JPH10335318A - 半導体製造装置のクリーニング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】化学気相成長法を用いてアルカリ度類金属を構
成元素に含む薄膜を形成する半導体製造装置を分解せず
にクリーニングする。 【解決手段】半導体製造装置の被クリーニング部の温度
を８５０℃以上にする昇温工程と、半導体製造装置内に
三弗化塩素ガスを導入する工程とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アルカリ土類金属
を構成元素に含む薄膜を形成する半導体装置製造装置の
クリーニング方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程において、段差被
覆性に優れ，大面積に堆積可能な化学気相成長法による
薄膜の形成が広く用いられる。化学気相成長法では、薄
膜堆積時に被堆積基板以外にも堆積ガスに晒される反応
容器やその中に設置される治具等にも堆積物が付着す
る。そして、この堆積物が、応力や機械的刺激により剥
離し、剥離したダストが堆積中或いは搬送時に基板に降
りかかり、形成された薄膜の粒子汚染の原因になること
が問題となる。そのため、装置内に付着した堆積物をク
リーニングする必要がある。

【０００３】クリーニング方法としては、スループット
を上昇させるため、装置を分解せずに行う方法が望まし
い。装置を分解せずにクリーニングする方法として、堆
積物を蒸気圧の高い物質に変えるクリーニング用のガス
を装置内導入して、堆積物をクリーニングする方法が用
いられている。

【０００４】超大規模半導体集積回路に代表される新し
い半導体装置には、従来用いられていなかった新しい材
料が使われるようになってきており、化学気相成長法で
もこれらの新しい材料の薄膜を堆積する事が求められる
ようになってきている。新しい材料としては、ＤＲＡＭ
の電荷蓄積容量膜に用いられる高誘電率材料や強誘電体
不揮発性メモリの電荷蓄積膜に用いられる強誘電体材料
などが挙げられる。

【０００５】半導体装置に使われる高誘電体材料にはチ
タン酸バリウムストロンチウム（（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ
₃ ：ＢＳＴ），チタンジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔ
ｉ）Ｏ₃ ：ＰＺＴ）等が、強誘電体材料には、チタン酸
ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ₃：ＳＴＯ），ビスマスス
トロンチウムタンタル酸化物（ＢｉＳｒ₂ Ｔａ₂ Ｏ₉ ）
等がある。

【０００６】しかし、上記した材料を構成するＳｒやＢ
ａ等のアルカリ土類金属は、従来のクリーニング方法で
形成される化合物の蒸気圧が低いので、除去されないと
いう問題があった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、アル
カリ土類金属を含む薄膜の形成に用いられる半導体製造
装置のクリーニングに際しては、装置を分解せずにクリ
ーニングする方法が無いという問題があった。本発明の
目的は、装置を分解することなく装置内の堆積物質を除
去することが可能な半導体製造装置のクリーニング方法
を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】

［構成］本発明は、上記目的を達成するために以下のよ
うに構成されている。 （１） 本発明（請求項１）は、化学気相成長法を用い
てアルカリ土類金属を構成元素中に含む薄膜を形成する
半導体製造装置のクリーニング方法であって、前記半導
体製造装置の被クリーニング部を加熱する工程と、前記
半導体製造装置内にハロゲン或いはハロゲン化合物を含
むクリーニングガスを導入する工程とを含むことを特徴
とする。 （２） 本発明（請求項２）は、化学気相成長法を用い
てアルカリ土類金属を含む薄膜を形成する半導体製造装
置のクリーニング方法であって、前記半導体製造装置の
被クリーニング部の温度を７５０℃以上にする昇温工程
と、前記半導体製造装置内にハロゲン或いはハロゲン化
合物を含むクリーニングガスを導入する工程とを含むこ
とを特徴とする。

【０００９】前記薄膜は、少なくともバリウムを含むこ
とが望ましい。 （３） 本発明（請求項４）は、化学気相成長法を用い
てストロンチウムを構成元素中に含む薄膜を形成する半
導体製造装置のクリーニング方法であって、前記半導体
製造装置の被クリーニング部の温度を８５０℃以上にす
る昇温工程と、前記半導体製造装置内にハロゲン或いは
ハロゲン化合物を含むクリーニングガスを導入する工程
とを含むことを特徴とする。 （４） 本発明（請求項５）は、化学気相成長法を用い
てチタン酸バリウムストロンチウム薄膜を形成する半導
体製造装置のクリーニング方法であって、前記半導体製
造装置の被クリーニング部の温度を８５０℃以上にする
昇温工程と、前記半導体製造装置内に三弗化塩素ガスを
導入する工程とを含むことを特徴とする。

【００１０】（１）〜（３）に記載のクリーニングを、
薄膜の堆積を複数回行った後行うことが好ましい。 ［作用］本発明は、上記構成によって以下の作用・効果
を有する。

【００１１】被クリーニング部の温度を高温にし、クリ
ーニングガスとしてハロゲンを含むガスを用いることに
よって、薄膜堆積温度ではきわめて安定な物質も、一般
に蒸気圧の高いハロゲン化合物に形成することができ、
半導体製造装置のクリーニングが可能になる。

【００１２】また、クリーニングガスとして特に三弗化
塩素のようなハロゲン間化合物を用いると高温で反応性
の高いラジカルが生成されて反応性が高くなり、クリー
ニング効果が大きくなる。

【００１３】また、本発明を用いると比較的高速にクリ
ーニングが可態になるので、複数回化学気相成長を繰り
返してからクリーニングする事も可能になる。従って、
同じ条件で続けて複数枚の基板に薄膜成長させることが
できるので、基板間の特性のばらつきを最小限に抑える
事ができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を以下に図面
を参照して説明する。 ［第１実施形態］先ず、本発明のクリーニング方法を用
いてチタン酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴ）薄膜に
対してエッチングを行い、本発明の効果を確認する予備
実験を行った。

【００１５】本実施形態では、縦型ホットウォールバッ
チ炉に試験体を載置して実験を行った。図１は本発明の
第１実施形態に係わる縦型ホットウォールバッチ炉の概
略構成を示す模式図である。

【００１６】石英製の反応容器１１内に内管１２が設置
され、内管１２内には試験体２１が載置された基板保持
治具２２が収納される。反応容器１１の外部に抵抗加熱
ヒータ１３が設置されている。クリーニングガスを供給
するためのクリーニングガス供給系１４が開閉バルブ１
５を介して内管１２の下部に接続されている。また、反
応容器１１に圧力調整バルブ１７を介して真空ポンプ１
８が接続されている。また、真空ポンプ１８の排気側
が、クリーニング時の排ガスを無害化して排気するため
のクリーニング用排ガス処理部１９に接続されている。

【００１７】なお、試験体２１は、シリコン基板に熱酸
化法により形成された膜厚３０ｎｍの酸化シリコン上
に、スパッタリング法により膜厚１０ｎｍのＢａ_0.5 Ｓ
ｒ_0.5ＴｉＯ₃ 膜が堆積されたものである。

【００１８】実験の手順を以下に説明する。先ず、試験
体２１が載置された基板保持治具２２を内管１２内に収
納する。次いで、圧力調整バルブ１７を開け、真空ポン
プ１８によって反応容器１１内を排気する。そして、反
応容器１１内を所定の圧力まで排気した後、反応容器１
１の外部に設けられた抵抗加熱ヒータ１３を用いて試験
体２１を所定温度まで加熱する。

【００１９】次いで、開閉バルブ１５を開け、クリーニ
ングガス供給系１４から三弗化塩素ガスを１８００ｓｃ
ｃｍ，窒素ガスを３２００ｓｃｃｍの流量で内管１２内
に導入して３０秒〜２分間エッチングを行う。この時、
圧力調整バルブ１７を調節して反応容器１１内の圧力が
１〜３Ｔｏｒｒになるよう調節する。

【００２０】図２に、クリーニング温度に対するバリウ
ム，ストロンチウム及びチタンの各元素のエッチング速
度の温度依存性を示す。エッチング速度は、エッチング
前後の試験体２１のＢＳＴ膜中のバリウム、ストロンチ
ウム、チタンの含有量を誘導結合プラズマ発光分光法を
用いて測定し、その差から求めた。

【００２１】図２に示すように、ＢＳＴ中のチタンは５
００℃以上でエッチングされる。一方、バリウムは約７
００〜７５０℃以上、またストロンチウムは約８００℃
以上でエッチングされ、８５０℃以上になるとＳｒのエ
ッチング速度が急激に増大する。これは、エッチングガ
スである三弗化塩素が高温でラジカルになり、通常反応
しにくい材料と反応し、蒸気圧が比較的高い塩化物にな
って気体中に蒸発するためである。

【００２２】また、実験後の基板を調べた結果、５００
℃でエッチングしたものには、バリウム及びストロンチ
ウムの弗化物が残留している事が確認された。これはエ
ッチングガスである三弗化塩素中の弗素とＢＳＴ中のバ
リウム及びストロンチウムとが反応するためである。一
方、８００℃でエッチングした基板からは、弗化物は検
出されなかった。これは、高温では塩化物を生成する反
応が弗化物を生成する反応より強く働くことによるもの
考えられる。バリウム、ストロンチウムの弗化物は極め
て安定であるため、一度生成すると除去する事は困難で
あるので、クリーニングとしては弗化物が生成しないよ
うな高温で行うことが望ましい。

【００２３】また、クリーニングガスとして塩素ガス若
しくはフッ素ガスを用いて実験を行ったところ、バリウ
ム及びストロンチウムはエッチングされないことが確認
された。

【００２４】また、化学気相成長法で成膜されたＢＳＴ
膜に対して同様な実験を行った。試験体として前述のス
パッタリングで成膜されたＢＳＴ膜の代わりに化学気相
成長法で成膜されたＢＳＴ膜を用いたほかは、試験体の
厚さ，エッチング条件等の実験条件を前述のものと全く
同じにした。ＢＳＴ膜の堆積用材料としては、ビス2,2,
6,6 −テトラメチル−3,5 −ヘプタンダイオネートバリ
ウム（Ｂａ（ＴＨＤ）₂ ），ビス2,2,6,6 −テトラメチ
ル−3,5 −ヘプタンダイオネートストロンチウム（Ｓｒ
（ＴＨＤ）₂ ），ビス2,2,6,6 −テトラメチル−3,5 −
へプタンダイオネートチタン酸ＴｉＯ（ＴＨＤ）₂ ），
酸素ガス及び希釈用のアルゴンガスを用いた。実験の結
果は前述したスパッタリング膜を用いた場合と全く同じ
であった。

【００２５】以上説明したように、被クリーニング部を
高温にし、ハロゲンを含むクリーニングガスを装置内に
導入することによって、アルカリ土類金属を含む堆積物
がクリーニングされることが確認された。

【００２６】［第２実施形態］第１実施形態でＢＳＴ膜
が三弗化塩素ガスを用いてエッチングされる事が確認さ
れたので、本実施形態では実際にＣＶＤ装置に本発明の
クリーニング方法を適用した場合について説明する。

【００２７】図３は、本発明の第２実施形態に係わるＣ
ＶＤ装置の概略構成を示す模式図である。このＣＶＤ装
置は、第１実施形態に用いたホットウォールバッチ炉に
膜堆積用の構成を加えた構成である。そのため、図１と
同一な部分には同一符号を付し、その詳しい説明を省略
する。

【００２８】以下に膜堆積用のために付け加えられた構
成を説明する。成膜用のガスを供給する膜堆積用供給系
３１が開閉バルブ３２を介して内管１２の下部に接続さ
れている。膜堆積時の排ガスを無害化して排気するため
の膜堆積用排ガス処理部３４が、開閉バルブ３５を介し
て、真空ポンプ１８に接続されている。真空ポンプ１８
とクリーニング用排ガス処理部１９との間に開閉バルブ
３６が介挿されている。

【００２９】先ず、基板２３を基板保持治具２２に搭載
し、反応容器１１内に導入する。基板２３は、シリコン
基板に熱酸化法により形成された１００ｎｍ酸化シリコ
ン上にスパッタリング法でルテニウムを５０ｎｍ堆積し
たものである。

【００３０】次いで、基板保持治具２２に搭載した基板
２３を導入した後、圧力調整バルブ１７を開けて、真空
ポンプ１８で反応容器１１内を排気し、基板２３を加熱
するため抵抗加熱ヒータを動作させる。

【００３１】反応容器１１内が十分に排気され、基板２
３の温度が４６０℃になったら、開閉バルブ３２を開
け、膜堆積用ガス供給系３１から膜堆積用ガスを内管１
２に導入する。膜堆積用ガスの導入と同時に、反応容器
１１内の圧力が、１Ｔｏｒｒになるように圧力調整バル
ブ１７の開度を調整する。

【００３２】本実施形態での膜堆積の材料は、Ｂａ（Ｔ
ＨＤ）₂ ，Ｓｒ（ＴＨＤ）₂ ，ＴｉＯ（ＴＨＤ）₂ ，Ｏ
₂ 及び希釈用のＡｒガスである。各原料ガスの流量は堆
積する膜の組成がＢａ_0.5 Ｓｒ_0.5 ＴｉＯ₃ になるよう
に調整されている。膜堆積時には、開閉バルブ１５は閉
じられており、クリーニングガス供給系１４からクリー
ニングガスが反応容器１１内に導入されないようにす
る。また、開閉バルブ３５を開け、開閉バルブ３６を閉
じる事により、排気ガスを膜堆積用排ガス処理部３４に
導き無害化して排出する。

【００３３】１時間の膜堆積を行う事により基板２３上
に膜厚２０ｎｍのＢＳＴ膜が形成される。ＢＳＴ膜の堆
積は、開閉バルブ３２を閉じ、膜堆積用ガスが反応容器
１１内に導入されなくすることで終了する。堆積終了
後、反応容器１１内の残留ガスを排除するため、真空排
気する。十分に排気した後、反応容器１１内を常圧に戻
し、基板２３を取り出す。ＢＳＴ膜堆積後，反応容器１
１，内管１２及び基板保持治具２２にチタン、バリウ
ム、ストロンチウム、及び酸素を含む膜の堆積が認めら
れた。

【００３４】次に、装置のクリーニングを行う。先ず、
真空ポンプを用いて反応容器１１内を排気する。抵抗加
熱ヒータ１３を用いて被クリーニング部である反応容器
１１，内管１２及び基板保持治具２２をクリーニングに
必要な温度に加熱する。本実施形態では９００℃とし
た。次に開閉バルブ１５を開ける事により、クリーニン
グガスを反応容器１１内に導入しクリーニングを行う。
クリーニング時、圧力調整バルブ１７を調節して反応容
器１１内の圧力が１Ｔｏｒｒになるよう調節する。

【００３５】クリーニングガスには三弗化塩素ガスと窒
素ガスの混合ガスを用いた。なお、クリーニング時に
は、開閉バルブ３２を閉じて膜堆積ガス供給系３１から
膜堆積用のガスが反応容器１１に導入されないようにし
ているのはもちろん、開閉バルブ３６を開け、開閉バル
ブ３５を閉じて排気ガスをクリーニングガス用排ガス処
理部１９に導く。

【００３６】クリーニングを２０分行った結果、反応容
器１１，内管１２及び基板保持治具２２に付着していた
堆積物は完全に除去された。また、石英からなる反応容
器１１，内管１２及び基板保持治具２２には、クリーニ
ングガスによる損傷は認められなかった。その後、新た
な基板を用いてＢＳＴ薄膜の堆積を行い、堆積後の粒子
汚染をパーティクルカウンタを用いて調べた結果、最初
の処理基板と大差はなく、粒子汚染はほとんど見られな
かった。

【００３７】以上説明したように、本発明のＢＳＴ膜の
化学気確堆積後のクリーニングが可能な事が確認され
た。また、発明者らは、クリーニング速度の被クリーニ
ング部の温度依存性を調べたところ、低温ではクリーニ
ング時間は長くかかるものの、クリーニングは８００℃
以上の温度で可能な事が確認された。

【００３８】また、三弗化塩素以外のハロゲンを含むガ
スでクリーニングを行った結果、ガスの種類によりクリ
ーニングに要する時間は変わるもののクリーニングは可
能である事が確認された。

【００３９】［第３実施形態]第２実施形態と同様に、
化学気相成長法を用いて酸化ストロンチウムビスマスタ
ンタル（ＳｒＢｉ₂ Ｔａ₂ Ｏ₉ ）を成膜した後、ＣＶＤ
装置のクリーニングを行った。

【００４０】使用した装置は第２実施形態と同様であ
る。第２実施形態と異なるのは、薄膜堆積用の材料とし
てＳｒ（ＴＨＤ）₂ ，オリフェニルビスマス（Ｂｉ（Ｃ
₆ Ｈ₆）₃ ），ペンタエトキシドタンタル（Ｔａ（ＯＣ₂
Ｈ₅ ）₅ ）及びＯ₂ を用いたことと、成膜温度を７０
０℃にしたことである。その他の手順は、第２実施形態
と全く同じである。

【００４１】この場合も第２実施形態と同様に、膜堆積
時に、反応容器１１，内管１２及び基板保持治具２２に
付着した物質を三弗化塩素ガスによるクリーニングで装
置の損傷無く完全に除去する事ができた。その結果、ク
リーニング後に化学気相成長を行った基板の粒子汚染は
ほとんどなかった。

【００４２】［第４実施形態］次に、化学気相成長１回
毎にクリーニングするのではなく、複数回の成長を行っ
た後クリーニングを試みた。薄膜堆積条件、クリーニン
グ条件は第２実施形態と同じである。ただし、厚さ２０
ｎｍのＢＳＴ膜の成膜をクリーニングすることなく５０
回繰り返し行った。その後、第２実施形態と同じ手順で
クリーニングを実施した。

【００４３】複数回の堆積を行った場合は、付着物の厚
さも厚くなっているため、クリーニングに要する時間は
長くなったが、この場合も完全に付着物を除去する事が
できた。また、クリーニング後に形成された薄膜には粒
子汚染が無い事もパーティクルカウンタによって確認さ
れた。

【００４４】同様な実験をＳｒＢｉ₂ Ｔａ₂ Ｏ₉ 膜を成
膜するためのＣＶＤ装置につていも行ったが、全く問題
無くクリーニングする事ができた。クリーニングするま
でに可能な薄膜堆積回数は、堆積する物質や厚さによっ
て異なるが、付着した物質がはがれて基板を汚染しない
取り多くの回数の薄膜堆積が可能である。

【００４５】［第５実施形態］本実施形態では、枚葉式
ＣＶＤ装置に本発明のクリーニングを適用した例につい
て説明する。

【００４６】図４は、枚葉式ＣＶＤ装置の概略構成を示
す模式図である。この枚葉式ＣＶＤ装置は、反応容器４
１以外のガス供給系及び排気系は、第２実施形態に用い
た装置と同様の構成である。そのため、図３と同一な部
分には同一符号を付し、その詳しい説明を省略する。

【００４７】本実施形態の反応容器４１内では、抵抗加
熱ヒータ４２上の基板保持治具４３を介して基板２３が
加熱される。そのため、先の実施形態のような反応容器
外部から基板を加熱するのではなく、反応容器内で基板
を加熱するため、成膜時の反応容器４１の内壁の温度は
低いの特徴である。

【００４８】先ず、このＣＶＤ装置を用いてＢＳＴ薄膜
の堆積を行ったところ、堆積時に高温になる部分は、基
板２３及び抵抗加熱ヒータ４２及び基板保持治具４３の
みなので、堆積物もこれらの部分に限られ、他の温度の
低い部分には堆積物はほとんどなかった。

【００４９】薄膜堆積後、三弗化塩素ガスを用いてクリ
ーニングを行った結果、付着物は完全に除去され、それ
以降の薄膜堆積時の粒子汚染はなかった。また、Ｓｒ₂
Ｂｉ₂ Ｔａ₂ Ｏ₉ についても薄膜堆積、クリーニングが
問題無くできることが確認された。また、第４実施形態
と同様に、薄膜堆積を複数回行っても問題無くクリーニ
ングできる事が確認された。

【００５０】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。例えば、チタン酸バリウムストロンチ
ウム膜と酸化ビスマスストロンチウムタンタル膜の場合
について説明したが、チタン酸バリウム、チタン酸スト
ロンチウム、ストロンチウムルテニウム酸化物、酸化物
高温超伝導体などストロンチウムやバリウム等のアルカ
リ度類金属を含む物質を形成するＣＶＤ装置に対してク
リーニングを行っても、全く同等の効果を発揮する。

【００５１】また、上記実施形態では、８５０℃以上の
温度でクリーニングを行っていたが、ストロンチウム以
外のアルカリ土類金属を含む薄膜であれば、７５０℃以
上でクリーニングを行うことが可能である。

【００５２】また、クリーニングガスとして三弗化塩素
を用いていたが、ラジカルが有効に作用するという本発
明の原理により、三弗化塩素以外のハロゲン、ハロゲン
間化合物などハロゲンを含むガスでも同じ効果が発揮で
きる事は言うまでもない。その他、本発明は、その要旨
を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することが可能
である。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、被
クリーニング部の温度を７００℃にし、クリーニングガ
スとしてハロゲンを含むガスを用いることによって、極
めて安定なアルカリ度類金属を、一般に蒸気圧の高いハ
ロゲン化合物に形成することができるので、装置を分解
することなく半導体製造装置のクリーニングが可能にな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態に係わる縦型ホットウォールバッ
チ炉の概略構成を示す模式図。

【図２】本発明のクリーニング効果の温度依存性を示す
特性図。

【図３】第２実施形態に係わるＣＶＤ装置の概略構成を
示す模式図。

【図４】第５実施形態に係わる枚葉式ＣＶＤ装置の概略
構成を示す模式図。

【符号の説明】

１１…反応容器 １２…内管 １３…抵抗加熱ヒータ １４…クリーニングガス供給系 １５…開閉バルブ １７…圧力調整バルブ １８…真空ポンプ １９…クリーニング用排ガス処理部 ２１…試験体 ２２…基板保持治具 ２３…基板 ３１…膜堆積ガス供給系 ３２…開閉バルブ ３４…膜堆積用排ガス処理部 ３５…開閉バルブ ３６…開閉バルブ ４１…反応容器 ４２…抵抗加熱ヒータ ４３…基板保持治具

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥村 勝弥 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】化学気相成長法を用いてアルカリ土類金属
   を構成元素中に含む薄膜を形成する半導体製造装置のク
   リーニング方法であって、 前記半導体製造装置の被クリーニング部を加熱する工程
   と、 前記半導体製造装置内にハロゲン或いはハロゲン化合物
   を含むクリーニングガスを導入する工程とを含むことを
   特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法。
2. 【請求項２】化学気相成長法を用いてアルカリ土類金属
   を構成元素中に含む薄膜を形成する半導体製造装置のク
   リーニング方法であって、 前記半導体製造装置の被クリーニング部の温度を７５０
   ℃以上にする工程と、 前記半導体製造装置内にハロゲン或いはハロゲン化合物
   を含むクリーニングガスを導入する工程とを含むことを
   特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法。
3. 【請求項３】前記薄膜は少なくともバリウムを含むこと
   を特徴とする請求項２に記載の半導体製造装置のクリー
   ニング方法。
4. 【請求項４】化学気相成長法を用いてストロンチウムを
   構成元素中に含む薄膜を形成する半導体製造装置のクリ
   ーニング方法であって、 前記半導体製造装置の被クリーニング部の温度を８５０
   ℃以上にする工程と、 前記半導体製造装置内にハロゲン或いはハロゲン化合物
   を含むクリーニングガスを導入する工程とを含むことを
   特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法。
5. 【請求項５】化学気相成長法を用いてチタン酸バリウム
   ストロンチウム薄膜を形成する半導体製造装置のクリー
   ニング方法であって、 前記半導体製造装置の被クリーニング部の温度を８５０
   ℃以上にする工程と、 前記半導体製造装置内に三弗化塩素ガスを導入する工程
   とを含むことを特徴とする半導体製造装置のクリーニン
   グ方法。