JPS59228932A

JPS59228932A - 気相成長装置

Info

Publication number: JPS59228932A
Application number: JP10314683A
Authority: JP
Inventors: Hideo Ishii; 石井　英夫
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1983-06-09
Filing date: 1983-06-09
Publication date: 1984-12-22
Anticipated expiration: 2009-01-26
Also published as: JPH067547B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（ａ）　　発明の技術分野本発明は、気相成長装置に係り、特に、その構成に関す
。

（ｂｌ　　技術の背景半導体装置の主体をなす、半導体素子の製造において、
薄膜形成は重要な工程の一つであり、多結晶シリコン（
Ｓｉ）　　・二酸化シリコン（ＳｉＯ２）・リン珪酸ガ
ラス（ＰＳＧ　（Ｐｈｏｓｐｈｏ　５ｉｌｉｃａｔｅ　
Ｇｌａｓｓ）〕などは、ＣＶＤ法によって形成されてい
る。

これは、薄膜形成させるウェハを加熱しておき、例えば
、モノシラン（Ｓｉ■苧）等の反応ガス、一種または数
種をそこへ当て、化学反応を利用して、薄膜を成長させ
る方法で、気相成長装置を使用して、作業が行われる。

半導体装置の高性能化のため、半導体素子内の回路集積
度が上がって来ており、これに伴い、形成される薄膜の
質の向上が必要になって、気相成長装置には、膜の均一
性、異物付着の低減、更には、生産性の向上環に向けて
の、改良が望まれている。　゛（Ｃ）　　従来技術と問題点第１図は従来の連続式気相成長装置の薄膜形成機構部構
成の一例を示した図で、１はウェハ、２はサセプタ、３
はコンベヤ、４はヒータ、５はデスパージョンヘッド、
６は反応ガスをそれぞれ示す。

ウェハ１は、コンベヤ３に係止されたサセプタ２に載置
されて、図示右方向へ一定速度で搬送される。サセプタ
２の下側には、ヒータ４が設置されていて、ウェハ１が
、前記搬送過程において、ヒータ４により、サセプタ２
を介して所定の温度に加熱されたところで、上部に設置
されているデスバージョンヘッド５から吹き出す反応ガ
ス６に当たり、薄膜の被着面なるウェハ１の上表面に薄
膜が形成される。

この構成の気、相成長装置は、上記機構部分全体が筐体
に収納されているとはいえ、該筐体内に混入した塵埃、
また、サセプタ２の表面に形成された薄膜の剥離したも
の等が、該筐体内で浮遊落下して、ウェハ１の表面に異
物として付着し、前記形成される薄膜の品質を低下させ
る欠点がある。

（ｄｉ　　発明の目的本発明の目的は上記従来の欠点に鑑み、異物付着の少な
い薄膜を形成する、気相成長装置の構成を提供するにあ
る。

（ｅｌ　　発明の構成上記目的は、破波着体の被着面が垂下方向を向いた状態
で、薄膜を形成させる薄膜形成機構と、該薄膜を形成し
た後に、前記被着面およびその周辺の、表面の異物を除
去する洗浄機構とを備える気相成長装置にする、本発明
の構成によって達成される。

薄膜面に付着する異物は、気相成長装置の筐体内に浮遊
してりたものであり、この種の異物は、一般に、上方を
向いている面には付着し易いが、下方を向いている面に
は付着し難いため、前記被着面を下方向に向けることに
より、前記異物の付着は格段に減少する。

また、薄膜形成後、引続いて行う洗浄は、放置後の洗浄
より、異物除去の効果が優れ、該薄膜の品質向上に寄与
するばかりでなく、更に、前記被着面の周辺も同時に洗
浄することにより、例えば、前記サセプタも洗浄される
ので、該サセプタから発生する異物も除去出来て、前記
異物付着の減少にも寄与出来る。

（ｆ）　　発明の実施例以下本発明の一実施例を図により説明する。企図を通じ
同一符号は同一対象物を示す。

第２図は本発明の構成による連続式気相成長装置の一例
の構成図で、２ａはサセプタ、３ａはコンベヤ、７はブ
ラシスクラバー、８はヒータ、９はウェハチャック機構
、１０はウェハリリース機構、１１はカセットをそれぞ
れ示す。

コンベヤ３ａは、左右が円弧、上下が水平のリング状を
なし、反時計方向に一定速度で移動する。

サセプタ２ａは１．コンベヤ３ａに係止されていて、コ
ンベヤ３ａの移動に追従するが、コンベヤ３ａの上下の
水平部分では、サセプタ２ａの表面は、常に、所定の平
面内にあるようになっていて、また、サセプタ２ａの、
外側を向いている表面には、その傾斜如何にかかわらず
、移動離脱のないような、ウェハ１の支持機構を備えて
いる。

この搬送機構の、下側水平部分に薄膜を形成する機構部
が、上側水平部分に洗浄機構部が配置され、更に、ウェ
ハの装着・離脱機構が設けられて、本連続式気相成長装
置がなっている。

薄膜形成の機構部では、ヒータ４は、サセプタ２ａの裏
面側、即ち、サセプタ２ａの上側にあり、デスバージョ
ンヘッド５は、反対に、サセプタ２ａの下側で、反応ガ
ス６を上方に吹き出すように取付けられて、前記従来例
の上下を逆様にした形になっている。

洗浄機構部は、ブラシスクラバー７と、ヒータ８でなっ
ており、共に、サセプタ２ａの表面側、即ち、サセプタ
２ａの上側にあり、ブラシスクラバー７・ヒータβ′の
順に、サセプタ２ａが通過するように、配置されている
。ブラシスクラバー７の、ブラッシング部分の前では、
洗浄液を供給し、後では、水洗水を供給して洗浄し、そ
の後に、ヒータ８で乾燥して洗浄を完了させる。　　　
′薄膜形成の機構部の前には、ウェハ１を、カセット１
１から取り出し、サセプタ２ａへ装着するウェハチャッ
ク機構９が取付けられ、また、洗浄機構部の後には、ウ
ェハ１を、サセプタ２ａから取り出し、カセット１１へ
収納するウェハリリース機構１０が取付けられて、自動
化が図られてい″る。

この構成による連続式気相成長装置では、薄膜形成の機
構は、従来と変わるところはないが、薄膜面での異物付
着の点では、以下のようになり、従来に比べて、大幅に
改良されている。

薄膜面に付着する異物は、気相成長装置の筐体内に浮遊
していたものであり、この種の異物は、一般に、上方を
向いている面には付着し易いが、下方を向いている面に
は付着し難いため、ウェハ１の薄膜被着面を下方向に向
けることにより、前記異物の付着は格段に減少する。

また、薄膜形成直後の洗浄は、放置後の洗浄より、異物
除去の効果が優れ、形成された薄膜の品質向上に寄与す
るばかりでなく、更に、サセプタ２ａの表面も洗浄され
るので、サセプタ２ａから発生する異物も除去出来て、
異物付着の減少にも寄与出来る。

（幻　発明の効果以上に説明したように、本発明による構成によれば、異
物付着の少ない薄膜を形成する、気相成長装置を提供す
ることが出来、形成される薄膜の品質向上を可能にさせ
る効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の連続式気相成長装置の薄膜形成機構部構
成の一例を示した図、第２図は本発明の構成による連続
式気相成長装置の一例の構成図である。図面において、１はウェハ、２・２ａはサセプタ、３・
３ａはコンベヤ、４はヒータ、５はデスバージョンヘッ
ド、６は反応ガス、７はブラシスクラバー、８はヒータ
、９はウェハチャック機構、１０はウェハリリース機構
、１１はカセットをそれぞれ示す。゛

Claims

【特許請求の範囲】

（１）ガスの化学反応を利用して、破波着体の被着面に
、薄膜を形成させる装置において、前記被着面が垂下方
向を向いた状態で、前記薄膜を形成させる薄膜形成機構
と、前記薄膜を形成した後に、前記被着面およびその周
辺の、表面の異物を除去する洗浄機構とを備えたことを
特徴とする気相成長装置。
（２）前記薄膜形成機構と前記洗浄機構が直列に配置さ
れ、前記破波着体が、連続的に順次該両機構に搬送され
ることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の気
相成長装置。