JPS6077970A - 被蒸着物表面をクリ−ニングする物理蒸着前処理方法 - Google Patents
被蒸着物表面をクリ−ニングする物理蒸着前処理方法Info
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- JPS6077970A JPS6077970A JP18516083A JP18516083A JPS6077970A JP S6077970 A JPS6077970 A JP S6077970A JP 18516083 A JP18516083 A JP 18516083A JP 18516083 A JP18516083 A JP 18516083A JP S6077970 A JPS6077970 A JP S6077970A
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- JP
- Japan
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- vapor deposition
- substrate
- evaporation
- physical vapor
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/021—Cleaning or etching treatments
- C23C14/022—Cleaning or etching treatments by means of bombardment with energetic particles or radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/06—Electron sources; Electron guns
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔本発明の技術分野〕
本発明は、被蒸着物(基板)表面と蒸着膜との密着性を
著しく向上せしめる被蒸着物表面をクリーニングする物
理蒸着前処理方法に関する0〔物理蒸着における要求特
性〕 一般に物理蒸着での要求特性としては、膜質。
著しく向上せしめる被蒸着物表面をクリーニングする物
理蒸着前処理方法に関する0〔物理蒸着における要求特
性〕 一般に物理蒸着での要求特性としては、膜質。
基板−破膜間密着性、蒸着速度などの品質面。
及び経済面に対して多岐に渡っているが、とりわけ品質
面では、基板間密着性、経済面では、タクトタイムが重
要である。
面では、基板間密着性、経済面では、タクトタイムが重
要である。
従来、蒸着や゛イオンブレーティング等の物理蒸着を行
なう場合、基板−被膜間の密着性を確保する為に真壁容
器内で基板の加熱、ガス中でのイオンボンバード等によ
り基板のクリーニングを施していた。しかしながら、こ
れら方法は、基板力U熱によるガス放出やアルゴンイオ
ン等によ、あつe、i*。ウワ。1゜い。。、や、i板
表面に生じた酸化物等の強固に耐着力を有する物質に対
しては、十分な破壊が行なわれず、結果的に基板−被膜
間の密造性劣化につながっていた。これら現象の防止策
として、基板温度を極端に上げる、イオンボンバードの
ガストシて水素を用いる、あるいは基板を真空容器内に
入れる前に酸洗等を施して所謂前処理強他を行なってい
るのが現状である。
なう場合、基板−被膜間の密着性を確保する為に真壁容
器内で基板の加熱、ガス中でのイオンボンバード等によ
り基板のクリーニングを施していた。しかしながら、こ
れら方法は、基板力U熱によるガス放出やアルゴンイオ
ン等によ、あつe、i*。ウワ。1゜い。。、や、i板
表面に生じた酸化物等の強固に耐着力を有する物質に対
しては、十分な破壊が行なわれず、結果的に基板−被膜
間の密造性劣化につながっていた。これら現象の防止策
として、基板温度を極端に上げる、イオンボンバードの
ガストシて水素を用いる、あるいは基板を真空容器内に
入れる前に酸洗等を施して所謂前処理強他を行なってい
るのが現状である。
〔上記従来のクリーニング手段の欠点〕ところで、上述
の方法により、密着性はある程度向上はするものの、基
板温度の上昇は、基板に熱歪を与えたり真空度によって
は残留酸素による表面酸化の問題や設備的負荷も大きい
。
の方法により、密着性はある程度向上はするものの、基
板温度の上昇は、基板に熱歪を与えたり真空度によって
は残留酸素による表面酸化の問題や設備的負荷も大きい
。
また、基板の酸洗専を採り入れる事は、工程を複雑化す
るばかりか、コスト的にも非常に不利となる。一方、水
素ガスによるイオンボンバードは、安全性の面から好ま
しくなく、蒸着不要部も同時にボンバードされ、それら
スパック−されたものが再び必要部に耐着したり、基板
材質や温度によっては、水素脆性の可能性もありガロう
るに処理に長時間を要する欠点がある。
るばかりか、コスト的にも非常に不利となる。一方、水
素ガスによるイオンボンバードは、安全性の面から好ま
しくなく、蒸着不要部も同時にボンバードされ、それら
スパック−されたものが再び必要部に耐着したり、基板
材質や温度によっては、水素脆性の可能性もありガロう
るに処理に長時間を要する欠点がある。
そこで、本発明は、上記欠点を解消する被蒸着物表面を
クリーニングする物理蒸着前処理方法を提供することを
目的とする。すなわち、本発明の目的は、被蒸着物(基
板)表面のクリーニングを短時間で蒸着必セ部のみ十分
に行ない、基板−被膜間の密着性を著しく向上せしめる
被蒸着物表面をクリーニングする物理蒸着前処理方法を
提供するにある。
クリーニングする物理蒸着前処理方法を提供することを
目的とする。すなわち、本発明の目的は、被蒸着物(基
板)表面のクリーニングを短時間で蒸着必セ部のみ十分
に行ない、基板−被膜間の密着性を著しく向上せしめる
被蒸着物表面をクリーニングする物理蒸着前処理方法を
提供するにある。
そして、本発明は、上記目的を達成する手段として、被
蒸着物表面に熱電子を照射する点にある。すなわち、本
発明は真空容器内で金属を物理蒸着するに先立って被蒸
着物表面をりIJ−ニングする物理蒸着前処理方法にお
いて、被蒸着物表面に熱電子を照射することを特徴とす
る被蒸着物表面をクリーニングする物理蒸着前処理方法
である。
蒸着物表面に熱電子を照射する点にある。すなわち、本
発明は真空容器内で金属を物理蒸着するに先立って被蒸
着物表面をりIJ−ニングする物理蒸着前処理方法にお
いて、被蒸着物表面に熱電子を照射することを特徴とす
る被蒸着物表面をクリーニングする物理蒸着前処理方法
である。
以下、本発明を第1図に基づいて詳細に説明する。第1
図は、本発明を実施するための基本装置を示すものであ
って、ペルジャー1には、回転可能なる基板ホルダー2
.るつは3.高周波励起コイル4.電子銃5,5′が配
備されている。
図は、本発明を実施するための基本装置を示すものであ
って、ペルジャー1には、回転可能なる基板ホルダー2
.るつは3.高周波励起コイル4.電子銃5,5′が配
備されている。
この装置による蒸着手順は、先ず、ホルダー2に基板を
取付け、ホルタ−位置を実線部になる様に回転きせた後
に、電子銃5で蒸着必要部に照射してクリーニングを施
した後、ホルダー2を破線の位置まで回転させて、るつ
ぼ3の湯面と平行になる様設置する。然る後、ガスを導
入ロアより所定量のガスを導入しつつ、高周波励起コイ
ル4により、ガスをプラズマ化すると共に・電子銃5′
によりるつぼ6内の蒸発金属を溶融してイオンブレーテ
ィングを行なう。
取付け、ホルタ−位置を実線部になる様に回転きせた後
に、電子銃5で蒸着必要部に照射してクリーニングを施
した後、ホルダー2を破線の位置まで回転させて、るつ
ぼ3の湯面と平行になる様設置する。然る後、ガスを導
入ロアより所定量のガスを導入しつつ、高周波励起コイ
ル4により、ガスをプラズマ化すると共に・電子銃5′
によりるつぼ6内の蒸発金属を溶融してイオンブレーテ
ィングを行なう。
この方法での電子ビームによる基板クリーニングの現象
は、基板の最表面層のみを局部的に熱電子で叩くと共に
加熱を生じ、それらの効果により、強固な附着物が取り
除かられる訳けである。また、この方法でのクリーニン
グ能は非常に高く、附帯操作も少ない事から極めて短時
間での処理が可能となる。これは、タクトタイムの大巾
な削減が押込まれ;経済面でも非常に有利となる。
は、基板の最表面層のみを局部的に熱電子で叩くと共に
加熱を生じ、それらの効果により、強固な附着物が取り
除かられる訳けである。また、この方法でのクリーニン
グ能は非常に高く、附帯操作も少ない事から極めて短時
間での処理が可能となる。これは、タクトタイムの大巾
な削減が押込まれ;経済面でも非常に有利となる。
この方法を使用するに当り、基板の加熱やイオンボンバ
ードを並用する事も勿論良い。
ードを並用する事も勿論良い。
板厚0.1mm、長J200mm、巾150咽の424
石ニッケルー鉄合金からなる基板に真空度5 X 10
−5Torrで電子銃により、出力JJ 1分のクリー
ニングを行ない、然る後に、基板温度50℃でAr ガ
スを導入しつつ5 X 10 Torrの真空度により
ACのイオンブレーチイングラ行ない、厚さ4μの蒸着
膜を得た。
石ニッケルー鉄合金からなる基板に真空度5 X 10
−5Torrで電子銃により、出力JJ 1分のクリー
ニングを行ない、然る後に、基板温度50℃でAr ガ
スを導入しつつ5 X 10 Torrの真空度により
ACのイオンブレーチイングラ行ない、厚さ4μの蒸着
膜を得た。
一方、同じ形状、材質の基板を用いて、クリーニングと
して、基板温度150℃を保ちつつ、水素ガスを導入し
て、5 X 10−’ Torr高周波励起200Wに
て7分間のイオンボンバードを行ない、前記同様のM蒸
着膜を形成した。両者に180度折り曲はテストを実施
したところ、後者は、基板との間で剥離が生じ/こが、
本発明によるものについては、(i”Jら異常゛が認め
られなかった。
して、基板温度150℃を保ちつつ、水素ガスを導入し
て、5 X 10−’ Torr高周波励起200Wに
て7分間のイオンボンバードを行ない、前記同様のM蒸
着膜を形成した。両者に180度折り曲はテストを実施
したところ、後者は、基板との間で剥離が生じ/こが、
本発明によるものについては、(i”Jら異常゛が認め
られなかった。
本発明は、以上詳記したように、被蒸着物である基板の
表面に熱電子を照射するという簡単な操作により、短時
間で酸化物等の強固な附着物をも除去することが可能で
あり、基板と蒸着膜間の密着性を著しく向上せしめるこ
とができる効果が生ずるものである。
表面に熱電子を照射するという簡単な操作により、短時
間で酸化物等の強固な附着物をも除去することが可能で
あり、基板と蒸着膜間の密着性を著しく向上せしめるこ
とができる効果が生ずるものである。
第1図は、本発明を実施するための基本装置を示す。
1 ’、、、、、ペルジャー
2 ・・・・・ 基板゛ホルダー
3 ・・・・・ る つ は
4 、、、、、高周波励起コイル
5.5’ 、・・・電子銃
6・・・・・排気系
7 ・・・・・ ガス導入口
代理人 内 1) 明
代理人 萩 原 亮 −
第1図
Claims (1)
- 真空容器内で金属を物理蒸着するに先立って被蒸着物表
面をクリーニングする物理蒸着前処理方法において、被
蒸着物表面に熱電子を照射することを特徴とする被蒸着
物表面をクリーニングする物理蒸着前処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18516083A JPS6077970A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | 被蒸着物表面をクリ−ニングする物理蒸着前処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18516083A JPS6077970A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | 被蒸着物表面をクリ−ニングする物理蒸着前処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6077970A true JPS6077970A (ja) | 1985-05-02 |
Family
ID=16165881
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18516083A Pending JPS6077970A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | 被蒸着物表面をクリ−ニングする物理蒸着前処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6077970A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0206145A2 (en) * | 1985-06-20 | 1986-12-30 | International Business Machines Corporation | A method of metallising an organic substrate so as to achieve improved adhesion of the metal |
JPS6324053A (ja) * | 1986-07-17 | 1988-02-01 | Kawasaki Steel Corp | 密着性に優れたセラミツク被膜をそなえる低炭素鋼板およびステンレス鋼板の製造方法 |
WO2000023634A1 (de) * | 1998-10-21 | 2000-04-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren und vorrichtung zur reinigung eines erzeugnisses |
-
1983
- 1983-10-05 JP JP18516083A patent/JPS6077970A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0206145A2 (en) * | 1985-06-20 | 1986-12-30 | International Business Machines Corporation | A method of metallising an organic substrate so as to achieve improved adhesion of the metal |
JPS6324053A (ja) * | 1986-07-17 | 1988-02-01 | Kawasaki Steel Corp | 密着性に優れたセラミツク被膜をそなえる低炭素鋼板およびステンレス鋼板の製造方法 |
WO2000023634A1 (de) * | 1998-10-21 | 2000-04-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren und vorrichtung zur reinigung eines erzeugnisses |
US6602542B2 (en) | 1998-10-21 | 2003-08-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Device for cleaning an article |
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