JP2001308087A

JP2001308087A - 成膜方法及び成膜装置

Info

Publication number: JP2001308087A
Application number: JP2000126537A
Authority: JP
Inventors: Kazuhide Hasebe; 一秀長谷部; Yuuichiro Ohata; 友一朗大畑; Tokin Sai; 東均崔
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2000-04-26
Filing date: 2000-04-26
Publication date: 2001-11-02

Abstract

(57)【要約】【課題】カーボンが含まれないカーボンフリーのタン
タル含有膜を堆積する成膜方法を提供する。【解決手段】半導体ウエハ等の被処理体Ｗの表面に、
タンタル酸化膜などのゲート酸化膜８を堆積するに際し
て、原料として常温で固体の五塩化タンタルを溶媒、例
えばジエチル硫黄に配位結合状態で溶解させて、これを
気化して処理室へ供給する。プロセス温度は、ジエチル
硫黄自体が分解しないような比較的低温に設定する。こ
れにより、カーボンが含まれないカーボンフリーのタン
タル含有膜を堆積する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、タンタル酸化膜や
タンタル窒化膜などのタンタル含有膜を堆積させるため
の成膜方法及び成膜装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体デバイスを製造するに
は、半導体ウエハに成膜処理やパターンエッチング処理
を繰り返し行なって所望のデバイスを製造するが、中で
も成膜技術は、半導体デバイスが高密度化及び高集積化
するに伴ってその仕様、すなわちデザインルールが年々
厳しくなっており、例えばデバイス中のキャパシタの絶
縁膜やゲート絶縁膜のように非常に薄い酸化膜などに対
しても更なる薄膜化が要求され、これと同時に更に高い
絶縁性が要求されている。

【０００３】これらの絶縁膜としては、シリコン酸化膜
やシリコンナイトライド膜等を用いることができるが、
最近にあっては、より絶縁特性の良好な材料として、金
属酸化膜、例えばタンタル酸化膜（Ｔａ₂ Ｏ₅ ）等が用
いられる傾向にある。この金属酸化膜は、薄くても信頼
性の高い絶縁性を発揮できる。この金属酸化膜を形成す
るには、例えばタンタル酸化膜を形成する場合を例にと
って説明すると、成膜用の原料として、タンタルの金属
アルコキシドであるペンタエトキシタンタル（Ｔａ（Ｏ
Ｃ₂ Ｈ₅ ）₅ ）を用い、これをヘリウムガス等でバブリ
ングしながら供給して半導体ウエハを例えば４１０℃程
度のプロセス温度に維持し、真空雰囲気下でＣＶＤ（Ｃ
ｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）
によりタンタル酸化膜（Ｔａ₂ Ｏ₅ ）を成膜させてい
る。

【０００４】このタンタル酸化膜をゲート絶縁膜等に用
いる時のデバイス構造の一例は図３に示すようになされ
ている。すなわち、例えばシリコン基板等よりなる半導
体ウエハＷの表面に、ソース２とドレイン４が形成され
ており、このソース２とドレイン４との間の表面に、薄
いＳｉＯ₂ 等よりなる界面膜６を介してタンタル酸化膜
（Ｔａ₂ Ｏ₅ ）をゲート絶縁膜８として形成している。
そして、このゲート絶縁膜８上に、ゲート電極との化学
反応を防止するために例えばＴｉＮ膜よりなるバリヤメ
タル層１０を介して例えばＡｌ（アルミニウム）やＷ
（タングステン）よりなるゲート電極１２を積層して、
ゲートが構成される。上記ゲート絶縁膜８の下地の界面
膜６は、このゲート絶縁膜８の界面準位密度を所定の範
囲内に押さえ込む必要から下層のシリコン面との整合を
図るために設けた膜である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記タンタ
ル酸化膜よりなるゲート絶縁膜８は、絶縁膜としては比
較的特性が優れているのであるが、成膜温度としては比
較的温度が低い例えば４１０℃程度で成膜を行なってい
るにもかかわらず、原料ガスとして用いられるペンタエ
トキシタンタル（Ｔａ（ＯＣ₂ Ｈ₅ ）₅ ）中のエトキシ
基（ＯＣ₂ Ｈ₅ ）が熱分解してこれに含まれるカーボン
（Ｃ）が僅かではあるがタンタル酸化膜中に取り込まれ
てしまうことは、避けることができなかった。このた
め、この膜中に取り込まれたカーボンに起因して、リー
ク電流が増大してしまって、電気的特性を十分に向上さ
せることができない、といった問題があった。本発明
は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決す
べく創案されたものである。本発明の目的は、カーボン
が含まれないカーボンフリーのタンタル含有膜を堆積す
る成膜方法及び成膜装置を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、タンタル
含有膜を堆積させる新たな原料について鋭意研究した結
果、常温で固体の五塩化タンタル（ＴａＣｌ₅ ）をジエ
チル硫黄（Ｓ（Ｃ₂ Ｈ₅ ）₂ ）に溶解して用いることに
より、カーボンフリーなタンタル含有膜を堆積させるこ
とができる、という知見を得ることにより本発明に至っ
たものである。請求項１に規定する発明は、真空引き可
能になされた処理室内で被処理体の表面にタンタル含有
膜を堆積させる成膜方法において、原料として五塩化タ
ンタルを用いるようにしたものである。このように五塩
化タンタルを原料として用いることにより、カーボンが
取り込まれないカーボンフリーのタンタル含有膜を形成
することが可能となる。このため、例えばリーク電流の
少ない電気的特性の良好なタンタル酸化膜などを形成す
ることが可能となる。

【０００７】この場合、請求項２に規定するように、例
えば前記原料は、溶媒に溶解されており、この原料が溶
解された溶媒を蒸気化して前記処理室に供給する。請求
項３に規定するように、例えば前記溶媒は、ジエチル硫
黄である。また、請求項４に規定するように、前記堆積
させる時の温度は、前記溶媒の熱分解温度よりも低い温
度である。これにより、タンタル含有膜の堆積時に溶媒
が熱分解されないので、膜中にカーボンが取り込まれる
ことを防止することが可能となる。また、請求項５に規
定するように、前記タンタル含有膜は、タンタル酸化膜
（Ｔａ₂ Ｏ₅ ）またはタンタル窒化膜（ＴａＮ）の内の
いずれか一方である。

【０００８】この場合、請求項６に規定するように、前
記タンタル含有膜がタンタル酸化膜の場合には、前記処
理室内には、添加ガスとしてＯ₂ 、Ｏ₃ 、Ｎ₂ Ｏ、Ｎ
Ｏ、Ｈ₂ Ｏの内の少なくともいずれか１つを供給する。
また、請求項７に規定するように、前記タンタル含有膜
がタンタル窒化膜の場合には、前記処理室内には、添加
ガスとしてＮＨ₃ を供給する。請求項８に規定する発明
は、上記方法発明を実施するための装置発明であり、被
処理体に対して所定の成膜処理を施す成膜装置におい
て、真空引き可能になされた処理室と、前記被処理体を
前記処理室内において支持する被処理体支持手段と、前
記被処理体を加熱する加熱手段と、前記処理室内へ原料
ガスを供給する原料ガス供給手段と、前記処理室内へ添
加ガスを供給する添加ガス供給手段とを備えたことを特
徴とする成膜装置である。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る成膜方法及
び成膜装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図１は本発明方法を実施する成膜装置を示す構成図であ
る。ここでは、タンタル含有膜としてタンタル酸化膜
（Ｔａ₂Ｏ₅）を熱ＣＶＤにより成膜する場合について説
明する。この成膜装置２０は、実際に膜を堆積する成膜
装置本体２２と、これに成膜ガスとして液体原料を気化
状態で供給する原料ガス供給手段としての原料供給系２
４とにより主に構成される。

【００１０】上記成膜装置本体２２は、有天井の円筒体
状の石英製の処理容器（処理室）２６を有しており、こ
の処理容器２６の下端部は開放されて開口部２８が形成
され、この外周には、接合用のフランジ部３０が設けら
れる。この処理容器２６は、内側に加熱手段として加熱
ヒータ３２を配設した円筒体状の断熱材３４により被わ
れており、加熱炉を形成している。処理容器２６の下部
側壁には、原料ガスを導入するための原料ガス導入ノズ
ル３６と、添加ガスとして例えばＯ₂ を導入するための
添加ガス導入ノズル（添加ガス供給手段）３８とがそれ
ぞれ貫通させて設けられると共に、これらの各ノズル３
６、３８は処理容器２６の側壁に沿って天井部まで延在
されており、天井部より各ガスをそれぞれ流量制御しつ
つ噴出するようになっている。尚、図示されていない
が、パージガスとして不活性ガス、例えばＮ₂ ガスを導
入するノズル等も設けられる。更に、処理容器２６の下
部側壁には、処理容器２６内の雰囲気を排出するための
比較的大口径の排気口４０が形成されており、この排気
口４０には、排気ポンプを介設した図示しない排気系が
接続される。

【００１１】この処理容器２６のフランジ部３０の最外
周は、例えばステンレス製のベースプレート４２により
支持されて、処理容器２６の全体を保持している。そし
て、この処理容器２６の下端部の開口部２８は、例えば
ボートエレベータのごとき昇降機構４４により昇降可能
になされた石英製のキャップ部４６により開閉可能にな
されている。このキャップ部４６上に、半導体ウエハＷ
を所定のピッチで多段に載置した石英製の被処理体支持
手段としてウエハボート４８が保温筒５０を介して載置
されており、キャップ部４６の昇降によって処理容器２
６内に対してロード或いはアンロードできるようになっ
ている。

【００１２】一方、原料ガス導入手段としての前記原料
供給系２４は、原料として常温で固体の五塩化タンタル
（ＴａＣｌ₅ ）を用いており、この五塩化タンタルを溶
媒として例えばジエチル硫黄（Ｓ（Ｃ₂ Ｈ₅ ）₂ ）に溶
解させている。実際には、上記五塩化タンタルは、ジエ
チル硫黄と化学式ＴａＣｌ₅ ・Ｓ（Ｃ₂ Ｈ₅ ）₂ で示さ
れるように配位結合された状態でおり、あたかも溶解さ
れた様相を呈している。このような液体原料５２を原料
タンク５４内に密閉状態で貯留している。尚、上記液体
原料５２の気化温度は１５０℃程度、この液体原料５２
がＴａＣｌ₅ とＳ（Ｃ₂ Ｈ₅ ）₂ とに分解を開始する温
度は２００℃程度、また、Ｓ（Ｃ₂ Ｈ₅）₂ 自体が分解
を開始する温度は６００℃程度である。上記原料タンク
５４には、必要に応じて溶媒用加熱ヒータ５６を設けて
おり、この原料材料５２を流れ易い温度、例えば２０〜
１００℃程度に加熱している。

【００１３】この原料タンク５４の気相部には、加圧管
５８の先端が上部より導入されており、この加圧管５８
にはレギュレータのような圧力制御器６０及び及び開閉
弁６２が介設されて、加圧気体として例えばＨｅガスを
原料タンク５４内の気相部へ導入し得るようになってい
る。また、この原料タンク５４と気化手段としての気化
器６４の入口との間は例えばステンレス管よりなる液体
原料供給通路６６により連絡され、この気化器６４の出
口と上記成膜装置本体２２の原料ガス導入ノズル３６を
連絡するようにして例えばステンレス管よりなる原料ガ
ス通路６８が設けられている。上記供給通路６６の原料
導入口６６Ａは原料タンク５４内の液体原料５２中に浸
漬させて底部近傍に位置されて、加圧管５８からの加圧
気体により液体原料５２を供給通路６６内に加圧搬送し
得るようになっている。

【００１４】この液体原料供給通路６６は、その途中に
開閉弁７０及び液体マスフロー制御器７２を介設して、
上記気化器６４への液体原料５２の供給量を制御できる
ようになっている。また、この液体マスフロー制御器７
２の上流側の液体原料供給通路６６には、パージ用の不
活性ガスとして例えばＮ₂ ガスを導入するパージガス導
入管７４が接続されており、このパージガス導入管７４
の途中には開閉弁７６を介設している。上記気化器６４
の直ぐ下流側の原料ガス通路６８には、原料ガスの供給
を遮断する開閉弁７８が設けられる。そして、この気化
器６４よりも下流側の原料ガス通路６８には、上記開閉
弁７８も含めて例えばテープヒータよりなる保温用ヒー
タ８０が巻回されており、原料ガスの液化温度よりも高
く、且つ分解温度よりも低い温度、例えば１５０〜６０
０℃の範囲内で保温するようになっている。

【００１５】また、上記気化器６４には、気化用ガス導
入管８２が接続されており、気化用ガスとして不活性ガ
ス、例えばＨｅガスを流量制御器８４により流量制御し
つつ供給するようになってる。また、この気化用ガス導
入管８２にも途中に開閉弁８６が介設されている。上記
気化用ガスとしてはＨｅの他にＮ₂ やＡｒも用いること
ができる。

【００１６】次に、以上のように構成された成膜装置を
用いて行なわれる本発明方法について説明する。まず、
昇降機構４４を降下させたアンロード状態において、ウ
エハボート４８に未処理の半導体ウエハＷを多段に載置
し、昇降機構４４を上昇駆動させる。尚、これらの半導
体ウエハＷには、前工程にて、図３に示すような界面膜
６が形成されている。これにより、キャップ部４６は次
第に上昇して多数枚、例えば８インチウエハを５０〜１
５０枚程度を多段に載置したウエハボート４８は処理容
器２６の下端開口部２８より内部へ搬入してロードさ
れ、最終的にこの開口部２８はキャップ部４６により閉
じられて、処理容器２６内を密閉することになる。

【００１７】そして、半導体ウエハＷをプロセス温度で
ある例えば４１０℃程度に昇温して維持しつつ処理容器
２６内を真空引きし、所定のプロセス圧力、例えば４０
Ｐａ程度に維持する。このように、処理容器２６内を真
空引きし、所定の圧力で維持したならば、次に、添加ガ
ス導入ノズル３８からＯ₂ ガスを、原料ガス導入手段２
４の原料ガス導入ノズル３６から原料ガス、すなわちＴ
ａＣｌ₂ ・Ｓ（Ｃ₂ Ｈ₅ ）₂ のガスをそれぞれ流量制御
しつつ処理容器２６内へ導入して、図３に示すようなゲ
ート絶縁膜８を形成するためにタンタル酸化膜を堆積さ
せる。この時の反応式は以下のように表される。４［ＴａＣｌ₅ ・Ｓ（Ｃ₂ Ｈ₅ ）₂ ］＋５Ｏ ₂ → ２
Ｔａ₂ Ｏ₅ ＋１０Ｃｌ₂ ↑＋４Ｓ（Ｃ₂ Ｈ₅ ）₂ ↑

【００１８】ここで、上記原料ガスの供給動作について
説明する。この供給動作は、原料タンク５４に接続され
ている加圧管５８、液体原料供給通路６６及び気化器６
４に接続されている気化用ガス導入管８２にそれぞれ介
設した各開閉弁６２、７０及び８６を開状態として液体
原料５２を流してこれを気化し、形成された原料ガスを
処理装置本体２２内に流すことにより行なわれる。すな
わち、原料タンク５４内に、圧力制御されたＨｅガス等
の加圧ガスを導入することにより、この圧力で液状のＴ
ａＣｌ₂ ・Ｓ（Ｃ₂ Ｈ₅ ）₂ よりなる液体原料５２が液
体マスフロー制御器７２により流量制御されつつ液体原
料供給通路６６内を圧送される。この時の加圧ガスの圧
力量は、例えば４９００００Ｐａ（５ｋｇｆ／ｃｍ² ）
程度であり、また、液体原料５２の供給量は、例えば数
ｍｇ／ｍｉｎ程度である。また、原料タンク５４内の液
体原料５２は必要に応じて溶媒用加熱ヒータ５６により
暖められて粘性が低下しているので、比較的スムーズに
液体原料供給通路６６内を圧送することができる。圧送
された液体原料は、気化器６４にて、例えば０〜５００
０ｓｃｃｍ程度に流量制御された、Ｈｅガス等の気化用
ガスにより気化されて原料ガスになって、更に原料ガス
通路６８を下流側に流れて行き、原料ガス導入ノズル３
６から処理容器２６内に導入される。この時、この原料
ガス通路６８は保温用ヒータ８０により再液化温度より
も高い所定の温度、例えば１６０℃程度に加熱されてい
るので、気化した原料ガスが再液化することも、或いは
熱分解することもなく、処理容器２６内へ導入されるこ
とになる。これにより、前述のようにタンタル酸化膜が
ウエハＷ上に堆積されることになる。

【００１９】この時のプロセス条件は、原料液体の流量
が０．０５〜５０ｍｌ／ｍｉｎの範囲内、Ｏ₂ ガスの流
量が１０００ｓｃｃｍ程度であり、プロセス圧力は前述
のように例えば４０Ｐａ程度である。そして、プロセス
温度は、原料ガスであるＴａＣｌ₂ ・Ｓ（Ｃ₂ Ｈ₅ ）₂
の配位結合がＴａＣｌ₂ とＳ（Ｃ₂ Ｈ₅ ）₂ とに分解を
開始する温度、すなわち約２００℃以上であってＳ（Ｃ
₂ Ｈ₅ ）₂ 自体が熱分解を開始する温度、すなわち略６
００℃までの範囲内の温度、例えば４１０℃に設定す
る。

【００２０】以上のようにプロセス温度を設定すること
により、前述した化学式に示したようにタンタル酸化膜
がウエハＷの表面に堆積される。この時、プロセス温度
は溶媒であるジエチル硫黄（Ｓ（Ｃ₂ Ｈ₅ ）₂ ）の熱分
解温度よりも低く設定しているので、これ自体が熱分解
することがなく、気体としてそのまま排出されてしま
う。従って、熱分解に起因するカーボンが発生しないの
で、堆積するタンタル酸化膜中にカーボンが取り込まれ
ることを防止することが可能となり、リーク電流の少な
い、電気的特性の良好なタンタル酸化膜を得ることがで
きる。上記実施例では、バッチ式の成膜装置本体２２に
本発明を適用した場合を例にとって説明したが、これを
図２に示すように枚葉式の成膜装置本体に適用するよう
にしてもよい。すなわち、図２に示す成膜装置９０で
は、枚葉式の成膜装置本体９２に対して、図１において
説明したと同様な構造の原料ガス導入手段としての原料
供給系２４を設けている。

【００２１】上記成膜装置本体９２は、例えばアルミニ
ウムにより筒体状に成形された処理容器（処理室）９４
を有しており、この処理容器９４の底部の周辺部には、
排気口９５が設けられて、図示しない真空引きポンプに
より容器内部を真空引き可能としている。この処理容器
９４内には、被処理体支持手段として非導電性材料、例
えばアルミナ製の円板状の載置台９６が設けられ、この
載置台９６上に被処理体として例えば半導体ウエハＷを
載置するようになっている。

【００２２】上記載置台９６には、加熱手段として例え
ば、ＳｉＣによりコーティングされたカーボン製の抵抗
発熱体９８が埋め込まれており、この上面側に載置され
る半導体ウエハを所望の温度に加熱し得るようになって
いる。尚、ウエハを加熱する手段として上記抵抗発熱体
９８に替え、ハロゲンランプ等の加熱ランプを用いて加
熱するようにしてもよい。また、処理容器９４の天井部
には、原料ガス供給手段の一部を構成するシャワーヘッ
ド１００が気密に取り付けられており、上記シャワーヘ
ッド１００は載置台９６の上面の略全面を覆うように対
向させて設けられている。このシャワーヘッド１００に
は、上記原料ガス供給手段２４の原料ガス通路６８の先
端と、例えばＯ₂ などの添加ガスを供給する添加ガス供
給手段としての添加ガス供給通路１０２の先端とがそれ
ぞれ接合されており、処理容器９４内に原料ガスや添加
ガス等をシャワー状に導入するようになっている。そし
て、この処理容器９４には、ゲートバルブ１０４を介し
て真空引き可能になされたロードロック室１０６が接合
されている。

【００２３】このように構成された枚葉式の成膜装置９
０においても、図１において説明したと同様にカーボン
が取り込まれることのないタンタル酸化膜を堆積するこ
とができる。以上の実施例では、添加ガスとしてＯ₂ を
用いたが、これに限定されずに原料ガスと反応し、タン
タル酸化膜を形成できるガスならばどのようなガスでも
よく、例えばＯ₃ 、Ｎ₂ Ｏ、ＮＯ、Ｈ₂ Ｏ等を用いるこ
とができる。

【００２４】また、以上の実施例では、タンタル含有膜
としてタンタル酸化膜を堆積させる場合を例にとって説
明したが、これに限定されず、例えばタンタル窒化膜
（ＴａＮ）を堆積する場合にも本発明を適用することが
できる。このタンタル窒化膜は例えばバリヤメタル等に
用いることができ、これを成膜する場合には、添加ガス
としてＯ₂ 等に代えてアンモニア（ＮＨ₃ ）ガスを用
い、以下のような化学式によりタンタル窒化膜を堆積さ
せる。２ＴａＣｌ₅ ・Ｓ（Ｃ₂ Ｈ₅ ）₂ ＋２ＮＨ₃ →２
ＴａＮ＋２Ｓ（Ｃ₂ Ｈ₅ ）₂＋３Ｈ₂ ＋５Ｃｌ₂また、本
実施例では、被処理体として半導体ウエハを用いた場合
を例にとって説明したが、これに限定されず、ガラス基
板、ＬＣＤ基板等も用いることができる。

【００２５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の成膜方法
及び成膜装置によれば、次のように優れた作用効果を発
揮することができる。本発明によれば、溶媒に溶解され
た五塩化タンタルを原料として用いることにより、カー
ボンが取り込まれないカーボンフリーのタンタル含有膜
を形成することができる。このため、例えばリーク電流
の少ない電気的特性の良好なタンタル酸化膜などを形成
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明方法を実施する成膜装置を示す構成図で
ある。

【図２】本発明の他の実施例の成膜装置を示す構成図で
ある。

【図３】タンタル酸化膜をゲート絶縁膜等に用いる時の
デバイス構造の一例を示す図である。

【符号の説明】

２０成膜装置２２成膜装置本体２４原料供給系（原料ガス供給手段）２６処理容器（処理室）３２加熱ヒータ（加熱手段）３６原料ガス導入ノズル３８添加ガス導入ノズル（添加ガス供給手段）４８ウエハボート（被処理体支持手段）９０成膜装置９２成膜装置本体９４処理容器（処理室）９６載置台（被処理体支持手段）９８抵抗発熱体（加熱手段）１０２添加ガス供給通路（添加ガス供給手段）Ｗ半導体ウエハ（被処理体）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者崔東均山梨県韮崎市穂坂町三ツ沢650番地東京エレクトロン株式会社内Ｆターム(参考） 4K030 AA03 AA13 AA14 BA17 BA38 BA42 CA04 CA12 FA10 5F045 AA03 AB31 AC03 AC11 AC12 AD08 AF03 AF07 DP03 DP19 EE02 EK07 EK11 5F058 BA11 BC03 BC09 BD05 BD12 BF02 BF24 BF29 BF30 BF43 BG02 BG03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空引き可能になされた処理室内で被処
理体の表面にタンタル含有膜を堆積させる成膜方法にお
いて、原料として五塩化タンタルを用いるようにしたこ
とを特徴とする成膜方法。
【請求項２】前記原料は、溶媒に溶解されており、こ
の原料が溶解された溶媒を蒸気化して前記処理室に供給
することを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
【請求項３】前記溶媒は、ジエチル硫黄であることを
特徴とする請求項２記載の成膜方法。
【請求項４】前記堆積させる時の温度は、前記溶媒の
熱分解温度よりも低い温度であることを特徴とする請求
項２または３記載の成膜方法。
【請求項５】前記タンタル含有膜は、タンタル酸化膜
（Ｔａ₂ Ｏ₅ ）またはタンタル窒化膜（ＴａＮ）の内の
いずれか一方であることを特徴とする請求項１乃至４の
いずれかに記載の成膜方法。
【請求項６】前記タンタル含有膜がタンタル酸化膜の
場合には、前記処理室内には、添加ガスとしてＯ₂ 、Ｏ
₃ 、Ｎ₂ Ｏ、ＮＯ、Ｈ₂ Ｏの内の少なくともいずれか１
つを供給することを特徴とする請求項１乃至５のいずれ
かに記載の成膜方法。
【請求項７】前記タンタル含有膜がタンタル窒化膜の
場合には、前記処理室内には、添加ガスとしてＮＨ₃ を
供給することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに
記載の成膜方法。
【請求項８】被処理体に対して所定の成膜処理を施す
成膜装置において、真空引き可能になされた処理室と、
前記被処理体を前記処理室内において支持する被処理体
支持手段と、前記被処理体を加熱する加熱手段と、前記
処理室内へ原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、前
記処理室内へ添加ガスを供給する添加ガス供給手段とを
備えたことを特徴とする成膜装置。