JP7258826B2 - 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム - Google Patents
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Description
(a)処理容器内へ基板を搬入する工程と、
(b)前記処理容器内で支持具により支持された前記基板に対して成膜ガスを供給することで、前記基板上に窒化膜を形成する処理を行う工程と、
(c)前記処理容器内から前記処理後の前記基板を搬出する工程と、
(d)前記処理後の前記基板を搬出した後の前記処理容器内に酸化ガスを供給することで、(b)において前記処理容器内に形成された窒化膜の一部を酸化させて酸化膜に変化させ、前記窒化膜の前記一部とは異なる他の部分を酸化させることなく前記窒化膜のまま維持させる工程と、
を含むセットを複数回繰り返す技術が提供される。
以下、本開示の一態様について、主に、図1~図4を参照しながら説明する。
図1に示すように、処理炉202は温度調整器(加熱部)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ207は、ガスを熱で活性化(励起)させる活性化機構(励起部)としても機能する。
上述の基板処理装置を用い、半導体装置の製造工程の一工程として、処理容器内の基板としてのウエハ200上に窒化膜を形成する処理を行う工程と、処理後の処理容器内に形成された窒化膜の一部を酸化させて酸化膜に変化させ、処理後の処理容器内に形成された窒化膜の他の部分を酸化させることなく窒化膜のまま維持させる工程と、を含むセットを複数回繰り返す処理シーケンス例について、主に、図4を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
(a)処理容器内へウエハ200を搬入する工程と、
(b)処理容器内で支持具としてのボート217に支持されたウエハ200に対して成膜ガスを供給することで、ウエハ200上に窒化膜を形成する処理を行う工程と、
(c)処理容器内から処理後のウエハ200を搬出する工程と、
(d)処理後のウエハ200を搬出した後の処理容器内に酸化ガスを供給することで、(b)において処理容器内に形成された窒化膜の一部を酸化させて酸化膜に変化させ、その窒化膜の一部とは異なる他の部分を酸化させることなく窒化膜のまま維持させる工程と、
を含むセットを複数回繰り返す。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)される。その後、シャッタ開閉機構115sによりシャッタ219sが移動させられて、マニホールド209の下端開口が開放される(シャッタオープン)。上述のように、ウエハ200は、製品ウエハと、ダミーウエハと、を含む。すなわち、ボート217には、ウエハ200として、製品ウエハと、ダミーウエハと、が装填されることとなる。
その後、図1に示すように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内へ搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。
ボートロードが終了した後、処理室201内、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ246によって真空排気(減圧排気)される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される(圧力調整)。また、処理室201内のウエハ200が所望の処理温度となるように、ヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される(温度調整)。また、回転機構267によるウエハ200の回転を開始する。処理室201内の排気、ウエハ200の加熱および回転は、いずれも、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
その後、次のステップ1,2を順次実行する。
ステップ1では、処理室201内のウエハ200に対してクロロシラン系ガスを供給する。
クロロシラン系ガス供給流量:0.01~2slm、好ましくは0.1~1slm
不活性ガス供給流量(ガス供給管毎):0~10slm
各ガス供給時間:1~120秒、好ましくは1~60秒
処理温度(ウエハ200の温度):400~700℃、好ましくは500~650℃
処理圧力(処理室201内の圧力):1~2666Pa、好ましくは67~1333Pa
が例示される。
ステップ1が終了した後、処理室201内のウエハ200、すなわち、ウエハ200上に形成されたSi含有層に対してN及びH含有ガスを供給する。
N及びH含有ガス供給流量:0.1~10slm
N及びH含有ガス供給時間:1~120秒、好ましくは1~60秒
処理圧力(処理室201内の圧力):1~4000Pa、好ましくは1~3000Pa
が例示される。他の処理条件は、ステップ1における処理条件と同様な処理条件とする。
上述したステップ1,2を非同時に、すなわち、同期させることなく行うサイクルを所定回数(n回、nは1以上の整数)行うことにより、ウエハ200の表面を下地として、この下地上に、所定の厚さのSiN膜を形成することができる。上述のサイクルは、複数回繰り返すことが好ましい。すなわち、1サイクルあたりに形成されるSiN層の厚さを所望の膜厚よりも薄くし、SiN層を積層することで形成されるSiN膜の厚さが所望の厚さになるまで、上述のサイクルを複数回繰り返すことが好ましい。
ウエハ200上へ所望の厚さのSiN膜を形成する処理が完了した後、ノズル249a~249cのそれぞれからパージガスとして不活性ガスを処理室201内へ供給し、排気口231aより排気する。これにより、処理室201内がパージされ、処理室201内に残留するガスや反応副生成物等が処理室201内から除去される(アフターパージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降され、マニホールド209の下端が開口される。そして、処理済のウエハ200が、ボート217に支持された状態でマニホールド209の下端から反応管203の外部に搬出(ボートアンロード)される。ボートアンロードの後は、図5に示すように、シャッタ219sが移動させられ、マニホールド209の下端開口がOリング220cを介してシャッタ219sによりシールされる(シャッタクローズ)。
ボートアンロード後、すなわち、シャッタクローズ後、処理済のウエハ200は、ボート217に支持された状態で、取り出し可能な所定の温度となるまで冷却される(ウエハ冷却)。
ウエハ冷却後、取り出し可能な所定の温度となるまで冷却された処理済のウエハ200は、ボート217より取り出される(ウエハディスチャージ)。
これらのウエハ冷却およびウエハディスチャージと並行して、成膜処理において炉内に付着した膜、すなわち、成膜処理において処理容器内に形成されたSiN膜を含む堆積物に対し、酸化処理を行う。処理容器内に形成されたSiN膜に対する酸化処理は、SiN膜の酸化が飽和しないようにして、すなわち、不飽和酸化にて、行う。
O含有ガス供給流量:0.1~10slm
H含有ガス供給流量:0.1~10slm
不活性ガス供給流量(ガス供給管毎):0~10slm
各ガス供給時間:15~60分
処理温度(処理室201内の温度):400~800℃、好ましくは600~700℃
処理圧力(処理室201内の圧力):1~2000Pa、好ましくは1~1000Pa
が例示される。
本態様によれば、以下に示す1つ又は複数の効果が得られる。
本態様における処理シーケンスは、以下に示す変形例のように変更することができる。これらの変形例は、任意に組み合わせることができる。特に説明がない限り、各変形例の各ステップにおける処理手順、処理条件は、上述の処理シーケンスの各ステップにおける処理手順、処理条件と同様とすることができる。
成膜処理のステップ2においては、処理室201内のウエハ200、すなわち、ウエハ200上に形成されたSi含有層に対して、N及びH含有ガスをプラズマ励起させて、すなわち、プラズマ状態に活性化させて、供給するようにしてもよい。すなわち、成膜処理では、以下に示すガス供給シーケンスのように各ガスを供給して、ウエハ200上にSiN膜を形成するようにしてもよい。
炉内付着膜酸化処理を行う際に、処理室201内へ、O含有ガスおよびH含有ガスのうち少なくともいずれか一方のガスをプラズマ励起させて、すなわち、プラズマ状態に活性化させて、供給するようにしてもよい。
炉内付着膜酸化処理を、ウエハ冷却およびウエハディスチャージと並行して行うだけでなく、更に、次に処理するウエハ200に対するウエハチャージと並行して行うようにしてもよい。すなわち、炉内付着膜酸化処理を、ウエハ冷却、ウエハディスチャージ、および、次に処理するウエハ200に対するウエハチャージと並行して行うようにしてもよい。
成膜処理では、窒化膜として、SiN膜の他、C,O,Bのうち少なくともいずれか1つを含むSiN膜を形成するようにしてもよい。すなわち、成膜処理では、窒化膜として、SiN膜、SiCN膜、SiON膜、SiOCN膜、SiBN膜、SiBCN膜、SiBOCN膜、SiBON膜等を形成するようにしてもよい。これらの膜を形成する場合、成膜処理において、更に、C含有ガス、O含有ガス、B含有ガスのうち少なくともいずれか1つを、成膜ガス供給系より、供給するようにすればよい。
以上、本開示の態様を具体的に説明した。しかしながら、本開示は上述の態様に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
処理温度(処理室201内温度):200~500℃
処理圧力(処理室201内圧力):1330~26600Pa
F2ガス供給流量:0.5~5slm
N2ガス供給流量:1~20slm
が例示される。
以下、本開示の好ましい態様について付記する。
本開示の一態様によれば、
(a)処理容器内へ基板を搬入する工程と、
(b)前記処理容器内で支持具により支持された前記基板に対して成膜ガスを供給することで、前記基板上に窒化膜を形成する処理を行う工程と、
(c)前記処理容器内から前記処理後の前記基板を搬出する工程と、
(d)前記処理後の前記基板を搬出した後の前記処理容器内へ酸化ガスを供給することで、(b)において前記処理容器内に形成された窒化膜の一部を酸化させて酸化膜に変化させ、前記窒化膜の前記一部とは異なる他の部分を酸化させることなく前記窒化膜のまま維持させる工程と、
を含むセットを複数回繰り返す工程を有する半導体装置の製造方法、または、基板処理方法が提供される。
付記1に記載の方法であって、
(a)、(b)および(c)を行う毎に(d)を行う。
付記1または2に記載の方法であって、
(d)において、前記処理容器内に形成された前記窒化膜の前記一部を酸化させてなる前記酸化膜と、前記処理容器内に形成された前記窒化膜のうち酸化させることなく前記窒化膜のまま維持させてなる窒化膜と、の積層膜のトータルでの応力を引っ張り応力とする。
付記1~3のいずれか1項に記載の方法であって、
(d)において、前記処理容器内に形成された前記窒化膜の前記一部を酸化させてなる前記酸化膜と、前記処理容器内に形成された前記窒化膜のうち酸化させることなく前記窒化膜のまま維持させてなる窒化膜と、の積層膜における前記酸化膜の比率を75%以下、好ましくは70%以下とする。
付記1~4のいずれか1項に記載の方法であって、
(d)を、前記処理容器内に、前記支持具を収容(搬入)することなく行う。
付記5に記載の方法であって、
(d)では、(b)において前記支持具の表面に形成された窒化膜を酸化させることなく前記窒化膜のまま維持させる。
付記6に記載の方法であって、
2セット目以降の(b)を、前記処理容器内で、表面に前記窒化膜が形成された前記支持具により、次に処理する基板を支持した状態で行う。
付記1~6のいずれか1項に記載の方法であって、
前記基板は、製品基板と、ダミー基板と、を含み、
(d)を、前記処理容器内に、前記支持具、前記製品基板、および前記ダミー基板を収容(搬入)することなく行う。
付記8に記載の方法であって、
(d)では、(b)において前記支持具、前記製品基板、および前記ダミー基板のそれぞれの表面に形成された窒化膜を酸化させることなく前記窒化膜のまま維持させる。
付記9に記載の方法であって、
2セット目以降の(b)を、前記処理容器内で、表面に前記窒化膜が形成された前記支持具により、表面に前記窒化膜が形成された前記ダミー基板と、次に処理する製品基板と、を支持した状態で行う。
付記1~10のいずれか1項に記載の方法であって、
更に、(e)前記処理容器内から搬出した前記処理後の前記基板を冷却する工程を有し、
(d)を(e)と並行して行う。
付記1~11のいずれか1項に記載の方法であって、
(c)では、前記処理容器内から前記処理後の前記基板を前記支持具により支持した状態で搬出し、更に、
(e)前記処理容器内から搬出した前記処理後の前記基板を冷却する工程と、
(f)前記冷却を行った後の前記処理後の前記基板を前記支持具から取り出す工程と、
を有し、
(d)を(e)および(f)と並行して行う。
付記12に記載の方法であって、
更に、(g)次に処理する基板を前記支持具に装填する工程を有し、
(d)を(e)、(f)、および(g)と並行して行う。
付記1~13のいずれか1項に記載の方法であって、
(d)では、前記処理容器内へ前記酸化ガスを連続的または間欠的に供給した状態で、前記処理容器内を排気する排気管に設けられた排気バルブの開閉を繰り返す。
付記1~14のいずれか1項に記載の方法であって、
(d)では、前記処理容器内へ前記酸化ガスを連続的または間欠的に供給した状態で、前記処理容器内をパルス排気(間欠排気)する。
付記1~15のいずれか1項に記載の方法であって、
(d)では、
前記処理容器内を排気した状態で前記処理容器内へ前記酸化ガス供給する工程と、
前記処理容器内の排気を停止した状態で前記処理容器内へ前記酸化ガス供給する工程と、
を交互に所定回数、好ましくは複数回行う。
付記1~16のいずれか1項に記載の方法であって、
前記酸化ガスは、酸素含有ガスおよび水素含有ガスを含む。
付記1~16のいずれか1項に記載の方法であって、
前記窒化膜は、半導体元素および金属元素のうち少なくともいずれかと、窒素と、を少なくとも含む膜である。
本開示の他の態様によれば、
基板が処理される処理容器と、
前記処理容器内で基板を支持する支持具と、
前記処理容器内の基板に対して成膜ガスを供給する成膜ガス供給系と、
前記処理容器内へ酸化ガスを供給する酸化ガス供給系と、
処理容器内外に基板を搬送する搬送装置と、
前記処理容器内において、付記1の各処理(各工程)を行わせるように、前記成膜ガス供給系、前記酸化ガス供給系、および前記搬送装置を制御することが可能なよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
本開示の更に他の態様によれば、
付記1の各手順(各工程)をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム、または、該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
201 処理室
217 ボート
Claims (21)
- (a)処理容器内へ基板を搬入する工程と、
(b)前記処理容器内で支持具により支持された前記基板に対して成膜ガスを供給することで、前記基板上に窒化膜を形成する処理を行う工程と、
(c)前記処理容器内から前記処理後の前記基板を搬出する工程と、
(d)前記処理後の前記基板を搬出した後の前記処理容器内へ酸化ガスを供給することで、(b)において前記処理容器内に形成された窒化膜の一部を酸化させて酸化膜に変化させ、前記窒化膜の前記一部とは異なる他の部分を酸化させることなく前記窒化膜のまま維持させる工程と、
を含むセットを複数回繰り返す工程を有し、
(d)において、前記処理容器内に形成された前記窒化膜の前記一部を酸化させてなる前記酸化膜と、前記処理容器内に形成された前記窒化膜のうち酸化させることなく前記窒化膜のまま維持させてなる窒化膜と、の積層膜における前記酸化膜の比率を75%以下とすることで、前記積層膜のトータルでの応力を引っ張り応力とする基板処理方法。 - (a)、(b)および(c)を行う毎に(d)を行う請求項1に記載の基板処理方法。
- (d)において、前記処理容器内に形成された前記窒化膜のうち酸化させる部分の厚さを、前記処理容器内に形成された酸化前の前記窒化膜の厚さの65%以下とする請求項1または2に記載の基板処理方法。
- (d)において、前記処理容器内に形成された前記窒化膜のうち酸化させる部分の厚さを、前記処理容器内に形成された前記窒化膜のうち酸化させることなく前記窒化膜のまま維持させる部分の厚さよりも薄くする請求項1~3のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- (d)を、前記処理容器内に、前記支持具を収容することなく行う請求項1~4のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- (d)では、(b)において前記支持具の表面に形成された窒化膜を酸化させることなく前記窒化膜のまま維持させる請求項5に記載の基板処理方法。
- 2セット目以降の(b)を、前記処理容器内で、表面に前記窒化膜が形成された前記支持具により、次に処理する基板を支持した状態で行う請求項6に記載の基板処理方法。
- 前記基板は、製品基板と、ダミー基板と、を含み、
(d)を、前記処理容器内に、前記支持具、前記製品基板、および前記ダミー基板を収容することなく行う請求項1~7のいずれか1項に記載の基板処理方法。 - (d)では、(b)において前記支持具、前記製品基板、および前記ダミー基板のそれぞれの表面に形成された窒化膜を酸化させることなく前記窒化膜のまま維持させる請求項8に記載の基板処理方法。
- 2セット目以降の(b)を、前記処理容器内で、表面に前記窒化膜が形成された前記支持具により、表面に前記窒化膜が形成された前記ダミー基板と、次に処理する製品基板と、を支持した状態で行う請求項9に記載の基板処理方法。
- 更に、(e)前記処理容器内から搬出した前記処理後の前記基板を冷却する工程を有し、
(d)を(e)と並行して行う請求項1~10のいずれか1項に記載の基板処理方法。 - (c)では、前記処理容器内から前記処理後の前記基板を前記支持具により支持した状
態で搬出し、更に、
(e)前記処理容器内から搬出した前記処理後の前記基板を冷却する工程と、
(f)前記冷却を行った後の前記処理後の前記基板を前記支持具から取り出す工程と、
を有し、
(d)を(e)および(f)と並行して行う請求項1~11のいずれか1項に記載の基板処理方法。 - 更に、(g)次に処理する基板を前記支持具に装填する工程を有し、
(d)を(e)、(f)、および(g)と並行して行う請求項12に記載の基板処理方法。 - (d)では、前記処理容器内へ前記酸化ガスを連続的または間欠的に供給した状態で、前記処理容器内を排気する排気管に設けられた排気バルブの開閉を繰り返す請求項1~13のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- (d)では、前記処理容器内へ前記酸化ガスを連続的または間欠的に供給した状態で、前記処理容器内をパルス排気する請求項1~14のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- (d)では、
前記処理容器内を排気した状態で前記処理容器内へ前記酸化ガスを供給する工程と、
前記処理容器内の排気を停止した状態で前記処理容器内へ前記酸化ガスを供給する工程と、
を交互に所定回数行う請求項1~15のいずれか1項に記載の基板処理方法。 - 前記酸化ガスは、酸素含有ガスおよび水素含有ガスを含む請求項1~16のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記窒化膜は、半導体元素および金属元素のうち少なくともいずれかと、窒素と、を少なくとも含む膜である請求項1~17のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- (a)処理容器内へ基板を搬入する工程と、
(b)前記処理容器内で支持具により支持された前記基板に対して成膜ガスを供給することで、前記基板上に窒化膜を形成する処理を行う工程と、
(c)前記処理容器内から前記処理後の前記基板を搬出する工程と、
(d)前記処理後の前記基板を搬出した後の前記処理容器内へ酸化ガスを供給することで、(b)において前記処理容器内に形成された窒化膜の一部を酸化させて酸化膜に変化させ、前記窒化膜の前記一部とは異なる他の部分を酸化させることなく前記窒化膜のまま維持させる工程と、
を含むセットを複数回繰り返す工程を有し、
(d)において、前記処理容器内に形成された前記窒化膜の前記一部を酸化させてなる前記酸化膜と、前記処理容器内に形成された前記窒化膜のうち酸化させることなく前記窒化膜のまま維持させてなる窒化膜と、の積層膜における前記酸化膜の比率を75%以下とすることで、前記積層膜のトータルでの応力を引っ張り応力とする半導体装置の製造方法。 - 基板が処理される処理容器と、
前記処理容器内で基板を支持する支持具と、
前記処理容器内の基板に対して成膜ガスを供給する成膜ガス供給系と、
前記処理容器内へ酸化ガスを供給する酸化ガス供給系と、
処理容器内外に基板を搬送する搬送装置と、
(a)前記処理容器内へ基板を搬入する処理と、(b)前記処理容器内で前記支持具により支持された前記基板に対して前記成膜ガスを供給することで、前記基板上に窒化膜を形成する処理と、(c)前記処理容器内から前記処理後の前記基板を搬出する処理と、(d)前記処理後の前記基板を搬出した後の前記処理容器内へ前記酸化ガスを供給することで、(b)において前記処理容器内に形成された窒化膜の一部を酸化させて酸化膜に変化させ、前記窒化膜の前記一部とは異なる他の部分を酸化させることなく前記窒化膜のまま維持させる処理と、を含むセットを複数回繰り返す処理を行わせ、(d)において、前記処理容器内に形成された前記窒化膜の前記一部を酸化させてなる前記酸化膜と、前記処理容器内に形成された前記窒化膜のうち酸化させることなく前記窒化膜のまま維持させてなる窒化膜と、の積層膜における前記酸化膜の比率を75%以下とすることで、前記積層膜のトータルでの応力を引っ張り応力とするように、前記成膜ガス供給系、前記酸化ガス供給系、および前記搬送装置を制御することが可能なよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - (a)基板処理装置の処理容器内へ基板を搬入する手順と、
(b)前記処理容器内で支持具により支持された前記基板に対して成膜ガスを供給することで、前記基板上に窒化膜を形成する処理を行う手順と、
(c)前記処理容器内から前記処理後の前記基板を搬出する手順と、
(d)前記処理後の前記基板を搬出した後の前記処理容器内へ酸化ガスを供給することで、(b)において前記処理容器内に形成された窒化膜の一部を酸化させて酸化膜に変化させ、前記窒化膜の前記一部とは異なる他の部分を酸化させることなく前記窒化膜のまま維持させる手順と、
を含むセットを複数回繰り返す手順と、
(d)において、前記処理容器内に形成された前記窒化膜の前記一部を酸化させてなる前記酸化膜と、前記処理容器内に形成された前記窒化膜のうち酸化させることなく前記窒化膜のまま維持させてなる窒化膜と、の積層膜における前記酸化膜の比率を75%以下とすることで、前記積層膜のトータルでの応力を引っ張り応力とする手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003249661A (ja) | 1998-12-29 | 2003-09-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2006190977A (ja) | 2004-12-09 | 2006-07-20 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体 |
JP2010219308A (ja) | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
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Family Cites Families (11)
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JPH0737881A (ja) * | 1993-07-19 | 1995-02-07 | Hitachi Ltd | 薄膜生成装置の後処理方法およびその装置 |
JP2003188159A (ja) | 2001-12-19 | 2003-07-04 | Seiko Epson Corp | Cvd装置及び半導体装置の製造方法 |
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JP5036849B2 (ja) * | 2009-08-27 | 2012-09-26 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置 |
US20140272184A1 (en) * | 2013-03-13 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Methods for maintaining clean etch rate and reducing particulate contamination with pecvd of amorphous silicon filims |
US9142393B2 (en) * | 2013-05-23 | 2015-09-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method for cleaning reaction chamber using pre-cleaning process |
JP6210039B2 (ja) * | 2014-09-24 | 2017-10-11 | セントラル硝子株式会社 | 付着物の除去方法及びドライエッチング方法 |
JP6994483B2 (ja) * | 2018-09-26 | 2022-01-14 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、プログラム、及び基板処理装置 |
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