JPH06272027A - 真空蒸着槽の自動洗浄方法及び装置 - Google Patents

真空蒸着槽の自動洗浄方法及び装置

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JPH06272027A
JPH06272027A JP5081199A JP8119993A JPH06272027A JP H06272027 A JPH06272027 A JP H06272027A JP 5081199 A JP5081199 A JP 5081199A JP 8119993 A JP8119993 A JP 8119993A JP H06272027 A JPH06272027 A JP H06272027A
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cleaning
vacuum
vapor deposition
cleaned
tank
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JP5081199A
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Junji Nakada
純司 中田
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Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication date
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    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4407Cleaning of reactor or reactor parts by using wet or mechanical methods
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 磁気記録媒体となる磁性材料を蒸着する真空
蒸着槽の洗浄を効率よく行うとともに、製品歩留りの向
上と磁性材料の再利用とを図り得る真空蒸着槽の洗浄方
法及び装置を提供する。 【構成】 真空蒸着槽1内において基体3に磁性材料6
を蒸着する際、真空蒸着槽1を構成する部材9、10に
不所望に付着する磁性材料6から蒸発せしめられた蒸発
原子の残滓を洗浄するため、基体3への蒸着工程が終了
した後に部材9、10を分離して洗浄位置に搬送し、洗
浄位置において洗浄方向や水圧等を自在に制御し得るよ
うに構成した洗浄ロボット21により洗浄した後、次の
蒸着工程に備えて待機位置に待機させるとともに、洗浄
水をタンクに収容して再利用を図るようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は真空槽、例えば磁気記録
媒体の製造に使用される真空蒸着装置を構成する真空蒸
着槽等の汚れを除去する際に好適な洗浄方法及び該洗浄
方法を実施するための洗浄装置に関する。
【0002】
【従来の技術】周知の如く、ビデオ信号やオーディオ信
号の磁気記録媒体として例えば磁気ディスクや磁気テー
プが多用されている。磁気記録媒体は、ポリエチレンテ
レフタレート等のポリエステルやポリプロピレン等のポ
リオレフィンをフィルム上に形成した基体の表面に磁性
材料を塗布、或いは蒸着して形成したものである。前記
磁気記録媒体については、信号の高密度記録化の要求は
高まる一方であり、これに対処するためには、磁性層中
の磁性材料の高密度化、抗磁力の増加、周波数特性の短
波長側へのシフト、磁性層の薄膜化といった磁性層の改
善が必要になる。しかし、前記基体の表面に磁性材料を
塗布して形成した場合は、原理的に磁性層中にバインダ
が残存するので、前記高密度記録化に要求される諸条件
をみたすことが非常に困難である。
【0003】このような問題点を解消するため、真空蒸
着、スパッタリング、イオンプレーティング等の蒸着方
法による磁気記録媒体の製造方法が提案されている。真
空蒸着による磁気記録媒体の製造は、例えば図5に示す
ように構成された真空蒸着装置を用いて行われる。な
お、図5は真空蒸着装置の一部分のみを示した概略斜視
図である。真空蒸着装置1は、図示を省略した真空槽内
に回転自在に配設した円柱状の冷却用メインドラム2、
前記冷却用メインドラム2の周面上にフィルム状の基体
3を巻装させた状態で搬送するためのパスローラ4、
5、更に前記冷却用メインドラム2の下側に配設されて
磁性材料6を収納した坩堝7、また前記磁性材料6に電
子ビームを照射して磁性材料6を加熱・蒸発させる電子
銃8、蒸発した磁性材料がフィルム以外へ付着を防止す
るコンデンセートフード9、前記磁性材料6の蒸発領域
を規制するマスク10等を具備している。
【0004】また、真空槽内は真空排気ポンプにより例
えば1.0×10-4〔Torr〕に保持されている。ま
た、前記基体3は図示を省略した供給ローラからパスロ
ーラ4を介して前記冷却ローラ2の周面に巻掛けられ、
更にパスローラ5を介して図示を省略した巻取りローラ
に巻取られるように構成されている。前記マスク10に
前記冷却メインドラム2の周面に対面する位置には開口
部10aとシャッター機構が設けられ、前記磁性材料6
を蒸着させる際に前記基体3の両端部を遮ったり、蒸発
領域を適宜規制し得るように構成されている。
【0005】次に、上記装置1を使用した磁気記録媒体
の製造方法を説明すると、供給ローラを駆動して前記基
体3を繰り出すとともに、前記冷却用メインドラム2を
例えば−30℃程度に冷却した状態で矢印A方向に回転
させる。これと同時に、前記電子銃8の電子ビームによ
り前記磁性材料6を加熱して蒸発させ、蒸発粒子(磁性
材料)を前記開口部10aに露呈している前記基体3の
表面に連続的に蒸着させる。このようにして、前記基体
3の表面に前記磁性材料6が蒸着され、蒸着後の前記基
体3は前記パスローラ5を介して巻取りローラに巻き取
られる。このように製造された磁気記録媒体は、磁性体
塗布により製造された磁気記録媒体に比較して、再生出
力は格段に大きく、磁気記録の周波数特性もより短波長
側に延びており、高密度磁気記録媒体として有用なもの
となっている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】前記基体3の真空蒸着
は、数千mもの長さについて連続して行われる。このよ
うな長尺について連続蒸着を行うと、前記マスク10を
含むシャッタ機構、コンデンセートフード9の内壁に蒸
発粒子の残滓が大量に付着する。付着した残滓はその量
が多くなると内壁からはがれ落ちたり、前記蒸発領域の
規制を損ねたり、大気中のガス成分を吸着する等の問題
を生じる。このため、蒸着工程毎に前記残滓を除去する
か、或いは新しい部材と交換する必要があった。
【0007】従来は、残滓の除去を人手により治具を用
いて行っていたのであるが、残滓は部材に強固に付着し
ているので、砕き落としたり、掻き落とさなければなら
ず、多大の労力を要する面倒な作業であった。また、残
滓のクリーニングを丁寧にすることにより前記磁気記録
媒体の品質の安定化を図ることができるものであるが、
クリーニング作業に多くの時間をかけることは蒸着工程
のサイクルを長くして生産性を大幅に低下させる問題が
あった。更に、従来は除去した残滓は殆ど廃棄されてい
た。これは、上述のように従来においては、掻き落とし
時において残滓が付着した部材を掻き落とし治具により
傷付けたり、削り落とすことから、除去された残滓には
部材の削れ片等の不純物をふくんだものになり、回収分
離して再利用を図る際の障害になり、磁性材料の利用効
率低下の大きな要因になっていた。本発明の目的は、磁
気記録媒体となる磁性材料を真空蒸着する真空蒸着槽の
洗浄を効率よく行うとともに、製品歩留りの向上と磁性
材料の再利用とを図り得る真空蒸着槽の洗浄方法及び装
置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明に係る前記目的
は、磁性材料を真空蒸着する真空蒸着槽で蒸着物が付着
した被洗浄部材を、高圧噴射する洗浄液により洗浄する
ことを特徴とする真空蒸着槽の自動洗浄方法により達成
できる。さらに、同様の目的は磁性材料を真空蒸着する
真空蒸着槽で蒸着物が付着した被洗浄部材を該真空蒸着
槽外に一定の搬出入経路を介して洗浄領域へ搬出し、前
記洗浄領域にて高圧噴射する洗浄液により洗浄した後に
乾燥領域へ移送して乾燥し、その後、前記搬出入経路に
戻して前記真空蒸着槽内に装着することを特徴とする真
空蒸着槽の自動洗浄方法によって達成される。また、前
記被洗浄部材を複数ユニット使用し、該ユニットのうち
一つを前記真空蒸着槽から搬出したときに、他のユニッ
トを前記真空蒸着槽に装着し、前記真空蒸着槽における
蒸着工程と洗浄工程とを同時に行う真空蒸着槽の洗浄方
法、並びに前記洗浄領域において前記洗浄液により除去
された蒸着物を該洗浄液と分離して回収する真空蒸着槽
の洗浄方法により上記目的を達成することができる。
【0009】また、本発明に係る前記目的は、磁性材料
を真空蒸着する真空蒸着槽の被洗浄部材を前記真空蒸着
槽外に搬出し且つ搬入する搬出入手段と、搬出された前
記被洗浄部材を高圧噴射する洗浄液で洗浄する洗浄部
と、前記洗浄部により洗浄された前記被洗浄部材を乾燥
部とを有し、かつ前記搬出入手段が前記洗浄部から前記
乾燥部を移動して前記真空蒸着槽へと順次移動可能に構
成し、前記被洗浄部材の取り出しから洗浄、乾燥および
装着までを一定の移動経路にそって行うようにしたこと
を特徴とする真空蒸着槽の自動洗浄装置によって達成さ
れる。また、磁性材料を真空蒸着する真空蒸着槽の槽壁
面に開閉可能な開閉部を設け、高圧噴射する洗浄液を噴
射する洗浄手段が移動経路に沿って移動自在でかつ前記
開閉部から真空槽内に進入可能に構成され、前記真空蒸
着槽内に装着されたままの被洗浄部材を前記洗浄手段に
より洗浄することを特徴とする真空蒸着槽の自動洗浄装
置によっても前記目的を達成することができる。
【0010】
【実施態様】次に、図1及び図2を参照して本発明の一
実施態様を説明する。図1は磁気記録媒体の製造装置で
ある真空蒸着槽および自動洗浄装置を示す要部の斜視図
である。図2は自動洗浄及び乾燥の工程を示した概略構
成図である。なお、真空蒸着槽における各部材について
は、従来例と同様の作用をなす部材には同一の符号を付
して説明を省略する。
【0011】本実施態様における自動洗浄装置全体は、
磁性材料を真空蒸着する真空蒸着槽1a内に各種部材を
備えた真空蒸着装置1に隣接して配置された装置であ
る。そして、その構成は本発明で云う被洗浄部材である
コンデンセートフード9やマスク10等を前記真空蒸着
槽1a外に、開閉部であるゲート11から搬出し且つ搬
入する搬出入手段としてのレール24と、搬出された前
記コンデンセートフード9等を高圧噴射する洗浄液で洗
浄する洗浄部であるクリーニング装置21と、該クリー
ニング装置21により洗浄された前記コンデンセートフ
ード9等を乾燥部50へと搬送してから前記レール24
へと搬送するループ状のレール34とを有した構成であ
る。この構造により後述するように、前記コンデンセー
トフード9等が真空蒸着槽1aから取り出されてから、
洗浄、乾燥されて再び装着されるまでの一連の作業を一
定の移動経路に沿って迅速かつ能率よく行うことができ
る。
【0012】前記クリーニング装置21は、自動洗浄ロ
ボット22(以下、単にロボットと略称する)と該ロボ
ット22を搬送するためのレール23、洗浄液(ここで
は水を使用する)及び残滓の飛散を防ぐ仕切りケース2
1a等(図2参照)により構成されてる。なお、前記レ
ール24は前記クリーニング装置21の所定の位置に前
記コンデンセートフード9を搬送するように適宜延びて
いる。また、前記ロボット22は、前記レール23上を
移動する台車25、該台車25上に回動自在設けられた
基部26、前記基部26上に設けた回転自在な回動アー
ム27、フレックス部27aを介して回転自在な昇降ア
ーム28、更に昇降アーム28の先端部分にて回転自在
に設けられた噴射ノズル29、該噴射ノズル29に給水
するパイプ30により構成されている。
【0013】また、本実施態様においては、前記コンデ
ンセートフード9の下面に前記レール24、23に対応
した車輪13(図3参照)が適宜設けられている。ま
た、前記レール24は前記真空蒸着槽1a内に延びてお
り、前記コンデンセートフード9は前記レール24上を
移動することで真空蒸着槽内からの取り出し並びにセッ
トを行うことができる。なお、前記レール24は前記真
空蒸着槽1aのゲート11(図2参照)が開閉できるよ
うに、該ゲート11の移動部分は切れた構成となってい
る。
【0014】次に、前記基体3への磁性材料6の蒸着後
における前記装置のクリーニング方法を図1、図2及び
図3を参照しながら説明する。前記基体3への磁性材料
6の蒸着は、図4を参照して説明した如く従来と同様に
行われる。そして、蒸着が行われると、前記コンデンセ
ートフード9や前記マスク10のクリーニングに移行す
る。なお、前記コンデンセートフード9は上述したよう
に前記レール24上を移動することで真空槽から離脱可
能であり、又、前記マスク10は、その両端片部分10
bがドラムの回転中心部分に取り付けられているが、こ
の両端片部分10bを適宜分割可能にすることで、真空
槽から取り出すことができる。なお、前記マスク10は
取り外した後に、例えば前記レール上を走行可能なワゴ
ンに載置する。また、前記マスク10及び前記コンデン
セートフード9は同時にクリーニングされるのである
が、図1には図示の便宜のため前記コンデンセートフー
ド9について図示した。
【0015】前記基体3への前記磁性材料6の長時間の
蒸着が終了すると、前記コンデンセートフード9や前記
マスク10には大量の蒸発原子が付着している。この付
着した蒸発原子をクリーニングするため、先ず、ゲート
11を開いて前記コンデーンセートフード9や前記マス
ク10を前記レール24に沿って移動させる。なお、コ
ンセンデートフード9のように車輪(自走できる場合や
他の手段により移動させる場合がある)を備えた構成や
自走台車上に載せて搬送する構成のいずれでもよい。更
に移動して前記レール24上を洗浄位置、例えば前記レ
ール23との交差位置に搬出する。
【0016】この搬出が行われた後、次の蒸着工程に空
きが生じないように、内部洗浄が終了しかつレール34
上で待機位置Bに待機していた他のコンデンセートフー
ド9やマスク10を真空槽内に搬入し装着する。なお、
この時、前記レール34から前記レール24への乗り移
りは、乗り移り部24aが上下移動並びに回転移動する
ことにより、該乗り移り部24aのレールが両レール2
4、34に一致するように動作することで可能となる。
そして、前記真空蒸着装置1側では蒸着のため前記基体
3の巻装、前記磁性材料6の補充等の準備を行った後、
前記ゲート11を閉じ次いで真空槽内を排気して次の蒸
着工程に移行する。
【0017】一方、搬出された前記コンデンセートフー
ド9等は、洗浄位置に待ち受けていた前記ロボット21
により洗浄される。洗浄は前記ホース30から前記ノズ
ル29に給水した洗浄水を高圧噴射して行うのである
が、前記ロボット21が前記回動アーム27、前記昇降
アーム28により言わば多関節ロボットに構成されてい
るので、前記ノズル29の方向、言い換えれば洗浄水の
高圧噴射方向を自在に変化させることができ、前記コン
デンセートフード9等の内壁面全体を隅ゞまで洗浄する
ことができる。
【0018】この洗浄時に、洗浄水の高圧噴射の圧力を
利用して、前記コンデンセートフード9の壁面を削るこ
となく、前記残滓を完全に除去することができる。ま
た、ロボット21の噴射方向等は、洗浄物の形状等に合
わせてプログラム化され、そのプログラムに従って自動
洗浄が行われる。この洗浄にあたって、前記ノズル29
から噴出する洗浄水の噴射衝撃力はその洗浄水の圧力並
びにその流量によるが、前記残滓の除去テストを実施し
た結果、洗浄水の水圧は、吐出量が5リットル/分〜4
00リットル/分において高圧プランジャポンプを用い
て100〜5000kgf/cm2 の範囲であるときに残
滓除去効果が良好であった。また、図6に示すように、
被洗浄体9と洗浄水Wfの入射角度θは前記ノズル29
から該被洗浄体9の洗浄面に対して45度〜90度に調
整することで洗浄効果をあげることができ、望ましくは
75度〜90度の範囲にすることにより、より効果的で
あった。
【0019】洗浄水の高圧噴射により除去された残滓
(磁性材料)は、洗浄水とともに前記仕切りケース21
aの下方に流れる。この流れる途中において例えば図3
に示すごとく、フィルタや網目状の分離部材52により
濾過して、回収部54に集められる。一方、洗浄水は前
記仕切りケース21aの下部の排水口53から排水され
る。このように濾過した残滓は洗浄水以外何も混入して
いないので、その純度はもとの材料えお殆ど同じであ
り、極めて容易に再生して再利用に供される。そして、
洗浄後の前記コンデンセートフード9等は、前記レール
34上に移される。このレールの乗り移り動作は前記乗
り移り部24aと同様に上下移動及び回転動が自在にで
きる乗り移り部24bにより行うことができる。前記レ
ール34に移動した前記コンデンセートフード9等は乾
燥部50まで移動して乾燥され、さらに移動して待機位
置Bに搬送され、次の交換に備えて待機する。なお、前
記乾燥部50の構造は、特に限定するものではないが、
例えば被乾燥物である前記コンデンセートフード9等を
囲むことのできるフード41を設け、該フード51内に
乾燥熱風を送り込んで乾燥する等の適宜構造を採用する
ことができる。
【0020】このようにして、前記基体3への磁性材料
6の蒸着と、蒸着により前記コンデンセートフード9や
前記マスク10等に付着した蒸発原子の残滓の洗浄とが
同時に行われ、洗浄済の前記コンデンセートフード9や
前記マスク10が次の蒸着に備えて待機状態になる。従
って、前記基体3への前記磁性材料6の蒸着工程は洗浄
工程の作業時間に左右されることがなくなり、極めて効
率よく行われる。上記実施態様においては、被洗浄部材
を真空槽から出して洗浄するようにしたが、本発明はこ
れに限定するものではなく、前記真空蒸着槽1aの槽壁
面に開閉可能な前記ゲート11が設けられているが、高
圧噴射する洗浄液を噴射する洗浄手段であるクリーニン
グロボット22がレール23、乗り移り部24b、レー
ル24(レール24とレール23とは同じ幅に構成され
ている)からなる移動経路に沿って移動自在であり、か
つ前記ゲート11から真空槽内に進入可能に構成されて
いる。したがって、前記真空蒸着槽1a内に装着された
ままの前記コンデンセートフード9や前記マスク10等
の被洗浄部材を前記クリーニングロボット22により洗
浄することができる。
【0021】本発明は上記実施態様に限定されるのでは
なく、種々変更できるものである。例えば、被洗浄部材
の搬送系はレール構造ではなく、自走台車により特定の
経路を移動する構成であれば、前記実施態様における乗
り移り部24a,24b等の構造は必要なくなり、ま
た、上方から吊り下げるような構成を採用することがで
きる。また、コンデンセートフードとマスクを一体構造
とすることにより、被洗浄部材のセット並びに取り外し
が極めて迅速にできる。本発明の洗浄方法は前記真空蒸
着装置1の洗浄にのみ適用されるものではなく、その他
スパッタリング装置、イオンプレーティング装置、CV
D装置、エッチング装置等の真空成膜装置に適用できる
ものである。
【0022】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明に係る真
空蒸着槽の洗浄方法及び装置は、真空蒸着槽内において
基体に磁性材料を蒸着する際、前記真空蒸着槽を構成す
る部材に不所望に付着する前記磁性材料から蒸発せしめ
られた蒸発原子の残滓を洗浄するため、前記基体への蒸
着工程が終了した後に前記部材を前記真空蒸着槽から分
離して洗浄位置に搬送し、前記洗浄位置において洗浄方
向や圧力等を自在に制御し得るように構成した洗浄手段
により洗浄した後、次の蒸着工程に備えて待機位置に待
機させることができる。したがって、前記真空蒸着槽を
構成する部材に付着した残滓が、ロボット操作による洗
浄水の高圧噴射にて洗浄されるので、安全性も高く人手
による洗浄に比較して作業効率が向上するだけでなく、
洗浄と蒸着工程が同時進行の形態で行えるので、生産性
の向上させることがでる。また、本発明によれば、掻き
落としのための治具を使用しないので、前記部材の表面
を傷付けたり削ったりすることがなく、残滓洗浄後の洗
浄水に不純物が混入しないので、残滓を含む洗浄水を濾
過して残滓を分離し再利用を図ることができる。
【0023】
【実施例−1】以下に示す実施例により、本発明を更に
明確に説明する。図1に示した真空蒸着装置1を使用
し、前記磁性材料6としてCo80 Ni 20を用い、前記電
子銃8により加熱して蒸発せしめ、全長3000mの前
記基体3に厚み1800Åの薄膜を形成した。なお、前
記マスク10を含むシャッタ機構はステンレス材にて構
成し、内部に冷却水が通る構造にした。また、前記コン
デンセートフード9及び図示を省略した内壁の防着板は
銅材により構成し、内部に冷却水が通る構造にした。
【0024】そして、前記基体3について蒸着を行った
後、前記マスク10を含むシャッタ機構の内壁表面に
は、厚さ2〜4mmのCo Ni 金属の残滓が付着し、前
記コンデンセートフード9の内壁面には厚さ5〜10m
mの残滓が付着していた。これらの残滓を付着させたま
まで次の試作を行うことは困難である。何故ならば、前
記金属残滓は固まり状で剥がれ落ち、坩堝7内に落下す
る。また、前記マスク10等に付着した前記金属残滓
は、蒸発領域規制部の形状を変えてしまうので、蒸発原
子が前記基体3の所望の位置に均等に蒸着しなくなり、
所望の磁気特性が得られない。更に、前記残滓を充分に
除去しない場合は、大気中の水分成分等の吸着の影響
で、バッチ毎の磁気特性が変動する要因になる。
【0025】そこで、前記金属残滓を除去するために、
前記実施態様で説明したように前記コンデンセートフー
ド9、前記マスク10等を真空槽から取り外し、前記洗
浄ロボット21により洗浄する。この洗浄にあたって、
ノズル29から噴出する洗浄水の噴射衝撃力を利用して
前記金属残滓の除去テストを実施した。洗浄水は、高圧
プランジャポンプを用いて100〜1000kgf/cm
2 の範囲と1500〜5000kgf/cm2 の範囲とに
分けてテストした。洗浄結果は、200mm×200m
mの面積内で目視により90%以上の面積の材料部材が
露出している場合を◎、同70%以上が露出している場
合を○、同50%以上が露出している場合を△、同50
%以下が露出している場合を×と評価した。なお、設定
パラメータには、(1)吐出圧力、(2)吐出流量、
(3)ノズル形状、(4)被洗浄体とノズル29との距
離、(5)ノズル29の移動速度、(6)洗浄水の洗浄
面への入射角度等がある。
【0026】先ず、前記コンデンセートフード9等の被
洗浄体と前記ノズル29との間の距離、前記ノズル29
の移動速度、被洗浄体と洗浄水との入射角度とについて
調べるため、吐出圧力500kgf/cm2 、吐出流量4
0リットル/min、扇型ノズルを用いて前記テストを
実施した。その結果、被洗浄体と前記ノズル29との間
の距離は150mm、前記ノズル29の移動速度は50
〜100mm/sec、被洗浄体9と洗浄水Wfの入射
角度θは,図6に示すようにノズル29から被洗浄体9
の洗浄面に対して45度〜90度にすることができ、望
ましくは75度〜90度の範囲であった。
【0027】次に、前記条件で前記ノズル29について
直進ノズルと扇型ノズルとの比較を行った。その結果、
両者は金属残滓の剥離能力は略同等であり、扇型ノズル
は洗浄幅が広い分有利であることが判明した。以上の設
定を基本条件として、吐出圧力及び吐出流量について後
述する実験1、2、3を行った。実験にあたっては、ノ
ズル29に扇型ノズルを適用し、被洗浄対と前記ノズル
29との間隔を150mm、前記ノズル29の移動速度
を100mm/sec、洗浄水の被洗浄体表面への入射
角度を90°に設定した。
【0028】実験1について説明すると、吐出流量を4
0リットル/minに設定し、吐出圧力を50〜100
0kgf/cm2 の範囲内で変化させた場合、表1に示す
如き実験結果を得た。
【0029】
【表1】
【0030】次に、実験2について説明すると、吐出流
量を12リットル/minに設定し、吐出出力を150
0〜5000kgf/cm2 の範囲で変化させ、表2に示
す如き実験結果を得た。
【0031】
【表2】
【0032】実験1、2を行った結果、吐出圧力が10
0〜5000kgf/cm2 の範囲で洗浄効果が認めら
れ、更に500〜1000kgf/cm2 の範囲が望まし
いことが明らかになった。そして、吐出圧力が1500
kgf/cm2 以上の範囲では、剥離効果は高いが剥離部
分が線状になり、全面積を洗浄するのに時間がかかり、
実用上の問題があることも明らかになった。なお、30
00kgf/cm2 の圧力になると、部材そのものを削り
取る状況になるため、削られた部材が不純物として混入
する恐れがあり、この場合は金属残滓の再利用を図る際
の障害になりやすいことも判明した。
【0033】次に、実験3について説明すると、吐出出
力を500kgf/cm2 に設定し、吐出流量を5〜40
0リットル/minの範囲で変化させ、他の条件は前記
実験1、2と同様に設定した。表3は実験3の結果を示
すものである。
【0034】
【表3】
【0035】実験結果によれば、吐出流量が10リット
ル/min以上の場合に顕著な洗浄効果が認められ、更
に40〜100リットル/minの範囲が望ましいこと
が明らかになった。なお、吐出流量を100リットル/
min以上に設定しても、洗浄効果に明確な差異は認め
られなかったので、排水処理能力等の経済的要因を考慮
した場合、40〜100リットル/minの範囲が適切
である。また、被洗浄体の金属残滓の付着場所により剥
離効果に差異が認められたが、実用上は前記ノズル29
の移動速度を変化させて、洗浄時間を調整することによ
り充分に対処できることが判明した。
【0036】前記実験1〜3の結果を踏まえて吐出出力
500kgf/cm2 、吐出流量40リットル/min、
ノズル29を扇型ノズル、被洗浄体と前記ノズル29と
の間隔を150mm、前記ノズル29の移動速度を10
0mm/sec、洗浄水の被洗浄体への入射角度を90
°に設定し、被洗浄体、即ち前記コンデンセートフード
9や前記マスク10等に付着した金属残滓を洗浄水の高
圧噴射による衝撃力を利用して洗浄した。その結果、洗
浄後の被洗浄体は、従来の人手による砕き落としや掻き
落とし作業による洗浄に比較してはるかに効果的に洗浄
され、且つ洗浄時間が1/3に短縮された。洗浄により
除去した金属残滓は、一旦洗浄水とともにタンクに収容
し、その後フィルタにより分離して再利用し、材料利用
効率を向上させることができた。洗浄後の被洗浄体につ
いては温風乾燥を行い、次の蒸着工程のために前記製造
装置1に装着し、磁気記録媒体の作成を試みた。以上の
工程を繰り返し、試作毎の磁気特性の再現性を評価した
結果、従来の人手による洗浄作業の繰り返し工程に比較
して再現性が非常に良好になり、生産性を大幅に向上さ
せることができた。
【0037】
【実施例−2】以下、図4に示す装置を使用した実施例
である。なお、図4はスパッタリング成膜装置の構成図
であり、本実施例はスパッタリング成膜装置への適用を
示すものである。先ず、各部材について説明すると、3
1a、31bは磁性材料であり本実施例ではSi3 4
が使用されている。32はマグネット、33は真空チャ
ンバー、34はパレット回転装置、35は基板、36は
パレット、37は膜厚分布補正板、38はパレット回転
軸、39はマスク、40はスパッタリングカソード、4
1はスパッタガス導入ノズル、42は防着板である。な
お、本装置おける被洗浄部材は前記膜厚分布補正板3
7、前記パレット36、前記マスク39および前記防着
板42である。そして、被洗浄部材の材質は、SUS4
04である。
【0038】本実施例は磁性材料を前記のように設定す
るとともに、前記スパッタガス導入ノズル41から導入
されるArガス雰囲気中でスパッタリングを行い、基板
35上にSi3 4 膜を形成する。チャンバー33内に
はφ5mmのプラスチック基板35に形成する膜厚の均一
化を図るため膜厚分布補正板37と、前記プラスチック
基板35の円周端面及び中心部の成膜を遮るためのマス
ク39が設けられている。更に、前記真空チャンバー3
3の内壁面前面には、該内壁面を大方覆うように前記防
着板42が貼りめぐらされている。
【0039】スパッタリング成膜時には、前記プラスチ
ック基板35以外の前記各部材の表面にもSi3 4
が形成され、試作を繰り返す毎に徐ゞに厚みを増し、最
終的に表面から剥離、脱落することになる。剥離物は、
磁気記録媒体の成膜工程においてピンホール等の欠陥を
発生する要因となり、品質や歩留り向上の観点からこの
不所望の膜を除去することが望ましい。しかし抜本的な
解決策はなく、従来は数回の成膜工程を繰り返した後、
前記各部材を取り外して交換したり、付着物をブラスト
処理等で除去する等の作業を手作業で行っていた。この
ため、部材のコストが増大するとともに、多大の作業時
間がかかっていた。
【0040】以下に説明する実験4、5は本発明の方法
を適用したもので、前記問題点を解消することができ
た。実験4、5では、前記ノズル29を直進型ノズルに
設定し、被洗浄体と前記ノズル29との間隔を100m
m、前記ノズル29の移動速度を50mm/sec、洗
浄水の被洗浄体への入射角を90°に設定した。又、実
験4については吐出流量を20リットル/min、吐出
圧力を50〜1000kgf/cm2 の範囲で変化させ
た。実験5については吐出流量を12リットル/mi
n、吐出圧力を1500〜5000kgf/cm2 の範囲
で変化させた。下記、表4及び表5は、それぞれ実験
4、5の結果を示すものである。
【0041】
【表4】
【0042】
【表5】
【0043】実験結果によれば、吐出圧力が700〜5
000kgf/cm2 の条件で洗浄効果が顕著に認めら
れ、更に1500〜5000kgf/cm2 の範囲が望ま
しいことが明らかになった。
【0044】次に、吐出圧力を2000kgf/cm2
設定し、吐出流量を5〜20リットル/minの範囲で
変化させて実験6を行った。なお、他の実験条件は前記
実験4、5と同様に設定した。実験6の結果は、下記表
6に示すとおりである。
【0045】
【表6】
【0046】実験結果によれば、吐出流量の設定範囲5
〜20リットル/minの全範囲で洗浄効果が顕著に認
められ、更に8〜20リットル/minの範囲が望まし
いことが明らか担った。そして、本実施例の如く、Si
3 4 膜の剥離に関しては、吐出圧力の設定が重要であ
ることが判明した。
【0047】前記実験4〜6の結果を踏まえて、吐出圧
力2000kgf/cm2 、吐出流量12リットル/mi
n、前記ノズル29は直進型ノズル、被洗浄体と前記ノ
ズル29との間隔を100mm、前記ノズル29の移動
速度を50mm/sec、洗浄水の被洗浄体への入射角
度を90°に設定し、前記マスク39、前記膜厚分布補
正板37、前記防着板42に付着したSi3 4 膜を高
圧水噴射の衝撃力を利用して洗浄した。その結果、従来
のブラスト処理による洗浄に比較して優れた除去効果を
示し、且つ洗浄時間を1/4に短縮することができた。
【0048】また、図2に示す如く洗浄、乾燥の一定の
ラインを有した装置を使用して、洗浄済の被洗浄部材を
温風乾燥し、次のスパッタリング成膜工程のために、前
記スパッタリング成膜装置に装着してSi3 4 膜の形
成を試みた。以上の膜形成工程、洗浄工程を繰り返し、
試作毎にピンホール等の欠陥の発生を評価した。この結
果、従来のブラスト処理に比べて生産性は40%程度向
上し、かつピンホール発生が少なく、磁性膜の形成が極
めて良好に行われ、製品の歩留りを大幅に向上させるこ
とができた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施態様を示す真空蒸着装置の要部の
斜視図である。
【図2】真空蒸着装置とクリーニング装置との構成図で
ある。
【図3】図1に示す装置における残滓の回収装置の構造
を示す概略図である。
【図4】スパッタリング成膜装置の構成図である。
【図5】従来の真空蒸着装置の要部の斜視図である。
【図6】ノズルから噴出する洗浄液の被洗浄部材に対す
る入射角度を示した概略図である。
【符号の説明】
1 真空蒸着装置 2 冷却メインドラム 3 基体 4、5 パスローラ 6 磁性材料 7 坩堝 8 電子銃 9 コンデンセートフード 10 マスク 11 ゲート 12 ワゴン 21 クリーニング装置 22 クリーニングロボット 23、24、34 レール 24a、24b 乗り移り部 26 基台、 27 回動アーム 28 昇降アーム 29 ノズル 30 パイプ 31a、31b 磁性材料 33 真空チャンバー 35 基板 37 膜厚分布補正板 42 防着板 50 乾燥部 51 乾燥部のフード 52 分離部材 54 回収部 B 待機位置

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 磁性材料を真空蒸着する真空蒸着槽で蒸
    着物が付着した被洗浄部材を、高圧噴射する洗浄液によ
    り洗浄することを特徴とする真空蒸着槽の自動洗浄方
    法。
  2. 【請求項2】 磁性材料を真空蒸着する真空蒸着槽で蒸
    着物が付着した被洗浄部材を該真空蒸着槽外に一定の搬
    出入経路を介して洗浄領域へ搬出し、前記洗浄領域にて
    高圧噴射する洗浄液により洗浄した後に乾燥領域へ移送
    して乾燥し、その後、前記搬出入経路に戻して前記真空
    蒸着槽内に装着することを特徴とする真空蒸着槽の自動
    洗浄方法。
  3. 【請求項3】 前記被洗浄部材を複数ユニット使用し、
    該ユニットのうち一つを前記真空蒸着槽から搬出したと
    きに、他のユニットを前記真空蒸着槽に装着し、前記真
    空蒸着槽における蒸着工程と洗浄工程とを同時に行うこ
    とを特徴とする請求項1に記載の真空蒸着槽の洗浄方
    法。
  4. 【請求項4】 前記洗浄領域において前記洗浄液により
    除去された蒸着物を該洗浄液と分離して回収することを
    特徴とする請求項1に記載の真空蒸着槽の洗浄方法。
  5. 【請求項5】 磁性材料を真空蒸着する真空蒸着槽の被
    洗浄部材を前記真空蒸着槽外に搬出し且つ搬入する搬出
    入手段と、搬出された前記被洗浄部材を高圧噴射する洗
    浄液で洗浄する洗浄部と、前記洗浄部により洗浄された
    前記被洗浄部材を乾燥部とを有し、かつ前記搬出入手段
    が前記洗浄部から前記乾燥部を移動して前記真空蒸着槽
    へと順次移動可能に構成し、前記被洗浄部材の取り出し
    から洗浄、乾燥および装着までを一定の移動経路にそっ
    て行うようにしたことを特徴とする真空蒸着槽の自動洗
    浄装置。
  6. 【請求項6】 磁性材料を真空蒸着する真空蒸着槽の槽
    壁面に開閉可能な開閉部を設け、高圧噴射する洗浄液を
    噴射する洗浄手段が移動経路に沿って移動自在でかつ前
    記開閉部から真空槽内に進入可能に構成され、前記真空
    蒸着槽内に装着されたままの被洗浄部材を前記洗浄手段
    により洗浄することを特徴とする真空蒸着槽の自動洗浄
    装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002053953A (ja) * 2000-08-04 2002-02-19 Tosoh Corp スパッタリングターゲットの製造方法
KR101311471B1 (ko) * 2005-03-28 2013-09-25 램 리써치 코포레이션 로봇으로 플라즈마 처리 시스템을 서비스하는 장치

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE527166C2 (sv) * 2003-08-21 2006-01-10 Kerttu Eriksson Förfarande och anordning för avfuktning
US8540843B2 (en) 2004-06-30 2013-09-24 Lam Research Corporation Plasma chamber top piece assembly
US7959984B2 (en) * 2004-12-22 2011-06-14 Lam Research Corporation Methods and arrangement for the reduction of byproduct deposition in a plasma processing system
US7319316B2 (en) 2005-06-29 2008-01-15 Lam Research Corporation Apparatus for measuring a set of electrical characteristics in a plasma
CN104209294B (zh) * 2014-08-28 2017-01-18 上海丰禾精密机械有限公司 直交多关节复合型cnc清洗机及其清洗方法
CN107227443B (zh) * 2017-08-04 2019-07-02 京东方科技集团股份有限公司 吸附遮挡装置及具有该装置的蒸镀设备
CN112371672B (zh) * 2020-10-17 2021-09-24 湖南亲零嘴食品有限公司 一种熟食生产用解冻装置上的动物油脂清洗机构
CN113028077B (zh) * 2021-02-26 2022-09-16 重庆市江北嘴水源空调有限公司 一种江水取水用阀门

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59228932A (ja) * 1983-06-09 1984-12-22 Fujitsu Ltd 気相成長装置
JPS6055611A (ja) * 1983-09-06 1985-03-30 Ulvac Corp 真空室内クリ−ニング装置
JPS6265733A (ja) * 1985-09-17 1987-03-25 Nissin Electric Co Ltd シユラウド用堆積層除去機構
JPS6265732A (ja) * 1985-09-17 1987-03-25 Nissin Electric Co Ltd シユラウド用堆積層除去機構
JPS6267166A (ja) * 1985-09-17 1987-03-26 Nissin Electric Co Ltd 堆積物取出し装置
JPS6421020A (en) * 1987-07-15 1989-01-24 Fuji Electric Co Ltd Etching recovery method for palladium
JPH01133732U (ja) * 1988-03-07 1989-09-12
JPH02145767A (ja) * 1988-11-25 1990-06-05 Komatsu Denshi Kinzoku Kk 気相成長用反応炉の洗浄方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3079286A (en) * 1962-03-02 1963-02-26 Detrex Chem Ind Enclosed cold solvent spray cleaner
US3985572A (en) * 1974-11-04 1976-10-12 Georgia-Pacific Corporation Automatic spray cleaning apparatus and method
US4191591A (en) * 1976-11-08 1980-03-04 Klockner-Humboldt-Deutz Method and apparatus for cleaning a matrix of a magnetic separator
US4595419A (en) * 1982-12-27 1986-06-17 Proto-Power Corporation Ultrasonic decontamination robot
US4597989A (en) * 1984-07-30 1986-07-01 Burroughs Corporation Method of depositing silicon films with reduced structural defects
US4859249A (en) * 1988-03-14 1989-08-22 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for cleaning enclosed vessels
US5109562A (en) * 1989-08-30 1992-05-05 C.V.D. System Cleaners Corporation Chemical vapor deposition system cleaner
US5030536A (en) * 1989-12-26 1991-07-09 Xerox Corporation Processes for restoring amorphous silicon imaging members
US5352298A (en) * 1993-04-27 1994-10-04 Moulder Jeffrey E Tank car cleaning and stripping apparatus and method

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59228932A (ja) * 1983-06-09 1984-12-22 Fujitsu Ltd 気相成長装置
JPS6055611A (ja) * 1983-09-06 1985-03-30 Ulvac Corp 真空室内クリ−ニング装置
JPS6265733A (ja) * 1985-09-17 1987-03-25 Nissin Electric Co Ltd シユラウド用堆積層除去機構
JPS6265732A (ja) * 1985-09-17 1987-03-25 Nissin Electric Co Ltd シユラウド用堆積層除去機構
JPS6267166A (ja) * 1985-09-17 1987-03-26 Nissin Electric Co Ltd 堆積物取出し装置
JPS6421020A (en) * 1987-07-15 1989-01-24 Fuji Electric Co Ltd Etching recovery method for palladium
JPH01133732U (ja) * 1988-03-07 1989-09-12
JPH02145767A (ja) * 1988-11-25 1990-06-05 Komatsu Denshi Kinzoku Kk 気相成長用反応炉の洗浄方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002053953A (ja) * 2000-08-04 2002-02-19 Tosoh Corp スパッタリングターゲットの製造方法
JP4599688B2 (ja) * 2000-08-04 2010-12-15 東ソー株式会社 スパッタリングターゲットの製造方法
KR101311471B1 (ko) * 2005-03-28 2013-09-25 램 리써치 코포레이션 로봇으로 플라즈마 처리 시스템을 서비스하는 장치
KR101337850B1 (ko) * 2005-03-28 2013-12-06 램 리써치 코포레이션 로봇으로 플라즈마 처리 시스템을 서비스하는 장치
US8764907B2 (en) 2005-03-28 2014-07-01 Lam Research Corporation Servicing a plasma processing system with a robot

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Publication number Publication date
US5492569A (en) 1996-02-20
DE4409199A1 (de) 1994-09-22

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