JP4870759B2 - 3成分膜の新規な堆積方法 - Google Patents
3成分膜の新規な堆積方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4870759B2 JP4870759B2 JP2008518643A JP2008518643A JP4870759B2 JP 4870759 B2 JP4870759 B2 JP 4870759B2 JP 2008518643 A JP2008518643 A JP 2008518643A JP 2008518643 A JP2008518643 A JP 2008518643A JP 4870759 B2 JP4870759 B2 JP 4870759B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- source
- transition metal
- silicon
- metal
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
−堆積チャンバに試料を導入すること;
−前記試料を所望の温度まで加熱すること;
−液体または固体の遷移金属源を準備すること;
−少なくとも1つの前駆体源を準備し、前記前駆体源はシリコン源、炭素源、窒素源および/または還元源から実質的になる群から選択される;
−前記遷移金属を気化させて気化遷移金属源を形成すること;
−前記遷移金属蒸気を前記チャンバに供給すること;
−少なくとも1つの前駆体蒸気を前記少なくとも1つの前駆体源から前記チャンバに供給すること;および
−所望最終組成の金属膜を前記試料上に形成すること
の工程を含む方法を提供する。
MXm
または
MXm、ABn
ここで、Mは遷移金属であり、
Xはハロゲン、好ましくはClであり、
mは遷移金属の酸素価であり、
AはO,SおよびNからなる群から選ばれ、
Bは1と16の間の炭素原子を含む炭化水素鎖で、前記鎖は直鎖、分岐または環状であり、
nはAに結合する基Bの数である、
の化学化合物を含む。
−Mは遷移金属、好ましくは前期遷移金属、最も好ましくは前期遷移金属;Ta,Nb,W,Hfからなる群から選択される、
−前記シリコン源は、トリシリルアミン、ジシラン、トリシランのような少なくとも1つのシリル(SiH3)配位子によって末端基とする分子構造を含む、
−前記窒素源は、分子またはxが3以下である式NHxの基であるか、またはトリシリルアミン、ヘキサメチルジシラザン(ビス(トリメチルシリル)アミンとも呼ばれる)のような少なくとも1つのシリル配位子によって末端基とする分子構造を含む、
−前記還元源は分子または式Hxの基、ここでxは2以下である、である、
−前記炭素源は反応器内でC1−C16直鎖、分岐または環状の炭化水素である。
窒素含有ガスは、また気化された金属源およびシリコン源と共存的に堆積チャンバに注入してもよい。好ましい酸素含有ガスおよび窒素含有ガスは、それらの分子構造内に炭素および/または塩素なしである。
図1−6の遷移金属含有膜堆積方法の参照において、気化工程1は金属源を気化して気化金属源を形成することを含む。1つの好ましい実施形態の金属源は液相中の前駆体溶液、好ましくはジアルキルアミノ、アルコキシ、および/またはハフニウム(Hf),ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、または任意に他の遷移金属(M)の有機化合物である。液相金属前駆体溶液を調製しかつ気化することは、当業者に知られている適切な条件下、商業的に入手可能な装置でなされる。
タンタルシリコン窒化物(図2)、タンタル炭化物(図3)、タンタル窒化物、タンタルシリコン窒化物(図4)、タンタルシリコン炭化物(図6)を得るために省略できる。組成物および方法は、化学気相堆積または原子層堆積以外の方法で実践してもよい。また、誘電体膜の堆積は様々の温度および条件で達成できる。さらに、本発明は従来知られる様々の金属、シリコン、炭素および窒素源を含んでもよい。それゆえ、最後に追加する請求の範囲の精神および範囲はここに含まれる好ましい種類の1つの記述に限定されるべきではない。本出願の発明は、最後に追加する請求の範囲によって規定される発明の精神および範囲内で全ての変更、等価、代替を補填する。
本発明の例は、図面を参照して以下に述べる。
この例は、タンタルシリコン窒化物膜の製造に関する。
この例は、タンタルシリコン窒化物膜の製造に関する。
この例は、タンタルシリコン窒化物膜の製造に関する。
圧力=1torr,温度=470℃、TaCl5,SEt2流量=0.5sccm、TSA流量=4sccm、NH3流量=5sccm、N2流量=100sccm。
圧力=1torr,温度=550℃、TaCl5,SEt2流量=0.5sccm、TSA流量=5sccm、NH3流量=0sccm、N2流量=100sccm。この形式は、アンモニアを流さなかった場合を除いて1−1と同様であった。
この例は、シリコンドープタンタル窒化物膜の製造に関する。
圧力=1torr,温度=625℃、TiCl4流量=5sccm、TSA流量=4sccm、N2流量=20sccm、時間=15分間。
圧力=1torr,温度=550℃(この膜形成温度はTiCl4/NH3を用いる従来の膜形成温度より本質的に低かった)、TiCl4流量=5sccm、TSA流量=4sccm、N2流量=20sccm、時間=15分間。
この例は、タンタルシリサイド窒化物膜の製造に関する。
この例に用いるCVDツールは図9に示す。図9において、シリコンウェハ1は設けられたCVDチャンバ11に導入され、かつ所望の膜はシリコンウェハ1表面上に形成される。CVDチャンバ11は、ポンプ12により排気される。金属前駆体、この場合タンタル五塩化物、ジエチル硫黄付加生成物TaCl5,SEt2、は液体容器51に収納される。TaCl5,SEt2蒸気は、窒素源52からの窒素のバブリングによってCVDチャンバ11に供給され、前記窒素は圧力調節器53およびMFC54を通してバイパスシステム55によって2つの道に流れ、それから液体源51を通過する。金属前駆体および/または窒素の混合物は、それから制御システム56を通して反応器に供給される。シリンダ31に収納されるトリシランは、マスフローコントローラ32を通して供給される。追加ガス、ここでモノメチルアミン(MMA)ガス(炭素および窒素源)、41はマスフローコントローラ42を通して供給される。
この例に用いるCVDツールは図9に示す。図9において、シリコンウェハ1は設けられたCVDチャンバ11に導入され、かつ所望の膜はシリコンウェハ1表面上に形成される。CVDチャンバ11は、ポンプ12により排気される。金属前駆体、この場合タンタル五塩化物、ジエチル硫黄付加生成物TaCl5,SEt2、は液体容器51に収納される。TaCl5,SEt2蒸気は、窒素源52からの窒素のバブリングによってCVDチャンバ11に供給され、前記窒素は圧力調節器53およびMFC54を通してバイパスシステム55によって2つの道に流れ、それから液体源51を通過する。金属前駆体および/または窒素の混合物は、それから制御システム56を通して反応器に供給される。シリンダ31に収納される水素は、マスフローコントローラ32を通して供給される。追加ガス、ここでモノメチルアミン(MMA)ガス(炭素および窒素源)、41はマスフローコントローラ42を通して供給される。
この例は、タンタルシリコン窒化物膜の製造に関する。
11…堆積(CVD)チャンバ、
12…ポンプ、
13…吸着器、
21…液体容器、
22…Heガス、
23…液体マスフローコントローラ、
24…マスフローコントローラ、
25…気化器、
31…シリンダ、
32…マスフローコントローラ、
33…N2ガス、
41…追加ガス、
42…マスフローコントローラ、
43…バブラー、
51…バブラー、
52…窒素ガス、
53…圧力調節器、
54…マスフローコントローラ、
55…バイパスによる2つの道、
56…流制御システム、
V3…作動弁、
V4…作動弁、
V5…作動弁。
Claims (6)
- 試料上に遷移金属シリコン窒化物含有膜を形成する方法であって、
−堆積チャンバに試料を導入すること;
−前記試料を所望の温度まで加熱すること;
−液体または固体の遷移金属源を準備すること;
−少なくとも1つのシリコンおよび窒素前駆体源を準備すること、前記前駆体源はトリシリルアミン、ジシリルアミン、シリルアミン、トリ(ジシリル)アミン、アミノジシリルアミンおよびテトラシリルジアミンからなる群から選択される;
−前記遷移金属源を気化させて遷移金属源蒸気を形成すること;
−前記遷移金属源蒸気を前記チャンバに供給すること;
−少なくとも1つのシリコンおよび窒素前駆体源蒸気を前記少なくとも1つのシリコンおよび窒素前駆体源から前記チャンバに供給すること;および
−所望最終組成の遷移金属シリコン窒化物含有膜を前記試料上に形成すること
の工程を含む方法。 - 前記遷移金属源は、式;
MXm
または
MXm、SEt 2
ここで、Mは遷移金属であり、
Xはハロゲンであり、
mは遷移金属の酸素価である、
の化学化合物を含む請求項1記載の方法。 - 前記Mは、Ta,Nb,W,Hfからなる群から選択される遷移金属である請求項2記載の方法。
- 炭素源を準備すること、前記炭素源はC1−C16直鎖、分岐または環状の炭化水素を含む、および前記炭素原からの炭素源蒸気を前記チャンバに供給すること、の工程をさらに含む請求項1または2記載の方法。
- 前記遷移金属シリコン窒化物含有膜形成工程は、原子層堆積方法、ここで前記前駆体源は逐次導入される、を用いることによって完結される請求項1〜4いずれか記載の方法。
- 前記遷移金属シリコン窒化物含有膜形成工程は、250と650℃の間の温度範囲、および0.01と1000Torrの間の圧力範囲でなされる請求項1〜5いずれか記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2005/008196 WO2007000186A1 (en) | 2005-06-29 | 2005-06-29 | Deposition method of ternary films |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008545061A JP2008545061A (ja) | 2008-12-11 |
JP4870759B2 true JP4870759B2 (ja) | 2012-02-08 |
Family
ID=35788045
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008518643A Expired - Fee Related JP4870759B2 (ja) | 2005-06-29 | 2005-06-29 | 3成分膜の新規な堆積方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100104755A1 (ja) |
EP (1) | EP1899497A1 (ja) |
JP (1) | JP4870759B2 (ja) |
KR (1) | KR101283835B1 (ja) |
CN (1) | CN101213322A (ja) |
TW (1) | TWI392758B (ja) |
WO (1) | WO2007000186A1 (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8617301B2 (en) | 2007-01-30 | 2013-12-31 | Lam Research Corporation | Compositions and methods for forming and depositing metal films on semiconductor substrates using supercritical solvents |
US8071163B2 (en) * | 2007-04-07 | 2011-12-06 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Deposition of Ta- or Nb-doped high-k films |
US20080268642A1 (en) * | 2007-04-20 | 2008-10-30 | Kazutaka Yanagita | Deposition of transition metal carbide containing films |
US9175390B2 (en) | 2008-04-25 | 2015-11-03 | Asm International N.V. | Synthesis and use of precursors for ALD of tellurium and selenium thin films |
US8889235B2 (en) | 2009-05-13 | 2014-11-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Dielectric barrier deposition using nitrogen containing precursor |
WO2010132871A1 (en) | 2009-05-15 | 2010-11-18 | Wayne State University | Thermally stable volatile film precursors |
KR101829380B1 (ko) * | 2009-10-26 | 2018-02-19 | 에이에스엠 인터내셔널 엔.브이. | 5a족 원소 함유 박막의 원자 층 증착용 전구체의 합성 및 용도 |
US9822446B2 (en) | 2010-08-24 | 2017-11-21 | Wayne State University | Thermally stable volatile precursors |
US9255327B2 (en) | 2010-08-24 | 2016-02-09 | Wayne State University | Thermally stable volatile precursors |
JP5951443B2 (ja) * | 2011-12-09 | 2016-07-13 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
JP6041527B2 (ja) * | 2012-05-16 | 2016-12-07 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッド |
US9758866B2 (en) | 2013-02-13 | 2017-09-12 | Wayne State University | Synthesis and characterization of first row transition metal complexes containing α-imino alkoxides as precursors for deposition of metal films |
US9249505B2 (en) | 2013-06-28 | 2016-02-02 | Wayne State University | Bis(trimethylsilyl) six-membered ring systems and related compounds as reducing agents for forming layers on a substrate |
CN105492656B (zh) * | 2013-06-28 | 2018-03-23 | 韦恩州立大学 | 作为用于在衬底上形成层的还原剂的二(三甲基甲硅烷基)六元环系统和相关化合物 |
US9157149B2 (en) | 2013-06-28 | 2015-10-13 | Wayne State University | Bis(trimethylsilyl) six-membered ring systems and related compounds as reducing agents for forming layers on a substrate |
CN105849221B (zh) | 2013-09-27 | 2019-06-18 | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 | 胺取代的三甲硅烷基胺和三-二甲硅烷基胺化合物 |
CN113373428B (zh) * | 2014-10-24 | 2023-07-14 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 组合物和使用所述组合物沉积含硅膜的方法 |
US9777025B2 (en) | 2015-03-30 | 2017-10-03 | L'Air Liquide, Société pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Si-containing film forming precursors and methods of using the same |
TW201715070A (zh) | 2015-08-03 | 2017-05-01 | 韋恩州立大學 | 作為用於藉由氣相沉積進行的元素膜成長之強還原前驅物的六員環二烯 |
US9607842B1 (en) | 2015-10-02 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming metal silicides |
US10192734B2 (en) | 2016-12-11 | 2019-01-29 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploration des Procédés Georges Claude | Short inorganic trisilylamine-based polysilazanes for thin film deposition |
KR102548405B1 (ko) * | 2017-04-20 | 2023-06-28 | (주)디엔에프 | 다이실릴아민 화합물을 포함하는 실리콘 함유 박막증착용 조성물 및 이를 이용하는 실리콘 함유 박막의 제조방법 |
US10689405B2 (en) | 2017-11-30 | 2020-06-23 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Titanium-containing film forming compositions for vapor deposition of titanium-containing films |
US10584039B2 (en) | 2017-11-30 | 2020-03-10 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Titanium-containing film forming compositions for vapor deposition of titanium-containing films |
US11021793B2 (en) | 2018-05-31 | 2021-06-01 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour I'Etude et I'Exploitation des Procédés Georges Claude | Group 6 transition metal-containing compositions for vapor deposition of group 6 transition metal-containing films |
US20220305524A1 (en) * | 2020-02-21 | 2022-09-29 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Polymer film using chemical vapor deposition using sulfur as initiator (scvd), method of preparing the same and apparatus for preparing the same |
KR102443090B1 (ko) * | 2020-02-21 | 2022-09-14 | 한국과학기술원 | 황을 개시제로서 사용한 화학기상증착(sCVD)을 이용한 고분자막, 그 제조방법 및 제조장치 |
JP2022124227A (ja) * | 2021-02-15 | 2022-08-25 | 日東電工株式会社 | ガスバリアフィルムおよびその製造方法、ならびに偏光板および画像表示装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001102326A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-13 | Tori Chemical Kenkyusho:Kk | 導電性バリア膜形成材料、導電性バリア膜形成方法、及び配線膜形成方法、並びにulsi |
JP2001308087A (ja) * | 2000-04-26 | 2001-11-02 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
US20040043604A1 (en) * | 2002-08-28 | 2004-03-04 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for forming refractory metal nitride layers using disilazanes |
JP2005533390A (ja) * | 2002-07-18 | 2005-11-04 | アヴィザ テクノロジー インコーポレイテッド | 混合成分を有する薄膜の分子層蒸着 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3771976A (en) * | 1971-01-08 | 1973-11-13 | Texas Instruments Inc | Metal carbonitride-coated article and method of producing same |
DE2523257C2 (de) * | 1975-05-26 | 1982-10-28 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur Beschichtung von Innenflächen bei rohrförmigen Hohlkörpern mit Tantal durch chemische Dampfphasenabscheidung |
JPH04254585A (ja) * | 1991-02-04 | 1992-09-09 | Central Glass Co Ltd | タングステンカーバイト膜の形成方法 |
US5252518A (en) * | 1992-03-03 | 1993-10-12 | Micron Technology, Inc. | Method for forming a mixed phase TiN/TiSi film for semiconductor manufacture using metal organometallic precursors and organic silane |
US5344792A (en) * | 1993-03-04 | 1994-09-06 | Micron Technology, Inc. | Pulsed plasma enhanced CVD of metal silicide conductive films such as TiSi2 |
US5763007A (en) * | 1996-06-25 | 1998-06-09 | The Aerospace Corporation | Method of Controlling Reactions between tetrakis dialkylamine titanium and ammonia for producing titanium nitride films |
JP4086124B2 (ja) * | 1998-09-28 | 2008-05-14 | 株式会社トリケミカル研究所 | Ta系膜形成材料及びTa系膜形成方法並びにULSI |
US6139992A (en) * | 1999-01-11 | 2000-10-31 | United Microelectronics Corp | Photomask used in fabrication of mask read only memory |
US6200893B1 (en) * | 1999-03-11 | 2001-03-13 | Genus, Inc | Radical-assisted sequential CVD |
US6268288B1 (en) * | 1999-04-27 | 2001-07-31 | Tokyo Electron Limited | Plasma treated thermal CVD of TaN films from tantalum halide precursors |
US6265311B1 (en) * | 1999-04-27 | 2001-07-24 | Tokyo Electron Limited | PECVD of TaN films from tantalum halide precursors |
US6602783B1 (en) * | 1999-10-06 | 2003-08-05 | Air Products And Chemicals, Inc. | Deposition of titanium amides |
US6630413B2 (en) * | 2000-04-28 | 2003-10-07 | Asm Japan K.K. | CVD syntheses of silicon nitride materials |
KR101027485B1 (ko) * | 2001-02-12 | 2011-04-06 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 | 반도체 박막 증착을 위한 개선된 공정 |
FI109770B (fi) * | 2001-03-16 | 2002-10-15 | Asm Microchemistry Oy | Menetelmä metallinitridiohutkalvojen valmistamiseksi |
US20050104142A1 (en) * | 2003-11-13 | 2005-05-19 | Vijav Narayanan | CVD tantalum compounds for FET get electrodes |
JP2006089790A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude | 貴金属膜、貴金属酸化物膜、および貴金属ケイ化物膜の製造方法 |
US7314835B2 (en) * | 2005-03-21 | 2008-01-01 | Tokyo Electron Limited | Plasma enhanced atomic layer deposition system and method |
-
2005
- 2005-06-29 US US11/993,570 patent/US20100104755A1/en not_active Abandoned
- 2005-06-29 KR KR1020087002201A patent/KR101283835B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-06-29 WO PCT/EP2005/008196 patent/WO2007000186A1/en active Application Filing
- 2005-06-29 JP JP2008518643A patent/JP4870759B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-06-29 EP EP05773317A patent/EP1899497A1/en not_active Withdrawn
- 2005-06-29 CN CNA2005800502990A patent/CN101213322A/zh active Pending
-
2006
- 2006-05-04 TW TW095115870A patent/TWI392758B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001102326A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-13 | Tori Chemical Kenkyusho:Kk | 導電性バリア膜形成材料、導電性バリア膜形成方法、及び配線膜形成方法、並びにulsi |
JP2001308087A (ja) * | 2000-04-26 | 2001-11-02 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
JP2005533390A (ja) * | 2002-07-18 | 2005-11-04 | アヴィザ テクノロジー インコーポレイテッド | 混合成分を有する薄膜の分子層蒸着 |
US20040043604A1 (en) * | 2002-08-28 | 2004-03-04 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for forming refractory metal nitride layers using disilazanes |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100104755A1 (en) | 2010-04-29 |
KR101283835B1 (ko) | 2013-07-08 |
KR20080026195A (ko) | 2008-03-24 |
EP1899497A1 (en) | 2008-03-19 |
TW200710257A (en) | 2007-03-16 |
JP2008545061A (ja) | 2008-12-11 |
WO2007000186A1 (en) | 2007-01-04 |
TWI392758B (zh) | 2013-04-11 |
CN101213322A (zh) | 2008-07-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4870759B2 (ja) | 3成分膜の新規な堆積方法 | |
JP5048476B2 (ja) | 絶縁膜または金属膜を形成する方法 | |
US10995405B2 (en) | Deposition of molybdenum thin films using a molybdenum carbonyl precursor | |
EP1691400B1 (en) | Preparation of metal silicon nitride films via cyclic deposition | |
US8460989B2 (en) | Niobium and vanadium organometallic precursors for thin film deposition | |
JP6317370B2 (ja) | コバルト含有化合物、その合成及びコバルト含有膜の堆積におけるその使用 | |
US9085823B2 (en) | Method of forming a tantalum-containing layer on a substrate | |
US8686138B2 (en) | Heteroleptic pyrrolecarbaldimine precursors | |
EP4301896A1 (en) | Reagents to remove oxygen from metal oxyhalide precursors in thin film deposition processes | |
TWI628305B (zh) | 包含具高鋁含量的鋁合金之膜的沉積 | |
WO2009068454A1 (en) | Metal-organic compounds containing an amidinate ligand and their use of vapour phase deposition of metal containing thin films | |
KR102209476B1 (ko) | 코발트-함유 화합물, 이의 합성, 및 코발트-함유 필름 침착에서의 용도 | |
KR102211654B1 (ko) | 텅스텐 전구체 화합물 및 이를 이용하여 제조된 텅스텐 함유 박막 | |
TW202402774A (zh) | 供化學氣相沉積(cvd)及原子層沉積(ald)應用之具有磷基配位體之金屬羰基錯合物 | |
WO2023122471A1 (en) | Homoleptic bismuth precursors for depositing bismuth oxide containing thin films | |
WO2024097547A1 (en) | High purity alkynyl amines for selective deposition | |
TWI389219B (zh) | 形成介電或金屬薄膜的方法 | |
KR20040102754A (ko) | 원자층 적층 방법 및 이를 이용한 박막 형성 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110531 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110831 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111018 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111117 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141125 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |