TW201608659A - 基板處理裝置，半導體裝置之製造方法，記錄媒體 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於提供一種即使在利用排氣緩衝室而進行氣體排氣之情形下，亦可形成良好特性之膜之技術。 本發明具有：處理空間，其對被載置在基板載置台之基板載置面上之基板進行處理；氣體供應系統，其自與基板載置面對向之側，將氣體供應至處理空間內；排氣緩衝室，其至少由具有在處理空間之側方而連通至該處理空間之連通孔、及延伸在將流通於連通孔之氣體的流動加以阻擋之方向的氣體流遮斷壁所構成；及第一加熱部，其被設置在氣體流遮斷壁。

Description

基板處理裝置，半導體裝置之製造方法，記錄媒體
本發明係關於一種基板處理裝置，半導體裝置之製造方法，記錄媒體。
通常，在半導體裝置之製造步驟中，係使用對晶圓等基板進行成膜處理等之製程處理之基板處理裝置。作為基板處理裝置，伴隨著基板之大型化與製程處理之高精度化等，逐片處理基板之單片式者有日漸普及之傾向。
在單片式裝置中，為了提高氣體之使用效率，例如有自基板處理面之上方供應氣體，而自基板之側方將氣體排氣之構成。於自側方進行排氣時，設置用以使排氣均勻之緩衝室。
於上述之排氣緩衝室雖然被供應有殘留氣體等，卻有因該殘留氣體而使膜附著於緩衝室之壁之虞。如此之膜產生逆流至處理室中，而有對基板之膜特性等產生不良影響之虞。
因此，本發明之目的在於提供一種即便於利用排氣緩衝室進行氣體排氣之情形時，亦可形成良好特性之膜之技術。
根據本發明一態樣，可提供一種技術，其具有：處理空間，其對被載置在基板載置台之基板載置面上之基板進行處理；氣體供應系統，其自與基板載置面對向之側，將氣體供應至處理空 間內；排氣緩衝室，其至少由具有在處理空間之側方而連通至該處理空間之連通孔、及延伸在將流通於連通孔之氣體的流動加以阻擋之方向的氣體流遮斷壁所構成；及第一加熱部，其被設置在氣體流遮斷壁。
根據本發明，即使在利用排氣緩衝室進行氣體排氣之情形下，亦可形成良好特性之膜。
100‧‧‧基板處理裝置(半導體製造裝置)
200‧‧‧晶圓(基板)
201‧‧‧處理空間
202‧‧‧處理容器
202a‧‧‧上部容器
202b‧‧‧下部容器
203‧‧‧搬送空間
204‧‧‧分隔板
205‧‧‧閘閥
206‧‧‧基板搬入搬出口
207‧‧‧升降銷
209‧‧‧排氣緩衝室
209a‧‧‧加熱器
209b‧‧‧側壁面(氣體流遮斷壁)
209c‧‧‧連通孔
209d‧‧‧內周面
210‧‧‧基板支撐部
211‧‧‧基板載置面
212‧‧‧基板載置台
213‧‧‧加熱器
214‧‧‧貫通孔
216‧‧‧溫度感測器
217‧‧‧軸
218‧‧‧升降機構
219‧‧‧伸縮軟管
221‧‧‧排氣孔
222‧‧‧第二排氣管
223‧‧‧APC
224‧‧‧真空泵
225‧‧‧加熱器
226‧‧‧溫度感測器；熱電偶
230‧‧‧噴灑頭
231‧‧‧蓋
232‧‧‧緩衝空間
233‧‧‧絕緣塊
234‧‧‧分散板
234a‧‧‧貫通孔
235‧‧‧氣體導件
236‧‧‧第三排氣管
236b‧‧‧惰性氣體供應源
237‧‧‧閥
238‧‧‧壓力調整器
239‧‧‧真空泵
241‧‧‧氣體導入口
242‧‧‧共通氣體供應管
243‧‧‧原料氣體供應系統
243a‧‧‧第一氣體供應管
243b‧‧‧原料氣體供應源
243c‧‧‧質量流量控制器
243d‧‧‧閥
244‧‧‧反應氣體供應系統
244a‧‧‧第二氣體供應管
244b‧‧‧反應氣體供應源
244c‧‧‧質量流量控制器
244d‧‧‧閥
244e‧‧‧遠距離電漿單元(RPU)
245‧‧‧淨化氣體供應系統
245a‧‧‧第三氣體供應管
245b‧‧‧淨化氣體供應源
245c‧‧‧質量流量控制器
245d‧‧‧閥
246a‧‧‧第一惰性氣體供應管
246b‧‧‧惰性氣體供應源
246c‧‧‧質量流量控制器
246d‧‧‧閥
247a‧‧‧第二惰性氣體供應管
247b‧‧‧惰性氣體供應源
247c‧‧‧質量流量控制器
247d‧‧‧閥
248a‧‧‧處理空間清潔氣體供應管
248b‧‧‧處理空間清潔氣體供應源
248c‧‧‧質量流量控制器
248d‧‧‧閥
249‧‧‧加熱器控制部
250‧‧‧溫度感測器
251‧‧‧整合器
252‧‧‧高頻電源
260‧‧‧控制器
261‧‧‧運算部
262‧‧‧儲存部
263‧‧‧第一排氣管
265‧‧‧TMP
圖1係關於發明一實施形態之單片式之基板處理裝置之概略構成圖。
圖2係示意地表示圖1之基板處理裝置中排氣緩衝室整體形狀之一具體例之立體圖。
圖3係示意地表示圖1之基板處理裝置中排氣緩衝室剖面形狀之一具體例之側剖面圖。
圖4係表示關於本發明一實施形態之基板處理步驟及清洗步驟之流程圖。
圖5係表示圖4中成膜步驟之細節之流程圖。
圖6係示意地表示圖2之排氣緩衝室之整體形狀之另一實施形態之立體圖。
<本發明一實施形態>
以下，對於本發明一實施形態，一邊參照圖式一邊進行說明。
(1)基板處理裝置之構成
本實施形態之基板處理裝置係構成為對作為處理對象之基板進行逐片處理之單片式之基板處理裝置。
作為處理對象之基板，例如可列舉裝入有半導體裝置(半導體元件)之半導體晶圓基板(以下，簡稱為「晶圓」)。作為對如此之基板所進行之處理，雖然可列舉有蝕刻、灰化、成膜處理等，但在本實施形態中，係特別針對進行成膜處理者。作為成膜處理之典型例，係有交替供應處理。
以下，對於本實施形態之基板處理裝置之構成，一邊參照圖1一邊進行說明。圖1係本實施形態之單片式之基板處理裝置之概略構成圖。
(處理容器)
如圖1所示，基板處理裝置100具備有處理容器202。處理容器202係構成為例如橫剖面為圓形之扁平的密閉容器。此外，處理容器202例如由鋁(Al)或不鏽鋼(SUS)等之金屬材料所構成。於處理容器202內形成有：處理空間201，其對作為基板之矽晶圓等之晶圓200進行處理；及搬送空間203，其係於將晶圓200搬送至處理空間201時，供晶圓200通過。處理容器202係由上部容器202a與下部容器202b所構成。於上部容器202a與下部容器202b之間，設置有分隔板204。
於上部容器202a內部之外周端緣附近，設置有排氣緩衝室209。於排氣緩衝室209，設置有用以加熱排氣緩衝室之加熱器209a。關於排氣緩衝室209之細節係如後所述。
於下部容器202b之側面，設置有鄰接於閘閥205之基板搬入搬出口206，晶圓200係經由基板搬入搬出口206而於與未圖示之搬送室間移動。於下部容器202b之底部，設置有複數個升降銷207。此外，下部容器202b係接地。
(基板支撐部)
於處理空間201內，設置有支撐晶圓200之基板支撐部210。基板支撐部210主要具有：基板載置面211，其載置晶圓200；基板載置台212，其於表面具備基板載置面211；及加熱器213(第二加熱部)，其係作為加熱源而被內包於基板載置台212。於基板載置台212，在與升降銷207對應之位置分別設置有供升降銷207貫通之貫通孔214。
基板載置台212係藉由軸217所支撐。軸217係貫通處理容器202之底部，並進一步在處理容器202之外部連接於升降機構218。藉由使升降機構218運作而使軸217及基板載置台212升降，可使被載置於基板載置面211上之晶圓200升降。此外，軸217下端部之周圍係由伸縮軟管219所覆蓋，處理容器202內被保持為氣密。
基板載置台212係於晶圓200之搬送時，使基板載置面211下降至與基板搬入搬出口206對向之位置(晶圓搬送位置)，而於晶圓200之處理時，如圖1所示般，使晶圓200上升至處理空間201內之處理位置(晶圓處理位置)。
具體而言，於使基板載置台212下降至晶圓搬送位置時，升降銷207之上端部係自基板載置面211之上表面突出，而成為升降銷 207自下方支撐晶圓200。又，於使基板載置台212上升至晶圓處理位置時，升降銷207係自基板載置面211之上表面埋沒，而成為基板載置面211自下方支撐晶圓200。此外，由於升降銷207係與晶圓200直接接觸，因此較佳為例如以石英或氧化鋁等材質所形成。
(噴灑頭)
於處理空間201之上部(氣體供應方向上游側)，設置有作為氣體分散機構之噴灑頭230。於噴灑頭230之蓋231設置有氣體導入口241，而於該氣體導入口241連接有後述之氣體供應系統。自氣體導入口241所導入之氣體，被供應至噴灑頭230之緩衝空間232。
噴灑頭230之蓋231係由具有導電性之金屬所形成，而作為用以在緩衝空間232或處理空間201內產生電漿之電極所使用。於蓋231與上部容器202a之間設置有絕緣塊233，而將蓋231與上部容器202a之間予以絕緣。
噴灑頭230具備有：分散板234，其用以分散經由氣體導入口241而自氣體供應系統所供應之氣體。該分散板234之上游側係緩衝空間232，而下游側係處理空間201。於分散板234設置有複數個貫通孔234a。分散板234係以與基板載置面211對向之方式配置。
於緩衝空間232，設置有形成所供應氣體之流動的氣體導件235。氣體導件235係呈以氣體導入口241作為頂點而直徑隨著朝向分散板234方向擴大之圓錐形狀。氣體導件235係以其下端位於較形成在分散板234最外周側之貫通孔234a更外周側之方式而形成。
(電漿產生部)
於噴灑頭230之蓋231，連接有整合器251、及高頻電源252。而且，利用高頻電源252、整合器251調整阻抗，藉此於噴灑頭230、處理空間201產生電漿。
(氣體供應系統)
於設置在噴灑頭230之蓋231之氣體導入孔241，連接有共通氣體供應管242。共通氣體供應管242係藉由對氣體導入孔241之連接而連通於噴灑頭230內之緩衝空間232。又，於共通氣體供應管242，連接有第一氣體供應管243a、第二氣體供應管244a、及第三氣體供應管245a。第二氣體供應管244a係經由遠距離電漿單元(RPU)244e而連接於共通氣體供應管242。
於該等之中，自包含第一氣體供應管243a之原料氣體供應系統243主要係供應有原料氣體，而自包含第二氣體供應管244a之反應氣體供應系統244主要係供應有反應氣體。自包含第三氣體供應管245a之淨化氣體供應系統245，於處理晶圓200時主要係供應有惰性氣體，而於清潔噴灑頭230或處理空間201時主要係供應有清潔氣體。此外，關於自氣體供應系統所供應之氣體，有時亦將原料氣體稱為第一氣體，反應氣體稱為第二氣體，惰性氣體稱為第三氣體，清潔氣體(處理空間201用)稱為第四氣體。
(原料氣體供應系統)
於第一氣體供應管243a，自上游方向依序設置有原料氣體供 應源243b、作為流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)243c、及作為開關閥之閥243d。而且，自第一氣體供應管243a，原料氣體係經由MFC243c、閥243d、共通氣體供應管242而被供應至噴灑頭230內。
原料氣體係為處理氣體之一，例如為包含Si(矽)元素之原料的SiCl6(Disilicon hexachloride；六氯化二矽，或是Hexachlorodisilane；六氯矽烷)氣體(即SiCl6氣體)。此外，作為原料氣體，在常溫常壓下為固體、液體、及氣體中之任一者皆可。於原料氣體在常溫常壓下為液體之情形時，在第一氣體供應源243b與質量流量控制器243c之間，只要設置未圖示之汽化器即可。此處係以氣體進行說明。
原料氣體供應系統243，主要係藉由第一氣體供應管243a、MFC243c、閥243d所構成。此外，原料氣體供應系統243亦可包含原料氣體供應源243b、及後述之第一惰性氣體供應系統。又，原料氣體供應系統243因為是供應處理氣體之一的原料氣體者，所以，為處理氣體供應系統之一。
於第一氣體供應管243a之較閥243d更下游側，連接有第一惰性氣體供應管246a之下游端。於第一惰性氣體供應管246a，自上游方向依序設置有惰性氣體供應源246b、作為流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)246c、及作為開關閥之閥246d。而且，自第一惰性氣體供應管246a，惰性氣體係經由MFC246c、閥246d、第一氣體供應管243a而被供應至噴灑頭230內。
惰性氣體因為係作為原料氣體之氣體載體而發揮作 用者，因此較佳為使用不與原料進行反應之氣體。具體而言，例如可使用氮(N2)氣。又，除了N2氣體以外，例如可使用氦(He)氣、氖(Ne)氣、氬(Ar)氣等之稀有氣體。
第一惰性氣體供應系統，主要係藉由第一惰性氣體供應管246a、MFC246c、及閥246d所構成。此外，第一惰性氣體供應系統亦可包含惰性氣體供應源236b、及第一氣體供應管243a。又，第一惰性氣體供應系統亦可包含於原料氣體供應系統243。
(反應氣體供應系統)
於第二氣體供應管244a，在下游設置有RPU244e。於上游，自上游方向依序設置有反應氣體供應源244b、作為流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)244c、及作為開關閥之閥244d。而且，自第二氣體供應管244a，反應氣體係經由MFC244c、閥244d、RPU244e、共通氣體供應管242而被供應至噴灑頭230內。反應氣體係藉由遠距離電漿單元244e成為電漿狀態，而被照射至晶圓200上。
反應氣體係為處理氣體之一，例如可使用氨(NH3)氣。
反應氣體供應系統244，主要係藉由第二氣體供應管244a、MFC244c、及閥244d所構成。此外，反應氣體供應系統244亦可包含反應氣體供應源244b、RPU244e、及後述之第二惰性氣體供應系統。又，反應氣體供應系統244因為是供應處理氣體之一的反應氣體者，所以為處理氣體供應系統之另一者。
於第二氣體供應管244a之較閥244d更下游側，連接有第二惰性氣體供應管247a之下游端。於第二惰性氣體供應管 247a，自上游方向依序設置有惰性氣體供應源247b、作為流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)247c、及作為開關閥之閥247d。而且，自第二惰性氣體供應管247a，惰性氣體係經由MFC247c、閥247d、第二氣體供應管244a、RPU244e而被供應至噴灑頭230內。
惰性氣體係作為反應氣體之氣體載體或稀釋氣體而發揮作用者。具體而言，例如可使用氮(N2)氣。又，除了N2氣體以外，例如亦可使用氦(He)氣、氖(Ne)氣、氬(Ar)氣等之稀有氣體。
第二惰性氣體供應系統，主要係藉由第二惰性氣體供應管247a、MFC247c、及閥247d所構成。此外，第二惰性氣體供應系統亦可包含惰性氣體供應源247b、第二氣體供應管243a、及RPU244e。又，第二惰性氣體供應系統亦可包含於反應氣體供應系統244。
(淨化氣體供應系統)
於第三氣體供應管245a，自上游方向依序設置有淨化氣體供應源245b、作為流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)245c、及作為開關閥之閥245d。而且，在基板處理步驟中，自第三氣體供應管245a，作為淨化氣體之惰性氣體係經由MFC245c、閥245d、共通氣體供應管242而被供應至噴灑頭230內。又，在處理空間清潔步驟中，作為清潔氣體之氣體載體或稀釋氣體之惰性氣體係根據需要而經由MFC245c、閥245d、共通氣體供應管242被供應至噴灑頭230內。
在基板處理步驟中，自淨化氣體供應源245b所供應 之惰性氣體係作為對貯留於處理容器202或噴灑頭230內之氣體進行淨化之淨化氣體而發揮作用。又，在處理空間清潔步驟中，亦可作為清潔氣體之氣體載體或稀釋氣體而發揮作用。具體而言，作為惰性氣體，例如可使用氮(N2)氣。又，除了N2氣體以外，例如亦可使用氦(He)氣、氖(Ne)氣、氬(Ar)氣等之稀有氣體。
淨化氣體供應系統245，主要係藉由第三氣體供應管245a、MFC245c、及閥245d所構成。此外，淨化氣體供應系統245亦可包含淨化氣體供應源245b、及後述之處理空間清潔氣體供應系統。
(處理空間清潔氣體供應系統)
於第三氣體供應管245a之較閥245d更下游側，連接有處理空間清潔氣體供應管248a之下游端。於處理空間清潔氣體供應管248a，自上游方向依序設置有處理空間清潔氣體供應源248b、作為流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)248c、及作為開關閥之閥248d。而且，在處理空間清潔步驟中，第三氣體供應管245a係將清潔氣體經由MFC248c、閥248d、及共通氣體供應管242而供應至噴灑頭230內。
自處理空間清潔氣體供應源248b所供應之清潔氣體係在處理空間清潔步驟中作為去除附著於噴灑頭230或處理容器202之副產生物等之清潔氣體而發揮作用。具體而言，作為清潔氣體，可使用例如三氟化氮(NF3)氣體。又，例如既可使用氟化氫(HF)氣體、三氟化氯氣體(ClF3)氣體、氟(F2)氣體等，亦可將該等組合而使用。
處理空間清潔氣體供應系統，主要係藉由處理空間清潔氣體供應管248a、MFC248c、及閥248d所構成。此外，處理空間清潔氣體供應系統亦可包含處理空間清潔氣體供應源248b、及第三氣體供應管245a。又，處理空間清潔氣體供應系統亦可包含於淨化氣體供應系統245。
(氣體排氣系統)
對處理容器202之環境氣體進行排氣之排氣系統具有：複數個排氣管，其連接於處理容器202。具體而言，其具有：第一排氣管(未圖示)，其連接於下部容器202b之搬送空間203；第二排氣管222，其連接於上部容器202a之排氣緩衝室209；及第三排氣管236，其連接於噴灑頭230之緩衝空間232。於第二排氣管222，設置有作為第三加熱部之加熱器225、及作為檢測第二排氣管222溫度之溫度檢測部之熱電偶226。加熱器225係以成為使流動於第二排氣管222之氣體為不附著至壁上之溫度的方式進行控制。
(第一氣體排氣系統)
第一排氣管(未圖示)係連接於搬送空間203之側面。於第一排氣管，設置有作為實現高真空或超高真空之真空泵的渦輪分子泵(TMP：Turbo Molecular Pump，未圖示)。又，在第一排氣管中，於TMP之上游側設置有作為搬送空間用第一排氣閥之閥。又，在第一排氣管中，於TMP之下游側亦設置有閥。此外，於第一排氣管，除了TMP亦可設置未圖示之乾式泵(DP：Dry Pump)。DP係於TMP運作時，作為其之輔助泵而發揮功能。亦即，TMP及DP係經由第 一排氣管，而將搬送空間203之環境氣體進行排氣。而且，於此時，由於作為高真空(或超高真空)泵之TMP難以單獨地進行至大氣壓為止的排氣，所以使用DP作為進行至大氣壓為止之排氣之輔助泵。
第一氣體排氣系統，主要係藉由第一排氣管、及閥所構成。此外，亦可將TMP、DP包含於第一氣體排氣系統。
(第二氣體排氣系統)
第二排氣管222係經由被設置於排氣緩衝室209之上表面或側方之排氣孔221，而被連接於排氣緩衝室209內。於第二排氣管222，設置有作為將連通於排氣緩衝室209之處理空間201內控制為既定壓力之壓力控制器之APC(Auto Pressure Controller；自動壓力控制器)223。APC223具有可調整開度之閥體(未圖示)，並根據來自後述之控制器260之指示而調整第二排氣管222之傳導度。在第二排氣管222中，於APC223之下游側設置有真空泵224。真空泵224係經由第二排氣管222而將排氣緩衝室209及連通於此之處理空間201之環境氣體進行排氣。又，在第二排氣管222中，於APC223之下游側或上游側、或者於該等雙方，設置有未圖示之閥。
第二氣體排氣系統，主要係藉由第二排氣管222、APC223、及未圖示之閥所構成。此外，亦可將真空泵224包含於第二氣體排氣系統。再者，真空泵224亦可共用第一氣體排氣系統中之DP。
(第三氣體排氣系統)
第三排氣管236係連接於緩衝空間232之上表面或側面。亦 即，第三排氣管236係連接於噴灑頭230，藉此連通於噴灑頭230內之緩衝空間232。於第三排氣管236設置有閥237。又，在第三排氣管236中，於閥237之下游側設置有壓力調整器238。再者，在第三排氣管236中，於壓力調整器238之下游側設置有真空泵239。真空泵239係經由第三排氣管236，而將緩衝空間232之環境氣體進行排氣。
第三氣體排氣系統，主要係藉由第三排氣管236、閥237、及壓力調整器238所構成。此外，亦可將真空泵239包含於第三氣體排氣系統。再者，真空泵239亦可共用第一氣體排氣系統中之DP。
於第一排氣管263、第二排氣管222、第三排氣管236之下游，設置有未圖示之DP(Dry Pump；乾式泵)。DP係經由第一排氣管、第二排氣管222、第三排氣管236之各者，而將緩衝空間232、處理空間201及搬送空間203各者之環境氣體進行排氣。又，於TMP運作時，DP亦作為其之輔助泵而發揮功能。亦即，由於作為高真空(或超高真空)泵之TMP難以單獨地進行至大氣壓為止的排氣，所以使用DP作為進行至大氣壓為止之排氣之輔助泵。於上述排氣系統之各閥，使用有例如空氣閥。
(控制器)
基板處理裝置100具有：控制器260，其控制基板處理裝置100各部之動作。控制器260至少具有運算部261及儲存部262。控制器260係連接於上述各構成，根據上位控制器或使用者之指示而自儲存部262叫出程式或配方，並根據其內容控制各構成之動作。具 體而言，控制器260係控制閘閥205、升降機構218、加熱器213、高頻電源252、整合器251、MFC243c、244c、245c、246c、247c、248c、閥243d、244d、245d、246d、247d、248d、APC223、TMP、DP、真空泵224、239、及閥237等之動作。
此外，控制器260既可作為專用之電腦而構成，亦可作為通用之電腦而構成。例如，準備存放有上述程式之外部儲存裝置(例如，磁帶、軟碟或硬碟等磁碟、CD或DVD等光碟、MO等磁光碟、USB記憶體或記憶卡等半導體記憶體)，使用該外部儲存裝置而將程式安裝於通用之電腦，藉此可構成本實施型態之控制器260。
又，用以將程式供應至電腦之手段並不限於經由外部儲存裝置而供應之情況。例如，亦可使用網際網路或專用線路等之通訊手段，而以不經由外部儲存裝置之方式供應程式。此外，儲存部262或外部儲存裝置係可作為電腦可讀取之記錄媒體而構成。以下，將該等統稱而單純地稱為記錄媒體。另外，在本說明書中使用記錄媒體之詞彙的情形存在有：僅包含儲存部262單體之情形、僅包含外部儲存裝置單體之情形、或包含其雙方之情形。
(2)排氣緩衝室之細節
於此，對於形成於處理容器202之上部容器202a內之排氣緩衝室209，一邊參照圖2~圖3一邊詳細地說明。
圖2係示意地表示關於本實施形態之排氣緩衝室整體形狀之一具體例之立體圖。圖3係示意地表示關於本實施形態之排氣緩衝室209剖面形狀之一具體例之側剖面圖。
(整體形狀)
排氣緩衝室209係作為將處理空間201內之氣體朝向側方周圍排出時之緩衝空間而發揮功能者。因此，排氣緩衝室209係如圖2所示般，具有以包圍處理空間201之側方外周之方式而設置之空間。亦即，排氣緩衝室209具有以俯視時呈環狀(圓環狀)地形成於處理空間201之外周側之空間。
(剖面形狀)
排氣緩衝室209所具有之空間係如圖3所示，藉由上部容器202a形成有空間之頂板面及兩側壁面，並藉由分隔板204形成有空間之地板面。而且，構成為：於空間之內周側設置有與處理空間201連通之連通孔209c，且通過該連通孔209c所供應至處理空間201內之氣體係流入空間內。流入空間內之氣體，其流動係藉由構成該空間之外周側之側壁面209b而被遮斷，從而與該側壁面209b碰撞。亦即，構成空間之一側壁(外周側之側壁)係作為朝遮斷流通於連通孔209c之氣體流動之方向延伸之氣體流遮斷壁209b而發揮功能。又，於與氣體流遮斷壁209b對向之其他側壁(內周側之側壁)，設置有連通於處理空間201之連通孔209c。如此，排氣緩衝室209係構成為至少具有：連通孔209c，其於處理空間201之側方連通於該處理空間201；及氣體流遮斷壁209b，其朝遮斷流通於連通孔209c之氣體流動之方向延伸。
此外，排氣緩衝室209所具有之空間係以包圍處理空間201之側方外周之方式延伸而構成。因此，即便設置在空間之內 周側側壁之連通孔209c，亦是以遍及處理空間201側方外周之全周而延伸之方式設置。此時，若考量排氣緩衝室209作為氣體排氣之緩衝空間而發揮功能，則較佳為使連通孔209c之側剖面高度方向之大小，較排氣緩衝室209所具有空間之側剖面高度方向之大小(空間之高度)更小。
(連接排氣系統)
於排氣緩衝室209所具有之空間，如圖2所示，連接有第二氣體排氣系統之第二排氣管222。藉此，被供應至處理空間201內之氣體係通過作為處理空間201與排氣緩衝室209間之氣體流路的連通孔209c(參照圖中箭頭)而流入排氣緩衝室209，該流入之氣體係通過第二排氣管222而被排出。藉由如此之構造，可將處理空間201之氣體迅速地排氣。再者，可自晶圓朝外周方向均勻地排氣。因此，可對晶圓表面均勻地供應氣體，其結果可對基板面內均勻地進行處理。
(緩衝室加熱部)
沿排氣緩衝室209之外周，設置有作為第一加熱部的加熱器209a。加熱器209a例如被設置於氣體遮斷壁之內部。於加熱器209a，經由電力供應線而連接有加熱器控制部249。加熱器控制部249係控制對加熱器209a之電力供應者，藉此控制加熱器209a之溫度。加熱器209a係構成為至少對最受排氣氣體衝擊之氣體流遮斷壁209b之內周面209d加熱。這是因為經由連通孔209c而被排氣之氣體量較多，而導致氣體附著於氣體流遮斷壁209b之內周面 209d的可能性很高。圖6係表示沿排氣緩衝室209之外周設置加熱器209a之例。
更佳為，於緩衝室之上壁或底壁、或者於雙方設置有加熱器。於該情況下，亦可對氣體流遮斷壁209b、上壁、底壁分別控制溫度。藉由分別控制溫度，而可根據附著於各壁之氣體量進行加熱控制。例如，亦可使上壁、底壁成為氣體產生自我分解之溫度以上且可形成膜之程度的溫度，而使氣體流遮斷壁209b之溫度成為較其更高之溫度。由於藉由設為高溫，可形成較緻密且膜應力均勻之膜，因此即使氣體碰撞到氣體流遮斷壁氣體流209b，亦可抑制物理上之分離。此外，至於上壁、底壁，由於並無大量的氣體碰撞，所以應力可較氣體流遮斷壁209b弱，具體而言，亦可為較氣體流遮斷壁具有粗密度之膜。
又，亦可以即便因碰撞氣體流遮斷壁之氣體而導致壁之溫度降低也可形成膜之方式，一邊填補溫度降低一邊控制為可形成膜之程度的溫度。如此一來，則即使例如因碰撞氣體流遮斷壁之氣體而導致氣體流遮斷壁之溫度下降，也可維持為形成膜之溫度。
加熱器209a係以可控制為較設置於基板載置台212之加熱器213更高溫度而構成。
(3)基板處理步驟
其次，作為半導體裝置之製造方法之一步驟，對於使用基板處理裝置100，而於晶圓200上形成薄膜之步驟進行說明。此外，在以下的說明中，構成基板處理裝置100之各部的動作係藉由控制器260所控制。
於此，對於使用SiCl6氣體作為原料氣體(第一處理氣體)，使用NH3氣體作為反應氣體(第二處理氣體)，而藉由交替供應法將作為含矽膜之SiN(氮化矽)膜形成於晶圓200上之例進行說明。
圖4係表示本實施形態之基板處理步驟及清洗步驟之流程圖。圖5係表示圖4之成膜步驟之細節之流程圖。
(基板搬入載置．加熱步驟：S102)
在基板處理裝置100中，首先，使基板載置台212下降至晶圓200之搬送位置，藉此使升降銷207貫通基板載置台212之貫通孔214。其結果，升降銷207係成為僅較基板載置台212表面突出既定高度之狀態。接著，打開閘閥205使搬送空間203與移載室(未圖示)相連通。而且，使用晶圓移載機(未圖示)將晶圓200自該移載室搬入搬送空間203，並將晶圓200移載至升降銷207上。藉此，晶圓200係以水平姿勢被支撐於自基板載置台212之表面突出之升降銷207上。
若將晶圓200搬入處理容器202，則使晶圓移載機退避至處理容器202外，並關閉閘閥205而使處理容器202內密閉。其後，藉由使基板載置台212上升，而使晶圓200被載置於設置在基板載置台212之基板載置面211上，並進一步藉由使基板載置台212上升，而使晶圓200上升至前述處理空間201內之處理位置。
於將晶圓200搬入處理容器202內時，將第一氣體排氣系統中之閥設為開狀態(開閥)，使其連通搬送空間203與TMP265之間，並且連通TMP265與DP之間。另一方面，第一氣體排氣系統中之閥以外之排氣系統的閥係設為閉狀態(閉閥)。藉此，搬送空 間203之環境氣體係藉由TMP265及DP進行排氣，而使處理容器202達到高真空(超高真空)狀態(例如10-5Pa以下)。在該步驟中將處理容器202設為高真空(超高真空)狀態係因為要減低與同樣保持為高真空(超高真空)狀態(例如10-6Pa以下)之移載室的壓力差。在該狀態下打開閘閥205，並將晶圓200自移載室搬入搬送空間203。此外，TMP及DP係以不使伴隨該等之運作開始的處理步驟延遲之方式，而於圖4及圖5所示之步驟中如終維持運作。
於晶圓200被搬入搬送空間203後，若上升至處理空間201內之處理位置，則將第一氣體排氣系統中之閥設為閉狀態。藉此，搬送空間203與TMP265之間係被遮斷，藉由TMP265所進行之搬送空間203的排氣結束。另一方面，開啟第二氣體排氣系統中之閥，使其連通排氣緩衝室209與APC223之間，並且連通APC223與真空泵224之間。APC223係藉由調整第二排氣管222之傳導度，控制利用真空泵224之排氣緩衝室209的排氣流量，而將連通於排氣緩衝室209之處理空間201維持為既定之壓力。此外，其他之排氣系統之閥係維持為閉狀態。又，於關閉第一氣體排氣系統中之閥時，在將位於TMP265上游側之閥設為閉狀態後，將位於TMP265下游側之閥設為閉狀態，藉此使TMP265之運作維持為穩定。
此外，在該步驟中，亦可一邊對處理容器202內進行排氣，一邊將作為惰性氣體之N2氣體自惰性氣體供應系統供應至處理容器202內。亦即，亦可一邊藉由TMP265或是DP並經由排氣緩衝室209而對處理容器202內進行排氣，一邊至少打開第三氣體供應系統之閥245d，藉此將N2氣體供應至處理容器202內。藉 此，可抑制微粒附著於晶圓200上。
又，於將晶圓200載置於基板載置台212上時，將電力供應至被埋入基板載置台212內部之加熱器213，以使晶圓200之表面成為既定之處理溫度的方式進行控制。同時，將電力供應至排氣緩衝室209之加熱器209a，以使排氣緩衝室209之壁成為既定之處理溫度的方式進行控制。此時，根據由溫度感測器216所檢測到之溫度資訊控制對加熱器213之通電狀態，藉此調整加熱器213之溫度。又，根據由溫度感測器250所檢測到之溫度資訊控制對加熱器209a之通電狀態，藉此調整加熱器209a之溫度。再者，根據由溫度感測器226所檢測到之溫度資訊控制朝加熱器225之通電狀態，藉此調整加熱器225之溫度。
如此，在基板搬入．載置步驟(S102)中，以使處理空間201內成為既定之處理壓力的方式進行控制，並且以使晶圓200之表面溫度成為既定之處理溫度的方式進行控制。再者，以使第二排氣管222之溫度成為氣體為不產生附著之溫度的方式進行控制。
此外，更佳為亦可以使緩衝室209之壁之溫度成為較基板載置台212更高之方式進行控制。於該情形時，由於加熱器209a係加熱基板載置台212之外周側面，因此可防止自基板載置台212外周側面之漏熱。
此處，所謂既定之處理溫度、處理壓力，係指在後述之成膜步驟(S104)中，藉由交替供應法而可形成SiN膜之處理溫度、處理壓力。亦即，在第一處理氣體(原料氣體)供應步驟(S202)中所供應原料氣體為不產生自我分解之程度的處理溫度、處理壓力。具體而言，處理溫度係為室溫以上且500℃以下，較佳為室溫 以上且400℃以下，而處理壓力則為50~5000Pa。該處理溫度、處理壓力亦被維持於後述之成膜步驟(S104)中。
又，緩衝室209之溫度係設定在原料氣體為產生自我分解之溫度以上。具體而言，係設為400℃以上且700℃以下。並進一步將第二排氣管222設為200℃以上且500℃以下。極低溫氧化膜(ULTO：Ultra Low Temperature Oxide)，處理空間201之溫度係設為室溫以上且300℃以下，緩衝室係設為100℃以上且400℃以下，排氣配管係設為100℃以上且300℃以下。而TiN、TiO、AlO、AlN、HfO、ZrO，處理空間201之溫度係設為室溫以上且400℃以下，緩衝室為200℃以上且500℃以下，排氣配管為200℃以上且400℃以下。
(成膜步驟：S104)
於基板搬入．載置步驟(S102)之後，進行成膜步驟(S104)。以下，參照圖5，對於成膜步驟(S104)進行詳細地說明。此外，成膜步驟(S104)係將交替地供應不同處理氣體之步驟重複進行之循環處理。
(第一處理氣體供應步驟：S202)
在成膜步驟(S104)中，首先，進行第一處理氣體(原料氣體)供應步驟(S202)。此外，於第一處理氣體為例如TiCl4等之液體原料之情形時，事先使原料氣化而生成(預備氣化)原料氣體(即TiCl4氣體)。原料氣體之預備氣化亦可與上述基板搬入．載置步驟(S102)同時進行。這是因為為了使原料氣體穩定地生成，而需要既定之時 間。
於供應第一處理氣體時，開啟閥243d，並且以使原料氣體之流量成為既定流量之方式調整質量流量控制器243c，藉此開始對處理空間201內進行原料氣體(SiCl6氣體)之供應。原料氣體之供應流量例如為100~500sccm。原料氣體係藉由噴灑頭230予以分散而均勻地被供應至處理空間201內之晶圓200上。
此時，開啟第一惰性氣體供應系統之閥246d，自第一惰性氣體供應管246a供應惰性氣體(N2氣體)。惰性氣體之供應流量例如為500~5000sccm。此外，亦可自淨化氣體供應系統之第三氣體供應管245a供給惰性氣體。
剩餘之原料氣體係自處理空間201內均勻地流入排氣緩衝室209，並流入第二氣體排氣系統之第二排氣管222內而被排氣。具體而言，將第二氣體排氣系統中之閥設為開狀態，並藉由APC223以使處理空間201之壓力成為既定壓力之方式進行控制。此外，第二氣體排氣系統中之閥以外之排氣系統之閥係全部關閉。
此時處理空間201內之處理溫度、處理壓力係設定在原料氣體為不產生自我分解之程度的處理溫度、處理壓力。因此，形成在晶圓200上原料氣體之氣體分子產生吸附。
在排氣緩衝室209中，原料氣體產生自我分解，而於處理室壁形成含原料膜。
自原料氣體之供應開始並經過既定時間後，關閉閥243d，停止原料氣體之供應。原料氣體及氣體載體之供應時間例如為2~20秒。
(第一噴灑頭排氣步驟：S204)
在停止原料氣體之供應後，自第三氣體供應管245a供應惰性氣體(N2氣體)，進行噴灑頭230之淨化。此時之氣體排氣系統之閥，一方面將第二氣體排氣系統中之閥設為閉狀態，另一方面將第三氣體排氣系統中之閥237設為開狀態。而其他之氣體排氣系統之閥則維持為閉狀態。亦即，在進行噴灑頭230之淨化時，一方面遮斷排氣緩衝室209與APC223之間，停止藉由APC223所進行之壓力控制，另一方面連通緩衝空間232與真空泵239之間。藉此，殘留於噴灑頭230(緩衝空間232)內之原料氣體係經由第三排氣管236，而藉由真空泵239自噴灑頭230被排氣。此外，此時亦可開啟APC223下游側之閥。
第一噴灑頭排氣步驟(S204)中惰性氣體(N2氣體)之供應流量，例如為1000~10000sccm。又，惰性氣體之供應時間，例如為2~10秒。
(第一處理空間排氣步驟：S206)
當噴灑頭230之淨化結束，接著自第三氣體供應管245a供應惰性氣體(N2氣體)，而進行處理空間201之淨化。此時，第二氣體排氣系統中之閥被設為開狀態，並以藉由APC223使處理空間201之壓力成為既定壓力之方式進行控制。另一方面，第二氣體排氣系統中之閥以外之氣體排氣系統之閥全部被設為閉狀態。藉此，在第一處理氣體供應步驟(S202)無法吸附於晶圓200之原料氣體係藉由第二氣體排氣系統中之真空泵224，並經由第二排氣管222及排氣緩衝室209而自處理空間201被去除。
第一處理空間排氣步驟(S206)中惰性氣體(N2氣體)之供應流量，例如為1000~10000sccm。又，惰性氣體之供應時間，例如為2~10秒。
此外，此處雖然於第一噴灑頭排氣步驟(S204)之後進行第一處理空間排氣步驟(S206)，但進行該等步驟之順序亦可為顛倒。又，亦可設為同時進行該等步驟。
(第二處理氣體供應步驟：S208)
當噴灑頭230及處理空間201之淨化結束，接著進行第二處理氣體(反應氣體)供應步驟(S208)。在第二處理氣體供應步驟(S208)中，開啟閥244d，並經由遠距離電漿單元244e、噴灑頭230，開始對處理空間201內進行反應氣體(NH3氣體)之供應。此時，以使反應氣體之流量成為既定流量之方式，調整MFC244c。反應氣體之供應流量，例如為1000~10000sccm。
電漿狀態之反應氣體係藉由噴灑頭230予以分散而被均勻地供應至處理空間201內之晶圓200上，與吸附於晶圓200上之含原料氣體膜進行反應，而於晶圓200上生成SiN膜。
此時，開啟第二惰性氣體供應系統之閥247d，自第二惰性氣體供應管247a供應惰性氣體(N2氣體)。惰性氣體之供應流量，例如為500~5000sccm。此外，亦可自淨化氣體供應系統之第三氣體供應管245a供給惰性氣體。
剩餘之反應氣體或反應副生成物係自處理空間201內流入排氣緩衝室209，並流入第二氣體排氣系統之第二排氣管222內而被排氣。具體而言，第二氣體排氣系統中之閥係被設為開狀 態，並以藉由APC223使處理空間201之壓力成為既定壓力之方式進行控制。此外，第二氣體排氣系統中之閥以外之排氣系統的閥係全部關閉。
然而，由於排氣緩衝室209為較原料氣體之分解溫度更高之溫度，例如被加熱至反應氣體與原料氣體進行反應之溫度，因此剩餘之反應氣體之大部分係與附著於排氣緩衝室之壁之含原料氣體膜反應，而形成緻密的SiN膜。所形成之緻密的膜，由於為膜應力均勻的膜，因此難以剝離。所以，並無剝離之膜產生逆流至處理室之情形。另一方面，緩衝室209內之剩餘氣體係經由第二排氣管222而被排氣。由於第二排氣管222係與緩衝室不同，而被控制在氣體為不產生附著之溫度，因此不會附著至第二排氣管222之內壁而被排氣。又，因為將緩衝室209設為較第二排氣管222更高溫，所以在連通之排氣孔221附近，緩衝室209之壓力係高於第二排氣管222之壓力。因此，形成有自緩衝室209而朝第二排氣管222之氣體流動，從而提高排氣效率。藉由提高排氣效率，抑制剩餘氣體逆流至處理室之情形。
在開始反應氣體之供應並經過既定時間後，關閉閥244d，而停止反應氣體之供應。反應氣體及氣體載體之供應時間，例如為2~20秒。
(第二噴灑頭排氣步驟：S210)
在停止反應氣體之供應後，進行第二噴灑頭排氣步驟(S210)，而去除殘留於噴灑頭230之反應氣體或反應副生成物。該第二噴灑頭排氣步驟(S210)由於只要與已經說明之第一噴灑頭排氣步驟 (S204)同樣地進行即可，因此省略此處之說明。
(第二處理空間排氣步驟：S212)
在噴灑頭230之淨化結束後，接著進行第二處理空間排氣步驟(S212)，去除殘留於處理空間201之反應氣體或反應副生成物。而關於該第二處理空間排氣步驟(S212)，由於亦只要與已經說明之第一處理空間排氣步驟(S206)同樣地進行即可，因此省略此處之說明。
(判斷步驟：S214)
將以上之第一處理氣體供應步驟(S202)、第一噴灑頭排氣步驟(S204)、第一處理空間排氣步驟(S206)、第二處理氣體供應步驟(S208)、第二噴灑頭排氣步驟(S210)、及第二處理空間排氣步驟(S212)設為1個循環，控制器260係判斷是否已實施該循環既定次數(n循環)(S214)。若實施循環既定次數，則於晶圓200上，形成所需膜厚之氮化矽(SiN)膜。
(處理片數判斷步驟：S106)
在包含以上各步驟(S202~S214)之成膜步驟(S104)之後，如圖4所示，接著判斷在成膜步驟(S104)所處理之晶圓200是否已達到既定之片數(S106)。
若在成膜步驟(S104)所處理之晶圓200未達到既定之片數，由於其後取出處理完畢之晶圓200，並開始進行下一片等待中之新晶圓200的處理，所以轉移至基板搬出搬入步驟(S108)。又，於對既定之片數之晶圓200已實施成膜步驟(S104)之情形時，由於 取出處理完畢之晶圓200，而成為在處理容器202內不存在晶圓200之狀態，所以轉移至基板搬出步驟(S110)。
(基板搬出搬入步驟：S108)
在基板搬出搬入步驟(S108)中，使基板載置台212下降，而使晶圓200被支撐於自基板載置台212表面突出之升降銷207上。藉此，晶圓200係自處理位置移到搬送位置。其後，開啟閘閥205，使用晶圓移載機將晶圓200搬出處理容器202之外。此時，關閉閥245d，停止將惰性氣體自第三氣體供應系統供應至處理容器202內。
在基板搬出搬入步驟(S108)中，於晶圓200自處理位置移動至搬送位置之期間，將第二氣體排氣系統中之閥設為閉狀態，停止由APC223進行之壓力控制。另一方面，將第一氣體排氣系統中之閥設為開狀態，並利用TMP及DP將搬送空間203之環境氣體進行排氣，藉此將處理容器202維持為高真空(超高真空)狀態(例如10-5Pa以下)，而減低與同樣維持為高真空(超高真空)狀態(例如10-6Pa以下)之移載室之壓力差。在該狀態下開啟閘閥205，將晶圓200自處理容器202搬出至移載室。
其後，在基板搬出搬入步驟(S108)中，以與前述之基板搬入．載置步驟(S102)之情形同樣的程序，將下一片等待中之新晶圓200搬入處理容器202，使該晶圓200上升至處理空間201內之處理位置，並且將處理空間201內設為既定之處理溫度、處理壓力，而成為可開始進行其次之成膜步驟(S104)之狀態。然後，對處理空間201內之新晶圓200，進行成膜步驟(S104)及處理片數判斷步驟(S106)。
(基板搬出步驟：S110)
在基板搬出步驟(S110)中，以與前述之基板搬出搬入步驟(S108)之情形同樣的程序，將處理完畢之晶圓200自處理容器202內取出而搬出至移載室。但是，不同於基板搬出搬入步驟(S108)之情形，在基板搬出步驟(S110)中，不進行將下一片等待中之新晶圓200搬入至處理容器202內，而維持為處理容器202內不存在晶圓200之狀態。
若基板搬出步驟(S110)結束，其後，轉移至清潔步驟。
(4)清潔步驟
其次，作為半導體裝置之製造方法之一步驟，關於對基板處理裝置100之處理容器202內進行清潔處理之步驟，繼續一邊參照圖4一邊進行說明。
(清潔步驟：S112)
在基板處理裝置100中，每當基板搬出步驟(S110)結束時，亦即每當對既定之片數之晶圓200實施成膜步驟(S104)，然後成為在處理容器202內不存在晶圓200之狀態時，進行清潔步驟(S112)。
此處，在無基板之狀態下開啟閥248d，將清潔氣體供應至緩衝空間232或處理空間201、排氣緩衝室209。則所供應之清潔氣體係去除附著於形成緩衝空間232之壁、或形成處理空間201之壁、或者排氣緩衝室209之壁之膜，然後經由第二排氣管222而被排氣。
在本實施形態中，使緻密的膜附著於排氣緩衝室209之壁。因此，即使清潔氣體通過排氣緩衝室209，亦不存在對排氣緩衝室209之壁造成過度蝕刻之情況。
然而，形成處理空間201之壁之附著物係相較於排氣緩衝室209內者為更難剝離之膜。這是因為相較於如處理室般對壓力及溫度進行控制而製膜之情況，附著於排氣緩衝室209內壁之膜只控制溫度條件，因此膜厚及膜密度等並不穩定。另一方面，由於處理空間201內之附著物係在溫度、壓力與成膜條件相同之條件下所附著者，因此為膜厚及膜密度等較為穩定之膜。
因此，於供應用以清潔形成處理空間201之壁之附著物之高能量之清潔氣體的情形時，緩衝室之內壁可能會被過度蝕刻。然而，經由緩衝空間232、處理空間201而被供應至排氣緩衝室209之清潔氣體，由於在其過程中進行處理容器202、氣體導件235、分散板234、基板載置台212等之表面或壁之蝕刻，因此清潔之能量逐漸地失去活性。所以，在緩衝室209不存在有過度蝕刻之情況。
(本發明之較佳態樣)
以下對本發明之較佳態樣進行附記。
[附記1]
一種基板處理裝置，其具有：處理空間，其對被載置於基板載置台之基板載置面上之基板進行處理； 氣體供應系統，其自與上述基板載置面對向之側，將氣體供應至上述處理空間內；排氣緩衝室，其至少由具有在上述處理空間之側方連通於該處理空間之連通孔、及朝阻擋流通於上述連通孔之氣體之流動的方向延伸之氣體流遮斷壁所構成；及第一加熱部，其對上述排氣緩衝室進行加熱。
[附記2]
如附記1所記載之基板處理裝置，其中，於上述排氣緩衝室，連接有將排氣緩衝室之環境氣體進行排氣之排氣系統。
[附記3]
如附記1或2所記載之基板處理裝置，其中，上述緩衝室具有將上述氣體流遮斷壁作為一側壁之空間，於與該一側壁對向之其他側壁形成有上述連通孔，並以使上述空間包圍上述處理空間之側方外周之方式延伸而構成。
[附記4]
如附記1至3中之任一項所記載之基板處理裝置，其中，上述第一加熱部至少被設置於上述氣體流遮斷壁。
[附記5]
如附記1至4中之任一項所記載之基板處理裝置，其中， 上述基板載置台具有第二加熱部，在將處理氣體供應至上述處理空間內之期間，以將上述第一加熱部與上述第二加熱部進行加熱之方式進行控制。
[附記6]
如附記5所記載之基板處理裝置，其中，上述第一加熱部被控制為較上述第二加熱部更高之溫度。
[附記7]
如附記6所記載之基板處理裝置，其中，上述第二加熱部之溫度係氣體為不被分解之溫度。
[附記8]
如附記2至7之中任一項所記載之基板處理裝置，其中，上述排氣系統具備具有第三加熱部之排氣配管，於將處理氣體供應至上述處理空間內之期間，上述第一加熱部被控制為較上述第三加熱部更高之溫度。
[附記9]
一種半導體裝置之製造方法，其具有：將基板載置於被內包在處理空間之基板載置台之基板載置面的步驟；及一邊將由具有在上述處理空間之側方連通於該處理空間之連通孔、及朝阻擋流通於上述連通孔之氣體之流動的方向延伸之氣 體流遮斷壁所構成之排氣緩衝室進行加熱，一邊將氣體自與上述基板載置面對向之側供應至上述處理空間內的步驟。
[附記10]
一種程式，其係執行：將基板載置於被內包在處理空間之基板載置台之基板載置面的步驟；及一邊將由具有在上述處理空間之側方連通於該處理空間之連通孔、及朝阻擋流通於上述連通孔之氣體之流動的方向延伸之氣體流遮斷壁所構成之排氣緩衝室進行加熱，一邊將氣體自與上述基板載置面對向之側供應至上述處理空間內的步驟。
[附記11]
一種記錄媒體，係儲存有程式之電腦可讀取的記錄媒體，該程式係執行：將基板載置於被內包在處理空間之基板載置台之基板載置面的步驟；及一邊將由具有在上述處理空間之側方連通於該處理空間之連通孔、及朝阻擋流通於上述連通孔之氣體之流動的方向延伸之氣體流遮斷壁所構成之排氣緩衝室進行加熱，一邊將氣體自與上述基板載置面對向之側供應至上述處理空間內的步驟。
209‧‧‧排氣緩衝室
209a‧‧‧加熱器
209b‧‧‧側壁面(氣體流遮斷壁)
209c‧‧‧連通孔
209d‧‧‧內周面
222‧‧‧第二排氣管

Claims (14)

  1. 一種基板處理裝置，其具有：處理空間，其對被載置在基板載置台之基板載置面上之基板進行處理；氣體供應系統，其自與上述基板載置面對向之側，將氣體供應至上述處理空間內；排氣緩衝室，其至少由具有在上述處理空間之側方而連通至該處理空間之連通孔、及延伸在將流通於上述連通孔之氣體的流動加以阻擋之方向的氣體流遮斷壁所構成；及第一加熱部，其被設置在上述氣體流遮斷壁。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，其具有：第二加熱部，其被設置在上述基板載置台；及控制部，其構成為在將處理氣體供應至上述處理空間內之期間，以將上述第一加熱部與上述第二加熱部進行加熱之方式控制上述氣體供應系統、上述第一加熱部及上述第二加熱部。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，其具有：第二加熱部，其被設置在上述基板載置台；及控制部，其構成為以將上述第一加熱部加熱至較上述第二加熱部為更高之溫度的方式控制上述第一加熱部與上述第二加熱部。
  4. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，上述控制部係以使上述第二加熱部之溫度成為上述處理氣體為不被分解之溫度的方式控制上述第二加熱部。
  5. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，上述控制部係以使上述第一加熱部之溫度成為上述處理氣體為 被分解之溫度的方式控制上述第一加熱部。
  6. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，上述控制部係以使上述第一加熱部之溫度成為上述處理氣體為被分解之溫度的方式控制上述第一加熱部。
  7. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，上述排氣系統係具備有具有第三加熱部之排氣配管，上述控制部係在將處理氣體供應至上述處理空間內之期間，將上述第一加熱部加以控制在較上述第三加熱部為更高之溫度。
  8. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，上述排氣系統係具備有具有第三加熱部之排氣配管，上述控制部係在將處理氣體供應至上述處理空間內之期間，以成為使流動於上述排氣管中之氣體為不附著至上述排氣配管內之溫度的方式控制上述第三加熱部。
  9. 一種半導體裝置之製造方法，其具有：將基板載置至被內包在處理空間之基板載置台的基板載置面之步驟；及一方面針對由具有在上述處理空間之側方而連通至該處理空間之連通孔、及延伸在將流通於上述連通孔之氣體的流動加以阻擋之方向的氣體流遮斷壁而所構成之排氣緩衝室，利用被設置在該氣體流遮斷部之第一加熱部進行加熱，一方面自與上述基板載置面對向之側，將氣體供應至上述處理空間內的步驟。
  10. 如申請專利範圍第9項之半導體裝置之製造方法，其中，在上述基板載置台，設置有第二加熱部，且具有在將處理氣體供應至上述處理空間內之期間，將上述第一加 熱部加熱至較上述第二加熱部為更高之溫度的步驟。
  11. 如申請專利範圍第9項之半導體裝置之製造方法，其中，在上述基板載置台，設置有第二加熱部，且具有：上述第一加熱部係以使上述氣體流遮斷部之溫度成為上述處理氣體為產生分解之溫度的方式進行加熱之步驟；及上述第二加熱部係以成為上述基板上之處理氣體為不被分解之溫度的方式進行加熱之步驟。
  12. 一種記錄媒體，係儲存有程式之電腦可讀取的記錄媒體，該程式係執行：將基板載置至被內包在處理空間之基板載置台的基板載置面之步驟；及一方面針對由具有在上述處理空間之側方而連通至該處理空間之連通孔、及延伸在將流通於上述連通孔之氣體的流動加以阻擋之方向的氣體流遮斷壁而所構成之排氣緩衝室，利用被設置在該氣體流遮斷部之第一加熱部進行加熱，一方面自與上述基板載置面對向之側，將氣體供應至上述處理空間內的步驟。
  13. 如申請專利範圍第12項之記錄媒體，其中，在上述基板載置台，設置有第二加熱部，且記錄有由電腦執行如下程序之程式：在將處理氣體供應至上述處理空間內之期間，使上述第一加熱部加熱至較上述第二加熱部為更高之溫度的程序。
  14. 如申請專利範圍第12項之記錄媒體，其中，在上述基板載置台，設置有第二加熱部，且 記錄有由電腦執行如下程序之程式：上述第一加熱部係以使上述氣體流遮斷部之溫度成為上述處理氣體為產生分解之溫度的方式進行加熱之程序；及上述第二加熱部係以成為上述基板上之處理氣體為不被分解之溫度的方式進行加熱之程序。
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