JP2002270597A - 基板処理装置のクリーニング方法及び基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置のクリーニング方法及び基板処理装置Info
- Publication number
- JP2002270597A JP2002270597A JP2001072711A JP2001072711A JP2002270597A JP 2002270597 A JP2002270597 A JP 2002270597A JP 2001072711 A JP2001072711 A JP 2001072711A JP 2001072711 A JP2001072711 A JP 2001072711A JP 2002270597 A JP2002270597 A JP 2002270597A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing chamber
- cleaning
- processing apparatus
- substrate
- substrate processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 低温で処理チャンバ内に付着した絶縁性物質
を取り除くことができる基板処理装置のクリーニング方
法及び基板処理装置を提供する。 【解決手段】 絶縁性物質が付着した処理チャンバ３内
にカルボン酸を気化したクリーニングガスを供給すると
ともにシャットオフバルブ１３を開放して処理チャンバ
３内を真空排気する。処理チャンバ３内に供給されたク
リーニングガスが処理チャンバ３内壁及びサセプタ１９
に付着した絶縁性物質に接触すると、絶縁性物質が錯化
され絶縁性物質の錯体が形成される。この絶縁性物質の
錯体は、蒸気圧が高いので調圧バルブ１４で処理チャン
バ３内を低真空にすることにより容易に気化する。この
気化した絶縁物質の錯体はシャットオフバルブ１３の開
放による真空排気で処理チャンバ３外へ排出される。
を取り除くことができる基板処理装置のクリーニング方
法及び基板処理装置を提供する。 【解決手段】 絶縁性物質が付着した処理チャンバ３内
にカルボン酸を気化したクリーニングガスを供給すると
ともにシャットオフバルブ１３を開放して処理チャンバ
３内を真空排気する。処理チャンバ３内に供給されたク
リーニングガスが処理チャンバ３内壁及びサセプタ１９
に付着した絶縁性物質に接触すると、絶縁性物質が錯化
され絶縁性物質の錯体が形成される。この絶縁性物質の
錯体は、蒸気圧が高いので調圧バルブ１４で処理チャン
バ３内を低真空にすることにより容易に気化する。この
気化した絶縁物質の錯体はシャットオフバルブ１３の開
放による真空排気で処理チャンバ３外へ排出される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板処理装置のクリ
ーニング方法及びクリーニングを行い得る基板処理装置
に係り、更に詳細には基板処理装置の処理チャンバ内壁
に付着した絶縁物等を除去するクリーニング方法及びそ
のようなクリーニングを行い得る基板処理装置に関す
る。
ーニング方法及びクリーニングを行い得る基板処理装置
に係り、更に詳細には基板処理装置の処理チャンバ内壁
に付着した絶縁物等を除去するクリーニング方法及びそ
のようなクリーニングを行い得る基板処理装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体ウエハ（以下、単に
「ウエハ」という。）等の基板の表面に絶縁性物質の薄
膜を形成する成膜装置としては、例えば、気相で薄膜を
形成する化学気相成長処理装置（ＣＶＤ処理装置）が用
いられている。 このＣＶＤ処理装置は、処理チャンバ
内に抵抗発熱体を内蔵したサセプタを備えており、抵抗
発熱体により加熱されたサセプタ上にウエハを載置する
とともに、処理チャンバ内に処理ガスを供給して、ウエ
ハに絶縁性物質の薄膜を形成するようになっている。
「ウエハ」という。）等の基板の表面に絶縁性物質の薄
膜を形成する成膜装置としては、例えば、気相で薄膜を
形成する化学気相成長処理装置（ＣＶＤ処理装置）が用
いられている。 このＣＶＤ処理装置は、処理チャンバ
内に抵抗発熱体を内蔵したサセプタを備えており、抵抗
発熱体により加熱されたサセプタ上にウエハを載置する
とともに、処理チャンバ内に処理ガスを供給して、ウエ
ハに絶縁性物質の薄膜を形成するようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ウエハに絶
縁性物質の薄膜を形成した後の処理チャンバ内壁及びサ
セプタには、薄膜形成物質である絶縁性物質が付着して
いる。この処理チャンバ内及びサセプタに付着した絶縁
性物質を放置して、ウエハの薄膜形成処理を続行する
と、絶縁性物質が処理チャンバ内壁及びサセプタから剥
離してウエハの汚染を引き起こす場合があるので、絶縁
性物質を処理チャンバ内壁及びサセプタから取り除くク
リーニングが必要となる。
縁性物質の薄膜を形成した後の処理チャンバ内壁及びサ
セプタには、薄膜形成物質である絶縁性物質が付着して
いる。この処理チャンバ内及びサセプタに付着した絶縁
性物質を放置して、ウエハの薄膜形成処理を続行する
と、絶縁性物質が処理チャンバ内壁及びサセプタから剥
離してウエハの汚染を引き起こす場合があるので、絶縁
性物質を処理チャンバ内壁及びサセプタから取り除くク
リーニングが必要となる。
【０００４】このようなクリーニングとしては、ＣｌＦ
３、ＮＦ３、又はＣ２Ｆ６のようなフッ素系のクリーニ
ングガスを用いて処理チャンバ内壁及びサセプタに付着
した絶縁性物質を除去する方法が提案されている。この
方法では、絶縁性物質、例えばチタン酸ジルコン酸鉛
（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３：以下、単にＰＺＴとい
う。）或いはチタン酸バリウムストロンチウム（（Ｂ
ａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３：以下、単にＢＳＴという。）中に
存在する各物質をフッ化物に変えて取り除いているが、
これらの物質の中でも特に鉛（Ｐｂ）、ジルコニウム
（Ｚｒ）、バリウム（Ｂａ）、又はストロンチウム（Ｓ
ｒ）のフッ化物は蒸気圧が低いので、これらの絶縁性物
質を処理チャンバ内壁及びサセプタから取り除くために
は、クリーニングを行う際に処理チャンバ内を６００℃
以上の高温にすることが必要となる。
３、ＮＦ３、又はＣ２Ｆ６のようなフッ素系のクリーニ
ングガスを用いて処理チャンバ内壁及びサセプタに付着
した絶縁性物質を除去する方法が提案されている。この
方法では、絶縁性物質、例えばチタン酸ジルコン酸鉛
（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３：以下、単にＰＺＴとい
う。）或いはチタン酸バリウムストロンチウム（（Ｂ
ａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３：以下、単にＢＳＴという。）中に
存在する各物質をフッ化物に変えて取り除いているが、
これらの物質の中でも特に鉛（Ｐｂ）、ジルコニウム
（Ｚｒ）、バリウム（Ｂａ）、又はストロンチウム（Ｓ
ｒ）のフッ化物は蒸気圧が低いので、これらの絶縁性物
質を処理チャンバ内壁及びサセプタから取り除くために
は、クリーニングを行う際に処理チャンバ内を６００℃
以上の高温にすることが必要となる。
【０００５】しかしながら、クリーニングを行う際の処
理チャンバ内の温度（クリーニング温度）を６００℃以
上に維持するには、例えば処理チャンバ内壁、サセプ
タ、及びＯリングを６００℃以上のクリーニング温度で
軟化しないような材料で形成する必要があり、実現性に
乏しいという問題がある。
理チャンバ内の温度（クリーニング温度）を６００℃以
上に維持するには、例えば処理チャンバ内壁、サセプ
タ、及びＯリングを６００℃以上のクリーニング温度で
軟化しないような材料で形成する必要があり、実現性に
乏しいという問題がある。
【０００６】また、６００℃でクリーニングを行った場
合であっても、フッ素系のクリーニングガスでは、処理
チャンバ内にフッ化物が残存しまうという問題がある。
合であっても、フッ素系のクリーニングガスでは、処理
チャンバ内にフッ化物が残存しまうという問題がある。
【０００７】本発明は上記従来の問題を解決するために
なされたものである。即ち、低温で処理チャンバ内に付
着した絶縁性物質を取り除くことができる基板処理装置
のクリーニング方法及び基板処理装置を提供することを
目的とする。
なされたものである。即ち、低温で処理チャンバ内に付
着した絶縁性物質を取り除くことができる基板処理装置
のクリーニング方法及び基板処理装置を提供することを
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の基板処理
装置のクリーニング方法は、基板を処理する基板処理装
置の処理チャンバ内に、カルボキシル基を含む化合物を
有するクリーニングガスを供給して、前記処理チャンバ
内に付着した絶縁性物質を錯化するとともに、前記処理
チャンバ内を真空排気して、前記錯化した絶縁性物質を
前記処理チャンバ外へ排出することを特徴とする。請求
項１記載の基板処理装置のクリーニング方法では、基板
を処理する基板処理装置の処理チャンバ内に、カルボキ
シル基を含む化合物を有するクリーニングガスを供給し
て、前記処理チャンバ内に付着した絶縁性物質を錯化す
るとともに、前記処理チャンバ内を真空排気して、前記
錯化した絶縁性物質を前記処理チャンバ外へ排出するの
で、低温で前記絶縁性物質を錯化することができ、前記
処理チャンバ内に付着した絶縁性物質をフッ素系のクリ
ーニングガスを用いるよりも低温で取り除くことができ
る。
装置のクリーニング方法は、基板を処理する基板処理装
置の処理チャンバ内に、カルボキシル基を含む化合物を
有するクリーニングガスを供給して、前記処理チャンバ
内に付着した絶縁性物質を錯化するとともに、前記処理
チャンバ内を真空排気して、前記錯化した絶縁性物質を
前記処理チャンバ外へ排出することを特徴とする。請求
項１記載の基板処理装置のクリーニング方法では、基板
を処理する基板処理装置の処理チャンバ内に、カルボキ
シル基を含む化合物を有するクリーニングガスを供給し
て、前記処理チャンバ内に付着した絶縁性物質を錯化す
るとともに、前記処理チャンバ内を真空排気して、前記
錯化した絶縁性物質を前記処理チャンバ外へ排出するの
で、低温で前記絶縁性物質を錯化することができ、前記
処理チャンバ内に付着した絶縁性物質をフッ素系のクリ
ーニングガスを用いるよりも低温で取り除くことができ
る。
【０００９】請求項２の基板処理装置のクリーニング方
法は、基板を処理する基板処理装置の処理チャンバ内
に、カルボキシル基を含む化合物を有するクリーニング
ガスを供給して、前記処理チャンバ内に付着した絶縁性
物質を錯化する錯化工程と、前記処理チャンバ内を真空
排気して、前記錯化工程で錯化された絶縁性物質を前記
処理チャンバ外へ排出する排出工程と、を具備すること
を特徴とする。請求項２の基板処理装置のクリーニング
方法では、基板を処理する基板処理装置の処理チャンバ
内に、カルボキシル基を含む化合物を有するクリーニン
グガスを供給して、前記処理チャンバ内に付着した絶縁
性物質を錯化する錯化工程と、前記処理チャンバ内を真
空排気して、前記錯化工程で錯化された絶縁性物質を前
記処理チャンバ外へ排出する排出工程と、を具備するの
で、低温で前記絶縁性物質を錯化することができ、前記
処理チャンバ内に付着した絶縁性物質をフッ素系のクリ
ーニングガスを用いるよりも低温で取り除くことができ
る。また、前記処理チャンバ内の隅々まで前記クリーニ
ングガスが行き届くので、より確実に前記処理チャンバ
内に付着した絶縁性物質を取り除くことができる。
法は、基板を処理する基板処理装置の処理チャンバ内
に、カルボキシル基を含む化合物を有するクリーニング
ガスを供給して、前記処理チャンバ内に付着した絶縁性
物質を錯化する錯化工程と、前記処理チャンバ内を真空
排気して、前記錯化工程で錯化された絶縁性物質を前記
処理チャンバ外へ排出する排出工程と、を具備すること
を特徴とする。請求項２の基板処理装置のクリーニング
方法では、基板を処理する基板処理装置の処理チャンバ
内に、カルボキシル基を含む化合物を有するクリーニン
グガスを供給して、前記処理チャンバ内に付着した絶縁
性物質を錯化する錯化工程と、前記処理チャンバ内を真
空排気して、前記錯化工程で錯化された絶縁性物質を前
記処理チャンバ外へ排出する排出工程と、を具備するの
で、低温で前記絶縁性物質を錯化することができ、前記
処理チャンバ内に付着した絶縁性物質をフッ素系のクリ
ーニングガスを用いるよりも低温で取り除くことができ
る。また、前記処理チャンバ内の隅々まで前記クリーニ
ングガスが行き届くので、より確実に前記処理チャンバ
内に付着した絶縁性物質を取り除くことができる。
【００１０】請求項３の基板処理装置のクリーニング方
法は、請求項２記載の基板処理装置のクリーニング方法
であって、前記錯化工程及び排出工程は、繰り返し交互
に行なわれることを特徴とする。請求項３の処理装置の
クリーニング方法では、前記錯化工程及び排出工程は、
繰り返し交互に行なわれるので、錯化と排出とが完全に
行われ、効率良く前記処理チャンバ内に付着した絶縁性
物質を取り除くことができる。
法は、請求項２記載の基板処理装置のクリーニング方法
であって、前記錯化工程及び排出工程は、繰り返し交互
に行なわれることを特徴とする。請求項３の処理装置の
クリーニング方法では、前記錯化工程及び排出工程は、
繰り返し交互に行なわれるので、錯化と排出とが完全に
行われ、効率良く前記処理チャンバ内に付着した絶縁性
物質を取り除くことができる。
【００１１】請求項４の基板処理装置のクリーニング方
法は、請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板処理装
置のクリーニング方法であって、前記カルボキシル基を
含む化合物が、前記絶縁性物質を直接錯化することを特
徴とする。請求項４の基板処理装置のクリーニング方法
では、前記カルボキシル基を含む化合物が、前記絶縁性
物質を直接錯化するので、クリーニングを行う際の工程
数が少なく、短時間で簡単に前記処理チャンバ内に付着
した絶縁性物質を取り除くことができる。
法は、請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板処理装
置のクリーニング方法であって、前記カルボキシル基を
含む化合物が、前記絶縁性物質を直接錯化することを特
徴とする。請求項４の基板処理装置のクリーニング方法
では、前記カルボキシル基を含む化合物が、前記絶縁性
物質を直接錯化するので、クリーニングを行う際の工程
数が少なく、短時間で簡単に前記処理チャンバ内に付着
した絶縁性物質を取り除くことができる。
【００１２】請求項５の基板処理装置のクリーニング方
法は、請求項１〜４のいずれか１項に記載の基板処理装
置のクリーニング方法であって、前記絶縁性物質が、６
００℃で１．３３×１０３Ｐａ以下のフッ化物の蒸気圧
を有する物質であることを特徴とする。請求項５の基板
処理装置のクリーニング方法では、前記絶縁性物質が、
６００℃で１．３３×１０３Ｐａ以下のフッ化物の蒸気
圧を有する物質であっても確実に前記処理チャンバ内か
ら取り除くことができる。
法は、請求項１〜４のいずれか１項に記載の基板処理装
置のクリーニング方法であって、前記絶縁性物質が、６
００℃で１．３３×１０３Ｐａ以下のフッ化物の蒸気圧
を有する物質であることを特徴とする。請求項５の基板
処理装置のクリーニング方法では、前記絶縁性物質が、
６００℃で１．３３×１０３Ｐａ以下のフッ化物の蒸気
圧を有する物質であっても確実に前記処理チャンバ内か
ら取り除くことができる。
【００１３】請求項６の基板処理装置のクリーニング方
法は、請求項１〜５のいずれか１項に記載の基板処理装
置のクリーニング方法であって、前記絶縁性物質が、Ｐ
ｂ，Ｚｒ，及びＴｉを含む物質或いはＢａ，Ｓｒ，及び
Ｔｉを含む物質であることを特徴とする。請求項６の基
板処理装置のクリーニング方法では、前記絶縁性物質
が、Ｐｂ，Ｚｒ，及びＴｉを含む物質或いはＢａ，Ｓ
ｒ，及びＴｉを含む物質であっても確実に前記処理チャ
ンバ内から取り除くことができる。
法は、請求項１〜５のいずれか１項に記載の基板処理装
置のクリーニング方法であって、前記絶縁性物質が、Ｐ
ｂ，Ｚｒ，及びＴｉを含む物質或いはＢａ，Ｓｒ，及び
Ｔｉを含む物質であることを特徴とする。請求項６の基
板処理装置のクリーニング方法では、前記絶縁性物質
が、Ｐｂ，Ｚｒ，及びＴｉを含む物質或いはＢａ，Ｓ
ｒ，及びＴｉを含む物質であっても確実に前記処理チャ
ンバ内から取り除くことができる。
【００１４】請求項７の基板処理装置のクリーニング方
法は、請求項１〜６のいずれか１項に記載の基板処理装
置のクリーニング方法であって、前記カルボキシル基を
含む化合物が、前記カルボキシル基に結合した、ハロゲ
ン原子を含むアルキル基を有していることを特徴とす
る。請求項７の基板処理装置のクリーニング方法では、
前記カルボキシル基を含む化合物が、前記カルボキシル
基に結合した、ハロゲン原子を含むアルキル基を有して
いるので、前記絶縁性物質との反応性を高めることがで
きる。
法は、請求項１〜６のいずれか１項に記載の基板処理装
置のクリーニング方法であって、前記カルボキシル基を
含む化合物が、前記カルボキシル基に結合した、ハロゲ
ン原子を含むアルキル基を有していることを特徴とす
る。請求項７の基板処理装置のクリーニング方法では、
前記カルボキシル基を含む化合物が、前記カルボキシル
基に結合した、ハロゲン原子を含むアルキル基を有して
いるので、前記絶縁性物質との反応性を高めることがで
きる。
【００１５】請求項８の基板処理装置のクリーニング方
法は、請求項７記載の基板処理装置のクリーニング方法
であって、前記カルボキシル基を含む化合物は、トリフ
ルオロ酢酸であることを特徴とする。請求項８の基板処
理装置のクリーニング方法では、前記カルボキシル基を
含む化合物は、トリフルオロ酢酸であるので、より確実
に前記処理チャンバ内から前記絶縁性物質を取り除くこ
とができる。
法は、請求項７記載の基板処理装置のクリーニング方法
であって、前記カルボキシル基を含む化合物は、トリフ
ルオロ酢酸であることを特徴とする。請求項８の基板処
理装置のクリーニング方法では、前記カルボキシル基を
含む化合物は、トリフルオロ酢酸であるので、より確実
に前記処理チャンバ内から前記絶縁性物質を取り除くこ
とができる。
【００１６】請求項９の基板処理装置のクリーニング方
法は、請求項１〜８のいずれか１項に記載の基板処理装
置のクリーニング方法であって、前記基板処理装置が、
成膜装置であることを特徴とする。請求項９の基板処理
装置のクリーニング方法では、前記基板処理装置が、通
常の基板処理装置よりも前記処理チャンバ内に前記絶縁
性物質が付着し易い成膜装置であっても、確実に前記処
理チャンバ内から前記絶縁性物質を取り除くことができ
る。
法は、請求項１〜８のいずれか１項に記載の基板処理装
置のクリーニング方法であって、前記基板処理装置が、
成膜装置であることを特徴とする。請求項９の基板処理
装置のクリーニング方法では、前記基板処理装置が、通
常の基板処理装置よりも前記処理チャンバ内に前記絶縁
性物質が付着し易い成膜装置であっても、確実に前記処
理チャンバ内から前記絶縁性物質を取り除くことができ
る。
【００１７】請求項１０の基板処理装置は、処理チャン
バと、前記処理チャンバ内に配設され基板を載置するサ
セプタと、前記基板上に絶縁性物質の膜を形成させる処
理ガスを前記処理チャンバ内に供給する処理ガス供給系
と、前記処理チャンバ内を真空排気する真空排気系と、
前記処理チャンバ内のクリーニングを行うカルボキシル
基を含む化合物を有するクリーニングガスを、前記処理
チャンバ内に供給するクリーニングガス供給系と、を具
備することを特徴とする。請求項１０の基板処理装置で
は、処理チャンバと、前記処理チャンバ内に配設され
た、基板を載置するサセプタと、前記基板上に絶縁性物
質の膜を形成させる処理ガスを、前記処理チャンバ内に
供給する処理ガス供給系と、前記処理チャンバ内を真空
排気する真空排気系と、前記処理チャンバ内のクリーニ
ングを行うカルボキシル基を含む化合物を有するクリー
ニングガスを、前記処理チャンバ内に供給するクリーニ
ングガス供給系と、を具備するので、低温で前記絶縁性
物質を錯化することができ、前記処理チャンバ内に付着
した絶縁性物質をフッ素系のクリーニングガスを用いる
よりも低温で取り除くことができる。
バと、前記処理チャンバ内に配設され基板を載置するサ
セプタと、前記基板上に絶縁性物質の膜を形成させる処
理ガスを前記処理チャンバ内に供給する処理ガス供給系
と、前記処理チャンバ内を真空排気する真空排気系と、
前記処理チャンバ内のクリーニングを行うカルボキシル
基を含む化合物を有するクリーニングガスを、前記処理
チャンバ内に供給するクリーニングガス供給系と、を具
備することを特徴とする。請求項１０の基板処理装置で
は、処理チャンバと、前記処理チャンバ内に配設され
た、基板を載置するサセプタと、前記基板上に絶縁性物
質の膜を形成させる処理ガスを、前記処理チャンバ内に
供給する処理ガス供給系と、前記処理チャンバ内を真空
排気する真空排気系と、前記処理チャンバ内のクリーニ
ングを行うカルボキシル基を含む化合物を有するクリー
ニングガスを、前記処理チャンバ内に供給するクリーニ
ングガス供給系と、を具備するので、低温で前記絶縁性
物質を錯化することができ、前記処理チャンバ内に付着
した絶縁性物質をフッ素系のクリーニングガスを用いる
よりも低温で取り除くことができる。
【００１８】請求項１１の基板処理装置は、請求項１０
記載の基板処理装置であって、前記カルボキシル基を含
む化合物が、前記カルボキシル基に結合した、ハロゲン
原子を含むアルキル基を有していることを特徴とする。
請求項１１の基板処理装置では、前記カルボキシル基を
含む化合物が、前記カルボキシル基に結合した、ハロゲ
ン原子を含むアルキル基を有しているので、前記絶縁性
物質との反応性を高めることができる。
記載の基板処理装置であって、前記カルボキシル基を含
む化合物が、前記カルボキシル基に結合した、ハロゲン
原子を含むアルキル基を有していることを特徴とする。
請求項１１の基板処理装置では、前記カルボキシル基を
含む化合物が、前記カルボキシル基に結合した、ハロゲ
ン原子を含むアルキル基を有しているので、前記絶縁性
物質との反応性を高めることができる。
【００１９】請求項１２の基板処理装置は、請求項１１
記載の基板処理装置であって、前記カルボキシル基を含
む化合物は、トリフルオロ酢酸であることを特徴とす
る。請求項１２の基板処理装置では、前記カルボキシル
基を含む化合物は、トリフルオロ酢酸であるので、より
確実に前記処理チャンバ内から前記絶縁性物質を取り除
くことができる。
記載の基板処理装置であって、前記カルボキシル基を含
む化合物は、トリフルオロ酢酸であることを特徴とす
る。請求項１２の基板処理装置では、前記カルボキシル
基を含む化合物は、トリフルオロ酢酸であるので、より
確実に前記処理チャンバ内から前記絶縁性物質を取り除
くことができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）以下、本発明
の第１の実施の形態に係る基板処理装置について説明す
る。本実施の形態では、基板処理装置として、基板とし
てのウエハＷの被成膜面上に化学的に薄膜を形成させる
ＣＶＤ処理装置を用いて説明する。図１は本実施の形態
に係るＣＶＤ処理装置を模式的に示した垂直断面図であ
る。図１に示すように、ＣＶＤ処理装置１は、例えばア
ルミニウムやステンレス鋼により略円筒状に形成され、
Ｏリング２を介在させた処理チャンバ３を備えている。
の第１の実施の形態に係る基板処理装置について説明す
る。本実施の形態では、基板処理装置として、基板とし
てのウエハＷの被成膜面上に化学的に薄膜を形成させる
ＣＶＤ処理装置を用いて説明する。図１は本実施の形態
に係るＣＶＤ処理装置を模式的に示した垂直断面図であ
る。図１に示すように、ＣＶＤ処理装置１は、例えばア
ルミニウムやステンレス鋼により略円筒状に形成され、
Ｏリング２を介在させた処理チャンバ３を備えている。
【００２１】この処理チャンバ３の天井部には、シャワ
ーヘッド４がＯリング５を介在して後述するサセプタ１
９と対向するように配設されている。このシャワーヘッ
ド４により、ウエハＷの被成膜面に例えばＰＺＴ或いは
ＢＳＴのような絶縁性物質の薄膜を形成させる処理ガ
ス、及び成膜時に処理チャンバ３内に付着する前記絶縁
性物質を取り除くクリーニングガスを処理チャンバ３内
に供給できるようになっている。
ーヘッド４がＯリング５を介在して後述するサセプタ１
９と対向するように配設されている。このシャワーヘッ
ド４により、ウエハＷの被成膜面に例えばＰＺＴ或いは
ＢＳＴのような絶縁性物質の薄膜を形成させる処理ガ
ス、及び成膜時に処理チャンバ３内に付着する前記絶縁
性物質を取り除くクリーニングガスを処理チャンバ３内
に供給できるようになっている。
【００２２】このシャワーヘッド４は中空構造になって
おり、シャワーヘッド４の下部には複数の吐出孔６が穿
孔されている。この複数の吐出孔６を穿孔することによ
りシャワーヘッド４内に供給された処理ガス及びクリー
ニングガスをシャワーヘッド４内で拡散させて、シャワ
ーヘッド４の下面と後述するサセプタ１９との間に形成
される空間に向けて均一に吐出させるようになってい
る。
おり、シャワーヘッド４の下部には複数の吐出孔６が穿
孔されている。この複数の吐出孔６を穿孔することによ
りシャワーヘッド４内に供給された処理ガス及びクリー
ニングガスをシャワーヘッド４内で拡散させて、シャワ
ーヘッド４の下面と後述するサセプタ１９との間に形成
される空間に向けて均一に吐出させるようになってい
る。
【００２３】シャワーヘッド４の上部には処理ガスを供
給する後述する処理ガス供給系７及びクリーニングガス
を供給する後述するクリーニングガス供給系９がそれぞ
れ取り付けられており、処理ガス及びクリーニングガス
をシャワーヘッド４内に供給できるようになっている。
給する後述する処理ガス供給系７及びクリーニングガス
を供給する後述するクリーニングガス供給系９がそれぞ
れ取り付けられており、処理ガス及びクリーニングガス
をシャワーヘッド４内に供給できるようになっている。
【００２４】処理チャンバ３の底部には真空排気系１０
が接続されており、処理チャンバ３内を真空排気できる
ようになっている。真空排気系１０は、主に、ターボ分
子ポンプ又はドライポンプのような真空ポンプ１１と、
真空ポンプ１１と処理チャンバ３の底部とに接続された
排気管１２と、排気管１２に介在した、開閉により真空
排気を開始或いは停止させるシャットオフバルブ１３
と、排気管１２に介在した、開閉により処理チャンバ３
内の圧力を調節する調圧バルブ１４と、から構成されて
いる。
が接続されており、処理チャンバ３内を真空排気できる
ようになっている。真空排気系１０は、主に、ターボ分
子ポンプ又はドライポンプのような真空ポンプ１１と、
真空ポンプ１１と処理チャンバ３の底部とに接続された
排気管１２と、排気管１２に介在した、開閉により真空
排気を開始或いは停止させるシャットオフバルブ１３
と、排気管１２に介在した、開閉により処理チャンバ３
内の圧力を調節する調圧バルブ１４と、から構成されて
いる。
【００２５】処理チャンバ３の外壁には、抵抗発熱体１
５が巻回されおり、処理チャンバ３を加熱するようにな
っている。また、処理チャンバ３の側壁には、開口が設
けられており、この開口には、処理チャンバ３に対して
ウエハＷを搬出入する際に開閉されるゲートバルブ１６
がＯリング１７を介して配設されている。
５が巻回されおり、処理チャンバ３を加熱するようにな
っている。また、処理チャンバ３の側壁には、開口が設
けられており、この開口には、処理チャンバ３に対して
ウエハＷを搬出入する際に開閉されるゲートバルブ１６
がＯリング１７を介して配設されている。
【００２６】さらに、処理チャンバ３の側壁には、ゲー
トバルブ１６を開放する前に処理チャンバ３内を大気圧
に戻す例えば窒素ガスのようなパージガスを供給するた
めのパージガス供給系１８が接続されている。
トバルブ１６を開放する前に処理チャンバ３内を大気圧
に戻す例えば窒素ガスのようなパージガスを供給するた
めのパージガス供給系１８が接続されている。
【００２７】処理チャンバ３内のシャワーヘッド４に対
向する位置には、ウエハＷを載置する略円盤状のサセプ
タ１９が配設されている。このサセプタ１９は、例えば
窒化アルミニウム、窒化珪素、アモルファスカーボン、
又はコンポジットカーボンから形成されている。また、
このサセプタ１９は処理チャンバ３底部中央部の開口を
介して処理チャンバ３内に挿入されている。ＣＶＤ処理
装置１の運転時には、このサセプタ１９の上面にウエハ
Ｗが載置された状態でウエハＷの被成膜面に絶縁性物質
の薄膜が形成される。
向する位置には、ウエハＷを載置する略円盤状のサセプ
タ１９が配設されている。このサセプタ１９は、例えば
窒化アルミニウム、窒化珪素、アモルファスカーボン、
又はコンポジットカーボンから形成されている。また、
このサセプタ１９は処理チャンバ３底部中央部の開口を
介して処理チャンバ３内に挿入されている。ＣＶＤ処理
装置１の運転時には、このサセプタ１９の上面にウエハ
Ｗが載置された状態でウエハＷの被成膜面に絶縁性物質
の薄膜が形成される。
【００２８】このサセプタ１９には例えば抵抗発熱体又
は加熱ランプのようなサセプタ加熱手段が内蔵されてお
り、サセプタ１９を加熱して、所定の温度にサセプタ１
９を維持できるようになっている。本実施の形態では、
サセプタ加熱手段として抵抗発熱体２０を使用した場合
について説明する。この抵抗発熱体２０にはリード線が
接続されており、このリード線は処理チャンバ３の外部
に配設された外部電源２１に接続されている。リード線
で抵抗発熱体２０と外部電源２１とを接続することによ
り、外部電源２１から抵抗発熱体２０に電圧を印加する
ことができ、抵抗発熱体２０を発熱させるようになって
いる。
は加熱ランプのようなサセプタ加熱手段が内蔵されてお
り、サセプタ１９を加熱して、所定の温度にサセプタ１
９を維持できるようになっている。本実施の形態では、
サセプタ加熱手段として抵抗発熱体２０を使用した場合
について説明する。この抵抗発熱体２０にはリード線が
接続されており、このリード線は処理チャンバ３の外部
に配設された外部電源２１に接続されている。リード線
で抵抗発熱体２０と外部電源２１とを接続することによ
り、外部電源２１から抵抗発熱体２０に電圧を印加する
ことができ、抵抗発熱体２０を発熱させるようになって
いる。
【００２９】また、このサセプタ１９の例えば３等分さ
れた位置には、リフタ孔２２が上下方向に貫通して穿孔
されており、これらのリフタ孔２２に対応して昇降可能
にリフタピン２３が３本配設されている。このリフタピ
ン２３を図示しない昇降装置で昇降させることによりウ
エハＷをサセプタ１９上に載置或いはサセプタ１９上か
ら離間させることができるようになっている。また、こ
のリフタピン２３は処理チャンバ３を貫通しているが、
処理チャンバ３の貫通部には伸縮自在な金属製のベロー
ズ２４が配設されているので、処理チャンバ３内の気密
性を保持できるようになっている。
れた位置には、リフタ孔２２が上下方向に貫通して穿孔
されており、これらのリフタ孔２２に対応して昇降可能
にリフタピン２３が３本配設されている。このリフタピ
ン２３を図示しない昇降装置で昇降させることによりウ
エハＷをサセプタ１９上に載置或いはサセプタ１９上か
ら離間させることができるようになっている。また、こ
のリフタピン２３は処理チャンバ３を貫通しているが、
処理チャンバ３の貫通部には伸縮自在な金属製のベロー
ズ２４が配設されているので、処理チャンバ３内の気密
性を保持できるようになっている。
【００３０】次に、本実施の形態に係るＣＶＤ処理装置
１の処理ガス供給系７及びクリーニングガス供給系９に
ついて説明する。図２は、本実施の形態に係るＣＶＤ処
理装置１の処理ガス供給系７及びクリーニングガス供給
系９を模式的に示した図である。図２に示すように、処
理ガス供給系７は、一端がシャワーヘッド４の上部に接
続しているとともに、他端がアルゴンガスのようなキャ
リアガスを収容したキャリアガスタンク７１に接続した
配管７２を有している。ここで、以下、シャワーヘッド
４が配設されている側を下流側とし、キャリアガスタン
ク７１が配設されている側を上流側として説明する。
１の処理ガス供給系７及びクリーニングガス供給系９に
ついて説明する。図２は、本実施の形態に係るＣＶＤ処
理装置１の処理ガス供給系７及びクリーニングガス供給
系９を模式的に示した図である。図２に示すように、処
理ガス供給系７は、一端がシャワーヘッド４の上部に接
続しているとともに、他端がアルゴンガスのようなキャ
リアガスを収容したキャリアガスタンク７１に接続した
配管７２を有している。ここで、以下、シャワーヘッド
４が配設されている側を下流側とし、キャリアガスタン
ク７１が配設されている側を上流側として説明する。
【００３１】ウエハＷの被成膜面に絶縁性物質としてＰ
ＺＴの薄膜を形成する場合には、この配管７２は図２に
示すように後述する処理ガス混合器８２を介して３系統
に分けられている。３系統に分けられた配管７２ａ、７
２ｂ、７２ｃには処理ガスを構成する原料、例えば鉛系
原料、ジルコニウム系原料、及びチタン系原料を収容し
た原料タンク７３ａ、７３ｂ、７３ｃが後述する第１の
バイパス管７５ａ、７５ｂ、７５ｃ及び第２のバイパス
管７７ａ、７７ｂ、７７ｃを介して接続されている。
ＺＴの薄膜を形成する場合には、この配管７２は図２に
示すように後述する処理ガス混合器８２を介して３系統
に分けられている。３系統に分けられた配管７２ａ、７
２ｂ、７２ｃには処理ガスを構成する原料、例えば鉛系
原料、ジルコニウム系原料、及びチタン系原料を収容し
た原料タンク７３ａ、７３ｂ、７３ｃが後述する第１の
バイパス管７５ａ、７５ｂ、７５ｃ及び第２のバイパス
管７７ａ、７７ｂ、７７ｃを介して接続されている。
【００３２】原料タンク７３ａには、例えば鉛系原料と
して固体原料であるジビバロイルメタナート鉛（Ｐｂ
（ＤＰＭ）２）が収容されており、原料タンク７３ｂに
は、例えばジルコニウム系原料として液体原料であるＺ
ｒ（ｔ−ＯＣ４Ｈ９）４が収容されており、原料タンク
７３ｃには、例えばチタン系原料として液体原料である
Ｔｉ（ｉ−ＯＣ３Ｈ７）４が収容されている。
して固体原料であるジビバロイルメタナート鉛（Ｐｂ
（ＤＰＭ）２）が収容されており、原料タンク７３ｂに
は、例えばジルコニウム系原料として液体原料であるＺ
ｒ（ｔ−ＯＣ４Ｈ９）４が収容されており、原料タンク
７３ｃには、例えばチタン系原料として液体原料である
Ｔｉ（ｉ−ＯＣ３Ｈ７）４が収容されている。
【００３３】また、配管７２ａ、７２ｂ、７２ｃ及び原
料タンク７３ａ、７３ｂ、７３ｃには、上流側に位置し
バルブ７４ａ、７４ｂ、７４ｃを介在させた第１のバイ
パス管７５ａ、７５ｂ、７５ｃ及び下流側に位置しバル
ブ７６ａ、７６ｂ、７６ｃを介在させた第２のバイパス
管７７ａ、７７ｂ、７７ｃがそれぞれ接続されており、
配管７２ａ、７２ｂ、７２ｃと原料タンク７３ａ、７３
ｂ、７３ｃとを繋ぐようになっている。第１のバイパス
管７５ａ、７５ｂ、７５ｃのバルブ７４ａ、７４ｂ、７
４ｃを開放し第１のバイパス管７５ａ、７５ｂ、７５ｃ
からキャリアガスを原料タンク７３ａ、７３ｂ、７３ｃ
内に供給してバブリングすることにより原料タンク７３
ａ、７３ｂ、７３ｃ内に収容された原料が気化するよう
になっている。さらに、これらの気化した原料は第２の
バイパス管７７ａ、７７ｂ、７７ｃを介して配管７２
ａ、７２ｂ、７２ｃに導入されるようになっている。
料タンク７３ａ、７３ｂ、７３ｃには、上流側に位置し
バルブ７４ａ、７４ｂ、７４ｃを介在させた第１のバイ
パス管７５ａ、７５ｂ、７５ｃ及び下流側に位置しバル
ブ７６ａ、７６ｂ、７６ｃを介在させた第２のバイパス
管７７ａ、７７ｂ、７７ｃがそれぞれ接続されており、
配管７２ａ、７２ｂ、７２ｃと原料タンク７３ａ、７３
ｂ、７３ｃとを繋ぐようになっている。第１のバイパス
管７５ａ、７５ｂ、７５ｃのバルブ７４ａ、７４ｂ、７
４ｃを開放し第１のバイパス管７５ａ、７５ｂ、７５ｃ
からキャリアガスを原料タンク７３ａ、７３ｂ、７３ｃ
内に供給してバブリングすることにより原料タンク７３
ａ、７３ｂ、７３ｃ内に収容された原料が気化するよう
になっている。さらに、これらの気化した原料は第２の
バイパス管７７ａ、７７ｂ、７７ｃを介して配管７２
ａ、７２ｂ、７２ｃに導入されるようになっている。
【００３４】第１のバイパス管７５ａ、７５ｂ、７５ｃ
より上流側の配管７２ａ、７２ｂ、７２ｃには、マスフ
ローコントローラ７８ａ、７８ｂ、７８ｃ及びバルブ７
９ａ、７９ｂ、７９ｃが介在しており、原料タンク７３
ａ、７３ｂ、７３ｃ内に供給するキャリアガスの流量を
調節するようになっている。
より上流側の配管７２ａ、７２ｂ、７２ｃには、マスフ
ローコントローラ７８ａ、７８ｂ、７８ｃ及びバルブ７
９ａ、７９ｂ、７９ｃが介在しており、原料タンク７３
ａ、７３ｂ、７３ｃ内に供給するキャリアガスの流量を
調節するようになっている。
【００３５】第２のバイパス管７７ａ、７７ｂ、７７ｃ
より下流側の配管７２ａ、７２ｂ、７２ｃには、ニード
ルバルブ８０ａ、８０ｂ、８０ｃが介在しており、ニー
ドルバルブ８０ａ、８０ｂ、８０ｃを調節することによ
り、原料タンク７３ａ、７３ｂ、７３ｃ内の圧力を調節
することができ、原料の供給量を調節することができる
ようになっている。
より下流側の配管７２ａ、７２ｂ、７２ｃには、ニード
ルバルブ８０ａ、８０ｂ、８０ｃが介在しており、ニー
ドルバルブ８０ａ、８０ｂ、８０ｃを調節することによ
り、原料タンク７３ａ、７３ｂ、７３ｃ内の圧力を調節
することができ、原料の供給量を調節することができる
ようになっている。
【００３６】さらに、第１のバイパス管７５ａ、７５
ｂ、７５ｃと第２のバイパス管７７ａ、７７ｂ、７７ｃ
との間の配管７２ａ、７２ｂ、７２ｃにはバルブ８１
ａ、８１ｂ、８１ｃが介在している。
ｂ、７５ｃと第２のバイパス管７７ａ、７７ｂ、７７ｃ
との間の配管７２ａ、７２ｂ、７２ｃにはバルブ８１
ａ、８１ｂ、８１ｃが介在している。
【００３７】また、３系統に分けられた配管７２ａ、７
２ｂ、７２ｃには、処理ガス混合器８２が接続されてお
り、原料タンク７３ａ、７３ｂ、７３ｃ内で気化した原
料を所定の割合で混合して処理ガスを構成するようにな
っている。
２ｂ、７２ｃには、処理ガス混合器８２が接続されてお
り、原料タンク７３ａ、７３ｂ、７３ｃ内で気化した原
料を所定の割合で混合して処理ガスを構成するようにな
っている。
【００３８】処理ガス混合器８２より下流側の配管７２
にはバルブ８３が介在しており、混合された処理ガスを
所定の流量でシャワーヘッド４に供給するようになって
いる。
にはバルブ８３が介在しており、混合された処理ガスを
所定の流量でシャワーヘッド４に供給するようになって
いる。
【００３９】また、クリーニングガス供給系９は、上述
した処理ガス供給系７とほぼ同様な構成を採用してい
る。即ち、シャワーヘッド４が配設された側を下流側と
し、キャリアガスを収容したキャリアガスタンク９１が
配設された側を上流側とすると、上流側から下流側にか
けて、配管９２にはバルブ９３、マスフローコントロー
ラ９４、バルブ９５、及びニードルバルブ９６が介在し
ている。
した処理ガス供給系７とほぼ同様な構成を採用してい
る。即ち、シャワーヘッド４が配設された側を下流側と
し、キャリアガスを収容したキャリアガスタンク９１が
配設された側を上流側とすると、上流側から下流側にか
けて、配管９２にはバルブ９３、マスフローコントロー
ラ９４、バルブ９５、及びニードルバルブ９６が介在し
ている。
【００４０】また、マスフローコントローラ９４とバル
ブ９５との間の配管９２にはバルブ９７を介在させた第
１のバイパス管９８、及びバルブ９５とニードルバルブ
９６との間の配管９２にはバルブ９９を介在させた第２
のバイパス管１００が接続されている。
ブ９５との間の配管９２にはバルブ９７を介在させた第
１のバイパス管９８、及びバルブ９５とニードルバルブ
９６との間の配管９２にはバルブ９９を介在させた第２
のバイパス管１００が接続されている。
【００４１】さらに、この第１及び第２のバイパス管９
８、１００には、カルボキシル基を含む化合物としての
カルボン酸を収容したカルボン酸タンク１０１が接続さ
れている。ここで、カルボン酸には、例えばトリフルオ
ロ酢酸（ＴＦＡ）のようなカルボキシル基に結合したア
ルキル基がハロゲン原子を有しているカルボン酸を使用
することが好ましい。前記カルボン酸が好ましいとした
のは、ハロゲン原子は誘起効果が大きいので、この影響
からカルボキシル基の酸素原子の電子密度が小さくな
り、この酸素原子に結びついている水素原子が水素イオ
ンとして解離し易くなるからである。この解離が起こり
易いほど反応性は高くなる。第１のバイパス管９８のバ
ルブ９７を開放し、第１のバイパス管９８からキャリア
ガスをカルボン酸タンク１０１内に供給してバブリング
することによりカルボン酸タンク１０１内に収容された
カルボン酸が気化するようになっている。気化したカル
ボン酸はクリーニングガスとして第２のバイパス管１０
０及び配管９２を介してシャワーヘッド４内に供給され
るようになっている。
８、１００には、カルボキシル基を含む化合物としての
カルボン酸を収容したカルボン酸タンク１０１が接続さ
れている。ここで、カルボン酸には、例えばトリフルオ
ロ酢酸（ＴＦＡ）のようなカルボキシル基に結合したア
ルキル基がハロゲン原子を有しているカルボン酸を使用
することが好ましい。前記カルボン酸が好ましいとした
のは、ハロゲン原子は誘起効果が大きいので、この影響
からカルボキシル基の酸素原子の電子密度が小さくな
り、この酸素原子に結びついている水素原子が水素イオ
ンとして解離し易くなるからである。この解離が起こり
易いほど反応性は高くなる。第１のバイパス管９８のバ
ルブ９７を開放し、第１のバイパス管９８からキャリア
ガスをカルボン酸タンク１０１内に供給してバブリング
することによりカルボン酸タンク１０１内に収容された
カルボン酸が気化するようになっている。気化したカル
ボン酸はクリーニングガスとして第２のバイパス管１０
０及び配管９２を介してシャワーヘッド４内に供給され
るようになっている。
【００４２】次に、本実施の形態に係るＣＶＤ処理装置
１で行われる成膜工程及びＣＶＤ処理装置１のクリーニ
ング工程のフローについて説明する。なお、成膜工程中
及びクリーニング工程中は、真空ポンプ１１が作動して
いるものとする。図３は本実施の形態に係るＣＶＤ処理
装置１で行われる成膜のフローを示したフローチャート
であり、図４は本実施の形態に係るＣＶＤ処理装置１の
クリーニングのフローを示したフローチャートである。
図５は本実施の形態に係るＣＶＤ処理装置１のクリーニ
ング工程を模式的に示した垂直断面図である。
１で行われる成膜工程及びＣＶＤ処理装置１のクリーニ
ング工程のフローについて説明する。なお、成膜工程中
及びクリーニング工程中は、真空ポンプ１１が作動して
いるものとする。図３は本実施の形態に係るＣＶＤ処理
装置１で行われる成膜のフローを示したフローチャート
であり、図４は本実施の形態に係るＣＶＤ処理装置１の
クリーニングのフローを示したフローチャートである。
図５は本実施の形態に係るＣＶＤ処理装置１のクリーニ
ング工程を模式的に示した垂直断面図である。
【００４３】まず、ＣＶＤ処理装置１で行われる成膜工
程について説明する（ステップ１）。最初に、図示しな
い外部電源で抵抗発熱体１５に電圧を印加するととも
に、外部電源２１で抵抗発熱体２０に電圧を印加して、
処理チャンバ３及びサセプタ１９を成膜温度まで加熱す
る（ステップ１（１））。
程について説明する（ステップ１）。最初に、図示しな
い外部電源で抵抗発熱体１５に電圧を印加するととも
に、外部電源２１で抵抗発熱体２０に電圧を印加して、
処理チャンバ３及びサセプタ１９を成膜温度まで加熱す
る（ステップ１（１））。
【００４４】処理チャンバ３及びサセプタ１９を成膜温
度まで加熱した後、ゲートバルブ１６を開き、図示しな
い搬送アームで絶縁性物質の薄膜が形成されていないウ
エハＷを処理チャンバ３内に搬入し、上昇したリフタピ
ン２３上に載置する。その後、リフタピン２３が下降し
てサセプタ１９上にウエハＷを載置する（ステップ１
（２））。
度まで加熱した後、ゲートバルブ１６を開き、図示しな
い搬送アームで絶縁性物質の薄膜が形成されていないウ
エハＷを処理チャンバ３内に搬入し、上昇したリフタピ
ン２３上に載置する。その後、リフタピン２３が下降し
てサセプタ１９上にウエハＷを載置する（ステップ１
（２））。
【００４５】ウエハＷをサセプタ１９上に載置した後、
バルブ７９ａ、７９ｂ、７９ｃ、バルブ７４ａ、７４
ｂ、７４ｃ、バルブ７６ａ、７６ｂ、７６ｃ、ニードル
バルブ８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、及びバルブ８３を開放
するとともにマスフローコントローラ７８ａ、７８ｂ、
７８ｃを調節して原料タンク７３ａ、７３ｂ、７３ｃ内
にキャリアガスを供給する。このキャリアガスが原料タ
ンク７３ａ、７３ｂ、７３ｃ内の原料をバブリングし
て、原料を気化させる。気化した各原料は処理ガス混合
器８２に導入され混合された後、処理ガスとしてシャワ
ーヘッド４内に供給される。この処理ガスをシャワーヘ
ッド４の吐出孔６から吐出させることによりウエハＷの
被成膜面に絶縁性物質の薄膜の形成が開始される。ま
た、成膜の際には、シャットオフバルブ１３を開放し
て、処理チャンバ３内を真空排気する（ステップ１
（３））。ここで、ウエハＷに絶縁性物質の薄膜を形成
する際に、処理チャンバ３内、具体的には例えば処理チ
ャンバ３内壁及びサセプタ１９にも絶縁性物質が付着す
る。
バルブ７９ａ、７９ｂ、７９ｃ、バルブ７４ａ、７４
ｂ、７４ｃ、バルブ７６ａ、７６ｂ、７６ｃ、ニードル
バルブ８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、及びバルブ８３を開放
するとともにマスフローコントローラ７８ａ、７８ｂ、
７８ｃを調節して原料タンク７３ａ、７３ｂ、７３ｃ内
にキャリアガスを供給する。このキャリアガスが原料タ
ンク７３ａ、７３ｂ、７３ｃ内の原料をバブリングし
て、原料を気化させる。気化した各原料は処理ガス混合
器８２に導入され混合された後、処理ガスとしてシャワ
ーヘッド４内に供給される。この処理ガスをシャワーヘ
ッド４の吐出孔６から吐出させることによりウエハＷの
被成膜面に絶縁性物質の薄膜の形成が開始される。ま
た、成膜の際には、シャットオフバルブ１３を開放し
て、処理チャンバ３内を真空排気する（ステップ１
（３））。ここで、ウエハＷに絶縁性物質の薄膜を形成
する際に、処理チャンバ３内、具体的には例えば処理チ
ャンバ３内壁及びサセプタ１９にも絶縁性物質が付着す
る。
【００４６】ウエハＷに絶縁性物質の薄膜を形成した
後、バルブ７９ａ、７９ｂ、７９ｃ、バルブ７４ａ、７
４ｂ、７４ｃ、バルブ７６ａ、７６ｂ、７６ｃ、ニード
ルバルブ８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、及びバルブ８３を閉
じて処理ガスの供給を停止して、絶縁性物質の薄膜の形
成を終了する（ステップ１（４））。
後、バルブ７９ａ、７９ｂ、７９ｃ、バルブ７４ａ、７
４ｂ、７４ｃ、バルブ７６ａ、７６ｂ、７６ｃ、ニード
ルバルブ８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、及びバルブ８３を閉
じて処理ガスの供給を停止して、絶縁性物質の薄膜の形
成を終了する（ステップ１（４））。
【００４７】その後、リフタピン２３が上昇して、サセ
プタ１９上からウエハＷを離間させるとともにパージガ
スを供給しながら、ゲートバルブ１６を開き、図示しな
い搬送アームで処理チャンバ３から絶縁性物質の薄膜が
形成されたウエハＷを搬出する（ステップ１（５））。
プタ１９上からウエハＷを離間させるとともにパージガ
スを供給しながら、ゲートバルブ１６を開き、図示しな
い搬送アームで処理チャンバ３から絶縁性物質の薄膜が
形成されたウエハＷを搬出する（ステップ１（５））。
【００４８】続いて、処理チャンバ３内のクリーニング
工程について説明する（ステップ２）。絶縁性物質の薄
膜が形成されたウエハＷを処理チャンバ３内から搬送し
た後、抵抗発熱体１５で処理チャンバ３を３００〜５０
０℃、好ましくは３７５〜５００℃に加熱する（ステッ
プ２（１ａ））。ここで、処理チャンバ３の温度を３０
０〜５００℃と規定したのは、この範囲を上回ると供給
されたカルボン酸が分解してクリーニングの効率が低下
してしまうからであり、この範囲を下回ると処理チャン
バ３内壁及びサセプタ１９に付着した絶縁性物質を有効
に取り除くことができないからである。
工程について説明する（ステップ２）。絶縁性物質の薄
膜が形成されたウエハＷを処理チャンバ３内から搬送し
た後、抵抗発熱体１５で処理チャンバ３を３００〜５０
０℃、好ましくは３７５〜５００℃に加熱する（ステッ
プ２（１ａ））。ここで、処理チャンバ３の温度を３０
０〜５００℃と規定したのは、この範囲を上回ると供給
されたカルボン酸が分解してクリーニングの効率が低下
してしまうからであり、この範囲を下回ると処理チャン
バ３内壁及びサセプタ１９に付着した絶縁性物質を有効
に取り除くことができないからである。
【００４９】処理チャンバ３を３００℃〜５００℃に加
熱した後、バルブ９３、バルブ９７、バルブ９９、ニー
ドルバルブ９６を開放するとともに、マスフローコント
ローラ９４でキャリアガスの流量を調節してキャリアガ
スをカルボン酸タンク１０１内に供給する。このキャリ
アガスがカルボン酸タンク１０１内のカルボン酸をバブ
リングして、カルボン酸を気化させる。バブリングによ
り気化したカルボン酸はクリーニングガスとしてシャワ
ーヘッド４に供給され、シャワーヘッド４の吐出孔６か
ら吐出される。クリーニングガスがシャワーヘッド４の
吐出孔６から吐出され、処理チャンバ３内に拡散するこ
とにより処理チャンバ３内のクリーニングが開始され
る。また、本実施の形態では、シャットオフバルブ１３
を開放して、真空排気しながらクリーニングを行う（ス
テップ２（２ａ））。
熱した後、バルブ９３、バルブ９７、バルブ９９、ニー
ドルバルブ９６を開放するとともに、マスフローコント
ローラ９４でキャリアガスの流量を調節してキャリアガ
スをカルボン酸タンク１０１内に供給する。このキャリ
アガスがカルボン酸タンク１０１内のカルボン酸をバブ
リングして、カルボン酸を気化させる。バブリングによ
り気化したカルボン酸はクリーニングガスとしてシャワ
ーヘッド４に供給され、シャワーヘッド４の吐出孔６か
ら吐出される。クリーニングガスがシャワーヘッド４の
吐出孔６から吐出され、処理チャンバ３内に拡散するこ
とにより処理チャンバ３内のクリーニングが開始され
る。また、本実施の形態では、シャットオフバルブ１３
を開放して、真空排気しながらクリーニングを行う（ス
テップ２（２ａ））。
【００５０】ここで、クリーニングの際に生じる現象を
具体的に説明すると、まず、クリーニングガスが処理チ
ャンバ３内に拡散して処理チャンバ３内に付着した絶縁
性物質に接触する。クリーニングガスが絶縁性物質に接
触すると、クリーニングガスと絶縁性物質とが反応し
て、図５（ａ）に示すように絶縁性物質が錯体を形成す
る。また、処理チャンバ３内はシャットバルブ１３の開
放で真空排気されているので、この絶縁性物質の錯体は
容易に気化して処理チャンバ３内壁及びサセプタ１９か
ら離間する。さらに、離間した絶縁性物質の錯体は、図
５（ｂ）に示すように速やかに排気管１２を介して処理
チャンバ３外へ排出され、処理チャンバ３内から絶縁性
物質が取り除かれる。
具体的に説明すると、まず、クリーニングガスが処理チ
ャンバ３内に拡散して処理チャンバ３内に付着した絶縁
性物質に接触する。クリーニングガスが絶縁性物質に接
触すると、クリーニングガスと絶縁性物質とが反応し
て、図５（ａ）に示すように絶縁性物質が錯体を形成す
る。また、処理チャンバ３内はシャットバルブ１３の開
放で真空排気されているので、この絶縁性物質の錯体は
容易に気化して処理チャンバ３内壁及びサセプタ１９か
ら離間する。さらに、離間した絶縁性物質の錯体は、図
５（ｂ）に示すように速やかに排気管１２を介して処理
チャンバ３外へ排出され、処理チャンバ３内から絶縁性
物質が取り除かれる。
【００５１】本実施の形態では絶縁性物質を錯体にして
おり、この絶縁性物質の錯体の蒸気圧は同温度での絶縁
性物質のフッ化物の蒸気圧よりも高いので、６００℃以
下の低温であっても低真空で絶縁性物質を気化させるこ
とができる。また、絶縁性物質の中にフッ化物として取
り除くことが困難なフッ化物の蒸気圧が６００℃で１．
３３×１０３Ｐａ以下の物質が含まれている場合であっ
ても錯化することにより確実に絶縁性物質を気化して処
理チャンバ３内から取り除くことができる。
おり、この絶縁性物質の錯体の蒸気圧は同温度での絶縁
性物質のフッ化物の蒸気圧よりも高いので、６００℃以
下の低温であっても低真空で絶縁性物質を気化させるこ
とができる。また、絶縁性物質の中にフッ化物として取
り除くことが困難なフッ化物の蒸気圧が６００℃で１．
３３×１０３Ｐａ以下の物質が含まれている場合であっ
ても錯化することにより確実に絶縁性物質を気化して処
理チャンバ３内から取り除くことができる。
【００５２】なお、真空排気した処理チャンバ３内の圧
力は、１．３３×１０３〜１．３３×１０４Ｐａに維持
することが好ましく、１．３３×１０３〜６．６５×１
０３Ｐａに維持することがより好ましい。処理チャンバ
３内の圧力を１．３３×１０ ３〜１．３３×１０４Ｐａ
に維持することが好ましいと規定したのは、この範囲を
上回ると絶縁性物質の錯体が気化し難くなるからであ
り、また、この範囲を下回ると処理チャンバ３内壁及び
サセプタ１９に付着した絶縁性物質とクリーニングガス
との衝突頻度が低下するため、絶縁性物質の錯体を有効
に生成することができないからである。
力は、１．３３×１０３〜１．３３×１０４Ｐａに維持
することが好ましく、１．３３×１０３〜６．６５×１
０３Ｐａに維持することがより好ましい。処理チャンバ
３内の圧力を１．３３×１０ ３〜１．３３×１０４Ｐａ
に維持することが好ましいと規定したのは、この範囲を
上回ると絶縁性物質の錯体が気化し難くなるからであ
り、また、この範囲を下回ると処理チャンバ３内壁及び
サセプタ１９に付着した絶縁性物質とクリーニングガス
との衝突頻度が低下するため、絶縁性物質の錯体を有効
に生成することができないからである。
【００５３】処理チャンバ３内に付着した絶縁性物質を
十分に取り除いた後、バルブ９３、バルブ９７、バルブ
９９、ニードルバルブ９６を閉じてキャリアガス及びク
リーニングガスの供給を停止して、処理チャンバ３内の
クリーニングを終了する（ステップ２（３ａ））。
十分に取り除いた後、バルブ９３、バルブ９７、バルブ
９９、ニードルバルブ９６を閉じてキャリアガス及びク
リーニングガスの供給を停止して、処理チャンバ３内の
クリーニングを終了する（ステップ２（３ａ））。
【００５４】このように、本実施の形態では、処理チャ
ンバ３内にカルボン酸を含むクリーニングガスを供給す
るので、低温で絶縁性物質の錯体を生成することがで
き、低温で処理チャンバ３内に付着した絶縁性物質を取
り除くことができる。また、絶縁性物質の錯体の蒸気圧
が高いので、絶縁性物質の錯体が処理チャンバ３内に残
存することがなくなり、処理チャンバ３から絶縁性物質
の錯体を確実に取り除くことができる。また、シャット
オフバルブ１３を開放して真空排気しながらクリーニン
グを行うので、絶縁性物質の錯体が生成した直後に前記
錯体を気化させることができ、処理チャンバ３内から絶
縁性物質を取り除くことができる。また、クリーニング
ガスで絶縁性物質を直接錯化するので、クリーニングを
行う際の工程数が少なく、短時間で簡単に前記処理チャ
ンバ３内に付着した絶縁性物質を取り除くことができ
る。さらに、カルボン酸としてトリフルオロ酢酸を使用
した場合には、反応性が高くなるので、より確実に処理
チャンバ３内から絶縁性物質を取り除くことができると
ともにコストの低減を図ることができる。
ンバ３内にカルボン酸を含むクリーニングガスを供給す
るので、低温で絶縁性物質の錯体を生成することがで
き、低温で処理チャンバ３内に付着した絶縁性物質を取
り除くことができる。また、絶縁性物質の錯体の蒸気圧
が高いので、絶縁性物質の錯体が処理チャンバ３内に残
存することがなくなり、処理チャンバ３から絶縁性物質
の錯体を確実に取り除くことができる。また、シャット
オフバルブ１３を開放して真空排気しながらクリーニン
グを行うので、絶縁性物質の錯体が生成した直後に前記
錯体を気化させることができ、処理チャンバ３内から絶
縁性物質を取り除くことができる。また、クリーニング
ガスで絶縁性物質を直接錯化するので、クリーニングを
行う際の工程数が少なく、短時間で簡単に前記処理チャ
ンバ３内に付着した絶縁性物質を取り除くことができ
る。さらに、カルボン酸としてトリフルオロ酢酸を使用
した場合には、反応性が高くなるので、より確実に処理
チャンバ３内から絶縁性物質を取り除くことができると
ともにコストの低減を図ることができる。
【００５５】（実施例１）以下、実施例１について説明
する。本実施例では、第１の実施の形態で説明したＣＶ
Ｄ処理装置１を用いて、絶縁性物質としてＰＺＴを使用
したときの温度に対するＰＺＴの除去率を測定した。こ
こで、本実施例では、ＣＶＤ処理装置１内壁及びサセプ
タ１９に付着したＰＺＴを取り除くのではなく、ＣＶＤ
処理装置１内のサセプタ１９上にＰＺＴの薄膜が形成さ
れたウエハＷを載置して、クリーニングガスでウエハＷ
に形成されたＰＺＴの薄膜を取り除いた。また、クリー
ニングガスには気化したトリフルオロ酢酸を使用し、ト
リフルオロ酢酸を処理チャンバ３内に３００ｓｃｃｍを
供給した。さらに、処理チャンバ３内に窒素ガスを１０
０ｓｃｃｍ供給するとともに、調圧バルブ１４を調節し
て処理チャンバ３内の圧力を約３．３３×１０３Ｐａに
維持した。処理チャンバ３内を上記状態に維持しながら
温度を変えて１０分間クリーニングを行った。
する。本実施例では、第１の実施の形態で説明したＣＶ
Ｄ処理装置１を用いて、絶縁性物質としてＰＺＴを使用
したときの温度に対するＰＺＴの除去率を測定した。こ
こで、本実施例では、ＣＶＤ処理装置１内壁及びサセプ
タ１９に付着したＰＺＴを取り除くのではなく、ＣＶＤ
処理装置１内のサセプタ１９上にＰＺＴの薄膜が形成さ
れたウエハＷを載置して、クリーニングガスでウエハＷ
に形成されたＰＺＴの薄膜を取り除いた。また、クリー
ニングガスには気化したトリフルオロ酢酸を使用し、ト
リフルオロ酢酸を処理チャンバ３内に３００ｓｃｃｍを
供給した。さらに、処理チャンバ３内に窒素ガスを１０
０ｓｃｃｍ供給するとともに、調圧バルブ１４を調節し
て処理チャンバ３内の圧力を約３．３３×１０３Ｐａに
維持した。処理チャンバ３内を上記状態に維持しながら
温度を変えて１０分間クリーニングを行った。
【００５６】図６は、本実施例に係るＣＶＤ処理装置１
のサセプタ１９の温度とウエハＷ上に形成されたＰＺＴ
の除去率との関係を表したグラフである。図６に表すよ
うに、３００℃から４００℃にかけてＰＺＴの除去率が
上昇していることが確認された。
のサセプタ１９の温度とウエハＷ上に形成されたＰＺＴ
の除去率との関係を表したグラフである。図６に表すよ
うに、３００℃から４００℃にかけてＰＺＴの除去率が
上昇していることが確認された。
【００５７】（実施例２）以下、実施例２について説明
する。本実施例では、第１の実施の形態で説明したＣＶ
Ｄ処理装置１を用いて、絶縁性物質としてＰＺＴを使用
したときの圧力に対するＰＺＴの除去率を測定した。こ
こで、本実施例は上記実施例１と同様にＣＶＤ処理装置
１内のサセプタ１９上にＰＺＴの薄膜が形成されたウエ
ハＷを載置して、クリーニングガスでウエハＷに形成さ
れたＰＺＴの薄膜を取り除いた。また、クリーニングガ
スには気化したトリフルオロ酢酸を使用し、トリフルオ
ロ酢酸を処理チャンバ３内に３００ｓｃｃｍを供給し
た。さらに、処理チャンバ３内に窒素ガスを１００ｓｃ
ｃｍ供給するとともに抵抗発熱体２０でサセプタを４０
０℃に維持した。処理チャンバ３内を上記状態に維持し
ながら圧力を変えて１０分間クリーニングを行った。
する。本実施例では、第１の実施の形態で説明したＣＶ
Ｄ処理装置１を用いて、絶縁性物質としてＰＺＴを使用
したときの圧力に対するＰＺＴの除去率を測定した。こ
こで、本実施例は上記実施例１と同様にＣＶＤ処理装置
１内のサセプタ１９上にＰＺＴの薄膜が形成されたウエ
ハＷを載置して、クリーニングガスでウエハＷに形成さ
れたＰＺＴの薄膜を取り除いた。また、クリーニングガ
スには気化したトリフルオロ酢酸を使用し、トリフルオ
ロ酢酸を処理チャンバ３内に３００ｓｃｃｍを供給し
た。さらに、処理チャンバ３内に窒素ガスを１００ｓｃ
ｃｍ供給するとともに抵抗発熱体２０でサセプタを４０
０℃に維持した。処理チャンバ３内を上記状態に維持し
ながら圧力を変えて１０分間クリーニングを行った。
【００５８】図７は、本実施例に係るＣＶＤ処理装置１
内の圧力とウエハＷ上に形成されたＰＺＴの除去率との
関係を示したグラフである。図７に表すように、処理チ
ャンバ３内の圧力が約３．３３×１０３Ｐａに維持した
場合にＰＺＴの除去率が最大であることが確認された。
内の圧力とウエハＷ上に形成されたＰＺＴの除去率との
関係を示したグラフである。図７に表すように、処理チ
ャンバ３内の圧力が約３．３３×１０３Ｐａに維持した
場合にＰＺＴの除去率が最大であることが確認された。
【００５９】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施の形態について説明する。なお、以下本実施の形態
以降の実施の形態のうち先行する実施の形態と重複する
内容については説明を省略する。本実施の形態では、処
理チャンバ３内にクリーニングガスを溜めて処理チャン
バ３内に付着した絶縁性物質を錯化した後に、処理チャ
ンバ３内を真空排気する構成とした。図８は本実施の形
態に係るＣＶＤ処理装置１のクリーニングのフローを示
したフローチャートであり、図９は本実施の形態に係る
ＣＶＤ処理装置１のクリーニング工程を模式的に示した
垂直断面図である。
実施の形態について説明する。なお、以下本実施の形態
以降の実施の形態のうち先行する実施の形態と重複する
内容については説明を省略する。本実施の形態では、処
理チャンバ３内にクリーニングガスを溜めて処理チャン
バ３内に付着した絶縁性物質を錯化した後に、処理チャ
ンバ３内を真空排気する構成とした。図８は本実施の形
態に係るＣＶＤ処理装置１のクリーニングのフローを示
したフローチャートであり、図９は本実施の形態に係る
ＣＶＤ処理装置１のクリーニング工程を模式的に示した
垂直断面図である。
【００６０】まず、絶縁性物質の薄膜が形成されたウエ
ハＷを処理チャンバ３内から搬送した後、処理チャンバ
３の外壁に巻回された抵抗発熱体１５で処理チャンバ３
を加熱する（ステップ２（１ｂ））。
ハＷを処理チャンバ３内から搬送した後、処理チャンバ
３の外壁に巻回された抵抗発熱体１５で処理チャンバ３
を加熱する（ステップ２（１ｂ））。
【００６１】処理チャンバ３を加熱した後、バルブ９
３、バルブ９７、バルブ９９、及びニードルバルブ９６
を開放してクリーニングガスを処理チャンバ３内に供給
する（ステップ２（２ｂ））。このクリーニングガスが
処理チャンバ３内に拡散し、処理チャンバ３内に付着し
た絶縁性物質に接触すると、絶縁性物質の錯体が形成さ
れる。ここで、本実施の形態では、シャットオフバルブ
１３は閉じられており、図９（ａ）に示すように、処理
チャンバ３内に供給されたクリーニングガスは、真空排
気されることなく処理チャンバ３内に溜められている。
３、バルブ９７、バルブ９９、及びニードルバルブ９６
を開放してクリーニングガスを処理チャンバ３内に供給
する（ステップ２（２ｂ））。このクリーニングガスが
処理チャンバ３内に拡散し、処理チャンバ３内に付着し
た絶縁性物質に接触すると、絶縁性物質の錯体が形成さ
れる。ここで、本実施の形態では、シャットオフバルブ
１３は閉じられており、図９（ａ）に示すように、処理
チャンバ３内に供給されたクリーニングガスは、真空排
気されることなく処理チャンバ３内に溜められている。
【００６２】十分に絶縁性物質の錯体が形成された後、
バルブ９３、バルブ９７、バルブ９９、及びニードルバ
ルブ９６を閉じてキャリアガス及びクリーニングガスの
供給を停止するとともにシャットオフバルブ１３を開放
して処理チャンバ３内を真空排気する（ステップ２（３
ｂ））。この真空排気により、絶縁性物質の錯体は気化
して、図９（ｂ）に示すように処理チャンバ３内壁及び
サセプタ１９から離間するとともに、速やかに排気管１
２を介して処理チャンバ３外へ排出される。その後、十
分に絶縁性物質の錯体を処理チャンバ３外へ排出して、
クリーニングを終了する。
バルブ９３、バルブ９７、バルブ９９、及びニードルバ
ルブ９６を閉じてキャリアガス及びクリーニングガスの
供給を停止するとともにシャットオフバルブ１３を開放
して処理チャンバ３内を真空排気する（ステップ２（３
ｂ））。この真空排気により、絶縁性物質の錯体は気化
して、図９（ｂ）に示すように処理チャンバ３内壁及び
サセプタ１９から離間するとともに、速やかに排気管１
２を介して処理チャンバ３外へ排出される。その後、十
分に絶縁性物質の錯体を処理チャンバ３外へ排出して、
クリーニングを終了する。
【００６３】このように、本実施の形態では、処理チャ
ンバ３内にクリーニングガスを溜めて処理チャンバ３内
に付着した絶縁性物質を錯化した後に、処理チャンバ３
内を真空排気するので、処理チャンバ３内の隅々までク
リーニングガスが行き届き、より確実に処理チャンバ３
内に付着した絶縁性物質を取り除くことができるという
特有の効果が得られる。また、クリーニングガスを処理
チャンバ３内に溜めた後、真空排気するので、クリーニ
ングガスを節約することができ、コストの低減を図るこ
とができる。
ンバ３内にクリーニングガスを溜めて処理チャンバ３内
に付着した絶縁性物質を錯化した後に、処理チャンバ３
内を真空排気するので、処理チャンバ３内の隅々までク
リーニングガスが行き届き、より確実に処理チャンバ３
内に付着した絶縁性物質を取り除くことができるという
特有の効果が得られる。また、クリーニングガスを処理
チャンバ３内に溜めた後、真空排気するので、クリーニ
ングガスを節約することができ、コストの低減を図るこ
とができる。
【００６４】（第３の実施の形態）以下、第３の実施の
形態について説明する。本実施の形態では、処理チャン
バ３内にクリーニングガスを溜めて処理チャンバ３内に
付着した絶縁性物質を錯化した後に、処理チャンバ３内
を真空排気するという一連の処理を断続的に繰り返し行
う構成とした。図１０は本実施の形態に係るＣＶＤ処理
装置のクリーニングのフローを示したフローチャートで
ある。
形態について説明する。本実施の形態では、処理チャン
バ３内にクリーニングガスを溜めて処理チャンバ３内に
付着した絶縁性物質を錯化した後に、処理チャンバ３内
を真空排気するという一連の処理を断続的に繰り返し行
う構成とした。図１０は本実施の形態に係るＣＶＤ処理
装置のクリーニングのフローを示したフローチャートで
ある。
【００６５】図１０に示すように、絶縁性物質の薄膜が
形成されたウエハＷを処理チャンバ３内から搬送した
後、抵抗発熱体１５で処理チャンバ３を加熱する（ステ
ップ２（１ｃ））。
形成されたウエハＷを処理チャンバ３内から搬送した
後、抵抗発熱体１５で処理チャンバ３を加熱する（ステ
ップ２（１ｃ））。
【００６６】処理チャンバ３を加熱した後、バルブ９
３、バルブ９７、バルブ９９、及びニードルバルブ９６
を開放してクリーニングガスを処理チャンバ３内に供給
し、処理チャンバ３内に付着した絶縁性物質を錯化する
（ステップ２（２ｃ））。
３、バルブ９７、バルブ９９、及びニードルバルブ９６
を開放してクリーニングガスを処理チャンバ３内に供給
し、処理チャンバ３内に付着した絶縁性物質を錯化する
（ステップ２（２ｃ））。
【００６７】絶縁性物質の錯体が形成された後、バルブ
９３、バルブ９７、バルブ９９、及びニードルバルブ９
６を閉じてクリーニングガスの供給を停止するとともに
シャットオフバルブ１３を開放して処理チャンバ３内を
真空排気する（ステップ２（３ｃ））。
９３、バルブ９７、バルブ９９、及びニードルバルブ９
６を閉じてクリーニングガスの供給を停止するとともに
シャットオフバルブ１３を開放して処理チャンバ３内を
真空排気する（ステップ２（３ｃ））。
【００６８】十分に絶縁性物質の錯体を処理チャンバ３
外へ排出した後、処理チャンバ３内に付着した絶縁性物
質の量を確認する（ステップ２（４ｃ））。この確認作
業は直接処理チャンバ３内壁の絶縁性物質付着状態或い
はモニタリング用のウエハに形成された絶縁性物質の薄
膜の残存量を確認することによって行うことが可能であ
る。また、処理チャンバ３に設けられた図示しない観察
窓を利用して、赤外分光法により確認することも可能で
ある。
外へ排出した後、処理チャンバ３内に付着した絶縁性物
質の量を確認する（ステップ２（４ｃ））。この確認作
業は直接処理チャンバ３内壁の絶縁性物質付着状態或い
はモニタリング用のウエハに形成された絶縁性物質の薄
膜の残存量を確認することによって行うことが可能であ
る。また、処理チャンバ３に設けられた図示しない観察
窓を利用して、赤外分光法により確認することも可能で
ある。
【００６９】処理チャンバ３内に付着した絶縁性物質の
量を確認した結果、処理チャンバ３内に付着した絶縁性
物質が十分に取り除かれている場合には、クリーニング
を終了する。反対に処理チャンバ３内に付着した絶縁性
物質の量を確認した結果、処理チャンバ３内に付着した
絶縁性物質が十分に取り除かれていない場合には、上記
ステップ２（２ｃ）〜ステップ２（４ｃ）の操作を繰り
返し行い、最終的に処理チャンバ３内に付着した絶縁性
物質がなくなるまでクリーニング操作を継続する。
量を確認した結果、処理チャンバ３内に付着した絶縁性
物質が十分に取り除かれている場合には、クリーニング
を終了する。反対に処理チャンバ３内に付着した絶縁性
物質の量を確認した結果、処理チャンバ３内に付着した
絶縁性物質が十分に取り除かれていない場合には、上記
ステップ２（２ｃ）〜ステップ２（４ｃ）の操作を繰り
返し行い、最終的に処理チャンバ３内に付着した絶縁性
物質がなくなるまでクリーニング操作を継続する。
【００７０】このように、本実施の形態では、処理チャ
ンバ３内にクリーニングガスを溜めて処理チャンバ３内
に付着した絶縁性物質を錯化した後に、処理チャンバ３
内を真空排気するという一連の処理を断続的に繰り返し
行うので、錯化と排出とが完全に行われ、効率良く処理
チャンバ３内に付着した絶縁性物質を取り除くことがで
きるという特有の効果が得られる。
ンバ３内にクリーニングガスを溜めて処理チャンバ３内
に付着した絶縁性物質を錯化した後に、処理チャンバ３
内を真空排気するという一連の処理を断続的に繰り返し
行うので、錯化と排出とが完全に行われ、効率良く処理
チャンバ３内に付着した絶縁性物質を取り除くことがで
きるという特有の効果が得られる。
【００７１】なお、本発明は上記第１〜第３の実施の形
態の記載内容に限定されるものではなく、構造や材質、
各部材の配置等は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適
宜変更可能である。例えば第１〜第３の実施の形態で
は、ＣＶＤ処理装置として熱を利用したＣＶＤ処理装置
１を用いて説明しているが、プラズマを利用したＣＶＤ
処理装置を用いることも可能である。
態の記載内容に限定されるものではなく、構造や材質、
各部材の配置等は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適
宜変更可能である。例えば第１〜第３の実施の形態で
は、ＣＶＤ処理装置として熱を利用したＣＶＤ処理装置
１を用いて説明しているが、プラズマを利用したＣＶＤ
処理装置を用いることも可能である。
【００７２】また、第１〜第３の実施の形態では、基板
処理装置としてＣＶＤ処理装置１を用いて説明している
が、物理気相成長処理装置（ＰＶＤ処理装置）及びメッ
キ処理装置のような成膜装置、エッチング処理装置、或
いは化学的機械的研磨処理装置（ＣＭＰ処理装置）を用
いることも可能である。また、ここで成膜装置にはＣＶ
Ｄ処理装置も含まれるものとする。
処理装置としてＣＶＤ処理装置１を用いて説明している
が、物理気相成長処理装置（ＰＶＤ処理装置）及びメッ
キ処理装置のような成膜装置、エッチング処理装置、或
いは化学的機械的研磨処理装置（ＣＭＰ処理装置）を用
いることも可能である。また、ここで成膜装置にはＣＶ
Ｄ処理装置も含まれるものとする。
【００７３】また、第１〜第３の実施の形態では、基板
としてウエハＷを用いて説明しているが、液晶用のＬＣ
Ｄガラス基板を用いることも可能である。
としてウエハＷを用いて説明しているが、液晶用のＬＣ
Ｄガラス基板を用いることも可能である。
【００７４】
【発明の効果】以上、詳説したように、本発明の基板処
理装置のクリーニング方法及び基板処理装置によれば、
低温で前記処理チャンバ内に付着した絶縁性物質を取り
除くことができる。
理装置のクリーニング方法及び基板処理装置によれば、
低温で前記処理チャンバ内に付着した絶縁性物質を取り
除くことができる。
【図１】第１の実施の形態に係るＣＶＤ処理装置を模式
的に示した垂直断面図である。
的に示した垂直断面図である。
【図２】第１の実施の形態に係るＣＶＤ処理装置の処理
ガス供給系及びクリーニングガス供給系を模式的に示し
た図である。
ガス供給系及びクリーニングガス供給系を模式的に示し
た図である。
【図３】第１の実施の形態に係るＣＶＤ処理装置で行わ
れる成膜のフローを示したフローチャートである。
れる成膜のフローを示したフローチャートである。
【図４】第１の実施の形態に係るＣＶＤ処理装置のクリ
ーニングのフローを示したフローチャートである。
ーニングのフローを示したフローチャートである。
【図５】第１の実施の形態に係るＣＶＤ処理装置のクリ
ーニング工程を模式的に示した垂直断面図である。
ーニング工程を模式的に示した垂直断面図である。
【図６】実施例１に係るＣＶＤ処理装置のサセプタの温
度とウエハＷ上に形成されたＰＺＴの除去率との関係を
表したグラフである。
度とウエハＷ上に形成されたＰＺＴの除去率との関係を
表したグラフである。
【図７】実施例２に係るＣＶＤ処理装置内の圧力とウエ
ハＷ上に形成されたＰＺＴの除去率との関係を示したグ
ラフである。
ハＷ上に形成されたＰＺＴの除去率との関係を示したグ
ラフである。
【図８】第２の実施の形態に係るＣＶＤ処理装置のクリ
ーニングのフローを示したフローチャートである。
ーニングのフローを示したフローチャートである。
【図９】第２の実施の形態に係るＣＶＤ処理装置のクリ
ーニング工程を模式的に示した垂直断面図である。
ーニング工程を模式的に示した垂直断面図である。
【図１０】第３実施の形態に係るＣＶＤ処理装置のクリ
ーニングのフローを示したフローチャートである。
ーニングのフローを示したフローチャートである。
Ｗ…ウエハ １…ＣＶＤ処理装置 ２…処理チャンバ ７…処理ガス供給系 ９…クリーニングガス供給系 １０…真空排気系 １９…サセプタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G075 AA30 BB02 BC10 BD14 CA02 CA51 CA65 DA01 DA02 EB01 4K030 DA06 JA09 JA10 KA49 5F004 AA15 BB18 BB26 BB28 BD04 DA00 DB00 5F045 AA03 AA06 AB40 AD10 AE02 AE03 AE05 AE07 AE09 AE11 AE13 AE15 AE17 AE19 AE21 AE23 BB15 DP03 EB06 EF05 EK07
Claims (12)
- 【請求項１】 基板を処理する基板処理装置の処理チャ
ンバ内に、カルボキシル基を含む化合物を有するクリー
ニングガスを供給して、前記処理チャンバ内に付着した
絶縁性物質を錯化するとともに、 前記処理チャンバ内を真空排気して、前記錯化した絶縁
性物質を前記処理チャンバ外へ排出することを特徴とす
る基板処理装置のクリーニング方法。 - 【請求項２】 基板を処理する基板処理装置の処理チャ
ンバ内に、カルボキシル基を含む化合物を有するクリー
ニングガスを供給して、前記処理チャンバ内に付着した
絶縁性物質を錯化する錯化工程と、 前記処理チャンバ内を真空排気して、前記錯化工程で錯
化された絶縁性物質を前記処理チャンバ外へ排出する排
出工程と、 を具備することを特徴とする基板処理装置のクリーニン
グ方法。 - 【請求項３】 請求項２記載の基板処理装置のクリーニ
ング方法であって、前記錯化工程及び排出工程は、繰り
返し交互に行なわれることを特徴とする基板処理装置の
クリーニング方法。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項に記載の基
板処理装置のクリーニング方法であって、前記カルボキ
シル基を含む化合物が、前記絶縁性物質を直接錯化する
ことを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１項に記載の基
板処理装置のクリーニング方法であって、前記絶縁性物
質が、６００℃で１．３３×１０３Ｐａ以下のフッ化物
の蒸気圧を有する物質であることを特徴とする基板処理
装置のクリーニング方法。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか１項に記載の基
板処理装置のクリーニング方法であって、前記絶縁性物
質が、Ｐｂ，Ｚｒ，及びＴｉを含む物質或いはＢａ，Ｓ
ｒ，及びＴｉを含む物質であることを特徴とする基板処
理装置のクリーニング方法。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれか１項に記載の基
板処理装置のクリーニング方法であって、前記カルボキ
シル基を含む化合物が、前記カルボキシル基に結合し
た、ハロゲン原子を含むアルキル基を有していることを
特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。 - 【請求項８】 請求項７記載の基板処理装置のクリーニ
ング方法であって、前記カルボキシル基を含む化合物
は、トリフルオロ酢酸であることを特徴とする基板処理
装置のクリーニング方法。 - 【請求項９】 請求項１〜８のいずれか１項に記載の基
板処理装置のクリーニング方法であって、前記基板処理
装置が、成膜装置であることを特徴とする基板処理装置
のクリーニング方法。 - 【請求項１０】 処理チャンバと、 前記処理チャンバ内に配設された、基板を載置するサセ
プタと、 前記基板上に絶縁性物質の膜を形成させる処理ガスを、
前記処理チャンバ内に供給する処理ガス供給系と、 前記処理チャンバ内を真空排気する真空排気系と、 前記処理チャンバ内のクリーニングを行うカルボキシル
基を含む化合物を有するクリーニングガスを、前記処理
チャンバ内に供給するクリーニングガス供給系と、 を具備することを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項１１】 請求項１０記載の基板処理装置であっ
て、前記カルボキシル基を含む化合物が、前記カルボキ
シル基に結合した、ハロゲン原子を含むアルキル基を有
していることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項１２】 請求項１１記載の基板処理装置であっ
て、前記カルボキシル基を含む化合物は、トリフルオロ
酢酸であることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001072711A JP4754080B2 (ja) | 2001-03-14 | 2001-03-14 | 基板処理装置のクリーニング方法及び基板処理装置 |
| CNB028054709A CN1322558C (zh) | 2001-03-14 | 2002-03-05 | 基板处理装置的清洁方法 |
| US10/471,579 US6893964B2 (en) | 2001-03-14 | 2002-03-05 | Cleaning method for substrate treatment device and substrate treatment device |
| PCT/JP2002/002008 WO2002073675A1 (fr) | 2001-03-14 | 2002-03-05 | Procede de nettoyage pour dispositif de traitement de substrat et dispositif de traitement de substrat |
| KR1020037011870A KR100570250B1 (ko) | 2001-03-14 | 2002-03-05 | 기판 처리 장치의 클리닝 방법 |
| TW091104273A TW588402B (en) | 2001-03-14 | 2002-03-07 | Cleaning method of substrate treating apparatus, and substrate treating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001072711A JP4754080B2 (ja) | 2001-03-14 | 2001-03-14 | 基板処理装置のクリーニング方法及び基板処理装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002270597A true JP2002270597A (ja) | 2002-09-20 |
| JP2002270597A5 JP2002270597A5 (ja) | 2008-05-01 |
| JP4754080B2 JP4754080B2 (ja) | 2011-08-24 |
Family
ID=18930257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001072711A Expired - Fee Related JP4754080B2 (ja) | 2001-03-14 | 2001-03-14 | 基板処理装置のクリーニング方法及び基板処理装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6893964B2 (ja) |
| JP (1) | JP4754080B2 (ja) |
| KR (1) | KR100570250B1 (ja) |
| CN (1) | CN1322558C (ja) |
| TW (1) | TW588402B (ja) |
| WO (1) | WO2002073675A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200038399A (ko) * | 2018-10-03 | 2020-04-13 | 주식회사 코윈디에스티 | 가스 유량 조절 장치 및 이를 이용하는 레이저 화학기상증착 장치 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4663059B2 (ja) * | 2000-03-10 | 2011-03-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置のクリーニング方法 |
| KR100474565B1 (ko) * | 2002-08-30 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 소스 가스 공급 방법 및 장치 |
| JP5259125B2 (ja) * | 2006-08-24 | 2013-08-07 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体 |
| CN103028564A (zh) * | 2011-09-30 | 2013-04-10 | 金宝电子（中国）有限公司 | 溶液供应单元、清洁系统及其清洁方法 |
| JP6154677B2 (ja) * | 2013-06-28 | 2017-06-28 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法及び処理装置 |
| WO2015084825A1 (en) * | 2013-12-02 | 2015-06-11 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for in-situ cleaning of a process chamber |
| JP5762602B1 (ja) * | 2014-06-24 | 2015-08-12 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
| US20160362782A1 (en) * | 2015-06-15 | 2016-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Gas dispenser and deposition apparatus using the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0945662A (ja) * | 1995-07-26 | 1997-02-14 | Sony Corp | ペロブスカイト型酸化物薄膜のプラズマエッチング方法 |
| JPH10335318A (ja) * | 1997-05-29 | 1998-12-18 | Toshiba Corp | 半導体製造装置のクリーニング方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5149704A (en) * | 1974-10-28 | 1976-04-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | Jikikirokubaitaino seiho |
| US4393092A (en) * | 1982-03-12 | 1983-07-12 | Motorola, Inc. | Method for controlling the conductivity of polyimide films and improved devices utilizing the method |
| JPS59218789A (ja) * | 1983-05-06 | 1984-12-10 | 信越化学工業株式会社 | フレキシブルプリント配線基板およびその製造方法 |
| KR900014625A (ko) * | 1989-03-20 | 1990-10-24 | 미다 가쓰시게 | 금속/유기 고분자 합성수지 복합체 및 이의 제조방법 |
| IL119598A0 (en) * | 1995-11-17 | 1997-02-18 | Air Prod & Chem | Plasma etch with trifluoroacetic acid or its derivatives |
| JP3689524B2 (ja) * | 1996-03-22 | 2005-08-31 | キヤノン株式会社 | 酸化アルミニウム膜及びその形成方法 |
| JPH10223614A (ja) * | 1997-02-12 | 1998-08-21 | Daikin Ind Ltd | エッチングガスおよびクリーニングガス |
| JP3039493B2 (ja) * | 1997-11-28 | 2000-05-08 | 日本電気株式会社 | 基板の洗浄方法及び洗浄溶液 |
| DE19833448C2 (de) * | 1998-07-24 | 2003-07-17 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Reinigung von CVD-Anlagen |
-
2001
- 2001-03-14 JP JP2001072711A patent/JP4754080B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-03-05 US US10/471,579 patent/US6893964B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-03-05 WO PCT/JP2002/002008 patent/WO2002073675A1/ja active Application Filing
- 2002-03-05 KR KR1020037011870A patent/KR100570250B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-03-05 CN CNB028054709A patent/CN1322558C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-03-07 TW TW091104273A patent/TW588402B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0945662A (ja) * | 1995-07-26 | 1997-02-14 | Sony Corp | ペロブスカイト型酸化物薄膜のプラズマエッチング方法 |
| JPH10335318A (ja) * | 1997-05-29 | 1998-12-18 | Toshiba Corp | 半導体製造装置のクリーニング方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200038399A (ko) * | 2018-10-03 | 2020-04-13 | 주식회사 코윈디에스티 | 가스 유량 조절 장치 및 이를 이용하는 레이저 화학기상증착 장치 |
| KR102128169B1 (ko) * | 2018-10-03 | 2020-06-29 | 주식회사 코윈디에스티 | 가스 유량 조절 장치 및 이를 이용하는 레이저 화학기상증착 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6893964B2 (en) | 2005-05-17 |
| WO2002073675A1 (fr) | 2002-09-19 |
| CN1322558C (zh) | 2007-06-20 |
| TW588402B (en) | 2004-05-21 |
| JP4754080B2 (ja) | 2011-08-24 |
| US20040115951A1 (en) | 2004-06-17 |
| KR20030083730A (ko) | 2003-10-30 |
| KR100570250B1 (ko) | 2006-04-12 |
| CN1620717A (zh) | 2005-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7737005B2 (en) | Method for forming Ti film and TiN film, contact structure, computer readable storing medium and computer program | |
| TWI446404B (zh) | 半導體裝置的製造方法、清潔方法及基板處理裝置 | |
| JP4449226B2 (ja) | 金属酸化膜の改質方法、金属酸化膜の成膜方法及び熱処理装置 | |
| US20150221529A1 (en) | Gas supply method and thermal treatment method | |
| TWI559369B (zh) | A substrate processing apparatus, a manufacturing method and a program for a semiconductor device | |
| JP2010028094A (ja) | 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法 | |
| JP5208756B2 (ja) | Ｔｉ系膜の成膜方法および記憶媒体 | |
| US20080064227A1 (en) | Apparatus For Chemical Vapor Deposition and Method For Cleaning Injector Included in the Apparatus | |
| TWI798371B (zh) | 使用水解之選擇性沉積 | |
| JP4754080B2 (ja) | 基板処理装置のクリーニング方法及び基板処理装置 | |
| JP2002035572A (ja) | 真空処理装置と多室型真空処理装置 | |
| KR100989028B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 | |
| KR102358308B1 (ko) | 기판 처리 장치, 인젝터 내의 파티클 제거 방법 및 기판 처리 방법 | |
| JP4348835B2 (ja) | クリーニング方法 | |
| WO2005054543A1 (ja) | クリーニング方法 | |
| JP3527231B2 (ja) | 基板処理装置のクリーニング方法 | |
| JP2004197219A (ja) | 成膜方法 | |
| US7229917B2 (en) | Film formation method and apparatus for semiconductor process | |
| US20050139234A1 (en) | Method of cleaning substrate processing apparatus and computer-readable recording medium | |
| WO2003004722A1 (fr) | Procede de nettoyage de cuve de reaction et systeme de depot de film | |
| JP5568342B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理システム | |
| JP4529261B2 (ja) | 複合金属酸化物膜の除去方法、クリーニング方法及びエッチング方法 | |
| JP2006108595A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001308087A (ja) | 成膜方法及び成膜装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080313 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080313 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110308 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110428 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110524 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110525 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140603 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |