JP2011068984A - 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】処理室内に基板を搬入する第1の工程と、処理室内に複数の原料ガスを供給して基板上に導電膜もしくは絶縁膜を形成する第2の工程と、処理室内から処理後の基板を搬出する第3の工程と、処理室内に改質ガスを供給して、処理室内に付着した導電膜もしくは絶縁膜を改質する第4の工程と、を1サイクルとして複数サイクル繰り返した後、処理室内にクリーニングガスを供給して、改質された導電膜もしくは絶縁膜を含む処理室内に付着した堆積物を除去する第5の工程と、を有する。
【選択図】図2
Description
また、基板上に形成される導電性膜としては、例えば、窒化アルミニウム(AlN)膜、窒化チタン(TiN)膜が挙げられる。またその他の導電性膜としては、Ta、W、Mnやその窒化物、Ti、Alなどが挙げられる。また、絶縁性膜としては、例えば、HfやZrやAlの酸化物および窒化物などが挙げられる。
処理室内に基板を搬入する第1の工程と、
前記処理室内に複数の原料ガスを供給して前記基板上に導電膜もしくは絶縁膜を形成する第2の工程と、
前記処理室内から処理後の前記基板を搬出する第3の工程と、
前記処理室内に改質ガスを供給して、前記処理室内に付着した導電膜もしくは絶縁膜を改質する第4の工程と、
を1サイクルとして複数サイクル繰り返した後、前記処理室内にクリーニングガスを供給して、改質された前記導電膜もしくは前記絶縁膜を含む前記処理室内に付着した堆積物を除去する第5の工程と、を有する
半導体装置の製造方法が提供される。
前記処理室内に付着した前記導電性膜もしくは前記絶縁膜は窒化膜であり、
前記改質ガスは酸素含有ガスである
半導体装置の製造方法が提供される。
原料ガスを供給して基板上に膜を成膜する基板処理装置の処理室内に付着した膜を除去するクリーニング方法であって、
前記基板上に膜を成膜するごとに、前記処理室内に改質ガスを供給して前記処理室内に付着した前記膜を改質する改質工程と、
前記処理室内にクリーニングガスを供給して改質された前記膜を除去することにより、前記処理室内に付着した前記膜を除去するクリーニング工程と、を有する
ことを特徴とするクリーニング方法が提供される。
原料ガスを供給して基板上に膜を成膜する基板処理装置の処理室内に付着した膜を除去するクリーニング方法であって、
前記処理室内に改質ガスを供給して、前記処理室内に付着した前記膜を改質する改質工程と、
前記処理室内にクリーニングガスを供給して、改質後の前記膜を含む前記処理室内に付着した堆積物を除去し前記処理室内をクリーニングするクリーニング工程と、を有し、
前記改質ガスは、改質後の前記膜を組成する元素の間の結合エネルギーが、前記クリーニングガスのクリーニング成分と改質後の前記膜を組成する元素との結合エネルギーより小さくなるようなガスであるクリーニング方法が提供される。
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に複数の原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理室内に酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給系と、
前記処理室内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給系と、
前記処理室内を排気する排気系と、
前記原料ガス供給系、前記酸素ガス供給系、前記クリーニングガス供給系および前記排
気系を制御する制御部と、を有する基板処理装置であって、
前記制御部は、前記処理室内に複数の原料ガスを供給して前記基板上に窒化膜を形成し、前記処理室内に前記酸素含有ガスを供給して前記処理室内に付着した窒化膜を酸化して酸化膜へ改質し、前記処理室内にクリーニングガスを供給して前記酸化膜を除去するように前記原料ガス供給系、前記酸素含有ガス供給系、前記クリーニングガス供給系および前記排気系を制御する基板処理装置が提供される。
まず、窒化アルミニウム膜をBCl3では十分にエッチングすることが出来ない理由について考えると、Al−N結合を外す際に大きな活性化エネルギーが必要であり、BCl3が分解して出来るB元素やCl元素によるアタックだけでは結合を切断できないのではないかと予測される。処理室内の処理温度にもよるが、600℃程度ではエッチングすることは出来ず、また処理温度を非常に高くすればBCl3であってもエッチングすることが出来るかもしれないが、特に、低温処理を要求される縦型装置で適用する場合は困難である。
ム膜をクリーニングする。さらに、よりクリーニングを効率よく行なうためには、窒化アルミニウム膜の酸化工程と、改質された酸化アルミニウム膜のクリーニング工程を所定回数繰り返すことも有効である。
次に、上記<エッチング原理>を利用するのに好適な本発明の実施例であって、詳しくは上記<エッチング原理>を利用した基板処理装置とそのクリーニング方法との一例を説明する。本実施例に係る基板処理装置は、半導体装置(IC(Integrated Circuits))の製造に使用される半導体製造装置の一例として構成されているもの
である。下記の説明では、基板処理装置の一例として、基板に対し成膜処理等をおこなう縦型のバッチ式装置を使用した場合について述べる。しかし、本発明は、縦型装置やバッチ式装置の使用を前提としたものでなく、例えば、横型装置や枚葉装置等を使用しても良い。
塞可能なように構成されている。
続いて、基板処理装置101の主な動作について説明する。
次に、図4及び図5を用いて、前述した基板処理装置101に適用される処理炉202について説明する。
している反応管203の内壁とウエハ200との間における円弧状の空間で、反応管203の内壁に沿った上下方向(ウエハ200の積載方向)に延在している。ノズル410の水平部は、マニホールド209の側壁を貫通するように設けられている。ノズル410の側面には、原料ガスを供給する多数のガス供給孔410aが設けられている。ガス供給孔410aは、下部から上部にわたってそれぞれ同一または、大きさに傾斜をつけた開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。
側から順にマスフローコントローラ922及びバルブ924が設けられている。
を改質処理して得られる酸化アルミニウム膜等)成分の活性化エネルギー(例えばAl−O結合等の活性化エネルギー)より高いエネルギーを有する化合物を含むガスを用いることが好ましい。そして、エッチング対象の膜と反応することで、蒸気圧が高くガスとして除去が容易な金属化合物を生成するようなガスを用いることが好ましい。例えばB元素を含有するハロゲン系ガスであるBCl3、HCl、Cl2、SiCl4、HBr、BBr3、SiBr4、およびBr2等、あるいはこれらの混合ガスを、クリーニングガスとして好適に用いることができる。なお、F元素を含有するガスは、エッチング対象の膜と反応すると蒸気圧の低い(ガスとして除去することが困難な)金属化合物(例えばAlF3等)を生成するため、クリーニングガスとしては好ましくない。
回転機構267を駆動させることにより、ボート支持台218に支持されたボート217を回転させることができるようになっている。
<膜形成方法、膜改質方法及びクリーニング方法>
次に、上述の基板処理装置101の処理炉202を用いて半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として、処理室201内でウエハ200上に導電膜もしくは絶縁膜を形成する方法、形成した膜を改質する方法、および、処理室201内をクリーニングする方法について説明する。成膜方法としては、成膜原料としてアルミニウム原料であるTMAを用い、窒化剤としてNH3を用い、ALD(Atomic Layer Deposition)法により、ウエハ200上に窒化アルミニウム膜(AlN)を成膜する例について説明する。また、クリーニング方法としては、クリーニングガスとしてBCl3ガスを用いて、熱化学反応により処理室201内をクリーニングする例について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置101を構成する各部の動作は、コントローラ280により制御される。
まず、処理室201内でウエハ200上に窒化アルミニウム膜を成膜する方法について図6を用いて説明する。本実施形態では、例えばALD法を用いて基板上に成膜を行う例について説明する。ALD法とは、ある成膜条件(温度、時間等)の下で、成膜に用いる少なくとも2種類の原料となる原料ガスを1種類ずつ交互に基板上に供給し、1原子単位で基板上に吸着させ、表面反応を利用して成膜を行う手法である。このとき、膜厚の制御は、原料ガスを供給するサイクル数で行う(例えば、成膜速度が1Å/サイクルとすると、20Åの膜を形成する場合、20サイクル行う)。
第2の工程におけるステップ11では、処理室201内にTMAを流す。TMAは常温で液体であり、処理室201内に供給するには、加熱して気化させてから供給する方法や、気化器700により気化させてから供給する方法、すなわちキャリアガスと呼ばれるHe(ヘリウム)、Ne(ネオン)、Ar(アルゴン)、N2(窒素)などの不活性ガスを気化器700が備えるTMA容器の中に通し、気化している分をそのキャリアガスと共に処理室201内へと供給する方法などがあるが、例として後者のケースで説明する。
第2の工程におけるステップ12では、ガス供給管310のバルブ314を閉めて処理室201内へのTMAの供給を停止し、バルブ614を開けてベントライン610へTMAを流す。このように、TMAの気化を停止させずに処理室201内へのTMAの供給を停止することで、TMAの供給再開を迅速かつ安定して行うことができる。このときガス排気管231のAPCバルブ243は開いたままとし、真空ポンプ246により処理室201内を20Pa以下となるまで排気し、残留TMAを処理室201内から排除する。このとき、N2等の不活性ガスを処理室201内へ供給すると、残留TMAを排除する効果が更に高まる。
第2の工程におけるステップ13では、処理室201内にNH3を流す。すなわち、ガス供給管320内にNH3を、キャリアガス供給管520内にキャリアガス(N2)を流す。そして、ガス供給管320のバルブ324、キャリアガス供給管520のバルブ522、および排気管231のAPCバルブ243を共に開ける。キャリアガスは、キャリアガス供給管520内を流れ、マスフローコントローラ522により流量調整される。NH3は、ガス供給管320内を流れ、マスフローコントローラ322により流量調整され、流量調整されたキャリアガスと混合し、ノズル420のガス供給孔420aから処理室2
01内に供給されつつ排気管231から排気される。NH3を流すときは、APCバルブ243を適正に調節して処理室201内の圧力を10Torr(約1333Pa)以下の範囲であって、例えば7Torr(約933Pa)に維持する。また、NH3の供給流量は、10slm以下であって好適には7.5slmとする。NH3にウエハ200を晒す時間は3分以下であって、例えば45秒間とする。
第2の工程におけるステップ14では、ガス供給管320のバルブ324を閉めて処理室201内へのNH3の供給を止める。また、ガス排気管231のAPCバルブ243は開いたままにし、真空ポンプ246により処理室201内を20Pa以下に排気し、残留NH3を処理室201内から排除する。また、この時には、N2等の不活性ガスを、NH3供給ラインを構成するガス供給管320およびTMA供給ラインを構成するガス供給管310からそれぞれ処理室201内に供給してパージすると、残留NH3を排除する効果が更に高まる。
次に、処理室201内に改質ガス(酸化剤)を供給して処理室201内に付着した導電性膜もしくは絶縁性膜としての窒化アルミニウム膜を改質する第4の工程としての改質工程について説明する。図7に示すように、本実施形態では、上述の成膜工程(第1の工程〜第3の工程の繰り返し)を一度行なうごとに改質工程を実施して、処理室201内に付着した窒化アルミニウム膜を改質する。例えば、成膜工程にて付着した窒化アルミニウム膜をH2及びO2を用いて酸化する改質工程について、以下に説明する。
グ)される。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。
出来る。
次に、処理室201内にクリーニングガスを供給して処理室201内に付着した導電性膜もしくは絶縁性膜である堆積物を除去する第5の工程としてのクリーニング工程について説明する。本実施形態では、改質工程で改質した酸化アルミニウム膜をクリーニングガスであるBCl3でクリーニングする例について、以下に説明する。
APCバルブ243を開いた状態で処理室201内を真空排気する。処理室201内の圧力が第1圧力に到達した後、APCバルブ243を閉じる。これにより処理室201内及び排気系を封止する。
その状態、すなわちAPCバルブ243が閉じられ処理室201内の圧力が第1圧力となった状態で、バルブ914及びバルブ924を開き、処理室201内へBCl3を一定時間供給する。このとき、バルブ514及びバルブ524を開き、処理室201内へN2等の不活性ガスを供給してエッチングガスを希釈するようにしてもよい。処理室201内の圧力が第2圧力となったところでバルブ914及びバルブ924を閉じ、処理室201内へのBCl3の供給を停止する。このとき、N2等の不活性ガスを供給していた場合は、バルブ514及びバルブ524も閉じ、処理室201内への不活性ガスの供給も停止する。これによりガス供給系を封止する。このとき、全てのバルブが閉じられた状態となる。すなわち、ガス供給系および排気系が共に封止された状態となる。これにより、処理室201内が封止され、処理室201内にBCl3を封じ込めた状態となる。
その状態、すなわち、ガス供給系および排気系を封止することで処理室201内を封止し、処理室201内にBCl3を封入した状態を所定時間維持する。
所定時間経過後、APCバルブ243を開き、排気管231を通して処理室201内の真空排気を行う。その後、バルブ514及びバルブ524を開き、処理室201内にN2等の不活性ガスを供給しつつ排気管231より排気し、処理室201内のガスパージを行う。
処理温度:500〜850℃、
第1圧力:1.33〜13300Pa、
第2圧力:13.3〜66500Pa、好ましくは13300〜26600Pa、
BCl3供給流量:0.5〜5slm、
ガス供給時間(遷移時間):0.1〜15min、
ガス封入時間(封入時間):0.1〜15min、
排気時間:0.1〜10min、
サイクル数:1〜100回、
が例示され、それぞれのクリーニング条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することでクリーニングがなされる。
本実施形態では、第1の実施形態と異なる箇所のみ説明する。成膜工程は第1の実施形態と同じである。改質工程とクリーニング工程に関しても行なう内容は同じだが、図8のように各工程を行なうタイミングが異なり、本実施形態ではエッチング対象の窒化アルミニウム膜が所定膜厚まで成膜した後に改質工程とクリーニング工程とを連続して実施する。また、図8,9に示すように、改質工程とクリーニング工程とをそれぞれ1回のみ行なうのではなく、これらをサイクリックに繰り返す。
本実施形態では、第1の実施形態と異なる箇所のみ説明する。本実施形態に係る成膜工程は第1の実施形態と同じである。改質工程とクリーニング工程に関しても行なう内容は同じだが、各工程を行なうタイミングが異なる。すなわち、第1の実施形態では、改質工
程とクリーニング工程とを定期的に行なうようにしていたが、本実施形態では、改質工程とクリーニング工程とを、不定期に、例えば生産(基板処理)ロットに空き時間が生じた場合等に実施するようにしている。
本実施形態では、第2の実施形態と異なる箇所のみ説明する。本実施形態では、所定膜厚まで成膜した後に、1度だけ改質工程を行なった後、クリーニング工程を所定回数行なう。
本実施形態では、第1の実施形態と異なる箇所のみ説明する。本実施形態では、1度の成膜終了時の酸化方法として、酸化剤を用いるのではなく、ボート217を挿入する際に大気雰囲気を処理室201内に巻き込ませることにより、大気中の水分や酸素を、プロセスチューブ203内に堆積した膜と反応させるという方法を採用する。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
スの成分と結合し、蒸気圧の高いハロゲン化合物(反応生成物)が生成されるような膜であれば、窒化アルミニウム(AlN)膜に限らず、例えば窒化チタン(TiN)膜、窒化チタンアルミニウム(TiAlN)膜、窒化チタンシリコン(TiSiN)膜、窒化タンタル(TaN)膜、窒化タンタルシリコン(TaSiN)膜、窒化ホウ素(BN)膜、窒化ハフニウム(HfN)膜、窒化タングステン(WN)膜、窒化シリコン(SiN)膜等のような他の窒化膜をエッチングする場合にも好適に適用可能である。また、例えば、窒化チタン膜と窒化アルミニウム膜との積層膜のように組成の異なるラミネート状の極薄膜積層膜をエッチングする場合にも好適に適用可能である。
以下に、本発明の実施例1を図11,図12を参照しながら説明する。図11,図12は、改質工程を実施した後の窒化アルミニウム膜の深さ方向の組成分布を示すグラフ図である。
ム膜に改質されることが分かる。また、酸化時間を長くすることで、酸化アルミニウム膜に改質される深さが増加することが分かる。
本実施例では、窒化チタン(TiN)膜、窒化アルミニウム(AlN)膜、窒化チタンアルミニウム(TiAlN)膜、酸化アルミニウム(AlO)膜が表面に形成された各評価サンプルに対してクリーニングガスを供給し、各種膜のエッチングを試みた。
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の一態様によれば、
処理室内に基板を搬入する第1の工程と、
前記処理室内に複数の原料ガスを供給して前記基板上に導電膜もしくは絶縁膜を形成する第2の工程と、
前記処理室内から処理後の前記基板を搬出する第3の工程と、
前記処理室内に改質ガスを供給して、前記処理室内に付着した導電膜もしくは絶縁膜を改質する第4の工程と、
を1サイクルとして複数サイクル繰り返した後、前記処理室内にクリーニングガスを供給して、改質された前記導電膜もしくは前記絶縁膜を含む前記処理室内に付着した堆積物を除去する第5の工程と、を有する
半導体装置の製造方法が提供される。
(付記2)
好ましくは、前記クリーニングガスはハロゲン系化合物である。
(付記3)
本発明の他の態様によれば、
前記処理室内に付着した前記導電性膜もしくは前記絶縁膜は窒化膜であり、
前記改質ガスは酸素含有ガスである
半導体装置の製造方法が提供される。
(付記4)
好ましくは、前記複数の原料ガスは、1種以上のハロゲン系化合物もしくは有機系化合物と、窒素含有ガスと、を含む。
(付記5)
好ましくは、前記第4の工程を1回行なった後、前記第5の工程を所定回数行う。
(付記6)
本発明の他の態様によれば、
原料ガスを供給して基板上に膜を成膜する基板処理装置の処理室内に付着した膜を除去するクリーニング方法であって、
前記基板上に膜を成膜するごとに、前記処理室内に改質ガスを供給して前記処理室内に付着した前記膜を改質する改質工程と、
前記処理室内にクリーニングガスを供給して改質された前記膜を除去することにより、前記処理室内に付着した前記膜を除去するクリーニング工程と、を有する
クリーニング方法が提供される。
(付記7)
本発明の他の態様によれば、
原料ガスを供給して基板上に膜を成膜する基板処理装置の処理室内に付着した膜を除去するクリーニング方法であって、
前記処理室内に改質ガスを供給して、前記処理室内に付着した前記膜を改質する改質工程と、
前記処理室内にクリーニングガスを供給して、改質後の前記膜を含む前記処理室内に付着した堆積物を除去し前記処理室内をクリーニングするクリーニング工程と、を有し、
前記改質ガスは、改質後の前記膜を組成する元素の間の結合エネルギーが、前記クリーニングガスのクリーニング成分と改質後の前記膜を組成する元素との結合エネルギーより小さくなるようなガスである
クリーニング方法が提供される。
(付記8)
本発明の他の態様によれば、
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に複数の原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理室内に酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給系と、
前記処理室内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給系と、
前記処理室内を排気する排気系と、
前記原料ガス供給系、前記酸素ガス供給系、前記クリーニングガス供給系および前記排気系を制御する制御部と、を有する基板処理装置であって、
前記制御部は、前記処理室内に複数の原料ガスを供給して前記基板上に窒化膜を形成し、前記処理室内に前記酸素含有ガスを供給して前記処理室内に付着した窒化膜を酸化して酸化膜へ改質し、前記処理室内にクリーニングガスを供給して前記酸化膜を除去するように前記原料ガス供給系、前記酸素含有ガス供給系、前記クリーニングガス供給系および前記排気系を制御する
基板処理装置が提供される。
(付記9)
好ましくは、前記クリーニングガスはハロゲン系化合物である。
(付記10)
好ましくは、前記複数の原料ガスは、1種以上のハロゲン系化合物もしくは有機系化合物と、窒素含有ガスと、を含む。
本発明の他の態様によれば、
成膜装置において反応室に堆積した金属膜または金属窒化膜をクリーニングガスを用いて除去する際に、堆積膜の酸化とクリーニングの組合せを1回以上交互に行なうことで除
去を勧めるクリーニング方法が提供される。
(付記12)
本発明の他の態様によれば、
成膜シーケンスを終了し製品基板を払い出した後、炉内に酸化するガスを流して炉内の膜に酸化層を作成する処理を実施し、これらの成膜と酸化処理を繰り返す運用を行なった上でクリーニングガスを流すクリーニング方法が提供される。
(付記13)
好ましくは、炉内の堆積膜の酸化を大気を炉内に導入することによって行なう。
(付記14)
好ましくは、酸化剤としてO2、NO、O3、H2O、H2+O2のいずれかを含む。(付記15)
好ましくは、堆積した膜が窒化アルミニウム(AlN)膜を含む。
(付記16)
好ましくは、堆積した膜が窒化チタンアルミニウム(TiAlN)膜である。
(付記17)
好ましくは、クリーニングガスがBCl3またはCl2を含む。
(付記18)
好ましくは、クリーニングガスを流す時に酸化剤が同時に処理室内に存在する。
(付記19)
本発明の他の態様によれば、
成膜シーケンスを終了し製品基板を払い出した後、処理室内に酸化剤を供給して処理室内の膜に酸化層を作成する処理を実施し、これらの成膜と酸化処理を繰り返す運用を行なった上でクリーニングを行なうクリーニング方法が提供される。
(付記20)
本発明の他の態様によれば、上記の基板処理装置で形成された半導体装置が提供される。
(付記21)
本発明の他の態様によれば、処理室内に基板を搬入する基板搬入工程と、処理室内に複数の原料ガスを供給して基板上に導電膜もしくは絶縁膜を形成する成膜工程と、処理後の基板を処理室内から搬出する基板搬出工程と、処理室内に改質ガスを供給して、処理室内に付着した導電膜もしくは絶縁膜を改質する改質工程と、処理室内にクリーニングガスを供給して、改質された導電膜もしくは絶縁膜を含む処理室に付着した堆積物を除去し処理室内をクリーニングするクリーニング工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
(付記22)
好ましくは、基板搬入工程、成膜工程、基板搬出工程および改質工程を1サイクルとして、所定のサイクル数を行なうごとにクリーニング工程を行なっても良い。
(付記23)
また、処理室内に付着した導電膜もしくは絶縁膜が所定の膜厚まで成膜された後、改質工程とクリーニング工程を行なっても良い。
(付記24)
好ましくは、改質工程とクリーニング工程は、交互に所定回数繰り返す。
(付記25)
また、改質工程を1回行なった後、クリーニング工程を所定回数行なっても良い。
(付記26)
好ましくは、クリーニング工程では、クリーニングガスの供給と処理室内の排気を交互に所定回数繰り返す。
(付記27)
好ましくは、成膜工程で形成される導電膜もしくは絶縁膜は窒化膜であり、改質ガスはO含有原料である。
(付記28)
好ましくは、複数の原料ガスは、1種以上のハロゲン系化合物もしくは有機系化合物と、N含有原料を含む。
(付記29)
好ましくは、複数の原料ガスは、Al、Ti、Siのうち少なくとも1種を含む。
(付記30)
好ましくは、N含有原料は、NH3、N2、N2O、CH6N2、からなる群から選択される一種以上のガスである。
(付記31)
好ましくは、窒化膜は、AlN、TiN、TiAlN、TiSiN、TaN、TaSiNおよびSiNからなる群から選択される一種である。
(付記32)
好ましくは、O含有原料は、O2、O3、H2O、H2+O2、COx、SOxおよびNxO(xは1以上の整数)からなる群から選択される一種以上の原料である。
(付記33)
好ましくは、クリーニングガスはハロゲン系ガスである。
(付記34)
好ましくは、クリーニングガスはBCl3、HCl、Cl2、SiCl4、HBr、BBr3、SiBr4、およびBr2からなる群から選択される一種以上のガスである。
(付記35)
好ましくは、成膜工程は、前記基板を400℃以下であって、好適には350℃に加熱して行なう。
(付記36)
好ましくは、O含有原料はH2OもしくはH2+O2であり、改質工程は、処理室内の雰囲気を400℃〜800℃の間の所定の温度に加熱して行なう。
(付記37)
好ましくは、クリーニング工程は、処理室内の雰囲気を500℃〜850℃の間の所定の温度に加熱して行なう。
(付記38)
好ましくは、改質工程では、処理室内に大気を導入することによって処理室内に付着した前記導電膜もしくは絶縁膜を酸化する。
(付記39)
本発明の他の態様によれば、基板を収容する処理室と、
処理室内に複数の原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、
処理室内に改質ガスを供給する改質ガス供給手段と、
処理室内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段と、
処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、
原料ガス供給手段、改質ガス供給手段、クリーニングガス供給手段および排気手段を制御する制御部と、
を有する基板処理装置であって、
制御部は、処理室内に複数の原料ガスを供給して基板に膜を形成し、処理室内に改質ガスを供給して処理室内に付着した膜を改質し、処理室内にクリーニングガスを供給して改質された膜をクリーニングするように原料ガス供給手段、改質ガス供給手段、クリーニングガス供給手段および排気手段を制御する基板処理装置が提供される。
(付記40)
本発明の他の態様によれば、原料ガスを供給して基板上に膜を成膜する基板処理装置の処理室内に付着した膜を除去するクリーニング方法であって、
処理室内に改質ガスを供給して処理室内に付着した膜を改質する改質工程と、
処理室内にクリーニングガスを供給して改質された膜を除去することにより、処理室内に付着した膜を除去するクリーニング方法が提供される。
(付記41)
本発明の他の態様によれば、
原料ガスを供給して基板上に窒化膜を成膜する基板処理装置の処理室内に付着した窒化膜を除去するクリーニング方法であって、
処理室内にO含有ガスを供給して、窒化膜を酸化して酸化膜に改質する工程と、
処理室内にハロゲン系ガスを供給して、酸化膜を除去する工程と、
を有するクリーニング方法が提供される。
(付記42)
本発明の他の態様によれば、
原料ガスを供給して基板上に膜を成膜する基板処理装置の処理室内に付着した膜を除去するクリーニング方法であって、
処理室内に改質ガスを供給して、処理室内に付着した膜を改質する改質工程と、
処理室内にクリーニングガスを供給して、改質後の膜を含む処理室に付着した堆積物を除去し処理室内をクリーニングするクリーニング工程と、
を有し、
改質ガスは、改質後の膜を組成する元素の間の結合エネルギーが、クリーニングガスのクリーニング成分と改質後の膜を組成する元素との結合エネルギーより小さくなるようなガスであるクリーニング方法が提供される。
200 ウエハ(基板)
201 処理室
202 処理炉
203 反応管
207 ヒータ
217 ボート
218 ボート支持台
231 排気管
243 APCバルブ
246 真空ポンプ
267 ボート回転機構
280 コントローラ(制御部)
Claims (5)
- 処理室内に基板を搬入する第1の工程と、
前記処理室内に複数の原料ガスを供給して前記基板上に導電膜もしくは絶縁膜を形成する第2の工程と、
前記処理室内から処理後の前記基板を搬出する第3の工程と、
前記処理室内に改質ガスを供給して、前記処理室内に付着した導電膜もしくは絶縁膜を改質する第4の工程と、
を1サイクルとして複数サイクル繰り返した後、前記処理室内にクリーニングガスを供給して、改質された前記導電膜もしくは前記絶縁膜を含む前記処理室内に付着した堆積物を除去する第5の工程と、を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記処理室内に付着した前記導電性膜もしくは前記絶縁膜は窒化膜であり、
前記改質ガスは酸素含有ガスである
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 原料ガスを供給して基板上に膜を成膜する基板処理装置の処理室内に付着した膜を除去するクリーニング方法であって、
前記基板上に膜を成膜するごとに、前記処理室内に改質ガスを供給して前記処理室内に付着した前記膜を改質する改質工程と、
前記処理室内にクリーニングガスを供給して改質された前記膜を除去することにより、前記処理室内に付着した前記膜を除去するクリーニング工程と、を有する
ことを特徴とするクリーニング方法。 - 原料ガスを供給して基板上に膜を成膜する基板処理装置の処理室内に付着した膜を除去するクリーニング方法であって、
前記処理室内に改質ガスを供給して、前記処理室内に付着した前記膜を改質する改質工程と、
前記処理室内にクリーニングガスを供給して、改質後の前記膜を含む前記処理室内に付着した堆積物を除去し前記処理室内をクリーニングするクリーニング工程と、を有し、
前記改質ガスは、改質後の前記膜を組成する元素の間の結合エネルギーが、前記クリーニングガスのクリーニング成分と改質後の前記膜を組成する元素との結合エネルギーより小さくなるようなガスである
ことを特徴とするクリーニング方法。 - 基板を処理する処理室と、
前記処理室内に複数の原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理室内に酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給系と、
前記処理室内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給系と、
前記処理室内を排気する排気系と、
前記原料ガス供給系、前記酸素ガス供給系、前記クリーニングガス供給系および前記排気系を制御する制御部と、を有する基板処理装置であって、
前記制御部は、前記処理室内に複数の原料ガスを供給して前記基板上に窒化膜を形成し、前記処理室内に前記酸素含有ガスを供給して前記処理室内に付着した窒化膜を酸化して酸化膜へ改質し、前記処理室内にクリーニングガスを供給して前記酸化膜を除去するように前記原料ガス供給系、前記酸素含有ガス供給系、前記クリーニングガス供給系および前記排気系を制御する
ことを特徴とする基板処理装置。
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013229575A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-11-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置並びに記録媒体 |
KR20140141521A (ko) * | 2013-05-31 | 2014-12-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 반응기에서의 순환적 알루미늄 나이트라이드 퇴적 |
KR20150002445A (ko) * | 2013-06-28 | 2015-01-07 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 클리닝 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 |
JP2015025146A (ja) * | 2013-07-24 | 2015-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
US9685317B2 (en) | 2012-03-22 | 2017-06-20 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device, method of processing substrate, substrate processing apparatus, and recording medium |
KR20190020228A (ko) * | 2017-08-17 | 2019-02-28 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 및 이의 세정 방법 |
JP2019096720A (ja) * | 2017-11-22 | 2019-06-20 | 株式会社東芝 | 半導体装置、電源回路、及び、コンピュータ |
JP2020023427A (ja) * | 2018-07-30 | 2020-02-13 | 株式会社サイオクス | 窒化物結晶 |
JPWO2021053836A1 (ja) * | 2019-09-20 | 2021-03-25 | ||
US11315800B2 (en) | 2019-11-22 | 2022-04-26 | Kokusai Electric Corporation | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium |
US11699593B2 (en) | 2020-07-16 | 2023-07-11 | Kokusai Electric Corporation | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing method, substrate processing apparatus, and recording medium |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20090022557A (ko) * | 2007-08-31 | 2009-03-04 | 삼성전자주식회사 | 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 장치 및 그를 이용한절연막 형성 방법 |
KR101630234B1 (ko) * | 2009-11-17 | 2016-06-15 | 주성엔지니어링(주) | 공정챔버의 세정방법 |
US8409352B2 (en) * | 2010-03-01 | 2013-04-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing substrate and substrate processing apparatus |
JP2013191770A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置の安定化方法及び成膜装置 |
US10192717B2 (en) * | 2014-07-21 | 2019-01-29 | Applied Materials, Inc. | Conditioning remote plasma source for enhanced performance having repeatable etch and deposition rates |
JP6164775B2 (ja) * | 2014-08-21 | 2017-07-19 | 株式会社日立国際電気 | 半導体デバイスの製造方法、基板処理装置およびプログラム |
US20160362782A1 (en) * | 2015-06-15 | 2016-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Gas dispenser and deposition apparatus using the same |
JP6391171B2 (ja) * | 2015-09-07 | 2018-09-19 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体製造システムおよびその運転方法 |
JP6523119B2 (ja) * | 2015-09-28 | 2019-05-29 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
WO2017212728A1 (ja) * | 2016-06-10 | 2017-12-14 | 株式会社日立国際電気 | 処理方法、半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
JP6832154B2 (ja) * | 2016-12-27 | 2021-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | パージ方法 |
JP6956660B2 (ja) * | 2018-03-19 | 2021-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法及び成膜装置 |
TWI772727B (zh) * | 2019-12-26 | 2022-08-01 | 日月光半導體製造股份有限公司 | 半導體元件之清潔裝置 |
CN111508833B (zh) * | 2020-06-18 | 2020-10-27 | 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 | 提高薄膜表面处理精度的方法及半导体器件的制造方法 |
JP7258826B2 (ja) * | 2020-06-30 | 2023-04-17 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
JP7418309B2 (ja) * | 2020-09-16 | 2024-01-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマパージ方法 |
JP7303168B2 (ja) * | 2020-09-30 | 2023-07-04 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
CN115351020B (zh) * | 2022-08-17 | 2024-05-17 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种半导体设备自清洁方法、系统及装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004070079A1 (ja) * | 2003-02-07 | 2004-08-19 | Tokyo Electron Limited | 被処理基板を処理する半導体処理方法及び装置 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5421957A (en) * | 1993-07-30 | 1995-06-06 | Applied Materials, Inc. | Low temperature etching in cold-wall CVD systems |
US5679215A (en) * | 1996-01-02 | 1997-10-21 | Lam Research Corporation | Method of in situ cleaning a vacuum plasma processing chamber |
US6284052B2 (en) * | 1998-08-19 | 2001-09-04 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | In-situ method of cleaning a metal-organic chemical vapor deposition chamber |
US6203613B1 (en) * | 1999-10-19 | 2001-03-20 | International Business Machines Corporation | Atomic layer deposition with nitrate containing precursors |
JP2001185489A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-07-06 | Tokyo Electron Ltd | クリ−ニング方法 |
IT1316286B1 (it) * | 2000-01-20 | 2003-04-10 | St Microelectronics Srl | Processo di attacco a bassa velocita' di rimozione nella fabbricazionedi dispositivi integrati a semiconduttore, utilizzante una camera atta |
JP3549193B2 (ja) | 2000-03-31 | 2004-08-04 | キヤノン販売株式会社 | 被成膜面の改質方法及び半導体装置の製造方法 |
EP1167568B1 (en) * | 2000-06-21 | 2006-06-07 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus and cleaning method of the same |
US6450117B1 (en) * | 2000-08-07 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Directing a flow of gas in a substrate processing chamber |
JP4669605B2 (ja) * | 2000-11-20 | 2011-04-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置のクリーニング方法 |
EP1351283A4 (en) * | 2000-12-05 | 2006-01-25 | Tokyo Electron Ltd | METHOD AND DEVICE FOR TREATING AN ARTICLE TO BE TREATED |
US6907892B2 (en) * | 2001-02-07 | 2005-06-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Exhaust apparatus, semiconductor device manufacturing system and method for manufacturing semiconductor device |
JP3990881B2 (ja) | 2001-07-23 | 2007-10-17 | 株式会社日立製作所 | 半導体製造装置及びそのクリーニング方法 |
EP1425435A2 (en) * | 2001-09-14 | 2004-06-09 | Asm International N.V. | Metal nitride deposition by ald using gettering reactant |
US6767750B2 (en) * | 2001-12-31 | 2004-07-27 | Texas Instruments Incorporated | Detection of AIOx ears for process control in FeRAM processing |
US20040014327A1 (en) | 2002-07-18 | 2004-01-22 | Bing Ji | Method for etching high dielectric constant materials and for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials |
US6911233B2 (en) * | 2002-08-08 | 2005-06-28 | Toppoly Optoelectronics Corp. | Method for depositing thin film using plasma chemical vapor deposition |
US6589611B1 (en) * | 2002-08-22 | 2003-07-08 | Micron Technology, Inc. | Deposition and chamber treatment methods |
US20050066994A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-03-31 | Biles Peter John | Methods for cleaning processing chambers |
KR100665396B1 (ko) * | 2004-01-09 | 2007-01-04 | 에스티마이크로일렉트로닉스 엔.브이. | 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법 |
JP2005330546A (ja) | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Fujitsu Ltd | 金属膜の処理方法及び金属膜の処理装置 |
JP4718795B2 (ja) * | 2004-06-02 | 2011-07-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 気相成長装置内の処理方法 |
JP2006165317A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Elpida Memory Inc | 半導体製造装置のクリーニング方法 |
JP2007227501A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置のクリーニング方法及びクリーニング機能付き半導体製造装置 |
JP4733738B2 (ja) * | 2006-03-20 | 2011-07-27 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
JP4918452B2 (ja) * | 2007-10-11 | 2012-04-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム |
JP4994197B2 (ja) | 2007-11-16 | 2012-08-08 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
WO2009114617A1 (en) * | 2008-03-14 | 2009-09-17 | Applied Materials, Inc. | Methods for oxidation of a semiconductor device |
-
2010
- 2010-07-06 JP JP2010154278A patent/JP5036849B2/ja active Active
- 2010-08-24 US US12/862,180 patent/US9238257B2/en active Active
- 2010-08-24 TW TW099128248A patent/TWI446404B/zh active
- 2010-08-25 SG SG201006230-5A patent/SG169306A1/en unknown
-
2011
- 2011-08-11 US US13/207,591 patent/US20110290182A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004070079A1 (ja) * | 2003-02-07 | 2004-08-19 | Tokyo Electron Limited | 被処理基板を処理する半導体処理方法及び装置 |
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9685317B2 (en) | 2012-03-22 | 2017-06-20 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device, method of processing substrate, substrate processing apparatus, and recording medium |
KR101614273B1 (ko) | 2012-03-30 | 2016-04-21 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 반도체 장치의 제조 방법, 클리닝 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 |
US9401282B2 (en) | 2012-03-30 | 2016-07-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device, cleaning method, substrate processing apparatus and non-transitory computer readable recording medium |
JP2013229575A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-11-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置並びに記録媒体 |
KR20140141521A (ko) * | 2013-05-31 | 2014-12-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 반응기에서의 순환적 알루미늄 나이트라이드 퇴적 |
JP2014236220A (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-15 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | バッチ反応器中での環状窒化アルミニウム蒸着 |
KR102026826B1 (ko) | 2013-05-31 | 2019-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 반응기에서의 순환적 알루미늄 나이트라이드 퇴적 |
DE102014107511B4 (de) | 2013-05-31 | 2022-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | Zyklische Abscheidung von Aluminiumnitrid in einem Batch-Reaktor |
KR20150002445A (ko) * | 2013-06-28 | 2015-01-07 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 클리닝 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 |
US9865451B2 (en) | 2013-06-28 | 2018-01-09 | Hitachi Kokusai Electric, Inc. | Cleaning method, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium |
KR101657343B1 (ko) * | 2013-06-28 | 2016-09-13 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 클리닝 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 |
US9748104B2 (en) | 2013-07-24 | 2017-08-29 | Tokyo Electron Limited | Method of depositing film |
KR101804003B1 (ko) * | 2013-07-24 | 2017-12-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 방법 |
JP2015025146A (ja) * | 2013-07-24 | 2015-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
KR20190020228A (ko) * | 2017-08-17 | 2019-02-28 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 및 이의 세정 방법 |
KR102414617B1 (ko) * | 2017-08-17 | 2022-07-01 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 및 이의 세정 방법 |
CN109411388A (zh) * | 2017-08-17 | 2019-03-01 | 三星电子株式会社 | 衬底处理设备及其清洁方法 |
JP2019096720A (ja) * | 2017-11-22 | 2019-06-20 | 株式会社東芝 | 半導体装置、電源回路、及び、コンピュータ |
JP2020023427A (ja) * | 2018-07-30 | 2020-02-13 | 株式会社サイオクス | 窒化物結晶 |
JP7181810B2 (ja) | 2018-07-30 | 2022-12-01 | 株式会社サイオクス | 窒化物結晶 |
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WO2021053836A1 (ja) * | 2019-09-20 | 2021-03-25 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
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US11315800B2 (en) | 2019-11-22 | 2022-04-26 | Kokusai Electric Corporation | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium |
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