JPH08100260A

JPH08100260A - 真空処理装置

Info

Publication number: JPH08100260A
Application number: JP26101694A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Higuchi; 靖樋口; Kenzo Nagano; 賢三長野; Takashi Komatsu; 孝小松; Kyuzo Nakamura; 久三中村
Original assignee: Ulvac Inc
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 1994-09-30
Filing date: 1994-09-30
Publication date: 1996-04-16
Anticipated expiration: 2022-04-25
Also published as: JP3909608B2

Abstract

(57)【要約】［目的］成膜用、エッチング用、イオン注入用の真空
処理装置において、処理室を大気開放することなく、基
板周辺の治具・装置部品を交換し得る真空処理装置を提
供すること。［構成］マルチチャンバ方式の真空処理装置１０にお
いて、独立して真空排気可能な取出搬入室３を処理室１
とは搬送室２を介して設け、処理室１内でウエハ基板１
３の周辺に着脱容易に設けられており、膜の付着したカ
バーリング１７を搬送室２に設けた伸縮型アーム２１に
よって処理室１から搬送室２を経て取出搬入室３へ収容
する。次いでゲート弁７を閉として取出搬入室３のみを
大気開放し、カバーリング１７を系外へ取り出して再生
する。搬入は逆の手順で行なう。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は成膜用、エッチング用、
又はイオン注入用の真空処理装置に関するものであり、
更に詳しくは基板周辺の治具・装置部品を真空中で交換
し得る真空処理装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術及びその問題点】例えば成膜用の真空処理
装置においては、成膜させるべき基板にのみ成膜させ、
基板以外には可及的に膜が付着しないように各種の工夫
が行われている。これは膜の原材料の無駄な消費を抑制
することのほかに、不必要な個所に付着した膜が厚膜化
し、その内部応力が大になって、又、熱サイクルを受け
ることによって成膜プロセスの途中で剥離脱落してダス
トを発生させ、基板上の膜の品質を低下させることを防
ぐためである。

【０００３】蒸着やスパッタリングによる成膜において
は、基板の周辺に防着板を設けたり、蒸発源やスパッタ
ターゲットと基板との間の距離を小さくし、成膜粒子の
基板への入射角度を制限して、不必要な個所へ膜が付着
しないよういしている。又、プラズマＣＶＤによる成膜
ではプラズマ発生空間を最小にすることにより、熱ＣＶ
Ｄによる成膜では基板周辺の治具・装置部品を冷却する
ことにより、不必要な個所への膜の付着を抑制すること
が行われている。

【０００４】これらの手段によって基板以外の個所への
膜の付着は抑制されるが、付着が全く防止される訳では
ない。そして、一般的には基板に距離的に近い治具・装
置部品ほど膜の付着は多く、かつ基板に近い治具・装置
部品に付着した膜は基板の汚染源となる可能性が最も大
きい。

【０００５】蒸着やスパッタリングによる成膜では、現
在のところ、蒸着材料やスパッタターゲットの交換が必
要であるために、処理室を大気開放する交換時を利用し
て治具・装置部品の交換又は再生を行なうこともできる
が、ＣＶＤによる成膜は、基本的には原料ガスボンベの
交換を行なうだけで処理室を大気開放することなく連続
成膜できるので、治具・装置部品の交換再生のために処
理室を大気開放することは生産性を低下させコスト高を
招くことになる。

【０００６】従って、処理室を大気開放しない方法とし
て、円板状のウエハ基板に対しＣＶＤによって成膜させ
る枚葉式の真空処理装置においては、成膜の完了した基
板を処理室から取り出し、次の基板を処理室へ装填する
までの間に、処理室の内部をドライエッチングする、所
謂、ｉｎｓｉｔｕ（その場での）クリーニングによっ
て治具・装置部品に付着した膜を除去する方法が検討さ
れている。しかし、ｉｎｓｉｔｕクリーニングを行な
う間は当然のことながら成膜できないし、又そのエッチ
ングによって治具・装置部品が損傷し劣化してダスト源
となる恐れもある。例えばＷ（タングステン）の熱ＣＶ
Ｄにおいて、治具・装置部品に付着したＷを除去するの
に、Ｆ（弗素）イオンやＦラジカルを発生するＳＦ₆
（６弗化硫黄）ガス、ＮＦ₃ （３弗化窒素）ガス等が使
用されるが、治具・装置部品がＡｌ（アルミニウム）材
であればＡｌ弗化物が、又、ステンレス鋼材であればＦ
ｅ弗化物、Ｃｒ弗化物、Ｎｉ弗化物が表面に生成し、こ
れらがフレーク状となってダスト源となる可能性が大き
く、問題点の十分な解決策とはなっていない。又、現状
では処理室の大気開放は不可避とした蒸着やスパッタリ
ングにおいても、蒸着材料やスパッタターゲットを真空
中で交換補充する方法が考案されつつあり、近い将来に
おいては、基板周辺の治具・装置部品を交換するための
処理室の大気開放は生産性を低下させる大きい要因にな
るものと思われる。

【０００７】さらには、基板をエッチングしたり、基板
にイオン注入を行なう真空処理装置においても、エッチ
ングガスや注入イオンによって基板周辺の治具・装置部
品が損傷を受け、副生物を生成して基板の汚染源となり
得るが、その交換再生のために処理室を大気開放するこ
とは生産性の点で好ましくない。しかし現在のところ、
処理室を真空に維持したまま処理室内の治具・装置部品
を交換し得る真空処理装置は知られていない。

【０００８】

【発明が解決しようとする問題点】本発明は上述の問題
に鑑みてなされ、処理室の大気開放やｉｎｓｉｔｕク
リーニングを必要とせず、処理室を真空維持したまま基
板周辺の治具・装置部品を交換再生し得て、生産性を低
下させない真空処理装置を提供することを目的とする。

【０００９】

【問題点を解決するための手段】以上の目的は、成膜、
エッチング、またはイオン注入を行なうための処理室を
有する真空処理装置において、前記処理室内の基板周辺
に設けられる治具・装置部品を前記真空処理装置から系
外へ取り出し、また系外から搬入するための、独立して
真空排気の可能な取出搬入室が前記処理室とは搬送室を
挟んで、または直接に隣設して配置されて、前記各室間
は開閉可能なゲート弁を介して接続されており、かつ前
記搬送室又は前記処理室に隣設した前記取出搬入室には
前記治具・装置部品を前記処理室から前記取出搬入室
へ、及び前記取出搬入室から前記処理室へ搬送するため
の搬送機器が設けられており、前記処理室は前記治具・
装置部品の取出時、搬入時において真空に維持されるこ
とを特徴とする真空処理装置、によって達成される。

【００１０】

【作用】成膜時に膜の付着した基板周辺の治具・装置部
品、又はエッチング時、イオン注入時に損傷を受け劣化
した基板周辺の治具・装置部品は搬送機器によって取り
外され、処理室から搬送室を経由して取出搬入室へ、又
は処理室から直接に取出搬入室へ搬送して収容され、然
る後に取出搬入室のみを大気開放して系外へ取り出され
る。再生された、又は新しい治具・装置部品は系外から
大気開放下の取出搬入室へ搬入され、次いで取り出しと
は逆の手順で処理室内へ搬送され取り付けられる。すな
わち処理室を大気開放することなく治具・装置部品の交
換を行い得る。

【００１１】

【実施例】以下、本発明の実施例による真空処理装置に
ついて図面を参照して説明する。

【００１２】図１は熱ＣＶＤによる成膜を行なうための
第１実施例としてのマルチチャンバ方式の真空処理装置
１０の配置平面図である。中央部に搬送室２が設けら
れ、その内部には搬送機器として、中心点Ｏの回りに回
動可能とされ伸縮可能なフロッグレッグアーム２１が設
けられている。搬送室２の外周の１面にはゲート弁６を
介して処理室１が設けられ、ここにおいて基板への成膜
が行われる。この処理室１と搬送室２とはそれぞれ図示
しない真空排気装置によって常に真空に維持される。
又、搬送室２の外面にはゲート弁７を介して取出搬入室
３が設けられており、この取出搬入室３は独立して真空
排気が可能となっている。そして、ゲート弁７を閉とし
て大気開放し、治具・装置部品を系外へ取り出す時、又
は系外から搬入する時に使用される。更には、搬送室２
の外面には未成膜の基板を収容するローディング室４
と、成膜ずみの基板を収容するアンローディング室５と
がそれぞれのゲート弁８、９を介して設けられている。
ローディング室４、アンローディング室５もそれぞれ独
立して真空排気可能となっている。

【００１３】本発明の第１実施例の真空処理装置１０は
以上のように構成されるが、次にその作用について説明
する。なお、ローディング室４には十分な枚数の未成膜
の基板が収容され、各ゲート弁６、７、８、９は閉とさ
れ、処理室１、搬送室２、取出搬入室３、ローディング
室４、アンローディング室５は全て所定の真空度にある
ものとする。

【００１４】ゲート弁６、８が開とされて、ローディン
グ室４から所定の枚数の基板が搬送機器によって取り出
され、搬送室２を経由して処理室１内へ搬送し装填して
から、ゲート弁６、８を閉として熱ＣＶＤによる成膜が
行われる。成膜の終了後、ゲート弁６、９を開として成
膜ずみの基板は搬送機器によって処理室１から取り出さ
れ搬送室２を経由してアンローディング室５へ搬送して
収容され、ゲート弁９は閉とされる。同時にゲート弁８
が開とされ、前述と同様にして未成膜の基板が処理室１
へ装填されてゲート弁６が閉とされ、成膜が行われる。

【００１５】上記のような操作を繰り返すことにより、
処理室１内における基板周辺の治具・装置部品には膜が
付着し厚膜化してくるが、所定の厚みとなった時点で、
ゲート弁６、７を開とした状態で、治具・装置部品は搬
送機器によって取り外され、処理室１から搬送室２を経
由して取出搬入室３へ搬送して収容される。ゲート弁７
を閉とした後、取出搬入室３を大気開放して治具・装置
部品は図示しないゲートから取り出され、例えばウエッ
トエッチングによって付着膜を除去して再生される。再
生された、又は新しい治具・装置部品は取出搬入室３へ
搬入し、密閉して所定の圧力に真空排気した後、ゲート
弁６、７を開とした状態で取出搬入室３から搬送室２を
経由して処理室１へ搬送して取り付けられる。そしてゲ
ート弁６、７を閉として熱ＣＶＤによる成膜が再開され
る。以上述べたように、第１実施例の真空処理装置１０
は治具・装置部品の交換時においても処理室１が真空に
維持されるので、装置としてのダウンタイムは短い。

【００１６】図２は、第１実施例と同様な熱ＣＶＤによ
る成膜を行なうための、第２実施例としてのマルチチャ
ンバ方式の真空処理装置２０の配置平面図である。取出
搬入室３’がゲート弁７を介し処理室１に隣設して配置
されていることが、第１実施例の配置と異なるが、処理
室１、搬送室２、取出搬入室３’、ローディング室４、
アンローディング室５は基本的には第１実施例の真空処
理装置１０と同様に構成され作用するので、それらの説
明は省略する。ただ、取出搬入室３’には治具・装置部
品を搬送するための搬送機器としてのフロッグレッグア
ーム２１’が設けられており、処理室１と取出搬入室
３’との間を搬送するようになっている。従って、搬送
室２内の搬送機器としてのフロッグレッグアーム２１”
は基板のみを搬送することになるので、従来のマルチチ
ャンバ方式の真空処理装置で使用されている搬送室、搬
送機器をそのまま変更なしに使用できるという利点があ
る。

【００１７】図３は図１の第１実施例、図２の第２実施
例の配置平面図に示されている処理室１の破断側面図で
ある。処理室１内において、底板上に固定したホットプ
レート１２上にウエハ基板１３が載置され、ホットプレ
ート１２の中央を貫通してウエハ基板１３を上下させ得
る基板昇降ピン１４が設けられている。又、ホットプレ
ート１２の外周に近接してリング状の水冷ブロック１５
が設けられており、その上面にカバーリング１７が載置
され自重で保持されている。更には水冷ブロック１５を
等角度に３分割する３個所において貫通して３本のカバ
ーリング昇降ピン１６が設けられており、カバーリング
１７の下面に形成された環状のＵ字溝１７ａに先端を接
してこれを上下させる。又、処理室１の天板には、反応
ガスを矢印ａで示すような均一な流れとして導入するた
めのシャワープレート１８が固定されており、底板には
真空排気のためのノズル１９が取り付けられている。こ
のような構造において、成膜時にはウエハ基板１３以外
にはカバーリング１７に最も膜が付着し、他の部分は水
冷ブロック１５にガードされていることもあり膜の付着
は殆ど観察されない。図３に示す状態で熱ＣＶＤによる
成膜が行われた後、成膜されたウエハ基板１３の取り出
しと、未成膜のウエハ基板１３の装填とが行われて成膜
が繰り返される。そして、カバーリング１７に所定の厚
さに膜が付着した時点で、カバーリング１７の交換が行
われる。

【００１８】ウエハ基板１３の交換については図４、図
５に示した。図４、図５は図３におけるウエハ基板１３
の周辺を示す図であり、図４はその破断側面図、図５は
図４における［５］−［５］線方向の矢視図であるが、
カバーリング昇降ピン１６によってカバーリング１７を
リフトさせた後、更に基板昇降ピン１４によってウエハ
基板１３をリフトさせ、かつホットプレート１２とウエ
ハ基板１３との間に、搬送機器としての伸縮型アーム２
１の先端の載置プレート２２を挿入した状態を示してい
る。図５の状態から基板昇降ピン１４を下降させること
により、ウエハ基板１３は載置プレート２２上に残り、
その座ぐり２３内に係止される。この後、伸縮型アーム
２１を縮めて載置プレート２２を矢印ｂで示す水平方向
に引き出すことにより、成膜されたウエハ基板１３を処
理室１から搬送室２内へ取り出せる。この後、カバーリ
ング昇降ピン１６を元の位置に戻す。未成膜のウエハ基
板１３の装填はこれとは逆の手順で行われる。

【００１９】カバーリング１７の交換については図６、
図７に示した。図６、図７は図４、図５と同様にウエハ
基板１３の周辺を示し、図６はその破断側面図、図７は
平面図であるが、カバーリング昇降ピン１６によってカ
バーリング１７のみをリフトさせ、かつホットプレート
１２とカバーリング１７との間に、搬送機器としての伸
縮型アーム２１の先端の載置プレート２２を挿入した状
態を示している。図７の状態から、カバーリング昇降ピ
ン１６を下降させることにより自重でのみ保持されてい
るカバーリング１７は載置プレート２２上に残り、座ぐ
り２４内に係止されるので、伸縮型アーム２１を縮めて
載置プレート２２を矢印ｂで示す水平方向に引き出すこ
とにより、膜の付着したカバーリング１７を処理室１か
ら、図１に示す真空処理装置１０においては搬送室２内
へ取り出せる。この後、ゲート弁６を閉、ゲート弁７を
開としてカバープレート１７を取出搬送室３へ収容し、
次いでゲート弁７を閉としてから取出搬入室３のみを大
気開放することによりカバーリング１７を系外へ取り出
せる。

【００２０】付着している膜を除去して再生されたカバ
ーリング１７は上記とは逆の経路を辿って、すなわち、
取出搬入室３へ収容し、取出搬入室３を真空排気してか
ら、搬送室２を経由して処理室１へ戻すことができる。
処理室１が別のカバーリング１７’を用いて成膜中であ
る場合には、次の交換に備えて取出搬入室３内に収容し
ておくこともできる。

【００２１】真空処理装置１０の場合、ウエハ基板１３
とカバーリング１７とを同一の伸縮型アーム２１によっ
て搬送するために、ウエハ基板１３のみを搬送する従来
の伸縮型アーム２１’よりは強度を大にする必要があ
る。

【００２２】上記は真空処理装置１０の場合を示した
が、図２に示す真空処理装置２０の場合には、膜の付着
したカバーリング１７は取出搬入室３’に設けられてい
る伸縮型アーム２１によって処理室１から直接に取出搬
入室３’へ搬送され、ゲート弁７を閉として大気開放し
た取出搬入室３’から系外へ取り出される。再生された
カバーリング１７を処理室１へ戻す場合は逆の手順で行
われる。なお、搬送室２を経由するウエハ基板１３の搬
送は搬送室２内の従来の伸縮型アーム２１’で行われ
る。

【００２３】上記のように第１実施例の真空処理装置１
０、第２実施例の真空処理装置２０の何れの場合も、カ
バーリング１７の交換は処理室１を真空に維持したまま
行なうことができる。

【００２４】次に成膜プロセスの途中においてカバーリ
ング１７を交換することの効果を示す。すなわち、第１
実施例の真空処理装置１０によってＴｉＮ付き８ｉｎφ
のＳｉ（シリコン）ウエハ基板１３に対してブランケッ
トＷ（タングステン）ＣＶＤを行なった。ＴｉＮ（窒化
チタン）付きＳｉウエハとは成膜させるＷとＳｉ上にパ
ターニングされているＳｉＯ₂ 膜との密着性をとるため
にＳｉウエハの表面にＴｉＮの薄膜を形成させたもので
ある。又、ブランケットＷＣＶＤとはＳｉウエハ基板の
表面全面に配線材料としてのＷを成膜させるＣＶＤを指
す。この成膜に当たり、図３に示す処理室１内カバーリ
ング１７にはＷと熱膨張係数の近いステンレス鋼ＳＵＳ
４３０材のものを使用した。熱膨張係数の近似した材料
としてはこの他にＭｏ（モリブデン）、Ｔｉ（チタン）
があり、Ｗ材によるものとすることもできる。

【００２５】処理室１内の圧力４０Ｔｏｒｒ、ウエハ基
板１３の温度４５０℃とし、反応ガスＷＦ₆ （６弗化タ
ングステン）を１００ｓｃｃｍ（１分間当たりの標準状
態立方センチメートル）、Ｈ₂ （水素）ガスを１０００
ｓｃｃｍの流量で流した。Ｗと近い熱膨張係数のカバー
リング１７を用いることにより、付着したＷの剥離を長
時間抑えることはできたが、５０μｍ以上の厚みになる
と剥離が観察され、ダストが発生し始めた。従って、厚
さ２０μｍ相当のＷが付着する時間毎に、処理室１の真
空を維持したままカバーリング１７の交換を行った。

【００２６】成膜時間と８ｉｎφウエハ基板１３上に検
出された粒径０．３μｍ以上のダストの個数との関係を
図８に○印で示した。又、比較のために、カバーリング
１７の交換を行わずに成膜させた場合についても、成膜
時間とダストの個数の関係を図８に△印で示した。図８
に見られるように、カバーリング１７の交換を行った場
合にはダストの個数は５〜１０個と安定していた。これ
に対し交換を行わない場合には、成膜時間の経過と共に
ダスト個数は著しく増大したが、従来はこれを避けるた
めに成膜を中断し、処理室１を大気開放してカバーリン
グ１７を交換するか、ｉｎｓｉｔｕクリーニングをせ
ねばならなかった。その点、本実施例の真空処理装置１
０において、処理室１の真空を維持したままカバーリン
グ１７を交換し得る効果は極めて大きい。このことは第
２実施例の真空処理装置２０においても同様である。

【００２７】上記実施例ではＣＶＤによる成膜時におけ
るカバーリング１７の交換について説明したが、これ以
外の蒸着、スパッタリング、又はイオンオプレーティン
グによって成膜を行なう枚葉式の真空処理装置において
も基板周辺の治具・装置部品を上記カバーリング１７と
同様に交換することができ、同様な効果が得られる。特
に、ＣＶＤ、スパッタリングによる枚葉式の成膜におい
ては、マルチチャンバ方式の真空処理装置、ウエハ基板
１３の成膜面を上向きとするフェイスアップ方式が一般
的になっているので、ウエハ基板１３の周辺の治具・装
置部品を支持体に自重で保持する形状に作製して、上記
実施例で説明した交換方法を広く採用し得る。

【００２８】例えば、図９はウエハ基板１３を上方とす
るスパッタリングによる成膜のための処理室３１内のア
ースシールド３２、防着板３３、ターゲット３４の位置
関係を示す破断側面図である。この場合においてターゲ
ット３４からのスパッタ粒子はアースシールド３２、防
着板３３に付着し易いが、それぞれを昇降ピンで矢印の
ように上下させ、先述の伸縮型アーム２１とその先端の
載置プレート２２を用いて真空中で交換することができ
る。

【００２９】又、図１０はウエハ基板１３を下方とする
スパッタリング成膜のための処理室４１内における部分
成膜用のマスク４２、基板ホールダ４３、ターゲット３
４の位置関係を示す破断側面図である。この場合にはタ
ーゲット３４からのスパッタ粒子はマスク４２は勿論、
基板ホールダ４３にも膜が付着し易いが、これらのマス
ク４２、基板ホールダ４３もそれぞれを昇降ピンで矢印
のように上下させ、伸縮型アーム２１の載置プレート２
２を挿入する方式で真空中の交換が可能である。

【００３０】更には、図１１はウエハ基板１３を上方と
するプラズマＣＶＤ成膜のための処理室５１の破断側面
図であり、反応ガスを矢印ｃのように導入するためのシ
ャワープレート５２、その外装プレート５３とウエハ基
板１３との位置関係を示す。この場合において、外装プ
レート５３には膜が最も付着し易いが、この外装プレー
ト５３も昇降ピンで矢印のように上下させての交換が可
能である。

【００３１】なお、図９において防着板３２としたもの
はウエハ基板１３以外の部分へのスパッタ粒子の付着を
可及的に抑制するものであるが、ターゲット３４からの
スパッタ粒子の飛散方向を規制することにも働いてお
り、その観点に立てばチムニ（煙突）とも言える。更に
は、図１０に示した基板ホールダ４３はカバーリングで
あるとすることもできる。このように治具・装置部品は
その構造、設置の状態、機能の解釈によって別の名称で
呼ばれることがあり、一つの名称で一つの治具・装置部
品を定義し得ないことが多い。

【００３２】以上は成膜を行なうための真空処理装置を
例として説明したが、ドライエッチング行なう真空処理
装置においても、基板周辺の治具・装置部品がエッチン
グガスによって損傷を受け劣化してダスト源となるの
で、所定時間のエッチング後には上述したと同様に真空
中で交換することにより、基板の汚染を防ぎ得るし、基
板へイオン注入を行なう真空処理装置においても、注入
イオンによって基板周辺の治具・装置部品が損傷を受け
てダスト源となる場合には、これらを真空中で交換する
ことが好ましい。

【００３３】なお、上記で説明した交換はウエハ基板１
３のアンローディング室５を経由させて、系外へ取り出
し、系外から搬入することもできるが、大気開放等によ
って膜が剥離して、アンローディング室５を汚すので、
この方法は採用されるべきでない。

【００３４】以上、本発明の実施例について説明した
が、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発明
の技術的思想に基いて種々の変形が可能である。

【００３５】例えば、各実施例においては、取出搬入室
３を１室のみ設けたが、図１の第１実施例において搬送
室２に隣設して別な取出搬入室３”を設けて２室とし、
一方は膜の付着した治具・装置部品の系外への取り出し
に使用し、他方は既に再生の完了した治具・装置部品を
収容しておくことに使用するようにしてもよい。又、取
出搬入室３を上下２段に分離して上述の２室とすること
も可能である。

【００３６】又、各実施例においては、治具・装置部品
は着脱を容易とするために、支持体に載置して自重で保
持させたが、これ以外の保持の方法、例えば治具・装置
部品に係合用の突起を設け、支持体に形成させた係合孔
へ挿入して保持することもできるし、治具・装置部品と
支持体とをオン・オフ可能な磁気吸着または真空、減圧
吸着等によって保持させることもできる。

【００３７】又、各実施例はウエハ基板１３を処理する
枚葉式の真空処理装置について述べたが、基板がロール
状のスチール板、プラスチックフィルム等である連続式
の真空処理装置においても、処理の途中において治具・
装置部品を真空中で交換することは、真空処理装置のダ
ウンタイムを短縮させ、コストを著しく低減させる。勿
論、この場合は一端で基板としてのコイルを巻き戻し、
他端でコイルを巻き取って、その中間で真空処理される
ことが多く、基板の搬送方法と治具・装置部品を交換す
るための搬送方法とは全く異なるが、取出搬入室を経由
させて治具・装置部品を取り出し、搬入するという点で
は共通する。又、同様にインラインＣＶＤ、スパッタ装
置でも可能である。

【００３８】

【発明の効果】以上述べたように、本発明の真空処理装
置によれば、処理室とは搬送室を介して、又は直接に隣
設させて、独立して真空排気の可能な取出搬入室を設け
たことにより、処理室を大気開放することなく基板周辺
の治具・装置部品を交換し得るので、これらの治具・装
置部品に基づくダストの発生を抑制して基板の汚染を防
ぐことができ、更には処理室を大気開放しないことによ
り真空処理装置のダウンタイムを短縮し生産性を大巾に
向上させる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例によるマルチチャンバ方式
の真空処理装置の配置平面図である。

【図２】本発明の第２実施例によるマルチチャンバ方式
の真空処理装置の配置平面図である。

【図３】本発明の第１実施例、第２実施例に共通するＣ
ＶＤ成膜のための処理室の破断側面図である。

【図４】図３におけるウエハ基板周辺の破断側面図であ
る。

【図５】図４における［５］−［５］線方向の矢視図で
あり、ウエハ基板の交換を示す。

【図６】図４と同様のウエハ基板周辺の破断側面図であ
る。

【図７】図６に対応する平面図であり、カバーリングの
交換を示す。

【図８】カバーリングを交換した場合と交換しない場合
について、成膜時間とウエハ基板上のダストの個数との
関連を示す図である。

【図９】スパッタリングによる成膜のための処理室内に
おける基板とターゲット、アースシールド、防着板との
位置関係を示す破断側面図である。

【図１０】スパッタリングによる成膜のための処理室内
における基板とターゲット、マスク、基板ホールダとの
位置関係を示す破断側面図である。

【図１１】ＣＶＤによる成膜のための処理室内における
基板とシャワープレート、外装プレートとの位置関係を
示す破断側面図である。

【符号の説明】

１処理室２搬送室３取出搬入室３’ 取出搬入室４ローディング室５アンローディング室１２ホットプレート１３ウエハ基板１４基板昇降ピン１５水冷ブロック１６カバーリング昇降ピン１７カバーリング１８シャワープレート２１伸縮型アーム２２載置プレート

フロントページの続き (72)発明者中村久三千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技術株式会社千葉超材料研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】成膜、エッチング、またはイオン注入を
行なうための処理室を有する真空処理装置において、前
記処理室内の基板周辺に設けられる治具・装置部品を前
記真空処理装置から系外へ取り出し、また系外から搬入
するための、独立して真空排気の可能な取出搬入室が前
記処理室とは搬送室を挟んで、または直接に隣設して配
置されて、前記各室間は開閉可能なゲート弁を介して接
続されており、かつ前記搬送室又は前記処理室に隣設し
た前記取出搬入室には前記治具・装置部品を前記処理室
から前記取出搬入室へ、及び前記取出搬入室から前記処
理室へ搬送するための搬送機器が設けられており、前記
処理室は前記治具・装置部品の取出時、搬入時において
真空に維持されることを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】前記治具・装置部品が前記処理室内にお
いて昇降機構上に載置して自重で保持されており、前記
治具・装置部品の系外への取り出しは、前記昇降機構を
上昇させ持ち上げられた前記治具・装置部品の下方に前
記搬送機器の先端部を挿入した後、前記昇降機構を下降
させることにより前記治具・装置部品を前記搬送機器の
先端部に乗せ、次いで前記治具・装置部品を前記搬送機
器の先端部と共に前記処理室から引き出して前記取出搬
入室へ収容し、然る後に前記取出搬入室のみを大気開放
することによって行われ、前記治具・装置部品の系外か
らの搬入は前記取り出しとは逆の手順によって行われる
請求項１に記載の真空処理装置。
【請求項３】前記搬送室に設けられ前記治具・装置部
品を搬送する搬送機器が前記基板の搬送に兼用され、前
記搬送機器の先端部に前記治具・装置部品に対する係止
部と前記基板に対する係止部とが形成されている請求項
１または請求項２に記載の真空処理装置。
【請求項４】前記治具・装置部品が防着板、チムニ、
カバーリング、基板ホールダ、マスク、アースシール
ド、シャワープレートの中の少なくとも１つである請求
項１から請求項３までの何れかに記載の真空処理装置。