JP2010053438A - ロールツーロールタイプの薄膜形成装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】本発明はロールツーロールタイプの薄膜形成装置に関する。
【解決手段】薄膜パターン形成装置は、マスク積載部と、上記マスク積載部と開閉可能な開放口が設けられた成膜空間部を有する真空チャンバと、上記成膜空間部に配置され、シートを走行させる巻出ロール及び巻取ロールと、蒸着ソースを収容して蒸着ソースを蒸発させ蒸着領域上に位置した上記シート上に薄膜を蒸着させるように装着されたソース載置部と、上記シート上に蒸着しようとする薄膜のパターンを定義するパターンを有し、上記マスク積載部に備えられた少なくとも一つのマスクと、上記マスク積載部において備えられた少なくとも一つのマスクを上記成膜空間部の蒸着位置にまたはその反対に搬送させることができるよう構成されたマスク移動部と、上記ソース載置部において上記マスクに蒸発される蒸着ソースの進行を選択的に遮蔽させるシャッタ部とを含む。
【選択図】図2

Description

本発明はロールツーロールタイプの薄膜形成装置に関するもので、より詳しくはロールの間で走行するシート上に所望の薄膜パターンを形成するためのロールツーロールタイプの薄膜形成装置に関する。
デジタル電子製品の小型化、多機能化に従って、多様な受動備品もよりアップグレードされた機能と共に軽薄短小化する傾向にある。特に、キャパシタはカメラフォーン、DMBフォーン、ナビゲーションのような携帯用小型電子製品に多量使用され、超薄層及び高積層化と共に高容量、高機能がさらに求められる。
しかし、従来のスクリーン印刷方式では同一チップサイズ内で高容量を具現するのに限界がある。このような限界を克服するため、様々な工法が試みられており、このような試みのうちロールツーロール(Roll to Roll)工程が挙げられる。また、ロールツーロール工程はフレキシブル基板でディスプレイまたは素子を具現するにおいても、既存の配置タイプ工程より量産性に優れるため積極的に検討されている。
ロールツーロールタイプの薄膜形成装置は、シートを連続して搬送しながら工程を進行するため量産性において長所があるが、素子の製作に必要なパターンを形成することが難しいという短所がある。ロール状態で成膜した後に切断して切断されたシートを配置する方法もあるが、この方法はロールツーロール工程の量産性のような長所を活かすことができないため、薄膜パターンの形成を繰り返そうとするときには適用することが困難である。従って、ロールとロールの間に位置した状態で薄膜パターンを形成する技術が求められる。
一方、ロールツーロールを利用した薄膜パターンの形成工程において、マスクの使用によって薄膜パターンが不良になるという問題がある。例えば、MLCC製造のためのロールツーロール薄膜形成工程において、真空チャンバ内で電極パターンが形成されたロールマスクを通して薄膜Niのような内部電極を形成する場合に、電極が成膜される間にロールが駆動し続けるため電極パターンのにじみ現象を防ぐことが難しく、これによってチップの電気的な特性の不良及び信頼性に大きな影響を及ぼすことになる。
本発明は上記の技術的問題を解決するためのもので、その目的は、薄膜パターンの成膜時に発生する電極パターンのにじみ及び粉塵の発生問題を解決することができるよう、ロールにより移動されるマスクを使用する代わりにマスクの取り替えが可能であるよう構成された薄膜パターン形成装置を提供することにある。
上記の技術的課題を解決すべく、本発明は、マスク積載部と、上記マスク積載部と開閉可能な開放口が設けられた成膜空間部を有する真空チャンバと、上記成膜空間部に配置され、シートを走行させる巻出ロール及び巻取ロールと、蒸着ソースを収容して蒸着ソースを蒸発させ蒸着領域上に位置した上記シート上に薄膜を蒸着させるように装着されたソース載置部と、上記シート上に蒸着しようとする薄膜のパターンを定義するパターンを有し、上記マスク積載部に備えられた少なくとも一つのマスクと、上記マスク積載部において備えられた少なくとも一つのマスクを上記成膜空間部の蒸着位置にまたはその反対に搬送させることができるよう構成されたマスク移動部と、上記ソース載置部において上記マスクに蒸発される蒸着ソースの進行を選択的に遮蔽させるシャッタ部と、を含む薄膜パターン形成装置を提供する。
好ましく、上記マスク積載部に配置された少なくとも一つのマスクは複数のマスクであり、上記マスク移動部は上記複数のマスクのうち一つを選択して上記マスク積載部から上記成膜空間部の蒸着位置にまたはその反対に搬送させることができるよう構成される。
好ましく、上記巻出ロールと巻取ロールとの間の蒸着領域上に位置して上記シートを支持するための支持板をさらに含むことができる。
上記マスク移動部は、上記マスク積載部に位置したマスクローダと上記成膜空間部に位置したマスクリフタを含む。この場合、上記マスクローダは上記マスクを上記マスク積載部から上記マスクリフタに導くよう構成され、上記マスクリフタは上記マスクを上記支持板上に位置したシートに密着されるよう垂直移動するよう構成されることができる。
特定の実施形態において、上記シートは誘電体グリーンシートであり、上記蒸着ソースはAgまたはNiの電極物質であることができる。これとは異なって、上記シートはフレキシブル基板であることができる。
前記薄膜は、電子ビーム(e−beam)蒸着、熱蒸着、スパッタリング、イオンビーム蒸着(Ion−Beam Deposition)及びパルスレーザ蒸着(Pulse Laser Deposition)で構成されたグループから選択されたいずれか一つを利用して蒸着されることができる。
本発明による薄膜パターン形成装置は、ロールタイプの薄膜装備の長所と共にマスクを同時にロール駆動しないことによりパターンのにじみを防ぎ、マスクの動きが少ないため粉塵の発生を最少化することができる。マスクの容易な取り替えを保障することができるようカセットタイプを結合することにより、パターン形成の過ちによる不良率を減少させ、長期的には製品の高い信頼性及び歩留まりを期待することができる。
本発明の一実施形態による薄膜形成装置を表した概略図である。 本発明の好ましい実施形態による薄膜形成装置(マスクローディング段階)を表した概略図である。 本発明の好ましい実施形態による薄膜形成装置(成膜段階)を表した概略図である。 本発明の好ましい実施形態による薄膜形成装置(シート移動段階)を表した概略図である。
以下、添付の図面を参照に本発明の実施形態をより詳しく説明する。
図1は、本発明の一実施形態による薄膜形成装置を表した概略図である。
図1を参照すると、本実施形態による薄膜パターン形成装置10は、マスク積載部11bと上記マスク積載部11bと開閉可能な開放口wが設けられた分離壁11cを介した成膜空間部11aを有する真空チャンバ11を含む。
薄膜パターンが形成されるシート14は、巻出ロール12aと巻取ロール12bにより蒸着領域を通るよう走行する。蒸着領域の下には蒸着ソースMを収容するソース載置部20が形成される。蒸着ソースMは電極パターンを形成するためのAg、Niのような金属ソースであることができる。図1には図示されてはいないが、電子ビームのようにシート14表面に薄膜が形成されるよう蒸着ソースMを蒸発させる手段を含む。
本薄膜パターンの形成装置は、所望の蒸着領域を除いて他のシート領域上に薄膜が蒸着されることを防ぐため遮断膜Sをさらに含み、シート14が所望の位置に走行完了した後は、シャッタ22が開放され薄膜蒸着を開始することができる。このような薄膜蒸着は電子ビーム(e−beam)蒸着、熱蒸着、スパッタリング、イオンビーム蒸着(Ion−Beam Deposition)及びパルスレーザ蒸着(Pulse Laser Deposition)で構成されたグループから選択されることができる。
本実施形態において、薄膜パターンを定義するパターンが形成されたマスク18は、マスク積載部11bに配置される。上記マスク積載部11bは先に説明した通り、真空チャンバの一部であって、成膜空間部11aと類似な真空または低圧状態の条件を有するよう構成される。上記マスク積載部11bに位置したマスク18は、マスク移動部17を利用して成膜空間部11aにおいて所望の位置に配置されることができる。
図1に図示されたマスク移動部17は、マスク積載部11bに配置されたマスクローダ形態で提供され、マスク18が装着されたアーム部17bと上記アーム部17bが固定された回転柱17aで構成される。
本実施形態では、マスク18が装着されたアーム部17bが分離壁11cの開放口wに向かうよう回転柱17aが回転し、次いでアーム部17bが延長され所望の蒸着位置に移動するよう作動することによってマスクの所望の移動を実現することができる。
本実施形態のようにマスク積載部11bを別途に備え、マスク18をマスク移動部17を利用して蒸着位置にまたはその反対に移動するよう構成することにより、ロールツーロール薄膜形成工程で数回繰り返して使用されるマスク18を成膜空間部11aの真空状態を解除しなくても容易に取り替え/リサイクル/修理することができる。
すなわち、上記マスク積載部11bに移動させ分離壁11cの開放口wを閉鎖することによって、成膜空間部11aの真空状態を解除しなくてもマスク積載部11bに位置したマスク18に対する作業を進行することができる。
本実施形態による薄膜パターン形成装置は、MLCC製造工程またはフレキシブル素子を製造するための工程に有用に使用されることができる。MLCC製造工程において、上記シートは誘電体グリーンシートであり、上記蒸着ソースはAgまたはNiの電極物質であることができる。
これと類似に、上記シートはフレキシブル基板を採用してフレキシブル素子の製造工程にも採用することができる。
マスク積載部に配置されたマスクは複数であることができる。このような複数のマスクを選択して成膜空間部の所望の位置にまたはその反対に搬送させることができるよう構成される形態で具現されることができる。このような実施形態は図2から図4に図示されている。
図2から図4は、それぞれマスクローディング段階/成膜段階/シート移動段階の際に薄膜パターン形成装置の各構成要素の作動を表した概略図である。
先ず、図2を参照すると、本実施形態による薄膜パターン形成装置30は、マスク積載部31aと上記マスク積載部31aと開閉可能な開放口wが設けられた分離壁31cを介した成膜空間部31bを有する真空チャンバ31を含む。
薄膜パターンが形成されるシート34は、巻出ロール32aと巻取ロール32bにより蒸着領域を通るよう走行する。蒸着領域にはシートを支持するための支持板36をさらに装着する。蒸着ソースMを収容したソース載置部40は蒸着領域の下に位置する。シート34が所望の位置へと走行が完了した後には、シャッタ42が開放され薄膜蒸着を開始することができる。
本実施形態において、薄膜パターンを定義するパターンが形成されたマスク38a−38dは、マスク積載部31bに計4つが配置されることができる。マスク移動部はマスク積載部31aに配置されたマスクローダ37とマスクリフタ39で構成される。上記マスクローダ37は上記マスク38a−38dのうち一つを選択して上記マスク積載部31aから上記マスクリフタ39上へ導くよう構成される。マスクローダ37はマスク38が装着されたアーム部37bと上記アーム部37bが固定された回転柱37aで構成される。
図2に図示された通り、一つのマスク38aをマスクローダ37により上記マスク積載部31aから成膜空間部31bにおいて所望の位置に搬送されることができる。
すなわち、マスク38aが装着されたアーム部37bが分離壁31cの開放口wに向かうよう回転柱37aが回転し、次いでアーム部37bが延長され所望の蒸着位置に移動するよう作動することによって、マスク38aの所望の移動を実現することができる。
図3に図示された通り、上記マスクリフタ39は、上記導かれたマスク38aを上記支持板36上に位置したシート34に密着するよう垂直移動させる。
このように、マスクリフタ39によりシートまでマスク38aが上昇すると、シャッタ42が開放されて薄膜パターン形成工程が行われる。上記マスク38aを上記支持板36上に位置したシート34に密着するよう搬送させ、より精密な薄膜パターン形成を保障することができる。
一パターン形成工程が完了すると、次の薄膜パターンを形成するため、図4に図示された通り、マスクリフタ39を利用してマスク38aを微細に下降させる。この場合に、勿論シャッタ42は閉鎖されシート34側に蒸発したソースが進行できないようにする。
このように、シート34がマスク38aから離隔された状態でシート34の他のパターン形成領域が支持板36上に位置するよう搬送が行われる。シート搬送が完了すると、図2に図示された状態でマスク38aが密着され薄膜パターン形成工程が行われ、再び図4のようにシート34が搬送される過程が繰り返し行われ連続した薄膜パターン形成工程を行う。このような薄膜蒸着は電子ビーム(e−beam)蒸着、熱蒸着、スパッタリング、イオンビーム蒸着(Ion−Beam Deposition)及びパルスレーザ蒸着(Pulse Laser Deposition)で構成されたグループから選択されることができる。
先に説明した通り、このようなパターン形成工程が数十回繰り返されると、マスクの表面に粉塵が非常に発生して精密なパターンの形成に大きな障害を引き起こすことがある。マスクの取り替えが必要な場合に成膜が行われる真空チャンバは、別途のマスク載置部とマスク移動手段を通して容易に行われることができ、本実施形態のように、5つのマスクを積載部に配置することにより5倍程度の数量に対する薄膜パターン形成工程を連続して実施することができ、これを通して所望の水準の量産性を確保することができる。
このように、本発明は、上述の実施形態及び添付の図面により限定されるのではなく、添付の請求範囲により限定される。従って、請求範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内で多様な形態の置換、変形及び変更が可能であることは当技術分野の通常の知識を有している者には自明であり、これも添付の請求範囲に記載された技術的思想に属する。

Claims (7)

  1. マスク積載部と、前記マスク積載部と開閉可能な開放口が設けられた成膜空間部を有する真空チャンバと、
    前記成膜空間部に配置され、シートを走行させる巻出ロール及び巻取ロールと、
    蒸着ソースを収容して蒸着ソースを蒸発させ蒸着領域上に位置した前記シート上に薄膜を蒸着させるように装着されたソース載置部と、
    前記シート上に蒸着しようとする薄膜のパターンを定義するパターンを有し、前記マスク積載部に備えられた少なくとも一つのマスクと、
    前記マスクを前記成膜空間部の蒸着位置にまたはその反対に搬送させることができるよう構成されたマスク移動部と、
    前記ソース載置部において前記マスクに蒸発される蒸着ソースの進行を選択的に遮蔽させるシャッタ部と、を含む薄膜パターン形成装置。
  2. 前記マスクは複数のマスクであり、
    前記マスク移動部は前記複数のマスクのうち一つを選択して前記マスク積載部から前記成膜空間部の蒸着位置にまたはその反対に搬送させることができるよう構成されたことを特徴とする請求項1に記載の薄膜パターン形成装置。
  3. 前記巻出ロールと巻取ロールとの間の蒸着領域上に位置して前記シートを支持するための支持板をさらに含むことを特徴とする請求項1または2に記載の薄膜パターン形成装置。
  4. 前記マスク移動部は、前記マスク積載部に位置したマスクローダと前記成膜空間部に位置したマスクリフタを含み、
    前記マスクローダは前記マスクを前記マスク積載部から前記マスクリフタに導くよう構成され、前記マスクリフタは前記マスクを前記支持板上に位置した前記シートに密着するよう垂直移動するよう構成されたことを特徴とする請求項3に記載の薄膜パターン形成装置。
  5. 前記シートは誘電体グリーンシートであり、前記蒸着ソースはAgまたはNiの電極物質であることを特徴とする請求項1から4の何れかに記載の薄膜パターン形成装置。
  6. 前記シートは、フレキシブル基板であることを特徴とする請求項1から5の何れかに記載の薄膜パターン形成装置。
  7. 前記薄膜は、電子ビーム(e−beam)蒸着、熱蒸着、スパッタリング、イオンビーム蒸着(Ion−Beam Deposition)及びパルスレーザ蒸着(Pulse Laser Deposition)で構成されたグループから選択されたいずれか一つを利用して蒸着されたことを特徴とする請求項1から6の何れかに記載の薄膜パターン形成装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015137389A (ja) * 2014-01-22 2015-07-30 株式会社アルバック 成膜装置および成膜方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201304162A (zh) * 2011-05-17 2013-01-16 Intevac Inc 製作太陽能電池背側點接觸的方法
JP5354821B2 (ja) * 2011-12-27 2013-11-27 日東電工株式会社 有機el素子の製造方法及び製造装置
KR101441479B1 (ko) * 2012-10-11 2014-09-17 주식회사 에스에프에이 Oled 제조용 박막 증착장치
WO2018031193A1 (en) 2016-08-12 2018-02-15 Applied Materials, Inc. Critical methodology in vacuum chambers to determine gap and leveling between wafer and hardware components

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001003155A (ja) * 1999-06-21 2001-01-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蒸着装置および蒸着方法
US20050205209A1 (en) * 2004-03-18 2005-09-22 Aelan Mosden Replacing chamber components in a vacuum environment
US20070137568A1 (en) * 2005-12-16 2007-06-21 Schreiber Brian E Reciprocating aperture mask system and method

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4336869B2 (ja) * 2001-11-27 2009-09-30 日本電気株式会社 真空成膜装置、真空成膜方法および電池用電極の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001003155A (ja) * 1999-06-21 2001-01-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蒸着装置および蒸着方法
US20050205209A1 (en) * 2004-03-18 2005-09-22 Aelan Mosden Replacing chamber components in a vacuum environment
US20070137568A1 (en) * 2005-12-16 2007-06-21 Schreiber Brian E Reciprocating aperture mask system and method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015137389A (ja) * 2014-01-22 2015-07-30 株式会社アルバック 成膜装置および成膜方法

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