JP4418815B2 - 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 - Google Patents
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Description
まず、サセプタ3を反応室43内の待機位置まで下げて、その上面位置が搬送口10の水平面位置になるようにする。このとき押上棒8はサセプタ3の上面より突出している。ゲートバルブ11を開けて、図示しない搬送アームによりウェーハ40を搬送口10から反応室43内に搬送して、待機位置にあるサセプ夕3から突出している押上棒8上へ移載する。搬送アームを反応室43外に移動するとともに、ゲートバルブ11を閉じる。サセプタ3を上昇すると押上棒8が没入してウェーハ40はサセプタ3の上面に移載されるとともに、サセプタ3はそのまま反応室43内の成膜位置まで移動する。このときサセプタ3に埋め込まれたヒータ4に給電線7から電力を供給する。ヒータ4に供給する電力を温度制御手段48で調整することによりウェーハ40を所望の設定温度(300〜500℃程度)に制御する。300〜500℃程度に制御するのは、成膜の生成を促進してウェーハ40上に金属酸化膜が付着しやすいようにするためである。同様に、反応室内壁面2とシャワーヘッド6も、温調ユニット13に供給する電力を温度制御手段48で調整することにより、成膜温度よりも低い所望の設定温度(100〜300℃)に制御しておく。100〜300℃に制御するのは、反応室内壁面2での成膜の生成を抑制して反応副生成物が堆積しないようにするためである。
搬送と成膜を、複数回繰り返すと、反応室43の内壁面2、シャワーヘッド6、サセプタ3にもウェーハ40表面と同様に金属酸化膜であるZrO2膜が付着する。この付着した堆積物は堆積量が増加するほど、熱応力や膜自身がもつ応力で壁面から剥れやすくなり、異物等の発生を引き起こしてしまう。よって、これを除去するために反応室43内を清浄化するためのクリーニング作業を実施する。
プリ成膜作業の目的は、クリーニング後の反応室壁面2などに予めプリコート膜を生成することで、本成膜でウェーハ上に生成される膜厚が不均一になったり、内壁面2からの金属等によりウェーハが汚染されたりするのを防止するためである。プリ成膜において、まず反応室43内を排気後、(1)の成膜作業(本成膜)と同様に原料ガス供給部31から成膜用ガスを導入して、反応室内壁に成膜を施す。このプリ成膜での成膜時間、温度、圧力などの成膜条件は、本成膜の条件とは異なる。成膜後、反応室内を排気し、プリ成膜作業が完了する。
4 ヒータ
6 シャワーヘッド(クリーニングガス供給口、処理ガス供給口)
24 リモートプラズマ源(活性化手段)
40 ウェーハ(基板)
43 反応室
Claims (3)
- 反応室内でサセプタに保持した基板の上にハフニウムを含む膜またはジルコニウムを含む膜を形成する成膜工程と、
前記反応室外部で塩素原子を含むガスをプラズマで活性化して前記反応室内に供給することにより前記成膜工程において前記反応室内に付着した膜を除去するクリーニング工程と、を有し、
前記クリーニング工程では、さらに前記反応室内に付着した膜と前記塩素原子を含むガスとの反応を促進させる触媒を前記反応室内に供給する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 反応室内でサセプタに保持した基板の上にハフニウムを含む膜またはジルコニウムを含む膜を形成する成膜工程と、
前記反応室外部で塩素原子を含むガスをプラズマで活性化して前記反応室内に供給することにより前記成膜工程において前記反応室内に付着した膜を除去するクリーニング工程と、を有し、
前記クリーニング工程では、さらにカーボンを含むガスを前記反応室内に供給する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板を処理する反応室と、
前記反応室内の基板を加熱するヒータと、
前記反応室内にハフニウムを含む膜またはジルコニウムを含む膜を形成する処理ガスを供給する処理ガス供給口と、
前記反応室外部に設けられクリーニングガスとしての塩素原子を含むガスをプラズマにより活性化する活性化手段と、
活性化手段により活性化した前記塩素原子を含むガスを前記反応室内に供給するクリーニングガス供給口と、を有し、
活性化した前記塩素原子を含むガスを前記反応室内に供給する際に、前記反応室内に付着した膜と前記塩素原子を含むガスとの反応を促進させる触媒を前記反応室内に供給するようにした
ことを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006314488A JP4418815B2 (ja) | 2006-11-21 | 2006-11-21 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
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JP2002193242A Division JP3897165B2 (ja) | 2002-07-02 | 2002-07-02 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2007103959A JP2007103959A (ja) | 2007-04-19 |
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JP (1) | JP4418815B2 (ja) |
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WO2023181405A1 (ja) * | 2022-03-25 | 2023-09-28 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、処理容器、基板保持具及び半導体装置の製造方法 |
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Publication number | Publication date |
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JP2007103959A (ja) | 2007-04-19 |
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