ホルダーをコン
ベアレこ対して着IIsλ可能とし、これをコンベアか
ら取外してエツチングによりその付着物を除去している
。しかし、このような方法でプラズマCVDシステムの
稼@率を上げるためには、予備のホルダーを必要とし、
また、予備のホルダーを設けても、なおそれを入替える
ときロスタイムを生じシステ11の稼動率を低下させる
という問題点がある。
に基板を搭載してプラズマCVD装置に搬送して、ホル
ダーに搭載したままでJ、(板に薄膜パターンを形成す
るため、ホルダーにも薄膜形成粒子が付着し、その付着
物が剥離して基板に付着し、その後の薄膜パターンの形
成が不可能になる。そのため、従来は、ホルダーをコン
ベアレこ対して着IIsλ可能とし、これをコンベアか
ら取外してエツチングによりその付着物を除去している
。しかし、このような方法でプラズマCVDシステムの
稼@率を上げるためには、予備のホルダーを必要とし、
また、予備のホルダーを設けても、なおそれを入替える
ときロスタイムを生じシステ11の稼動率を低下させる
という問題点がある。
この発明は、上記問題点を解決するためになされたもの
であり、コンベアからホルダーを取外すことなく、シス
テムの稼動中にホルダーから付着物を除去できるように
プラズマCVD装置を構成することを目的とする。
であり、コンベアからホルダーを取外すことなく、シス
テムの稼動中にホルダーから付着物を除去できるように
プラズマCVD装置を構成することを目的とする。
プラズマCVD装置、および基板を搭載するホルダーを
支持して、基板取付は部で上記ホルダーに搭載された基
板を上記プラズマCVD装置に搬送し、このプラズマC
VD装置において上記ホルダーに搭載したまま上記基板
に薄膜を形成したのち、この基板を上記ホルダーととも
に基板取外し部に搬出し、この基板取外し部から−に記
基板の取外されたホルダーを上記基板取付は部に返送す
る搬送装置を有するプラズマCVD装置において、−上
記ル板取外し部から−1;記基板取付部に−に記ホルダ
ーを返送する迦送路の中間に一]−記ホルダーの汚れを
除去する除去装置を設けた。。
支持して、基板取付は部で上記ホルダーに搭載された基
板を上記プラズマCVD装置に搬送し、このプラズマC
VD装置において上記ホルダーに搭載したまま上記基板
に薄膜を形成したのち、この基板を上記ホルダーととも
に基板取外し部に搬出し、この基板取外し部から−に記
基板の取外されたホルダーを上記基板取付は部に返送す
る搬送装置を有するプラズマCVD装置において、−上
記ル板取外し部から−1;記基板取付部に−に記ホルダ
ーを返送する迦送路の中間に一]−記ホルダーの汚れを
除去する除去装置を設けた。。
(作 用)
上記のように載板取外し部から基板取付は部にホルダー
を返送する搬送路の中間にホルダーの汚れを除去する除
去装置を設けると、搬送装置からホルダーを取外すこと
なく、システムを稼動しながらホルダーの汚れを除去す
ることができる。
を返送する搬送路の中間にホルダーの汚れを除去する除
去装置を設けると、搬送装置からホルダーを取外すこと
なく、システムを稼動しながらホルダーの汚れを除去す
ることができる。
(実施例)
以下、図面を参照してこの発明を実施例に基づいて説明
する。
する。
第1図にこの発明の一実施例プラズマCVDシステムの
構成を示す。このシステムは、プラズマCVD装置(5
)と、半導体装置あるいはその地主子部品に用いられる
基板(4)を搭載するホルダー(10)を支持して、こ
のホルダー(10)を上記プラズマCVD装置(5)を
経由して循環させる搬送装置(1)とを有する。この搬
送装置(1)の上記プラズマc v o 31置(5)
の前段側には、上記ホルダー(10) Lこ基板(4)
を搭載する基板取付は部(3)が、また、上記プラズマ
CVD装置(5)の後段側には、ホルダー(10)から
基板(4)を取外す基板取外し部(6)が設けられてい
る。
構成を示す。このシステムは、プラズマCVD装置(5
)と、半導体装置あるいはその地主子部品に用いられる
基板(4)を搭載するホルダー(10)を支持して、こ
のホルダー(10)を上記プラズマCVD装置(5)を
経由して循環させる搬送装置(1)とを有する。この搬
送装置(1)の上記プラズマc v o 31置(5)
の前段側には、上記ホルダー(10) Lこ基板(4)
を搭載する基板取付は部(3)が、また、上記プラズマ
CVD装置(5)の後段側には、ホルダー(10)から
基板(4)を取外す基板取外し部(6)が設けられてい
る。
プラズマCVD装置(5)は、隔壁(iりを介してトー
記ホルダー(10)の送り方向に複数の部J!dに分割
されている。この実施例では、基板取付は部(3)側か
ら、ローディング室(12a)、第1成膜室(12b)
、第2成膜室(12c)、アンローディング室(12d
)の順に配列され、特にローディング室(12a)には
、基板(4)を予備加熱する加熱′!A置が、また、第
1、第2成膜室(L2b)、 (12c)には、それぞ
れプラズマおよびこのプラズマにより活性化された薄膜
形rJ’Q、用粒子を発生させる成膜装置が配設されて
いる。
記ホルダー(10)の送り方向に複数の部J!dに分割
されている。この実施例では、基板取付は部(3)側か
ら、ローディング室(12a)、第1成膜室(12b)
、第2成膜室(12c)、アンローディング室(12d
)の順に配列され、特にローディング室(12a)には
、基板(4)を予備加熱する加熱′!A置が、また、第
1、第2成膜室(L2b)、 (12c)には、それぞ
れプラズマおよびこのプラズマにより活性化された薄膜
形rJ’Q、用粒子を発生させる成膜装置が配設されて
いる。
基板(4)は、基板取付は部(3)においてホルダー(
10)に搭載され、搬送装置(1)によりプラズマCV
D装置(5)に搬送される。そして、このプラズマCV
D装置(5)において、搬送装置(1)により、ローデ
ィング室(12a)、第1.第2成膜室(12b) 、
(12c)の順′ に移送される間にホルダー(10
)に搭載されたまま薄膜が形成される。その後、この薄
膜の形成された基板(4)は、アンローティング室(1
2d)からホルダー(10)に搭載されたまま基板取外
し部(6)に搬出され、この基板取外し部(6)におい
てホルダー(10)から取外される。この基板(4)を
取外したあとのホルダー(10)は、その後、搬送装置
(1)によりこの基板取外し部(6)から基板取付は部
(3)に返送される。
10)に搭載され、搬送装置(1)によりプラズマCV
D装置(5)に搬送される。そして、このプラズマCV
D装置(5)において、搬送装置(1)により、ローデ
ィング室(12a)、第1.第2成膜室(12b) 、
(12c)の順′ に移送される間にホルダー(10
)に搭載されたまま薄膜が形成される。その後、この薄
膜の形成された基板(4)は、アンローティング室(1
2d)からホルダー(10)に搭載されたまま基板取外
し部(6)に搬出され、この基板取外し部(6)におい
てホルダー(10)から取外される。この基板(4)を
取外したあとのホルダー(10)は、その後、搬送装置
(1)によりこの基板取外し部(6)から基板取付は部
(3)に返送される。
しかして、この例のプラズマCVDシステムでは、この
ホルダー(10)を基板取外し部(6)から基板取付は
部(3)に返送する搬送路の中間に、ウェットエツチン
グ、ドライエツチングまたはドライホーニングなどのエ
ツチング方法により、上記ホルダー(10)の汚れを除
去する除去装置t¥(13)が設けられている。しかも
、この除去装置(13)は、その除去動作の開始および
停止を任意に制御できるようになっている。
ホルダー(10)を基板取外し部(6)から基板取付は
部(3)に返送する搬送路の中間に、ウェットエツチン
グ、ドライエツチングまたはドライホーニングなどのエ
ツチング方法により、上記ホルダー(10)の汚れを除
去する除去装置t¥(13)が設けられている。しかも
、この除去装置(13)は、その除去動作の開始および
停止を任意に制御できるようになっている。
ところで、上記のようにホルダー(10)に搭載したま
ま基板(4)に薄膜を形成すると、プラズマにより活性
化された薄膜形成用粒子がホルダー(10)にも付着し
、このホルダー(10)をそのまま薄膜形成に使用する
と、その付着物が剥離して基板(4)に付着し、所要の
薄膜パターンを形成することができなくなるが、」−記
プラズマCVDシステムのように、基板(4)を取外し
たあと、ホルダー(10) &返送する搬送路の中間に
除去装置(13)を設けろと。
ま基板(4)に薄膜を形成すると、プラズマにより活性
化された薄膜形成用粒子がホルダー(10)にも付着し
、このホルダー(10)をそのまま薄膜形成に使用する
と、その付着物が剥離して基板(4)に付着し、所要の
薄膜パターンを形成することができなくなるが、」−記
プラズマCVDシステムのように、基板(4)を取外し
たあと、ホルダー(10) &返送する搬送路の中間に
除去装置(13)を設けろと。
システムを稼動しながら、すなわち一方で薄膜を形成し
ながらホルダー(10)の汚れを除去することができ、
システムの稼動率を向上することができる。また、この
ようなシステムを構成すると、従来必要とした予備のホ
ルダーが不要となり、さらに、従来のように必ずしもホ
ルダーを着脱可能にする必要がなく、システムを簡単化
することができる。
ながらホルダー(10)の汚れを除去することができ、
システムの稼動率を向上することができる。また、この
ようなシステムを構成すると、従来必要とした予備のホ
ルダーが不要となり、さらに、従来のように必ずしもホ
ルダーを着脱可能にする必要がなく、システムを簡単化
することができる。
なお、上記実施例において、ホルダーの汚れをセンサー
により検出し、このセンサーの出力に基づいて除去”A
置の動作を自動制御することは任簿。
により検出し、このセンサーの出力に基づいて除去”A
置の動作を自動制御することは任簿。
におこなうことができる。
基板取付は部においてホルダーに搭↓見された基板をプ
ラズマCVD装置に搬送し、このプラズマCVD装置に
おいてホルダーに搭載したまま基板に薄膜を形成したの
ち、この基板をホルダーとともに基板取外し部に搬送し
、この基板取外し部から基板の取外されたホルダーを1
−、記法板取付は部に返送する搬送装置を有するプラズ
マCVD装置において、ヒ1fこホルダーを返送する搬
送路の中間に、ホルダーの汚れを除去装置を設けたので
、薄膜を形成しながらホルダーの汚れを除去することが
でき、したがって、システムの稼CJ字を向トすること
ができる。また、従来必要とした予備のホルダーを不要
とし、また、従来のように必ずしもホルダーを着脱可能
にする必要がなく、システムWi111化することがで
きる。
ラズマCVD装置に搬送し、このプラズマCVD装置に
おいてホルダーに搭載したまま基板に薄膜を形成したの
ち、この基板をホルダーとともに基板取外し部に搬送し
、この基板取外し部から基板の取外されたホルダーを1
−、記法板取付は部に返送する搬送装置を有するプラズ
マCVD装置において、ヒ1fこホルダーを返送する搬
送路の中間に、ホルダーの汚れを除去装置を設けたので
、薄膜を形成しながらホルダーの汚れを除去することが
でき、したがって、システムの稼CJ字を向トすること
ができる。また、従来必要とした予備のホルダーを不要
とし、また、従来のように必ずしもホルダーを着脱可能
にする必要がなく、システムWi111化することがで
きる。
第1図はこの発明の一実施例プラズマCVDシステムの
構成図、第2図は従来のプラズマCVDシステムの構成
図である。 (1)・・・搬送装置 (3)・・・基板取付は部
(4)・・・基板 (5)・・・プラズマC
VD装置(6)・・・基板取外し部 (10)・・ホル
ダー(13)・・・除去装置
構成図、第2図は従来のプラズマCVDシステムの構成
図である。 (1)・・・搬送装置 (3)・・・基板取付は部
(4)・・・基板 (5)・・・プラズマC
VD装置(6)・・・基板取外し部 (10)・・ホル
ダー(13)・・・除去装置
Claims (2)
- (1)プラズマCVD装置、および基板を搭載するホル
ダーを支持して基板取付け部で上記ホルダーに搭載され
た基板を上記プラズマCVD装置に搬送し、このプラズ
マCVD装置において上記ホルダーに搭載したまま上記
基板に薄膜を形成したのち、この基板を上記ホルダーと
ともに基板取外し部に搬出し、この基板取外し部から上
記基板の取外されたホルダーを上記基板取付け部に返送
する搬送装置を有するプラズマ気相成長システムにおい
て、上記基板取外し部から上記基板取付け部に上記ホル
ダーを返送する搬送路の中間に上記ホルダーの汚れを除
去する除去装置を設けたことを特徴とするプラズマ気相
成長システム。 - (2)除去装置は動作開始および動作停止を切換え可能
に設けられていることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載のプラズマ気相成長システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61307734A JPS63161636A (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | プラズマ気相成長システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61307734A JPS63161636A (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | プラズマ気相成長システム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63161636A true JPS63161636A (ja) | 1988-07-05 |
Family
ID=17972618
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61307734A Pending JPS63161636A (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | プラズマ気相成長システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63161636A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5288329A (en) * | 1989-11-24 | 1994-02-22 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Chemical vapor deposition apparatus of in-line type |
US5846328A (en) * | 1995-03-30 | 1998-12-08 | Anelva Corporation | In-line film deposition system |
JP2001156158A (ja) * | 1999-11-24 | 2001-06-08 | Anelva Corp | 薄膜作成装置 |
US6251232B1 (en) | 1999-03-26 | 2001-06-26 | Anelva Corporation | Method of removing accumulated films from the surface of substrate holders in film deposition apparatus, and film deposition apparatus |
JP2002176090A (ja) * | 2000-12-07 | 2002-06-21 | Anelva Corp | インライン式基板処理装置 |
WO2004090927A1 (ja) * | 2003-04-04 | 2004-10-21 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
-
1986
- 1986-12-25 JP JP61307734A patent/JPS63161636A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5288329A (en) * | 1989-11-24 | 1994-02-22 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Chemical vapor deposition apparatus of in-line type |
US5846328A (en) * | 1995-03-30 | 1998-12-08 | Anelva Corporation | In-line film deposition system |
US6027618A (en) * | 1995-03-30 | 2000-02-22 | Anelva Corporation | Compact in-line film deposition system |
US6251232B1 (en) | 1999-03-26 | 2001-06-26 | Anelva Corporation | Method of removing accumulated films from the surface of substrate holders in film deposition apparatus, and film deposition apparatus |
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JP4614529B2 (ja) * | 2000-12-07 | 2011-01-19 | キヤノンアネルバ株式会社 | インライン式基板処理装置 |
WO2004090927A1 (ja) * | 2003-04-04 | 2004-10-21 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
US7500894B2 (en) | 2003-04-04 | 2009-03-10 | Panasonic Corporation | Method for manufacturing plasma display panels with consistent panel substrate characteristics |
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