JP2019186574A - 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム - Google Patents
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処理室内の基板に対して原料を供給し第1排気系より排気する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して反応体を供給し第2排気系より排気する工程と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に膜を形成する工程を有し、
前記膜を形成する工程では、前記原料が前記第1排気系内を流れていないときに、前記第1排気系に設けられた供給ポートより、前記第1排気系内へ、前記反応体とは異なる物質である失活体を直接供給する技術が提供される。
以下、本発明の一実施形態について、図1〜図3を用いて説明する。
図1に示すように、処理炉202は加熱手段(加熱機構)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ207は、ガスを熱で活性化(励起)させる活性化機構(励起部)としても機能する。
上述の基板処理装置を用い、半導体装置の製造工程の一工程として、基板としてのウエハ200上にシリコン窒化膜(SiN膜)を形成するシーケンス例について、図4、図5を用いて説明する。図5において、○印はAPCバルブ244a,244bの開放状態を、●印はこれらの閉塞状態をそれぞれ示している。また、図4、図5では、便宜上、各排気系を流れるN2ガスの図示を一部省略している。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
複数枚のウエハ200をボート217に装填(ウエハチャージ)する。その後、図1に示すように、複数枚のウエハ200を支持したボート217を、ボートエレベータ115によって持ち上げて、処理室201内へ搬入(ボートロード)する。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220を介して反応管203の下端をシールした状態となる。
処理室201内、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように、第1排気系および第2排気系より処理室201内を真空排気(減圧排気)する。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244a,244bがそれぞれフィードバック制御される。真空ポンプ246a,246bは、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は常時作動させた状態をそれぞれ維持する。
その後、次のステップ1A,2Aを順次実行する。
このステップでは、ウエハ200に対してHCDSガスを供給する。具体的には、図5の上段左に示すように、APCバルブ244bを全閉(フルクローズ)とし、APCバルブ244aを開いた状態で、バルブ243aを開き、ガス供給管232a内へHCDSガスを流す。HCDSガスは、MFC241aにより流量調整され、ノズル249aを介して処理室201内へ供給され、排気管231を介し、排気管231aより、すなわち、第1排気系より排気される。このとき、ウエハ200に対してHCDSガスが供給される。このとき同時にバルブ243cを開き、ガス供給管232c内へN2ガスを流す。N2ガスは、HCDSガスと一緒に処理室201内へ供給され、排気管231aより排気される。また、ノズル249b内へのHCDSガスの侵入を防止するため、バルブ243dを開き、ガス供給管232d内へN2ガスを流す。N2ガスは、ガス供給管232b、ノズル249bを介して処理室201内へ供給され、排気管231aより排気される。
ステップ1Aが終了した後、ウエハ200に対してNH3ガスを供給する。このステップでは、図5の下段左に示すように、APCバルブ244aを全閉とし、APCバルブ244bを開いた状態で、バルブ243b〜243dの開閉制御を、ステップ1Aにおけるバルブ243a,243c,243dの開閉制御と同様の手順で行い、ガス供給管232b内へNH3ガスを流す。NH3ガスは、MFC241bにより流量調整され、ノズル249bを介して処理室201内へ供給され、排気管231を介し、排気管231bより、すなわち、第2排気系より排気される。このとき、ウエハ200に対してNH3ガスが供給される。
上述したステップ1A,2Aを交互に行うサイクルを所定回数(n回(nは1以上の整数))行うことで、処理室201内には、HCDSガスとNH3ガスとが間欠的かつ非同時に所定回数流れる。これにより、ウエハ200上に、所定膜厚のSiN膜を形成することができる。上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。
HCDSガス供給流量:100〜2000sccm、好ましくは10〜1000sccm
HCDSガス供給時間:1〜120秒、好ましくは1〜60秒
N2ガス供給流量(ガス供給管毎):10〜10000sccm
成膜温度:250〜800℃、好ましくは400〜700℃
成膜圧力:1〜2666Pa、好ましくは67〜1333Pa
が例示される。
排気管(APCバルブよりも上流側)の温度:150〜200℃
排気管(APCバルブよりも下流側)の温度:10〜90℃、好ましくは室温(25℃)〜70℃
排気管231a内の圧力:1〜2666Pa、好ましくは67〜1333Pa
が例示される。
NH3ガス供給流量:1〜4000sccm、好ましくは1〜3000sccm
NH3ガス供給時間:1〜120秒、好ましくは1〜60秒
N2ガス供給流量(ガス供給管毎):10〜10000sccm
成膜温度:ステップ1Aの温度条件と同じ
成膜圧力:1〜4000Pa、好ましくは1〜3000Pa
が例示される。
H2Oガス供給流量:100〜2000sccm、好ましくは10〜1000sccm
H2Oガス供給時間:1〜120秒、好ましくは1〜60秒
ピリジンガス供給流量:100〜2000sccm、好ましくは10〜1000sccm
ピリジンガス供給時間:1〜120秒、好ましくは1〜60秒
N2ガス供給流量(ガス供給管毎):10〜10000sccm
排気管(APCバルブよりも上流側)の温度:ステップ1Aの温度条件と同じ
排気管(APCバルブよりも下流側)の温度:ステップ1Aの温度条件と同じ
排気管231a内の圧力:1〜2666Pa、好ましくは67〜1333Pa
が例示される。
ウエハ200上へのSiN膜の形成が終了したら、ガス供給管232c,232dのそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、第1排気系および第2排気系より処理室201内を真空排気する。これにより、処理室201内がN2ガスでパージされ、処理室201内に残留するガスや反応副生成物が処理室201内から除去される(アフターパージ)。その後、処理室201内の雰囲気を不活性ガスに置換し(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力を常圧に復帰させる(大気圧復帰)。
ボートエレベータ115によりシールキャップ219を下降させ、反応管203の下端を開口させる。そして、処理済のウエハ200を、ボート217に支持された状態で、反応管203の下端から反応管203の外部に搬出する(ボートアンロード)。処理済のウエハ200は、ボート217より取出される(ウエハディスチャージ)。
本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果が得られる。
本実施形態における成膜シーケンスは、上述の態様に限定されず、以下に示す変形例のように変更することができる。
ステップ1Aでは、第1排気系内へ、すなわち、HCDSガスが流れる排気管231a内へピリジンガスを直接供給するようにしてもよい。ピリジンガスは、排気管231a内を流れるHCDSガスにおけるSi−Cl結合の切断を促し、排気管231aの内壁へのHCDSの吸着を促進させる触媒として作用する。HCDSを排気管231aの内壁に吸着させることで、真空ポンプ246aへ到達するHCDSガスの量を減らすことが可能となる。このように、排気管231aをHCDSのトラップ機構として用いることで、真空ポンプ246aのメンテナンス頻度を低下させたり、寿命を延ばしたりすることが可能となる。
ステップ2Aでは、プラズマ励起させたO2ガス(O2 *)を失活体として用いるようにしてもよい。すなわち、排気系231a内へH2Oガス、ピリジンガスを供給する代わりに、O2 *を直接供給するようにしてもよい。ただし、O2 *の活性種としての寿命は限られることから、排気管231aの長さや構造によっては、上述の酸化処理を排気管231a内の全域でくまなく進行させることは困難となる場合がある。H2Oガスをピリジンガスと一緒に排気管231a内へ直接供給する方が、排気管231aの長さや構造によらず、上述の酸化処理を排気管231a内の全域で進行させることが容易となる点で、好ましい。
上述の実施形態では、圧力センサ245を排気管231に設ける場合について説明したが、本発明はこのような態様に限定されない。例えば、圧力センサを、排気管231a,231bのそれぞれに設けるようにしてもよい。すなわち、圧力センサを、APCバルブ244a,244bのそれぞれに対応するように設けるようにしてもよい。
図7に示すように、このステップでは、上述の実施形態のステップ1Aと同様の処理手順、処理条件により、処理室201内のウエハ200に対してHCDSガスを供給する。このとき、図8の上段左に示すように、処理室201内へ供給されたHCDSガスは排気管231aより排気される。
残留HCDSの改質、すなわち、排気管231a内でのSiO膜の形成が終了したら、バルブ243e,243fを閉じ、排気管231a内へのH2Oガスおよびピリジンガスの供給を停止する。その後、ステップ2Aと同様の処理手順、処理条件により、処理室201内のウエハ200に対してNH3ガスを供給する。このとき、図8の下段左に示すように、処理室201内へ供給されたNH3ガスと、処理室201内および排気管231内の残留ガス(H2Oガス、ピリジンガス)と、が排気管231aより排気される。このときの排気系内の処理条件は、上述のステップ2Aにおける排気系内の処理条件と同様とすることができる。
上述したステップ1B,2Bを交互に行うサイクルを所定回数(n回)行うことにより、ウエハ200上に所定膜厚のSiN膜を形成することができる。このサイクルを所定回数行うことで、図7に示すように、排気管231a内には、HCDSガス、H2Oガスおよびピリジンガス、NH3ガスがこの順に間欠的かつ非同時に所定回数流れる。これにより、排気管231a内では、上述の実施形態と同様、残留HCDSと、H2Oガスおよびピリジンガスと、が間欠的に反応する。その結果、排気管231aの内壁には、Clの含有量が少なく、安定かつ緻密なSiO膜が積層される。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。しかしながら、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
(HCDS→C3H6→O2→NH3)×n ⇒ SiOCN
(C3H6→HCDS→O2→NH3)×n ⇒ SiOCN
(C3H6→HCDS→C3H6→O2→NH3)×n ⇒ SiOCN
(TCDMDS→NH3→O2)×n ⇒ SiOCN
(HCDS→TEA→O2)×n ⇒ SiOC(N)
(HCDS→NH3→O2)×n ⇒ SiON
(HCDS→C3H6→NH3)×n ⇒ SiCN
(TCDMDS→NH3)×n ⇒ SiCN
(HCDS→TEA)×n ⇒ SiCN
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の一態様によれば、
処理室内の基板に対して原料を供給し第1排気系より排気する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して反応体を供給し第2排気系より排気する工程と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に膜を形成する工程を有し、
前記膜を形成する工程では、前記原料が前記第1排気系内を流れていないときに、前記第1排気系に設けられた供給ポートより、前記第1排気系内へ、前記反応体とは異なる物質である失活体を直接供給する半導体装置の製造方法、または、基板処理方法が提供される。
付記1に記載の方法であって、好ましくは、
前記膜を形成する工程では、前記第1排気系内に、前記原料と、前記失活体と、が交互に流れるようにする。
付記1または2に記載の方法であって、好ましくは、
前記膜を形成する工程では、前記第1排気系内に付着した前記原料と、前記失活体と、を間欠的に反応させる。
付記1〜3のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記原料はハロゲン元素を含み、
前記膜を形成する工程では、前記失活体により、前記第1排気系内に付着した前記原料からハロゲン元素を引き抜く。
付記1〜4のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記膜を形成する工程では、前記第1排気系内に付着した前記原料と、前記失活体と、を反応させて、前記第1排気系内に酸化膜を形成する。
付記1〜5のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記第1排気系は前記第2排気系とは異なる排気系である。
付記6に記載の方法であって、好ましくは、
前記第2排気系より前記反応体を排気しているときに、前記第1排気系内へ前記失活体を供給する。
付記7に記載の方法であって、好ましくは、
前記第1排気系内へ前記失活体を供給する際は、前記第1排気系内と前記処理室内とを非連通とする。
付記1〜5のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記第1排気系は前記第2排気系と同一の排気系である。
付記9に記載の方法であって、好ましくは、
前記排気系より前記原料を排気した後、前記排気系より前記反応体の排気を開始する前に前記排気系内へ前記失活体を供給する。
付記9または10に記載の方法であって、好ましくは、
前記排気系より前記反応体を排気しているときに、前記排気系内へ前記失活体を供給する。
付記1〜11のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記失活体は酸化剤と触媒とを含む。好ましくは、前記酸化剤はO−H結合を含む。
付記1〜12のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記膜を形成する工程では、前記原料を供給し前記第1排気系より排気する工程と、前記反応体を供給し前記第2排気系より排気する工程と、を間欠的かつ非同時に行う。
本発明の他の態様によれば、
基板に対して処理が行われる処理室と、
前記処理室内の基板に対して原料を供給する原料供給系と、
前記処理室内の基板に対して反応体を供給する反応体供給系と、
前記処理室内から原料を排気する第1排気系と、
前記処理室内から反応体を排気する第2排気系と、
前記第1排気系に設けられた供給ポートと、
前記供給ポートより前記第1排気系内へ前記反応体とは異なる物質である失活体を供給する失活体供給系と、
付記1に記載の処理を行わせるように、前記原料供給系、前記反応体供給系、前記失活体供給系、前記第1排気系、および前記第2排気系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
付記1に記載の手順をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム、または、該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
201 処理室
261a,262a 供給ポート
Claims (14)
- 処理室内の基板に対して原料を供給し第1排気系より排気する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して反応体を供給し第2排気系より排気する工程と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に膜を形成する工程を有し、
前記膜を形成する工程では、前記原料が前記第1排気系内を流れていないときに、前記第1排気系に設けられた供給ポートより、前記第1排気系内へ、酸化剤および触媒を供給する半導体装置の製造方法。 - 前記膜を形成する工程では、前記第1排気系内に、前記原料と、前記酸化剤および前記触媒と、が交互に流れるようにする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記膜を形成する工程では、前記第1排気系内に付着した前記原料と、前記酸化剤および前記触媒と、を間欠的に反応させる請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記原料はハロゲン元素を含み、
前記膜を形成する工程では、前記酸化剤および前記触媒により、前記第1排気系内に付着した前記原料からハロゲン元素を引き抜く請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記膜を形成する工程では、前記第1排気系内に付着した前記原料と、前記酸化剤および前記触媒と、を反応させて、前記第1排気系内に酸化膜を形成する請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1排気系は前記第2排気系とは異なる排気系である請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2排気系より前記反応体を排気しているときに、前記第1排気系内へ前記酸化剤および前記触媒を供給する請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1排気系内へ前記酸化剤および前記触媒を供給する際は、前記第1排気系内と前記処理室内とを非連通とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1排気系は前記第2排気系と同一の排気系である請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記排気系より前記原料を排気した後、前記排気系より前記反応体の排気を開始する前に前記排気系内へ前記酸化剤および前記触媒を供給する請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記排気系より前記反応体を排気しているときに、前記排気系内へ前記酸化剤および前記触媒を供給する請求項9または10に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記膜を形成する工程では、前記原料を供給し前記第1排気系より排気する工程と、前記反応体を供給し前記第2排気系より排気する工程と、を間欠的かつ非同時に行う請求項1〜11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板に対して処理が行われる処理室と、
前記処理室内の基板に対して原料を供給する原料供給系と、
前記処理室内の基板に対して反応体を供給する反応体供給系と、
前記処理室内から原料を排気する第1排気系と、
前記処理室内から反応体を排気する第2排気系と、
前記第1排気系に設けられた供給ポートと、
前記供給ポートより前記第1排気系内へ酸化剤を供給する酸化剤供給系と、
前記供給ポートより前記第1排気系内へ触媒を供給する触媒供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記原料を供給し前記第1排気系より排気する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記反応体を供給し前記第2排気系より排気する処理と、を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に膜を形成する処理を行わせ、前記膜を形成する処理では、前記原料が前記第1排気系内を流れていないときに、前記供給ポートより、前記第1排気系内へ、前記酸化剤および前記触媒を供給するように、前記原料供給系、前記反応体供給系、前記酸化剤供給系、前記触媒供給系、前記第1排気系、および前記第2排気系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板処理装置の処理室内の基板に対して原料を供給し第1排気系より排気する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して反応体を供給し第2排気系より排気する手順と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に膜を形成する手順と、
前記膜を形成する手順において、前記原料が前記第1排気系内を流れていないときに、前記第1排気系に設けられた供給ポートより、前記第1排気系内へ、酸化剤および触媒を供給する手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。
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