JP5951443B2 - 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム - Google Patents
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Description
基板に対して所定元素とハロゲン元素とを含む原料ガスを供給する工程と、
前記基板に対して炭素、窒素および水素の3元素で構成され、組成式中において窒素原子の数よりも炭素原子の数の方が多い反応ガスを供給する工程と、
を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素、窒素および炭素を含む膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法が提供される。
基板に対して所定元素とハロゲン元素とを含む原料ガスを供給する工程と、
前記基板に対して炭素、窒素および水素の3元素で構成され、組成式中において窒素原子の数よりも炭素原子の数の方が多い反応ガスを供給する工程と、
を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素、窒素および炭素を含む膜を形成する工程を有する基板処理方法が提供される。
基板を収容する処理室と、
前記処理室内へ所定元素とハロゲン元素とを含む原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理室内へ炭素、窒素および水素の3元素で構成され、組成式中において窒素原子の数よりも炭素原子の数の方が多い反応ガスを供給する反応ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記原料ガスを供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記反応ガスを供給する処理と、を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素、窒素および炭素を含む膜を形成する処理を行うように、前記原料ガス供給系および前記反応ガス供給系を制御する制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
基板処理装置の処理室内の基板に対して所定元素とハロゲン元素とを含む原料ガスを供給する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して炭素、窒素および水素の3元素で構成され、組成式中において窒素原子の数よりも炭素原子の数の方が多い反応ガスを供給する手順と、
を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素、窒素および炭素を含む膜を形成する手順をコンピュータに実行させるプログラムが提供される。
以下に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図1は、本実施形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉202部分を縦断面図で示している。図2は、本実施形態で好適に用いられる縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉202部分を図1のA−A線断面図で示している。
次に、上述の基板処理装置の処理炉を用いて、半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として、基板上に炭窒化膜を成膜する例について説明する。尚、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
処理室201内のウエハ200に対して所定元素とハロゲン元素とを含む原料ガスを供給する工程と、
処理室201内のウエハ200に対して炭素、窒素および水素の3元素で構成され、組成式中(1分子中)において窒素原子の数よりも炭素原子の数の方が多い反応ガスを供給する工程と、
を交互に所定回数行うことにより、ウエハ200上に、所定元素、窒素および炭素を含む薄膜、すなわち、所定元素を含む炭窒化膜を形成する。
処理室201内のウエハ200に対して原料ガスとしてクロロシラン系原料ガスであるHCDSガスを供給してウエハ200上に所定元素(シリコン)とハロゲン元素(塩素)とを含む第1の層を形成する工程と、
処理室201内のウエハ200に対して炭素、窒素および水素の3元素で構成され、組成式中(1分子中)において窒素原子の数よりも炭素原子の数の方が多い反応ガスとして、その組成式中において炭素原子を含むリガンド(エチル基)を複数(3つ)有するアミン系ガスであるTEAガスを供給し、TEAガスと第1の層とを反応させてシリコン、窒素および炭素を含む第2の層を形成する工程と、
を交互に所定回数行うことにより、ウエハ200上に、シリコン系絶縁膜であるシリコン炭窒化膜(SiCN膜)を形成する例について説明する。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)されると、図1に示されているように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内に搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219はOリング220を介して反応管203の下端をシールした状態となる。
処理室201内が所望の圧力(真空度)となるように真空ポンプ246によって真空排気される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される(圧力調整)。なお、真空ポンプ246は、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。また、処理室201内が所望の温度となるようにヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される(温度調整)。なお、ヒータ207による処理室201内の加熱は、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。続いて、回転機構267によりボート217及びウエハ200の回転を開始する。なお、回転機構267によるボート217及びウエハ200の回転は、少なくとも、ウエハ200に対する処理が完了するまでの間は継続して行われる。
その後、以下のステップ1,2を順次実行する。
(HCDSガス供給)
第1ガス供給管232aのバルブ243a開き、第1ガス供給管232a内にHCDSガスを流す。第1ガス供給管232a内を流れたHCDSガスは、マスフローコントローラ241aにより流量調整される。流量調整されたHCDSガスは、第1ノズル249aのガス供給孔250aから処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このとき、ウエハ200に対してHCDSガスが供給されることとなる。このとき同時にバルブ243cを開き、第1不活性ガス供給管232c内に不活性ガスとしてのN2ガスを流す。第1不活性ガス供給管232c内を流れたN2ガスは、マスフローコントローラ241cにより流量調整される。流量調整されたN2ガスは、HCDSガスと一緒に処理室201内に供給され、排気管231から排気される。
第1の層としてのClを含むシリコン含有層が形成された後、第1ガス供給管232aのバルブ243aを閉じ、HCDSガスの供給を停止する。このとき、排気管231のAPCバルブ244は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくは第1の層形成に寄与した後のHCDSガスを処理室201内から排除する。なお、このとき、バルブ243c,243dは開いたままとして、不活性ガスとしてのN2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内に残留する未反応もしくは第1の層形成に寄与した後のHCDSガスを処理室201内から排除する効果を高めることができる。
(TEAガス供給)
ステップ1が終了し処理室201内の残留ガスを除去した後、第2ガス供給管232bのバルブ243bを開き、第2ガス供給管232b内にTEAガスを流す。第2ガス供給管232b内を流れたTEAガスは、マスフローコントローラ241bにより流量調整される。流量調整されたTEAガスは、第2ノズル249bのガス供給孔250bから処理室201内へ供給される。処理室201内に供給されたTEAガスは熱で活性化(励起)され、排気管231から排気される。このとき、ウエハ200に対して熱で活性化されたTEAガスが供給されることとなる。このとき同時にバルブ243dを開き、第2不活性ガス供給管232d内に不活性ガスとしてのN2ガスを流す。第2不活性ガス供給管232d内を流れたN2ガスは、マスフローコントローラ241dにより流量調整される。流量調整されたN2ガスは、TEAガスと一緒に処理室201内へ供給され、排気管231から排気される。
第2の層が形成された後、第2ガス供給管232bのバルブ243bを閉じ、TEAガスの供給を停止する。このとき、排気管231のAPCバルブ244は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくは第2の層形成に寄与した後のTEAガスや反応副生成物を処理室201内から排除する。なお、このとき、バルブ243d,243cは開いたままとして、不活性ガスとしてのN2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内に残留する未反応もしくは第2の層形成に寄与した後のTEAガスや反応副生成物を処理室201内から排除する効果を高めることができる。
上述したステップ1,2を1サイクルとして、このサイクルを1回以上(所定回数)行うことにより、ウエハ200上に所定組成及び所定膜厚のシリコン(Si)、窒素(N)および炭素(C)を含む膜、すなわち、シリコン炭窒化膜(SiCN膜)を成膜することができる。なお、上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。すなわち、1サイクルあたりに形成するSiCN層の厚さを所望の膜厚よりも小さくして、上述のサイクルを所望の膜厚になるまで複数回繰り返すのが好ましい。
所定組成を有する所定膜厚のSiCN膜を形成する成膜処理がなされると、バルブ243c,243dを開き、第1不活性ガス供給管232c、第2不活性ガス供給管232dのそれぞれから不活性ガスとしてのN2ガスを処理室201内に供給し、排気管231から排気する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内が不活性ガスでパージされ、処理室201内に残留するガスや反応副生成物が処理室201内から除去される(パージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降されて、反応管203の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ200がボート217に支持された状態で反応管203の下端から反応管203の外部に搬出(ボートアンロード)される。その後、処理済のウエハ200はボート217より取出される(ウエハディスチャージ)。
本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果を奏する。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の一態様によれば、
基板に対して所定元素とハロゲン元素とを含む原料ガスを供給する工程と、
前記基板に対して炭素、窒素および水素の3元素で構成され、組成式中において窒素原子の数よりも炭素原子の数の方が多い反応ガスを供給する工程と、
を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素、窒素および炭素を含む膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法が提供される。
付記1の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記反応ガスは、その組成式中において炭素原子を含むリガンドを複数有する。
付記1または2の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記反応ガスは、その組成式中において炭素原子を含むリガンドを3つ有する。
付記1または2の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記反応ガスは、その組成式中において炭素原子を含むリガンドを2つ有する。
付記1乃至4のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記反応ガスはアミンおよび有機ヒドラジンのうち少なくともいずれかを含む。
付記1乃至4のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記反応ガスは、エチルアミン、メチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ブチルアミンおよびイソブチルアミンからなる群より選択される少なくとも1つのアミンを含む。
付記1または2の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記反応ガスは、トリエチルアミン、ジエチルアミン、トリメチルアミン、ジメチルアミン、トリプロピルアミン、ジプロピルアミン、トリイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、トリブチルアミン、ジブチルアミン、トリイソブチルアミンおよびジイソブチルアミンからなる群より選択される少なくとも1つのアミンを含む。
付記1または2の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記反応ガスは、ジエチルアミン、ジメチルアミン、ジプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジブチルアミンおよびジイソブチルアミンからなる群より選択される少なくとも1つのアミンを含む。
付記1乃至8のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記反応ガスはシリコン非含有のガスである。
付記1乃至8のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記反応ガスはシリコンおよび金属非含有のガスである。
付記1乃至10のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記所定元素はシリコンまたは金属を含み、前記ハロゲン元素は塩素またはフッ素を含む。
付記1乃至11のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記原料ガスを供給する工程と、前記反応ガスを供給する工程と、を交互に所定回数行う工程では、前記原料ガスに含まれる前記ハロゲン元素と前記反応ガスに含まれる水素とをガスとして排出しつつ、前記基板上に、前記所定元素、窒素および炭素を含む膜を形成する。
付記1乃至12のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記原料ガスを供給する工程では、前記所定元素と前記ハロゲン元素とを含む第1の層を形成し、
前記反応ガスを供給する工程では、前記第1の層と前記反応ガスとを反応させて前記所定元素、窒素および炭素を含む第2の層を形成する。
付記13の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記反応ガスを供給する工程では、前記第1の層と前記反応ガスとを反応させて、前記第1の層に含まれる前記ハロゲン元素のうち少なくとも一部を前記第1の層から引き抜くとともに、前記反応ガスに含まれるリガンドのうち少なくとも一部を前記反応ガスから分離させる。
付記14の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記反応ガスを供給する工程では、前記第1の層と前記反応ガスとを反応させて、前記第1の層に含まれる前記ハロゲン元素のうち少なくとも一部を前記第1の層から引き抜くとともに、前記反応ガスに含まれるリガンドのうち少なくとも一部を前記反応ガスから分離させ、前記リガンドのうち少なくとも一部が分離した前記反応ガスの窒素と前記第1の層に含まれる前記所定元素とを結合させる。
付記15の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記反応ガスを供給する工程では、前記第1の層と前記反応ガスとを反応させて、前記第1の層に含まれる前記ハロゲン元素のうち少なくとも一部を前記第1の層から引き抜くとともに、前記反応ガスに含まれるリガンドのうち少なくとも一部を前記反応ガスから分離させ、前記リガンドのうち少なくとも一部が分離した前記反応ガスの窒素と前記第1の層に含まれる前記所定元素とを結合させ、さらに、前記リガンドに含まれる炭素と前記第1の層に含まれる前記所定元素とを結合させる。
付記1乃至16のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記所定元素、窒素および炭素を含む膜を形成する工程は、前記基板を処理室内に収容した状態で行われ、
前記反応ガスを供給する工程における前記処理室の圧力を、前記原料ガスを供給する工程における前記処理室の圧力よりも大きくする。
本発明の他の態様によれば、
基板に対して所定元素とハロゲン元素とを含む原料ガスを供給する工程と、
前記基板に対して炭素、窒素および水素の3元素で構成され、組成式中において窒素原子の数よりも炭素原子の数の方が多い反応ガスを供給する工程と、
を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素、窒素および炭素を含む膜を形成する工程を有する基板処理方法が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
基板を収容する処理室と、
前記処理室内へ所定元素とハロゲン元素とを含む原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理室内へ炭素、窒素および水素の3元素で構成され、組成式中において窒素原子の数よりも炭素原子の数の方が多い反応ガスを供給する反応ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記原料ガスを供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記反応ガスを供給する処理と、を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素、窒素および炭素を含む膜を形成する処理を行うように、前記原料ガス供給系および前記反応ガス供給系を制御する制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
基板処理装置の処理室内の基板に対して所定元素とハロゲン元素とを含む原料ガスを供給する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して炭素、窒素および水素の3元素で構成され、組成式中において窒素原子の数よりも炭素原子の数の方が多い反応ガスを供給する手順と、
を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素、窒素および炭素を含む膜を形成する手順をコンピュータに実行させるプログラムが提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
基板処理装置の処理室内の基板に対して所定元素とハロゲン元素とを含む原料ガスを供給する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して炭素、窒素および水素の3元素で構成され、組成式中において窒素原子の数よりも炭素原子の数の方が多い反応ガスを供給する手順と、
を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素、窒素および炭素を含む膜を形成する手順をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
200 ウエハ(基板)
201 処理室
202 処理炉
203 反応管
207 ヒータ
231 排気管
232a 第1ガス供給管
232b 第2ガス供給管
Claims (22)
- 処理室内の基板に対して所定元素とハロゲン元素とを含む原料ガスを供給する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して炭素、窒素および水素の3元素で構成され、組成式中において窒素原子の数よりも炭素原子の数の方が多い反応ガスを供給する工程と、
を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素、窒素および炭素を含む膜を形成する工程を有し、
前記反応ガスを供給する工程における前記処理室の圧力を、前記原料ガスを供給する工程における前記処理室の圧力よりも大きくする半導体装置の製造方法。 - 前記反応ガスは、その組成式中において炭素原子を含むリガンドを複数有する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記反応ガスは、その組成式中において炭素原子を含むリガンドを3つ有する請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記反応ガスは、その組成式中において炭素原子を含むリガンドを2つ有する請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記反応ガスは、アミンおよび有機ヒドラジンのうち少なくともいずれかを含む請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記反応ガスは、エチルアミン、メチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ブチルアミンおよびイソブチルアミンからなる群より選択される少なくとも1つのアミンを含む請求項1乃至5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記反応ガスは、トリエチルアミン、ジエチルアミン、トリメチルアミン、ジメチルアミン、トリプロピルアミン、ジプロピルアミン、トリイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、トリブチルアミン、ジブチルアミン、トリイソブチルアミンおよびジイソブチルアミンからなる群より選択される少なくとも1つのアミンを含む請求項1乃至6のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記反応ガスは、ジエチルアミン、ジメチルアミン、ジプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジブチルアミンおよびジイソブチルアミンからなる群より選択される少なくとも1つのアミンを含む請求項1乃至7のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記反応ガスは、シリコン非含有のガスである請求項1乃至8のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記反応ガスは、シリコンおよび金属非含有のガスである請求項1乃至9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記所定元素はシリコンまたは金属を含み、前記ハロゲン元素は塩素またはフッ素を含む請求項1乃至10のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記原料ガスを供給する工程と、前記反応ガスを供給する工程と、を交互に所定回数行う工程では、前記原料ガスに含まれる前記ハロゲン元素と前記反応ガスに含まれる水素とをガスとして排出しつつ、前記基板上に、前記所定元素、窒素および炭素を含む膜を形成する請求項1乃至11のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記原料ガスを供給する工程では、前記所定元素と前記ハロゲン元素とを含む第1の層を形成し、
前記反応ガスを供給する工程では、前記第1の層と前記反応ガスとを反応させて前記所定元素、窒素および炭素を含む第2の層を形成する請求項1乃至12のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記反応ガスを供給する工程では、前記第1の層と前記反応ガスとを反応させて、前記第1の層に含まれる前記ハロゲン元素のうち少なくとも一部を前記第1の層から引き抜くとともに、前記反応ガスに含まれるリガンドのうち少なくとも一部を前記反応ガスから分離させる請求項13に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記反応ガスを供給する工程では、前記第1の層と前記反応ガスとを反応させて、前記第1の層に含まれる前記ハロゲン元素のうち少なくとも一部を前記第1の層から引き抜くとともに、前記反応ガスに含まれるリガンドのうち少なくとも一部を前記反応ガスから分離させ、前記リガンドのうち少なくとも一部が分離した前記反応ガスの窒素と前記第1の層に含まれる前記所定元素とを結合させる請求項13に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記反応ガスを供給する工程では、前記第1の層と前記反応ガスとを反応させて、前記第1の層に含まれる前記ハロゲン元素のうち少なくとも一部を前記第1の層から引き抜くとともに、前記反応ガスに含まれるリガンドのうち少なくとも一部を前記反応ガスから分離させ、前記リガンドのうち少なくとも一部が分離した前記反応ガスの窒素と前記第1の層に含まれる前記所定元素とを結合させ、さらに、前記リガンドに含まれる炭素と前記第1の層に含まれる前記所定元素とを結合させる請求項13に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記反応ガスを供給する工程における前記処理室の圧力を399〜3990Paの範囲内の圧力とする請求項1乃至16のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記反応ガスを供給する工程では、前記反応ガスを熱で活性化させて前記基板に対して供給する請求項1乃至17のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記反応ガスを供給する工程では、前記反応ガスをノンプラズマで熱的に活性化させて前記基板に対して供給する請求項1乃至17のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 処理室内の基板に対して所定元素とハロゲン元素とを含む原料ガスを供給する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して炭素、窒素および水素の3元素で構成され、組成式中において窒素原子の数よりも炭素原子の数の方が多い反応ガスを供給する工程と、
を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素、窒素および炭素を含む膜を形成する工程を有し、
前記反応ガスを供給する工程における前記処理室の圧力を、前記原料ガスを供給する工程における前記処理室の圧力よりも大きくする基板処理方法。 - 基板を収容する処理室と、
前記処理室内へ所定元素とハロゲン元素とを含む原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理室内へ炭素、窒素および水素の3元素で構成され、組成式中において窒素原子の数よりも炭素原子の数の方が多い反応ガスを供給する反応ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記原料ガスを供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記反応ガスを供給する処理と、を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素、窒素および炭素を含む膜を形成する処理を行い、前記反応ガスを供給する処理における前記処理室の圧力を、前記原料ガスを供給する処理における前記処理室の圧力よりも大きくするように、前記原料ガス供給系および前記反応ガス供給系を制御する制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板処理装置の処理室内の基板に対して所定元素とハロゲン元素とを含む原料ガスを供給する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して炭素、窒素および水素の3元素で構成され、組成式中において窒素原子の数よりも炭素原子の数の方が多い反応ガスを供給する手順と、
を交互に所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素、窒素および炭素を含む膜を形成する手順をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させ、
前記反応ガスを供給する手順における前記処理室の圧力を、前記原料ガスを供給する手順における前記処理室の圧力よりも大きくする手順を、前記コンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。
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KR100505668B1 (ko) * | 2002-07-08 | 2005-08-03 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착 방법에 의한 실리콘 산화막 형성 방법 |
KR100564609B1 (ko) * | 2003-02-27 | 2006-03-29 | 삼성전자주식회사 | 실록산 화합물을 이용한 이산화실리콘막 형성 방법 |
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US20070116873A1 (en) * | 2005-11-18 | 2007-05-24 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for thermal and plasma enhanced vapor deposition and method of operating |
US7638170B2 (en) | 2007-06-21 | 2009-12-29 | Asm International N.V. | Low resistivity metal carbonitride thin film deposition by atomic layer deposition |
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US20110244142A1 (en) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | Applied Materials, Inc. | Nitrogen doped amorphous carbon hardmask |
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