JP6980106B2 - 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム及び基板処理方法 - Google Patents
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Description
第1の表面と、前記第1の表面とは異なる第2の表面を有する基板に対して、無機配位子を含む改質ガスを供給して、前記第1の表面を改質する工程と、
前記基板に対して、堆積ガスを供給し、前記第2の表面に膜を選択成長させる工程と、
を有する技術が提供される。
図1は半導体デバイスの製造方法を実施するための基板処理装置(以下単に、基板処理装置10という)の上面断面図である。本実施形態にかかるクラスタ型の基板処理装置10の搬送装置は、真空側と大気側とに分かれている。また、基板処理装置10では、基板としてのウエハ200を搬送するキャリヤとして、FOUP(Front Opening Unified Pod:以下、ポッドという。)100が使用されている。
図1に示されているように、基板処理装置10は、真空状態などの大気圧未満の圧力(負圧)に耐え得る第1搬送室103を備えている。第1搬送室103の筐体101は平面視が例えば五角形であり、上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。
予備室122,123の前側には、大気圧下の状態でウエハ200を搬送することができる第2搬送室121がゲートバルブ128、129を介して連結されている。第2搬送室121には、ウエハ200を移載する第2基板移載機124が設けられている。
図2は基板処理装置10が備える第1プロセスユニットとしての処理炉202aの縦断面図であって、図3は処理炉202aの上面断面図である。
なお、本実施形態では、第1プロセスユニットとしての処理炉202aにおいて改質処理を行った後に、第2プロセスユニットとしての処理炉202bにおいて成膜処理を行う例について説明するが、第3プロセスユニットとしての処理炉202c、第4プロセスユニットとしての処理炉202dにおいて、同様の基板処理を行うことができる。
図4は基板処理装置10が備える第2プロセスユニットとしての処理炉202bの縦断面図であって、図5は処理炉202bの上面断面図である。
本実施形態における処理炉202bは、上述した処理炉202aと処理室201内の構成が異なっている。処理炉202bにおいて、上述した処理炉202aと異なる部分のみ以下に説明し、同じ部分は説明を省略する。処理炉202bは、第2の処理室としての処理室201bを備えている。
図6に示すように、制御部(制御手段)であるコントローラ121は、CPU(Central Processing Unit)121a,RAM(Random Access Memory)121b,記憶装置121c,I/Oポート121dを備えたコンピュータとして構成されている。RAM121b,記憶装置121c,I/Oポート121dは、内部バスを介して、CPU121aとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ121には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置122が接続されている。
半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として、第1の表面としてのシリコン酸化(SiO2)層と、第1の表面とは異なる第2の表面としてのシリコン窒化(SiN)層を有するウエハ200上のSiN層上に、窒化チタン(TiN)膜を形成する工程の一例について、図7(A)を用いて説明する。本工程では、処理炉202aにおいてウエハ200上のSiO2層の表面を改質する処理を行った後に、処理炉202bにおいてウエハ200上のSiN層上にTiN膜を選択成長させる処理を実行する。なお、図7(A)においては、処理炉202aから処理炉202bへの搬出搬入動作が省略されている。以下の説明において、基板処理装置10を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
第1の表面としてのSiO2層と、第2の表面としてのSiN層を有するウエハ200に対して、無機配位子を含む改質ガスとしての六フッ化タングステン(WF6)ガスを供給して、SiO2層の表面を改質する工程と、
ウエハ200に対して、堆積ガスとして、原料ガスとしてのTiCl4ガスと、反応ガスとしてのNH3ガスを供給し、SiN層の表面上にTiN膜を選択成長させる工程と、を有する。
先ず、第1プロセスユニットとしての処理炉202a内に、SiO2層とSiN層を表面に有するウエハ200を搬入し、改質処理を実行し、これらのウエハ200上のSiO2層の表面にF終端を生成する。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)されると、図2に示されているように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201a内に搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219はOリング220を介して反応管203の下端開口を閉塞した状態となる。
処理室201a内が所望の圧力(真空度)となるように真空ポンプ246によって真空排気される。この際、処理室201a内の圧力は、圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づき、APCバルブ243がフィードバック制御される(圧力調整)。真空ポンプ246は、少なくともウエハ200に対する処理が完了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。また、処理室201a内が所望の温度となるようにヒータ207によって加熱される。この際、処理室201a内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電量がフィードバック制御される(温度調整)。ヒータ207による処理室201a内の加熱は、少なくともウエハ200に対する処理が完了するまでの間は継続して行われる。
(WF6ガス供給)
バルブ314を開き、ガス供給管310内に改質ガスであるWF6ガスを流す。WF6ガスは、MFC312により流量調整され、ノズル410のガス供給孔410aから処理室201a内に供給され、排気管231から排気される。このとき、ウエハ200に対してWF6ガスが供給される。これと並行してバルブ514を開き、ガス供給管510内にN2ガス等の不活性ガスを流す。ガス供給管510内を流れたN2ガスは、MFC512により流量調整され、WF6ガスと一緒に処理室201a内に供給され、排気管231から排気される。
(残留ガス除去)
次に、WF6ガスの供給が停止されると、処理室201a内のガスを排気するパージ処理が行われる。このとき排気管231のAPCバルブ243は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201a内を真空排気し、処理室201a内に残留する未反応のWF6ガスもしくはSiO2層表面をハロゲン終端した後のWF4ガスを処理室201a内から排除する。このときバルブ514は開いたままとして、N2ガスの処理室201a内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、処理室201a内に残留する未反応のWF6ガスもしくはWF4ガスを処理室201a内から排除する効果を高めることができる。
上記した改質ガス供給工程およびパージ工程を順に行うサイクルを1回以上(所定回数(n回))行うことにより、ウエハ200上に形成されたSiO2層表面はハロゲン終端される。また、ウエハ200上に形成されたSiN層表面はハロゲン終端されない。
ガス供給管510からN2ガスを処理室201a内へ供給し、排気管231から排気する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより処理室201a内が不活性ガスでパージされ、処理室201a内に残留するガスや副生成物が処理室201a内から除去される(アフターパージ)。その後、処理室201a内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201a内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降されて、反応管203の下端が開口される。そして、改質処理済ウエハ200がボート217に支持された状態で反応管203の下端から反応管203の外部に搬出(ボートアンロード)される。その後、改質処理済のウエハ200は、ボート217より取り出される(ウエハディスチャージ)。
次に、第2プロセスユニットとしての処理炉202b内に、処理炉202a内で改質処理済みのウエハ200が搬入される。そして、処理室201b内が所望の圧力、所望の温度分布に圧力調整および温度調整がなされ、成膜処理が実行される。なお、本工程は、上述した処理炉202aにおける工程とガス供給工程のみ異なる。したがって、上述した処理炉202aにおける工程と異なる部分のみ以下に説明し、同じ部分は説明を省略する。
(TiCl4ガス供給)
バルブ324を開き、ガス供給管320内に原料ガスであるTiCl4ガスを流す。TiCl4ガスは、MFC322により流量調整され、ノズル420のガス供給孔420aから処理室201b内に供給され、排気管231から排気される。このとき、ウエハ200に対してTiCl4ガスが供給される。これと並行してバルブ524を開き、ガス供給管520内にN2ガス等の不活性ガスを流す。ガス供給管520内を流れたN2ガスは、MFC522により流量調整され、TiCl4ガスと一緒に処理室201b内に供給され、排気管231から排気される。このとき、ノズル430内へのTiCl4ガスの侵入を防止するために、バルブ534を開き、ガス供給管530内にN2ガスを流す。N2ガスは、ガス供給管330、ノズル430を介して処理室201b内に供給され、排気管231から排気される。
(残留ガス除去)
Ti含有層を形成した後、バルブ324を閉じて、TiCl4ガスの供給を停止する。
そして、処理室201b内に残留する未反応もしくはTi含有層の形成に寄与した後のTiCl4ガスや反応副生成物を処理室201b内から排除する。
(NH3ガス供給)
処理室201b内の残留ガスを除去した後、バルブ334を開き、ガス供給管330内に、反応ガスとしてNH3ガスを流す。NH3ガスは、MFC332により流量調整され、ノズル430のガス供給孔430aから処理室201b内に供給され、排気管231から排気される。このときウエハ200に対して、NH3ガスが供給される。これと並行してバルブ534を開き、ガス供給管530内にN2ガスを流す。ガス供給管530内を流れたN2ガスは、MFC532により流量調整される。N2ガスはNH3ガスと一緒に処理室201b内に供給され、排気管231から排気される。このとき、ノズル420内へのNH3ガスの侵入を防止するために、バルブ524を開き、ガス供給管520内にN2ガスを流す。N2ガスは、ガス供給管320、ノズル420を介して処理室201b内に供給され、排気管231から排気される。
(残留ガス除去)
TiN膜を形成した後、バルブ334を閉じて、NH3ガスの供給を停止する。
そして、上述した第1の工程と同様の処理手順により、処理室201b内に残留する未反応もしくはTiN膜の形成に寄与した後のNH3ガスや反応副生成物を処理室201b内から排除する。
そして、原料ガスとしてのTiCl4ガスと反応ガスとしてのNH3ガスとを互いに混合しないよう交互に供給し、上記した第1の工程〜第4の工程を順に行うサイクルを1回以上(所定回数(n回))行うことにより、図10(B)に示されるように、ウエハ200のSiN層上に、所定の厚さ(例えば5〜10nm)のTiN膜を形成する。上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。
上述の実施形態では、改質処理を行う処理室202aと、成膜処理を行う処理室202bとを備えたクラスタ型の基板処理装置10を用いて、改質処理と成膜処理を別の処理室で行う構成について説明したが、図11及び図12に示されているように、1つの処理室301内に改質ガス供給系と堆積ガス供給系とを備えた基板処理装置300を用いて、改質処理及び成膜処理を同一処理室201内で行う構成においても同様に適用可能である。すなわち、インサイチュで基板処理を行う構成においても同様に適用可能である。この場合、改質処理と成膜処理とを連続して行うことができる。すなわち、改質処理後に処理室外へウエハ200を搬出することなく、続けて成膜処理を行うことができる。したがって、上述の実施形態と比較して、より、SiO2層の表面に生成されたF終端を維持したまま成膜処理を行うことが可能となる。
第1の表面(例えばSiO2層)と、第2の表面(例えばSiN層)を有するウエハ200に対して、無機配位子を含む改質ガス(例えばWF6ガス)を供給して、第1の表面を改質する工程と、
ウエハ200に対して、堆積ガスとして、原料ガス(例えばTiCl4ガス)と、反応ガス(例えばNH3ガス)を供給し、第2の表面上に膜(例えばTiN膜)を選択成長させる工程と、
を交互に所定回数実施する工程を有する。
(実施例1)
次に、上記で説明した基板処理装置10を用いて、上記で説明した基板処理工程を用いて、改質ガスとしてWF6ガスを暴露してSiN層上に窒化チタン(TiN)膜を形成した場合と、WF6ガスを暴露しないでSiN層上にTiN膜を形成した場合とで、生成されるTiN膜の膜厚にどのような差があるかについて図13(A)に基づいて説明する。
次に、SiO2層に対してSiN層上に優先的にTiN膜を形成できる膜厚TSiNを以下の式で定義する。
TsiN=SiN層上の成膜レート
×(SiO2層上のインキュベーションタイム−SiN層上のインキュベーションタイム)
・・・・・(式1)
次に、上記で説明した基板処理装置10を用いて、上記で説明した基板処理工程で(a)WF6ガスを暴露しないでSiO2層上にTiN膜を形成した場合と、(b)WF6ガスをパルス供給してSiO2層上にTiN膜を形成した場合と、(c)WF6ガスを連続供給してSiO2層上にTiN膜を形成した場合と、で、形成されるTiN膜の膜厚にどのような差があるかについて図15(A)に基づいて説明する。(b)のパルス供給では、WF6ガスのパルス供給を60サイクル(WF6ガスの総暴露時間は10分)とし、(c)の連続供給では、WF6ガスの暴露時間を10分として、(b)と(c)の総暴露時間を同じとした。
次に、上記で説明した基板処理装置10を用いて、上記で説明した基板処理工程で、SiO2層上、酸化ジルコニウム(ZrO)層上、酸化ハフニウム(HfO)層上にWF6ガスをパルス供給(60サイクル)した後にTiN膜を形成し、形成されるTiN膜の膜厚にどのくらい差があるかについて図15(B)に基づいて説明する。
次に、上記で説明した基板処理装置10を用いて、上記で説明した基板処理工程で、改質ガスとしてClF3ガスを用いて250℃で改質処理を行い、SiN層とSiO2層とが表面に形成されたウエハのSiN層上に500℃でSiN膜を選択成長させる成膜処理を行った場合の選択性に対する改質処理の効果を図16(A)〜図16(C)に基づいて説明する。図16(A)は、比較例であって、改質処理を行わずに成膜処理を行った場合にSiN層上とSiO2層上にそれぞれ選択成長されるSiN膜の膜厚を示す図であって、成膜処理を150サイクル行った場合と、300サイクル行った場合をプロットしている。図16(B)は、改質処理後に成膜処理を行った場合にSiN層上とSiO2層上にそれぞれ選択成長されるSiN膜の膜厚を示す図であって、成膜処理を200サイクル、300サイクル、400サイクル行った場合をプロットしている。図16(C)は、改質処理と成膜処理とを交互に2回行った場合にSiN層上とSiO2層上にそれぞれ選択成長されるSiN膜の膜厚を示す図であって、各成膜処理を200サイクルずつ(計400サイクル)行った場合をプロットしている。
121 コントローラ
200 ウエハ(基板)
201a,201b,301 処理室
Claims (14)
- 第1の表面と、前記第1の表面とは異なる第2の表面を有する基板に対して、フッ素含有ガスである改質ガスを供給して、前記第1の表面を改質する工程と、
前記基板に対して、堆積ガスを供給し、前記第2の表面に膜を選択成長させる工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記堆積ガスは、原料ガスと、前記原料ガスと反応する反応ガスを含み、
前記第2の表面に膜を選択成長させる工程では、前記原料ガスと前記反応ガスとを互いに混合しないよう交互に供給する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記原料ガスは第2のハロゲン化物である請求項2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2のハロゲン化物は塩素含有ガスである請求項3記載の半導体装置の製造方法。
- 前記堆積ガスは、原料ガスを含み、
前記改質ガスおよび前記原料ガスは、それぞれ電気的に陰性である配位子を有する請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2の表面に膜を選択成長させる工程は、前記基板を500℃以上で加熱しつつ行う請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の表面を改質する工程は、前記基板を300℃以下で加熱しつつ行う請求項1又は6記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の表面はシリコン酸化層である請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の表面を改質する工程では、前記改質ガスの供給を所定回数行う請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板を収容する第1の処理室と、
前記第1の処理室に、フッ素含有ガスである改質ガスを供給する第1のガス供給系と、
基板を収容する第2の処理室と、
前記第2の処理室に、堆積ガスを供給する第2のガス供給系と、
基板を前記第1の処理室および前記第2の処理室に搬入出させる搬送系と、
第1の表面と、前記第1の表面とは異なる第2の表面を有する基板を、前記第1の処理室に搬入する処理と、前記第1の処理室に前記改質ガスを供給して前記第1の表面を改質する処理と、前記基板を前記第1の処理室から搬出する処理と、前記基板を前記第2の処理室に搬入する処理と、前記第2の処理室に前記堆積ガスを供給して前記第2の表面に膜を選択成長させる処理と、前記第2の処理室から前記基板を搬出する処理と、を行うよう、前記第1のガス供給系、前記第2のガス供給系及び前記搬送系を制御するように構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板を収容する処理室と、
前記処理室に、フッ素含有ガスである改質ガスを供給する第1のガス供給系と、
前記処理室に、堆積ガスを供給する第2のガス供給系と、
第1の表面と、前記第1の表面とは異なる第2の表面を有する基板を収容した前記処理室に前記改質ガスを供給して前記第1の表面を改質する処理と、前記処理室に前記堆積ガスを供給して前記第2の表面に膜を選択成長させる処理と、を行うよう、前記第1のガス供給系、前記第2のガス供給系を制御するように構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板処理装置の第1の処理室に、第1の表面と、前記第1の表面とは異なる第2の表面を有する基板を搬入する手順と、
前記基板に対して、フッ素含有ガスである改質ガスを供給し、前記第1の表面を改質する手順と、
前記第1の処理室から、前記基板を搬出する手順と、
前記基板処理装置の第2の処理室に、前記基板を搬入する手順と、
前記基板に対して、堆積ガスを供給し、前記第2の表面に膜を選択成長させる手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。 - 基板処理装置の処理室に収容され、第1の表面と、前記第1の表面とは異なる第2の表面を有する基板に対して、フッ素含有ガスである改質ガスを供給して、前記第1の表面を改質する手順と、
前記基板に対して、堆積ガスを供給し、前記第2の表面に膜を選択成長させる手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。 - 第1の表面と、前記第1の表面とは異なる第2の表面を有する基板に対して、フッ素含有ガスである改質ガスを供給して、前記第1の表面を改質する工程と、
前記基板に対して、堆積ガスを供給し、前記第2の表面に膜を選択成長させる工程と、
を有する基板処理方法。
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