TW588402B

TW588402B - Cleaning method of substrate treating apparatus, and substrate treating apparatus

Info

Publication number: TW588402B
Application number: TW091104273A
Authority: TW
Inventors: Yasuhiro Oshima
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2001-03-14
Filing date: 2002-03-07
Publication date: 2004-05-21
Also published as: CN1322558C; US20040115951A1; JP2002270597A; JP4754080B2; KR20030083730A; WO2002073675A1; CN1620717A; US6893964B2; KR100570250B1

Description

1 B7 五、發明説明（發明的技術領域

發明背景

置（CVD處理裝置）。 '間％為“晶圓，，）表面上形成例如有化學氣相沈積處理裝在CVD處理裝置中

物質的薄膜。唯，在晶圓上形成絕緣性物質薄膜後，處理室内壁及試料台上會附著有絕緣性物質。如果放任附著於該處理室内壁及试料台的絕緣性物質的話，在形成晶圓薄膜的過程中，有牯會因為絕緣性物質由處理室内壁及試料台剝落，導致晶圓文到污染。為了防止類似晶圓污染的情況發生，有必要貫施可去除處理附著於室内壁及試料台上之絕緣性物質的清潔處理。目前之清潔處理，已有人提出利用C1F3、NF3、或C2F6 之類的氟系清潔氣體，去除絕緣性物質。在此方法中，係將例如鈦酸鍅酸鉛（pb( Zr，Ti) 〇3 :以下簡稱為PZT)或鈦酸鋇锶（（Ba，Sr)Ti〇3 :以下簡稱為BST) 等絕緣性物質所含之各物質加以轉換成氟化物後去除。唯，上述所含物質中，特別以鉛（pb)、锆（Zr)、鋇 (Ba)、錄（Sr)之氟化物的蒸氣壓偏低。為此，如欲去除上本紙狀度中家鮮(CNS) M規格(_χ挪公羡) 588402 A7

述物質之絕緣性物質時 600°C以上之高溫。必須將處理室内的溫度提高至。n月潔時之處理室内的溫度（清潔溫度）維持在 600 C以上㈣，處理室内壁、試料台及密封環等必須均採用不會在600。。以上之清潔溫度中軟化的材料，在現實此外，即使以600°C進行清潔理室内殘留氟化物之問題。發明概述氟類清潔氣體會導致處本發明之目的在於解決上述以往之問題，藉由提供一種 f板處理裝置之清潔方法及基板處理裝置，以在低溫下確實去除附著於處理室内之絕緣性物質。本發明之基板處理裝置之清潔方法，其特徵為包含：錯，物形成工序，其係藉由將含有具有羧基之化合物的清^ 軋體，供應至用以對基板進行處理之基板處理裝置的處理室内，藉以錯合物化附著於處理室内之絕緣性物質；及錯合物排放工序，其係藉由處理室内之排氣處理，以使絕緣性物質之錯合物排放至處理室外。其中之錯合物形成工序’係同時或於錯合物排放工序之前進行。由於本發明之基板處理裝置之清潔方法中，包含錯合物形成工序，可藉由將含有具有羧基之化合物的清潔氣體，供應至用以對基板進行處理之基板處理裝置的處理室内，藉以錯合物化附著於處理室内之絕緣性物質，因此能夠以低溫形成絕緣性物質之錯合物。結果，相較於利用氟類清

裝訂

五、發明説明（ 3 ) 糸氣γ的方法，能在低溫下，確實去除絕緣性物質。 ^上j錯合物形成工序，例如係在錯合物排放工序前實鞑藉由在錯合物排放工序前實施錯合物形成工序，可使清潔用氣體到達處理室内的每-個角 >落。結果，可確實地去除絕緣性物質。上述錯口物形成工序及錯合物排放工序，最好能夠交互重覆實施。藉由交互重覆實施錯合物形成工序及錯合物排放工序可彳放底進行錯合物化及排放處理，因此能有效率地去除絕緣性物質。述、a a物开7成工序，係以直接使絕緣性物質錯合物化 =工序為佳。藉由使絕緣性物質直接錯合物化，可減少清潔過程的工序數，而以得在短時間内去除絕緣性物質。上述絕緣性物質，例如為其氟化物之蒸氣壓在600。〇時 = 1.33Xl〇3Pa以下之物質。利用本發明之清潔方法，即使絕緣性物質為其氟化物之6〇〇t：蒸氣壓為ΐ33χΐ〇3以以下之物質，仍可確實能夠將該絕緣性物質由處理室内去除。上述絕緣性物質為例如含有鉛、锆及鈦之物質或含有鋇、勰及鈦之物質。利用本發明之清潔方法，即使絕緣性物質為含有鉛、鍅及鈦之物質或含有鋇、鳃及鈦之物質，也能夠確實將絕緣性物質由處理室内去除。上述具有羧基之化合物，以具有直接與羧基鍵結之含鹵原子烧基者為佳。含有羧基之化合物，藉由具有與羧基直接鍵結之含_原子烷基，可提高與絕緣性物質的反應性。上述含有羧基之化合物，係以三氟乙酸（CF3C〇〇h)為 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 588402 A7

線 588402 A7 B7 五、發明説明（） 5 1 直剖面圖。圖2為模式性地顯示第一實施形態之CVD處理裝置包含之處理氣體供應系統及清潔氣體供應系統之圖。圖3為利用第一實施形態之CVD處理裝置進行之成膜流程之流程圖。圖4為利用第一實施形態之CVD處理裝置進行之清潔流程之流程圖。圖5 A及圖5B為模式性地顯示有關第一實施形態之清潔工序之圖。圖6為以圖表顯示第一實施例之CVD處理裝置之試料台溫度與PZT之去除率間之關係之圖。圖7為以圖表顯示第二實施例之CVD處理裝置内之壓力與PZT之去除率間之關係之圖。圖8為利用第二實施形態之CVD處理裝置進行之清潔流程之流程圖。圖9A及圖9B為模式性地顯示有關第二實施形態之清潔工序之圖。圖10為利用第三實施形態之CVD裝置實施之清潔流程之流程圖。發明之最佳實施形態 (第一實施形態）以下說明本發明之第一實施形態之基板處理裝置。本實施例中之基板處理裝置，係以能夠在晶圓之被覆膜上以化學方式形成薄膜之CVD處理裝置為例來加說明。 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

裝

588402 A7 _______Β7 五、發明説明（）圖1為模式性地顯示本實施形態之Cvd處理裝置之垂直剖面圖。如圖1所示，CVD裝置1具有例如以鋁或不銹鋼製成立呈類圓筒狀之處理室2。處理室2具有可分離成上下兩部之構造，且在分離之兩部份間配置有密封環3。處理室2的天花板部份上，隔著密封環5，配置有噴頭 4。藉由對噴頭4内供應可在晶圓w之被覆膜上形成例如 PZT或BST類之絕緣性物質薄膜之處理氣體、及用以去除在成膜時附著於處理室2内之絕緣性物質之清潔氣體，以對處理室2内供應處理氣體及清潔氣體。喷頭4具有中空構造，且噴頭4之下部内形成有複數個吐出孔6。藉由形成複數個吐出孔6，供應至噴頭4内之處理氣體及清潔氣體，會在噴頭4内擴散，而均勻地在噴頭4及後述之試料台19間吐出。妓噴頭4之上部，係連接有用以供應處理氣體之處理氣體供應系統7及用以供應清潔氣體之清潔氣體供應系統9。處$室2之底部，連接有用以對處理室2内實施真空排氣 =真空排氣系統10。真空排氣系統10主要係由渦輪分子泵或乾^泵類之真空泵Π、連接在真空泵u與處理室2底部之2氣管12、配置於排氣管12中且藉由開關來開始或停止 2空排氣之截止閥13、及配置於排氣管12且藉由開關來調即處理至2内壓力之調壓閥14。藉由使真空泵丨丨動作，可使處理室2進行真空排氣。处理至2上，纏繞著用以加熱處理室2之電阻發熱體1 $。此外，處理室2的側壁上，設有開口。在該開口緣^上， -9 - 本紙張尺度適财_家料(CNS) A4規格(⑽X 297公爱) 588402 五、發明説明（7 ) 隔著密封環i7’配置有可在對處理室2搬入搬出晶圓w0夺開閉之閘閥16。處理^ 2上，連接有噴氣氣體供應系統18，用以供應例士為氮氣之喷氣氣體。ϋ由對處理室2内供應喷氣氣體，可使施以真空排氣之處理室2内的壓力恢復至大氣壓。位於處理室2内之噴頭4的相對位置上，設置有用以放置曰曰圓w之約略呈圓板狀之試料台19。試料台㈣例如以氮化紹、氮切、非晶質石墨或合成石墨形成。在將晶圓％置於試料台19的狀態下，藉由供應處理氣體，可在晶圓w 之被覆膜上形成絕緣性物質薄膜。試料台19内’設置有例如為電阻發熱體或加熱燈等之試料台加熱構件。藉由試料台加熱構件對試料台Μ進行力熱，可使試料台19加熱至指定之溫度。在本實施形態中，° 係以電阻發熱體2G做為試料台加熱構件的情況為例進行說電阻發熱體20,，經由引線，與設置於處理室2“ 部電源21連接。藉由外部電源21流向電阻發熱體之流’可使電阻發熱體20發熱。在試料台19上的例如3個位置上，分別彡 1工刀別形成有垂直方向之升降孔22。在升降孔22之下方，共設w古又置有3支可升降之升降支桿23。升降支桿23藉由未圖示、吖降裝置之驅動而升降，可將晶圓w置於試料台19或與試料台19分開。升降支桿23雖然貫穿處理室2,唯處理室2之^穿° 置有伸縮自如之金屬製伸縮軟管24’因此仍可保持處理； 588402

2内之氣密性。卢詳細說明本實施形態之CVD處理裝置1包含之处糸統7及清潔氣體供應系統9。圖2為本實施例之 ::處理名置!包含之處理氣體供應系統7及清潔供應系統9之模式圖。 /女圖2所示，處理氣體供應系統7具有之配管72，其一端二二噴員4之上端連接，另一端則與例如儲存有氯氣等之運載氣體的運載氣體儲槽71連接。以下說明内容中’將與嘴頭4連接之-側稱為下游側，與運載氣體儲槽η連接之一側為上游側。曰曰圓W之被覆膜上，如欲形成ρζτ薄膜做為絕緣性物質犄，配管72係如圖2所示，經由後述之處理氣體混合器 82 ’分成3個系統。分成3個系統之配管ΜΑ、72Β及72C 上，分別有用以儲存構成處理氣體之原料例如鉛類原料、錯類原料、及鈦類原料之原料儲槽73A、7把及73(：,經由第一旁通管74A、74B及74C以及位於第一旁通管74A、74B _及74C下游側之第二旁通管75A、75B及75C連接。原料儲槽73 A中，例如儲存有為鉛類原料之固體原料的 (Pb( DPM)2)。原料儲槽73B則儲存有例如錯類原料之液體原料的Zr(t-OC4H9)4。原料儲槽73C則儲存有鈦類原料之液體原料的Ti(i-OC3H7)4。第一旁通管74A、74B及74C上，分別配置有閥76A、76B 及76C，第二旁通管75A、75B及75C上，則分別設置有閥 77A、77B及77C。閥76A、76B及76C開放的狀態下，經由 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 588402 A7 B7 五、發明説明（9 ) 第一旁通管74A、74B及74C ’藉由將運載氣體供應至原料儲槽73A、73B及73C，可使原料儲槽73A、73B及73C儲存之原料起泡而氣化。上述氣化之原料，係經由第二旁通管 75A、75B及75C而供應至配管72A、72B及72C。第一旁通管74 A、74B及74C上游侧之配管72 A、72B及 72C上，分別設置有用以調節運載氣體之質量流量控制器 78A、78B及 78C、以及閥 79A、79B及 79C。第二旁通管75A、75B及75C下游側之配管72A、72B及 72C上，則設置有用以調節原料儲槽73A、73B及73C内壓力之針閥80A、80B及80C。再者，第一旁通管74A、74B及74C及第二旁通管75A、 75B及75C之間的配管72A、72B及72C上，貝J設置有閥 81A、81B 及 81C。分別配置於3個系統之配管72A、72B及72C，係與處理氣體混合器82連接，且該處理氣體混合器可將氣化之原料以指定比例進行混合而產生處理氣體。處理氣體混合器82下游側之配管72上，設置有閥83，用以使混合而成之處理氣體以指定流量供應至喷頭4。清潔氣體供應系統9在構造上，大致與上述處理氣體供應系統7相同。即，如以設置有喷頭4之一側為下游側，且以設置有用以儲存運載氣體之運載氣體儲槽91之一側為下游側的話，由上游側至下游側來看，配管92上設置有闊 93、質量流量控制器94、閥95、及針閥96。質量流量控制器94與閥95間之配管92上，連接有第一旁 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 裝訂

五、發明説明（10 ) 通管97。閥95與針閥96之間的配管92上，連接有第二旁通管98。第一旁通管97上配置有閥99，第二旁通管98上設置有閥100。此外，第一旁通管97及第二旁通管98上，連接有用以儲存羧酸（含羧基化合物）之羧酸儲槽1〇1。在此之羧酸，例如三氟醋酸（TFA)般，以具有直接與羧基鍵結之含鹵原子烷基的羧酸為佳。至於以此類羧酸為佳之原因，在於_原子之誘導效應較大，因此使得羧基内之氧原子的電子密度變小，而使與該氧原子連結之氫原子易解離成為氫離子之故。上述解離反應愈容易，該羧酸的反應性會愈高。閥99開放的狀態下，藉由經第一旁通管97，將運載氣體供應至羧酸儲槽101内，使得儲存於羧酸儲槽1〇丨内之羧酸會起泡而氣化。氣化之羧酸將做為清潔氣體，經由第二旁通管98及配管92而供應至噴頭4内。接著，說明本實施形態之CVD處理裝置1實施之成膜工序及CVD處理裝置1之清潔工序的流程。此外，在此成膜工序及清潔工序中，將假設真空泵11處在動作狀態中。圖3為本實施形態之C v D處理裝置1實施之成膜流程的流程圖，而圖4為本實施例之CVD處理裝置1實施之清潔流程的流程圖。圖5為本實施例之清潔工序之模式圖。首先，說明CVD處理裝置1實施之成膜工序（步驟丨）。首先’由未圖示之外部電源將電流供應至電阻發熱體丨5，同日守由外σ卩電源2 1供應電流至電阻發熱體2 〇，使得處理室2 及試料台19加熱至成膜溫度（步驟1 (υ)。 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公复) 588402 A7 --——--__ 五、發明説明（“）處理室2及試料台19加熱至成膜溫度後，閘閥16開放，並藉由未圖不之搬運機械臂將尚未形成絕緣性物質薄膜的晶圓w，搬入處理室2内。搬入處理室2内的晶圓w在置於升起之升降支桿23上後，藉由使升降支桿23下降，而將晶圓W置於試料台19上（步驟丨。晶圓w在置於試料台19上後，在閥79A、79b、79c、閥 76A、76B、76C、閥 77A、77B、77C、針閥 8〇A、_、 80C、及閥83開放的同時，藉由質量流量控制器、 78B、78C調節運載氣體之流量，將運載氣體供應至原料儲槽73A、73B、73⑶。該供應之運載氣體將使原料儲槽 73A、73B及73C内之原料起泡而氣化。氣化之各原料，將導入處理氣體混合器82，經由混合處理後，做為處理氣體供應至噴頭4内。接著，藉由使處理氣體由吐出孔6吐出，開始在晶圓W上形成絕緣性物質之薄膜。此外，在形成薄膜的過程中，截止閥13會開放，而對處理室2内進^真空排氣（步驟1 (3))。、其中，在晶圓W上形成絕緣性物質薄膜的過程中，絕緣性物質會附著於處理室2内，更具體而言，也會附著於例如處理室2内壁及試料台19。在晶圓w上形成絕緣性物質薄膜後，閥79a、、 79C、閥 76A、76B、76C、閥 77A、77B、77C、針閥 8〇A、 _、80C、及閥83會關閉，停止供應處理氣體，而結束絕緣性物質之薄膜（步驟1 ( 4))。薄膜形成處理結束後，升降支桿23升起，使晶㈣離開 -14-

588402 A7 B7

試料台19的同時，將對處理室内供應喷氣氣體。隨後，問閥16開啟，並以未圖示之搬運用機械臂將形成絕緣性物質薄膜的晶圓W由處理室2内.搬出（步驟1 ( 5))。接著，說明處理室2内之清潔工序（步驟2)。在形成絕緣性物質之薄膜的晶圓W由處理室2内搬出後，藉由電阻發熱體15使處理室2加熱至約300至500°C，最好至約375至 500 C (步驟2 ( 1A))。其中，之所以將處理室2溫度規定在約300至500°C的原因，在於如高於此溫度範圍時，供應之羧酸會因為分解而使其清潔效率下滑。此外，如低於上述溫度範圍時’將無法有效去除附著於處理室2内壁及試料台19的絕緣性物質。處理室2加熱至約300°C至500°C後，在閥93、閥99、閥 100、及針閥96開放之同時，以質量流量控制器94調節運載氣體之流量，將運載氣體供應至敌酸儲槽1 〇丨内。該運載氣體會使羧酸儲槽101内之羧酸起泡而氣化。經由起泡而氣化之羧酸，將做為清潔氣體而供應至噴頭4 ,並由喷頭4之吐出孔6吐出。尚且，由吐出孔6吐出之清潔氣體會在處理室2内擴散，開始進行處理室2内的清潔。此外，在本實施例中，截止閥1 3係在開放狀態，一面進行真空排氣一面進行清潔（步驟2 ( 2 A))。在此，具體說明在清潔過程中產生之現象。首先，藉由清潔氣體在處理室2内擴散，清潔氣體會接觸到附著於處理室2内之絕緣性物質。清潔氣體接觸到絕緣性物質時，清潔氣體會與絕緣性物質產生反應，而如圖5 A所示一般， -15- 588402

形成絕緣性物質的錯合物UG。此外，處理室⑽，由於使截止閥13 P幵’放而進行真空排氣處理，目此該絕緣性物質之錯。物110將輕易地氣化而與處理室2内壁及試料台19分離再者刀離之絕緣性物質之錯合物丨10，如圖5B所示痛又將迅速地經由排氣管12而由處理室2排出，藉此去除處理室2内之絕緣性物質。此外，實施真空排氣處理時之處理室2内之壓力，以保持在/ 33X10 至 1 33X104 帕（Pa)為佳，且以 1,33><1()3 至 6.65 XL為更佳。之所以將處理室2内的壓力規定成以ΐ33χ 10至1·33χ104帕為佳之原目，在於如高於此壓力範圍時，絕緣性物質之錯合物將難以氣化。此外，如低於上述壓力粑圍時，附著於處理室2内壁及試料台19之絕緣性物質與清潔氣體間的衝突頻率會下滑，而難以有效產生絕緣性物質之錯合物。在充份去除附著於處理室2内之絕緣性物質後，將藉由 =閉閥93'閥97、閥99及針閥96 ’停止運載氣體及清潔氣體之供應，結束處理室2内之清潔（步驟2 (3Α))。 ^實施形態中於能夠藉“切酸之清潔氣體供應 ^理室2,形成絕緣性物質之錯合物，因此可在低溫條牛下，確實地去除附著於處理室2内之絕緣性物質。亦即’由於絕緣性物質之錯合物的蒸氣壓，高於同溫产下之絕緣性物質之氟化物的蒸氣壓，目此即使在赋以 :::溫’也能夠使絕緣性物質氣化，而在低溫下去除附耆於處理室2内之絕緣性物質。裝訂

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此*外’即使在絕緣性物質中包含其6〇(TC氟化物蒸氣壓在1· 33 X 1〇3帕以下之難以藉由形成氟化物而去除之物質時’也能藉由形成錯合物，確實使該絕緣性物質氣化而由處理室2内去除。本實施形態中，由於一面開放截止閥丨3進行真空排氣，一面進行清潔作業，因此在絕緣性物質在錯合物化後能立刻氣化，而能夠將該絕緣性物質由處理室2内去除。在匕夕卜’由於藉由清潔氣體使絕緣性物質直接錯合物化，因此可減少實施進行清潔作業時所需的工序數，能夠在短時間内，輕易地由去除附著於處理室2之絕緣性物質。再者’如以三氟醋酸做為羧酸來使用時，由於清潔氣體與絕緣性物質間的反應性會提高，因此更能夠有效地將絕緣性物質由處理室2内去除，且能夠降低成本。 (第一實施例）以下說明第一實施例。本實施例中，係利用第一實施形態中說明之CVD處理裝置1，測定使用PZT做為絕緣性物質時之相對於溫度之PZT之去除率。以下說明測定條件。本實施例中，並非對附著於CVD處理裝置内壁及試料台上之PZT進行去除，而係藉由將形成有Ρζτ薄膜之晶圓置於CVD處理裝置内的試料台上，利用清潔氣體去除形成於晶圓上之ΡΖΤ薄膜。此外’清潔氣體係使用氣化之三氟醋酸，而以3〇〇 scem 之流量，將三氟醋酸供應至處理室内。再者，在以1〇〇 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 588402 A7

seem之$量，將氮氣供應至處理室内，同時藉由調節調壓闕’使得處理室内之壓力保持在約3·33χ1〇3帕。在使處理室内保持在上述狀態下，變更溫度進行1〇分鐘之清潔作業。以下說明測定結果。圖6為本實施例之CVD處理裝置内之試料台溫度與之去除率間的關係圖表。如圖6所示，可以確認在3〇(rc至 400°C時之PZT去除率上升。 (第"一貫施例）以下說明第二實施例。本實施例中，係利用第一實施形態中說明之CVD處理裝置1，測定使用PZT做為絕緣性物質時之相對於壓力之ρζτ 去除率。以下說明測定條件。本實施例中，如上述第一實施例一般，係藉由將形成有 ΡΖΤ薄膜之晶圓置於CVD處理裝置内的試料台上，利用清潔氣體去除形成於晶圓w上之ΡΖΤ薄膜。此外，清潔氣體係使用氣化之三氟醋酸，而以3〇〇 sccm 之流量，將三氟醋酸供應至處理室内。再者，在以100 seem之流量，將氮氣供應至處理室内，同時藉由電阻發熱體，使試料台保持在400°C之溫度。在使處理室内保持在上述狀態下，變更壓力進行1 〇分鐘之清潔作業。以下說明測定結果。 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 588402

圖7為本實施例之CVD虛拽姑：r匕慝理裝置内之壓力與PZT之去除率間的關係圖表。如圖7所示，可湓π々两口# ’、

了確5心在壓力保持在約3 3 3 X 103帕時，ΡΖΤ去除率為最大。 '' . (第二實施形態）以下說明本發明之第態之後的實施形態中，將省略其相關說明。一貫施形態。此外，以下本實施形如有與之前實施形態重複之内容，本實施形態中，將以清潔氣體儲存於處理室内後，再進行處理室内之真空排氣的情況為例進行說明。圖8為本實施形態之CVD處理裝置之清潔作業流程之流程圖，圖9為本貫施形態之CVD處理裝置之清潔工序之模式圖。此外，在形成有絕緣性物質薄膜之晶圓w搬出處理室2 内後，以纏繞在處理室2上之電阻發熱體丨5，對處理室2進行加熱（步驟2 (1B))。在加熱處理室2後，開放閥93、閥99、閥1〇〇、及針閥 96，將清潔氣體供應至處理室2内（步驟2 ( 2B))。該清潔氣體在處理室2内擴散，接觸到附著於處理室2内之絕緣性物質時，會如圖9 A所示一般，形成絕緣性物質的錯合物110。在此，本實施形態中，截止閥13處在關閉狀態’供應至處理室2内之清潔氣體，將不會排氣而儲存於處理室2内。在絕緣性物質充份形成錯合物110後，將關閉閥93、閥 99、閥1〇〇及針閥96，停止運載氣體及清潔氣體之供應。此外，藉由開放截止閥13，對處理室2内進行真空排氣（步 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 588402 A7 B7 五、發明説明（驟2 (3B))。藉由該真空排氣處理，該絕緣性物質之錯合物n0將氣化，而如圖9B所示一般地與處理室2内壁及試料台19分離，同時將迅速地經由排氣管12而由處理室2排出。之後，在充份地將絕緣性物質之錯合物排出處理室2外後，結束清潔作業。在本實施形態中，由於係在使清潔氣體充滿處理室2内之後，再對處理室2内進行真空排氣，因此清潔氣體可達到處理室2内的每一個角落，可更確實地去除附著於處理室2内之絕緣性物質。此外，由於係在使清潔氣體充滿處理室2内之後，再對處理室2内進行真空排氣，因此可節省清潔氣體的用量，有助於降低成本。 (第三實施形態）以下說明第三實施形態。本實施形態中，將以反覆執行使清潔氣體充滿處理室内之後，再對處理室内進行真空排氣等之一連串處理為例進行說明。圖1〇為本實施形態之 CVD處理裝置之清潔流程之流程圖。如圖10所示，在形成有絕緣性物質薄膜之晶圓w搬出處理室2内後，以電阻發熱體15，對處理室2進行加熱（步驟之 (1C))。在加熱處理室2後，開放閥93、閥99、閥1〇〇、及針閥 96，將清潔氣體供應至處理室2内。藉由該清潔氣體，附著於處理室2内之絕緣性物質將會形成錯合物（步驟之 -20-

18588402 五、發明説明（ (2C))。及it緣6性錯合物後’ _閉閥93、閥99、閥100 13，二理内月’錢體之供應。此外’ #由開放截止閥 13，對處理至2内進行真空排氣（步驟2(3〇)。在充份地將絕緣性物質之錯合物排出處理室認附著於處理室2内之絕緣性物f的量（步驟2 ( 述確:作業可藉由直接確認處理室2内壁上之絕緣性物質之附著狀態、或依形成於監視用晶圓上之絕緣性物質薄膜的殘留量來進行確認。料，也可利用設置於處理室2上未圖示之觀察窗，藉由紅外線分光法來進行確認。依對處理室2内附著之絕緣性物質之量的確認結果，如確認已充份去除附著於處理室2内之絕緣性物質時，姓清潔作業。 ϋ 相反地依對處理室2内附著之絕緣性物f之量的確認結果，確認未能充份去除附著於處理室2内之絕緣性物質時，則反覆實施上述步驟2 (2C)至步驟2 (4C)之操作，直至充份去除附著於處理室2内之絕緣性物質止。本實施形態中，由於係反覆實施使清潔氣體充滿處理室 2内之後，再對處理室2内進行真空排氣之一連串處理，因此可充份進行錯合物化及排氣，有效率地去除附著於處理室2内之絕緣性物質。此外，本發明並不侷限於上述第一至第三實施形態之内容，在本發明旨意的範圍内，可適當地變更其構造、材質及各構件之配置等。例如，在第一至第三實施形態中，雖裝訂線 21 - 本紙痕尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 588402 A7 B7 五、發明説明（19 ) 然以利用熱能之CVD處理裝置1做為CVD處理裝置來進行說明，唯也可採用利用電漿之CVD處理裝置。此外，在第一至第三實施形態中，雖然以CVD處理裝置 1做為基板處理裝置進行說明，唯也可適用物理氣相沈積處理裝置（PVD處理裝置）、及如電鍍處理裝置般的成膜裝置、蝕刻處理裝置、或化學性機械性研磨處理裝置（CMP 處理裝置）。此外，在第一至第三實施形態中，雖以晶圓W做為基板來進行說明，唯也可適用LCD玻璃基板。產業上之適用性本發明之基板處理裝置之清潔方法及使用其之基板處理裝置，可適用於半導體製作產業。 -22· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 588402 A7 B7 五、發明説明（【元件符號說明】 1 CVD裝置 75B第2旁通管 2 處理室 75C第2旁通管 3 密封環 76A閥 4 噴頭 76B閥 5 密封環 76C閥 6 吐出孔 77A閥 7 處理氣體供應系統 77B閥 9 清潔氣體供應系統 77C閥 10 真空排氣系統 78A質量流量控制器 11 真空泵 78B質量流量控制器 12 排氣管 78C質量流量控制器 13 截止閥 79A閥 14 調壓閥 79B閥 15 電阻發熱體 79C閥 16 閘閥 80A針閥 17 密封環 80B針閥 18 喷氣氣體供應系統 80C針閥 19 試料台 81A閥 20 電阻發熱體 81B閥 21 外部電源 81C閥 22 升降孔 82處理氣體混合器 23 升降支桿 83閥 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 588402 A7 B7 五、發明説明（21 ) 24伸縮軟管 91 運載氣體儲槽 71運載氣體儲槽 92 配管 72配管 93 閥 72A配管 94 質量流量控制器 72B配管 95 閥 72C配管 96 針閥 73 A原料儲槽 97 第1旁通管 73B原料儲槽 98 第2旁通管 73C原料儲槽 99 閥 74A第1旁通管 100 閥 74B第1旁通管 101羧酸儲槽 74C第1旁通管 110絕緣性物質錯合物 75A第2旁通管 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 x 297公釐)

Claims

1· 一種基板處理裝置之清潔方法，其特徵為包含：錯合物形成工序，其係將含有具有羧基之化合物的清潔氣體，供應至用以對基板進行處理之基板處理裝置= 處理室内，藉以錯合物化附著於處理室内之絕緣性物質；巧及錯合物排放工序，其係藉由處理室内之排氣處理，以使絕緣性物質之錯合物排放至上述處理室外。 2·如申請專利範圍第1項之基板處理裝置之清潔方法，其中上述錯合物形成工序係先於上述錯合物排放工序實施。 3·如申請專利範圍第1項之基板處理裝置之清潔方法，其中上述錯合物形成工序與上述錯合物排放工序係反覆交互實施。 4·如申請專利範圍第1項之基板處理裝置之清潔方法，其中上述錯a物形成工序係直接使上述絕緣性物質錯合物化。 5.如申請專利範圍第丨項之基板處理裝置之清潔方法，其中上述絕緣性物質為其氟化物之蒸氣壓在6⑼。c時為丨.33 X 103 Pa以下之物質。 6·如申請專利範圍第丨項之基板處理裝置之清潔方法，其中上述絕緣性物質為含有鉛、鍅及鈦之物質或含有鋇、鳃及鈦之物質。 7.如申請專利範圍第1項之基板處理裝置之清潔方法，其中上述含羧基化合物，具有與上述羧基直接鍵結之含鹵

588402 申請專利範圍原子烷基。其 8·如申請專利範圍第7項之基板處理裝置之清潔方法，中上述含羧基化合物為三氟醋酸。 9.如申明專利範圍弟1項之基板處理裝置之清潔方法，中上述基板處理裝置為成膜裝置。 10· —種基板處理裝置，其特徵為包含：處理室；試料台，其配置於上述處理室内，用以置放基板；處理氣體供應系統，其係將用以在上述基板上形成緣性物質膜之處理氣體，供應至上述處理室内；排氣系統，其用以進行上述處理室之排氣；及清潔氣體供應系統，其係將用於進行清潔上述處 f内且具有含羧基化合物之清潔氣體，供應至上述處 11·如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中上述含基化合物，具有與上述羧基直接鍵結之含函原子烷基。 12·如申請專利範圍第u項之基板處理裝置，其中上基化合物為三氟醋酸。、 13. 如申請專利範圍第i項之基板處理裝置之清潔方法，』中於上述錯合物形成工序之上述絕緣性物質之錯合物4 係在上述處理室内以3〇〇°C以上5 00 t以下之溫度下y 14. 如申請專利範圍第1〇項之基板處理裝置，其中更包含如熱上述處理室内之加熱手段。 -2 本紙張尺度適财_家A4規格(210:97公董）