JPH08269720A - 窒化チタン薄膜の作製方法及びその方法に使用される薄膜作製装置 - Google Patents
窒化チタン薄膜の作製方法及びその方法に使用される薄膜作製装置Info
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- JPH08269720A JPH08269720A JP7096167A JP9616795A JPH08269720A JP H08269720 A JPH08269720 A JP H08269720A JP 7096167 A JP7096167 A JP 7096167A JP 9616795 A JP9616795 A JP 9616795A JP H08269720 A JPH08269720 A JP H08269720A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/38—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
Abstract
(57)【要約】
【目的】 テトラキスジアルキルアミノチタンを使用し
た窒化チタン薄膜の作製においてアスペクト比の高い穴
に対しても被覆性良く成膜できるようにする。 【構成】 反応容器１内に原料ガス導入系４によってテ
トラキスジアルキルアミノチタンの原料ガスを導入す
る。ホルダ温度調節機構３１によって予め加熱された基
体２に原料ガスが供給されると、所定の熱化学反応が生
じ、窒化チタンを主成分とする薄膜が作製される。反応
容器１内の圧力は排気系によって制御され、０．１から
１５パスカルの範囲内の所定の値になるように維持され
る。
た窒化チタン薄膜の作製においてアスペクト比の高い穴
に対しても被覆性良く成膜できるようにする。 【構成】 反応容器１内に原料ガス導入系４によってテ
トラキスジアルキルアミノチタンの原料ガスを導入す
る。ホルダ温度調節機構３１によって予め加熱された基
体２に原料ガスが供給されると、所定の熱化学反応が生
じ、窒化チタンを主成分とする薄膜が作製される。反応
容器１内の圧力は排気系によって制御され、０．１から
１５パスカルの範囲内の所定の値になるように維持され
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本願の発明は、半導体デバイス等
の製作の際に行われる窒化チタンを主成分とする薄膜の
作製に関するものである。
の製作の際に行われる窒化チタンを主成分とする薄膜の
作製に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス、超伝導デバイス、各種
電子部品、各種センサ−等のデバイスを製作する際に行
われる拡散防止膜、密着層膜、配線膜、絶縁膜、誘電体
膜等の薄膜の作製には、蒸着法、スパッタリング法、化
学気相成長（ＣＶＤ）法、プラズマアシスト法、スピン
コ−ト等の種々の方法が採用されている。近年デバイス
の集積化が進むにつれて、高アスペクト比の穴や溝への
被覆性の良い成膜が求められている。
電子部品、各種センサ−等のデバイスを製作する際に行
われる拡散防止膜、密着層膜、配線膜、絶縁膜、誘電体
膜等の薄膜の作製には、蒸着法、スパッタリング法、化
学気相成長（ＣＶＤ）法、プラズマアシスト法、スピン
コ−ト等の種々の方法が採用されている。近年デバイス
の集積化が進むにつれて、高アスペクト比の穴や溝への
被覆性の良い成膜が求められている。
【０００３】例えば、半導体集積回路のコンタクト部の
作製技術として、配線用タングステン（Ｗ）と基体であ
るシリコン（Ｓｉ）との相互拡散を防止して安定した電
気的特性を得るためや、ロジック系集積回路用配線の銅
（Ｃｕ）が基体（Ｓｉ）や絶縁層（ＳｉＯ2 ）中へ拡散
してしまうことを防止するため、窒化チタンを主成分と
する拡散防止層用の薄膜を作製する必要性が生じてい
る。また更に、半導体集積回路の層間配線技術として、
下層のアルミ膜層と上層のアルミ膜層とをつなぐように
設けられたスルーホール中に導通用の薄膜を作製するこ
とが必要である。この導通用の薄膜としては、やはり窒
化チタンを主成分とする薄膜（以下、窒化チタン薄膜）
が用いられ、高アスペクト比の穴（コンタクトホール，
スルーホール等）に良好な被覆性で窒化チタン薄膜を作
製することも求められている。
作製技術として、配線用タングステン（Ｗ）と基体であ
るシリコン（Ｓｉ）との相互拡散を防止して安定した電
気的特性を得るためや、ロジック系集積回路用配線の銅
（Ｃｕ）が基体（Ｓｉ）や絶縁層（ＳｉＯ2 ）中へ拡散
してしまうことを防止するため、窒化チタンを主成分と
する拡散防止層用の薄膜を作製する必要性が生じてい
る。また更に、半導体集積回路の層間配線技術として、
下層のアルミ膜層と上層のアルミ膜層とをつなぐように
設けられたスルーホール中に導通用の薄膜を作製するこ
とが必要である。この導通用の薄膜としては、やはり窒
化チタンを主成分とする薄膜（以下、窒化チタン薄膜）
が用いられ、高アスペクト比の穴（コンタクトホール，
スルーホール等）に良好な被覆性で窒化チタン薄膜を作
製することも求められている。
【０００４】一方、上記窒化チタン薄膜を比較的良好な
被覆性で作製する方法として注目されている方法の一つ
に、有機金属化合物や有機金属錯体を原料として用いた
ＣＶＤ技術がある。例えば、Ｍ．Ｅｉｚｅｎｂｅｒｇ等
のＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６５（１９），７
Ｎｏｖｅｍｂｅｒ １９９４Ｐ．２４１６−Ｐ．２４１
８の中にその方法に関する記事がある。Ｍ．Ｅｉｚｅｎ
ｂｅｒｇ等は、テトラキスジメチルアミノチタン（ＴＤ
ＭＡＴ）のみを原料とし、雰囲気圧力０．４５Ｔｏｒｒ
（６０Ｐａ）で窒化チタン薄膜を作製している。窒化チ
タン薄膜による拡散防止層は、２５６メガビットＤＲＡ
Ｍ（記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出し型記憶
素子）の場合、穴径０．２５μｍ、アスペクト比４．０
のコンタクトホール等の穴を被覆率９０％で成膜するこ
とが望まれている。しかし、ここで得られた薄膜の底部
被覆率は穴径０．６μｍアスペクト比１．５のコンタク
トホールに対して８５％であって、前記要求を達成する
ことは不可能である。
被覆性で作製する方法として注目されている方法の一つ
に、有機金属化合物や有機金属錯体を原料として用いた
ＣＶＤ技術がある。例えば、Ｍ．Ｅｉｚｅｎｂｅｒｇ等
のＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６５（１９），７
Ｎｏｖｅｍｂｅｒ １９９４Ｐ．２４１６−Ｐ．２４１
８の中にその方法に関する記事がある。Ｍ．Ｅｉｚｅｎ
ｂｅｒｇ等は、テトラキスジメチルアミノチタン（ＴＤ
ＭＡＴ）のみを原料とし、雰囲気圧力０．４５Ｔｏｒｒ
（６０Ｐａ）で窒化チタン薄膜を作製している。窒化チ
タン薄膜による拡散防止層は、２５６メガビットＤＲＡ
Ｍ（記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出し型記憶
素子）の場合、穴径０．２５μｍ、アスペクト比４．０
のコンタクトホール等の穴を被覆率９０％で成膜するこ
とが望まれている。しかし、ここで得られた薄膜の底部
被覆率は穴径０．６μｍアスペクト比１．５のコンタク
トホールに対して８５％であって、前記要求を達成する
ことは不可能である。
【０００５】また、Ｉｖｏ Ｊ． Ｒａａｉｊｍａｋｅ
ｒｓ等のＴｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ． Ｖｏ
ｌ．２４７（１９９４）Ｐ８５−Ｐ９３では、ＴＤＭＡ
Ｔやテトラキスジエチルアミノチタン（ＴＤＥＡＴ）に
アンモニア（ＮＨ3 ）を添加した原料ガス（以下、ＴＤ
ＭＡＴ−ＮＨ3 ，ＴＤＥＡＴ−ＮＨ3 ）を使用して、雰
囲気圧力１０Ｔｏｒｒで窒化チタン薄膜を作製してい
る。しかし、このとき得られた薄膜においても、穴径
０．８μｍアスペクト比１．０のコンタクトホールに対
して、ＴＤＭＡＴ−ＮＨ3 で２０％、ＴＤＥＡＴ−ＮＨ
3 で８５％であり、この場合も前記要求を達成すること
は不可能である。
ｒｓ等のＴｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ． Ｖｏ
ｌ．２４７（１９９４）Ｐ８５−Ｐ９３では、ＴＤＭＡ
Ｔやテトラキスジエチルアミノチタン（ＴＤＥＡＴ）に
アンモニア（ＮＨ3 ）を添加した原料ガス（以下、ＴＤ
ＭＡＴ−ＮＨ3 ，ＴＤＥＡＴ−ＮＨ3 ）を使用して、雰
囲気圧力１０Ｔｏｒｒで窒化チタン薄膜を作製してい
る。しかし、このとき得られた薄膜においても、穴径
０．８μｍアスペクト比１．０のコンタクトホールに対
して、ＴＤＭＡＴ−ＮＨ3 で２０％、ＴＤＥＡＴ−ＮＨ
3 で８５％であり、この場合も前記要求を達成すること
は不可能である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
方法では、テトラキスジアルキルアミノチタンのみの原
料ガス、または、テトラキスジアルキルアミノチタンに
アンモニアを添加した原料ガスを使用して窒化チタン薄
膜を作製する場合、２５６ＭｂＤＲＡＭの拡散防止層と
して要求されている、穴径０．２５μｍ、アスペクト比
４．０のコンタクトホールを被覆率９０％で成膜するこ
とが不可能であるという欠点がある。本願の発明は、こ
のような課題を解決するためになされたものであり、テ
トラキスジアルキルアミノチタンを使用した窒化チタン
薄膜の作製において、アスペクト比の高い穴に対しても
被覆性良く成膜できるようにすることを目的にしてい
る。
方法では、テトラキスジアルキルアミノチタンのみの原
料ガス、または、テトラキスジアルキルアミノチタンに
アンモニアを添加した原料ガスを使用して窒化チタン薄
膜を作製する場合、２５６ＭｂＤＲＡＭの拡散防止層と
して要求されている、穴径０．２５μｍ、アスペクト比
４．０のコンタクトホールを被覆率９０％で成膜するこ
とが不可能であるという欠点がある。本願の発明は、こ
のような課題を解決するためになされたものであり、テ
トラキスジアルキルアミノチタンを使用した窒化チタン
薄膜の作製において、アスペクト比の高い穴に対しても
被覆性良く成膜できるようにすることを目的にしてい
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本願の請求項１記載の発明は、気化したテトラキス
ジアルキルアミノチタンよりなる原料ガスを熱的に化学
反応させ、所定の基体の目的とする表面上に窒化チタン
を主成分とする薄膜を堆積する薄膜作製方法において、
基体が配置された雰囲気の圧力が０．１から１５パスカ
ルの範囲内の所定の値になるような条件とするという構
成を有する。同様に上記目的を達成するため、請求項２
記載の発明は、上記請求項１の構成において、作製され
る薄膜の導電性を高めるための所定の添加ガスを原料ガ
スに添加するという構成を有する。同様に上記目的を達
成するため、請求項３記載の発明は、上記請求項２の構
成において、テトラキスジアルキルアミノチタンがテト
ラキスジエチルアミノチタンであり、添加ガスがアンモ
ニアであるという構成を有する。また、同様に上記目的
を達成するため、請求項４記載の発明は、上記請求項
１，２又は３の薄膜作製方法に使用される薄膜作製装置
であって、排気系及び真空計を備えた反応容器と、窒化
チタン薄膜を表面に作製する基体を反応容器内の所定の
位置に配置するための基体ホルダと、反応容器内にテト
ラキスジアルキルアミノチタンよりなる原料ガスを導入
するガス導入系と、導入された原料ガスを加熱して原料
ガスを熱的に化学反応させて窒化チタンを主成分とする
薄膜を作製する加熱手段とを有し、前記排気系は、０．
１から１５パスカルの範囲内の所定の圧力に反応容器の
雰囲気を維持することが可能であり、前記真空計は少な
くとも０．１から１５パスカルの範囲内において反応容
器内の圧力を測定できるものであるという構成を有す
る。同様に上記目的を達成するため、請求項５記載の発
明は、上記請求項４の構成において、真空計は、ダイヤ
フラム真空計であるという構成を有する。
め、本願の請求項１記載の発明は、気化したテトラキス
ジアルキルアミノチタンよりなる原料ガスを熱的に化学
反応させ、所定の基体の目的とする表面上に窒化チタン
を主成分とする薄膜を堆積する薄膜作製方法において、
基体が配置された雰囲気の圧力が０．１から１５パスカ
ルの範囲内の所定の値になるような条件とするという構
成を有する。同様に上記目的を達成するため、請求項２
記載の発明は、上記請求項１の構成において、作製され
る薄膜の導電性を高めるための所定の添加ガスを原料ガ
スに添加するという構成を有する。同様に上記目的を達
成するため、請求項３記載の発明は、上記請求項２の構
成において、テトラキスジアルキルアミノチタンがテト
ラキスジエチルアミノチタンであり、添加ガスがアンモ
ニアであるという構成を有する。また、同様に上記目的
を達成するため、請求項４記載の発明は、上記請求項
１，２又は３の薄膜作製方法に使用される薄膜作製装置
であって、排気系及び真空計を備えた反応容器と、窒化
チタン薄膜を表面に作製する基体を反応容器内の所定の
位置に配置するための基体ホルダと、反応容器内にテト
ラキスジアルキルアミノチタンよりなる原料ガスを導入
するガス導入系と、導入された原料ガスを加熱して原料
ガスを熱的に化学反応させて窒化チタンを主成分とする
薄膜を作製する加熱手段とを有し、前記排気系は、０．
１から１５パスカルの範囲内の所定の圧力に反応容器の
雰囲気を維持することが可能であり、前記真空計は少な
くとも０．１から１５パスカルの範囲内において反応容
器内の圧力を測定できるものであるという構成を有す
る。同様に上記目的を達成するため、請求項５記載の発
明は、上記請求項４の構成において、真空計は、ダイヤ
フラム真空計であるという構成を有する。
【０００８】
【実施例】以下、本願発明の実施例を説明する。図１
は、本願発明の実施例の窒化チタン薄膜の作製方法の実
施に使用される薄膜作製装置の概略図である。図１に示
す薄膜作製装置は、排気系１１及び真空計１２，１３を
備えた反応容器１と、窒化チタン薄膜を表面に作製する
基体２を反応容器１内の所定の位置に配置するための基
体ホルダ３と、反応容器１内にテトラキスジアルキルア
ミノチタンよりなる原料ガスを導入する原料ガス導入系
４と、導入された原料ガスを加熱して原料ガスを熱的に
化学反応させて窒化チタン薄膜を作製する加熱手段とか
ら主に構成されている。
は、本願発明の実施例の窒化チタン薄膜の作製方法の実
施に使用される薄膜作製装置の概略図である。図１に示
す薄膜作製装置は、排気系１１及び真空計１２，１３を
備えた反応容器１と、窒化チタン薄膜を表面に作製する
基体２を反応容器１内の所定の位置に配置するための基
体ホルダ３と、反応容器１内にテトラキスジアルキルア
ミノチタンよりなる原料ガスを導入する原料ガス導入系
４と、導入された原料ガスを加熱して原料ガスを熱的に
化学反応させて窒化チタン薄膜を作製する加熱手段とか
ら主に構成されている。
【０００９】まず、反応容器１は、ステンレス製の気密
な容器であり、排気系１１によって内部が真空排気され
るようになっている。排気系１１としては、回転ポンプ
やターボ分子ポンプ等を組み合わせたシステムが採用さ
れ、１０-4パスカル程度まで排気可能に構成されてい
る。反応容器１内の圧力を測定する真空計１２，１３と
しては、ダイヤフラム真空計１２と電離真空計１３の二
つが用いられている。ダイヤフラム真空計１２は、０．
１〜１３３パスカル程度の範囲で測定可能な真空計であ
り、例えばＭＫＳ社製バラトロンＴＹＰＥ１２８Ａ等の
高精度のものが好適に採用できる。また、電離真空計１
３は、１０-2〜１０-6パスカル程度の範囲で測定可能な
真空計であり、例えば日電アネルバ社製ＢＡゲージＵＧ
Ｄ−１Ｓ等が採用可能である。
な容器であり、排気系１１によって内部が真空排気され
るようになっている。排気系１１としては、回転ポンプ
やターボ分子ポンプ等を組み合わせたシステムが採用さ
れ、１０-4パスカル程度まで排気可能に構成されてい
る。反応容器１内の圧力を測定する真空計１２，１３と
しては、ダイヤフラム真空計１２と電離真空計１３の二
つが用いられている。ダイヤフラム真空計１２は、０．
１〜１３３パスカル程度の範囲で測定可能な真空計であ
り、例えばＭＫＳ社製バラトロンＴＹＰＥ１２８Ａ等の
高精度のものが好適に採用できる。また、電離真空計１
３は、１０-2〜１０-6パスカル程度の範囲で測定可能な
真空計であり、例えば日電アネルバ社製ＢＡゲージＵＧ
Ｄ−１Ｓ等が採用可能である。
【００１０】反応容器１の外壁面には、容器温度調節機
構１４が配設されている。この容器温度調節機構１４
は、反応容器１の外壁面に沿って配設されたヒータ１４
１と、反応容器１の温度を測定するために取り付けられ
た熱電対よりなる温度計１４２と、ヒータ１４１を通電
して昇温させる電源１４３と、温度計１４２によって測
定された反応容器１の温度に基づきサイリスタユニット
等の制御素子を使用しながらＰＩＤ制御、ＰＩ制御、Ｏ
Ｎ−ＯＦＦ制御、ファジー制御等の制御を行う制御器１
４４とから主に構成されている。このような容器温度調
節機構１４によって、反応容器１は７０℃程度までの所
定の温度に加熱される。また、反応容器１は、基体２の
出し入れを行うための不図示のゲートバルブを備えてい
るる。窒化チタン薄膜の作製が行われる基体２は、この
ゲートバルブを通って反応容器１内に進入し、基体ホル
ダ３に保持されるようになっている。
構１４が配設されている。この容器温度調節機構１４
は、反応容器１の外壁面に沿って配設されたヒータ１４
１と、反応容器１の温度を測定するために取り付けられ
た熱電対よりなる温度計１４２と、ヒータ１４１を通電
して昇温させる電源１４３と、温度計１４２によって測
定された反応容器１の温度に基づきサイリスタユニット
等の制御素子を使用しながらＰＩＤ制御、ＰＩ制御、Ｏ
Ｎ−ＯＦＦ制御、ファジー制御等の制御を行う制御器１
４４とから主に構成されている。このような容器温度調
節機構１４によって、反応容器１は７０℃程度までの所
定の温度に加熱される。また、反応容器１は、基体２の
出し入れを行うための不図示のゲートバルブを備えてい
るる。窒化チタン薄膜の作製が行われる基体２は、この
ゲートバルブを通って反応容器１内に進入し、基体ホル
ダ３に保持されるようになっている。
【００１１】基体ホルダ３は、内部にホルダ温度調整機
構を備えている。ホルダ温度調整機構は、基体ホルダ３
の内部に埋め込まれたヒータ３１１と、基体ホルダ３の
温度を測定する熱電対からなる温度計３１２と、ヒータ
３１１を通電して昇温させる電源３１３と、温度計３１
２によって測定された基体ホルダ３の温度に基づきサイ
リスタユニット等の制御素子を使用しながらＰＩＤ制
御、ＰＩ制御、ＯＮ−ＯＦＦ制御、ファジー制御等の制
御を行う制御器３１４などから主に構成されている。こ
のようなホルダ温度調節機構３１によって、基体ホルダ
３は３５０℃程度までの所定の温度に加熱されるように
なっている。
構を備えている。ホルダ温度調整機構は、基体ホルダ３
の内部に埋め込まれたヒータ３１１と、基体ホルダ３の
温度を測定する熱電対からなる温度計３１２と、ヒータ
３１１を通電して昇温させる電源３１３と、温度計３１
２によって測定された基体ホルダ３の温度に基づきサイ
リスタユニット等の制御素子を使用しながらＰＩＤ制
御、ＰＩ制御、ＯＮ−ＯＦＦ制御、ファジー制御等の制
御を行う制御器３１４などから主に構成されている。こ
のようなホルダ温度調節機構３１によって、基体ホルダ
３は３５０℃程度までの所定の温度に加熱されるように
なっている。
【００１２】次に、上記反応容器１には、原料ガス導入
系４と、添加ガス導入系５と、キャリアガス導入系６と
がそれぞれ設けられている。まず、原料ガス導入系４
は、原料であるテトラキスジアルキルアミノチタン（以
下、ＴＤＡＡＴ）のガスを導入する溜めた原料容器４１
と、ＴＤＡＡＴを気化させる不図示の気化手段と、ＴＤ
ＡＴガスの流量を制御する流量制御器４２とから主に構
成されている。原料となるＴＤＡＡＴは、テトラキスジ
エチルアミノチタン（ＴＤＥＡＴ）であれ、テトラキス
ジメチルアミノチタン（ＴＤＭＥＡＴ）であれ、常温常
圧で液体の材料であり、液体の状態で原料容器４１内に
溜められている。原料容器４１は、ステンレスで形成さ
れたものであり、その内壁は電解研磨処理が施されてい
る。不図示の気化手段は、原料容器４１内のＴＤＡＡＴ
を加熱して気化させたり、別のガスを原料容器４１内に
導入して原料の泡を生じさせて気化させたりする構成が
採用される。
系４と、添加ガス導入系５と、キャリアガス導入系６と
がそれぞれ設けられている。まず、原料ガス導入系４
は、原料であるテトラキスジアルキルアミノチタン（以
下、ＴＤＡＡＴ）のガスを導入する溜めた原料容器４１
と、ＴＤＡＡＴを気化させる不図示の気化手段と、ＴＤ
ＡＴガスの流量を制御する流量制御器４２とから主に構
成されている。原料となるＴＤＡＡＴは、テトラキスジ
エチルアミノチタン（ＴＤＥＡＴ）であれ、テトラキス
ジメチルアミノチタン（ＴＤＭＥＡＴ）であれ、常温常
圧で液体の材料であり、液体の状態で原料容器４１内に
溜められている。原料容器４１は、ステンレスで形成さ
れたものであり、その内壁は電解研磨処理が施されてい
る。不図示の気化手段は、原料容器４１内のＴＤＡＡＴ
を加熱して気化させたり、別のガスを原料容器４１内に
導入して原料の泡を生じさせて気化させたりする構成が
採用される。
【００１３】また、添加ガス導入系５は、アンモニア等
の添加ガスを溜めた添加ガスタンク５１と、添加ガスの
流量を制御する流量制御器５２とから主に構成され、キ
ャリアガス導入系６は、所定のキャリアガスを溜めたタ
ンク６１と、キャリアガスの流量を制御する流量制御器
６２とから主に構成されている。尚、ＴＤＥＡＴの原料
ガス及びキャリアガスとが混合させて得たガスは、配管
４０によって導かれ、反応容器１内に導入されるように
なっている。この配管４０には、必要に応じて温度調節
機構が設けられ、気化したＴＤＡＡＴが液化しないよう
に構成される。
の添加ガスを溜めた添加ガスタンク５１と、添加ガスの
流量を制御する流量制御器５２とから主に構成され、キ
ャリアガス導入系６は、所定のキャリアガスを溜めたタ
ンク６１と、キャリアガスの流量を制御する流量制御器
６２とから主に構成されている。尚、ＴＤＥＡＴの原料
ガス及びキャリアガスとが混合させて得たガスは、配管
４０によって導かれ、反応容器１内に導入されるように
なっている。この配管４０には、必要に応じて温度調節
機構が設けられ、気化したＴＤＡＡＴが液化しないよう
に構成される。
【００１４】次に、上記構成に係る薄膜作製装置の動作
を説明しながら、本願発明の窒化チタン薄膜の作製方法
の実施例について説明する。まず、基体２は、不図示の
ゲートバルブを通って反応容器１内に進入し、基体ホル
ダ３に保持される。反応容器１の内部は、排気系１１に
よって例えば１０-4パスカル程度まで排気される。尚、
この際の圧力は、電離真空計１２，１３よりなる真空計
１２，１３によって測定される。また、基体ホルダ３
は、ホルダ温度調節機構３１によって予め３５０℃程度
の温度に加熱され、従って基体２もこの程度の温度に加
熱された状態となる。次に、原料ガス及びキャリアガス
を導入する配管４０に設けられたバルブ４３を開け、Ｔ
ＤＡＡＴの原料ガス及びキャリアガスの混合ガスを反応
容器１内に導入する。同時に、添加ガス導入系５に設け
られたバルブ５３も開け、添加ガスも反応容器１内に導
入する。
を説明しながら、本願発明の窒化チタン薄膜の作製方法
の実施例について説明する。まず、基体２は、不図示の
ゲートバルブを通って反応容器１内に進入し、基体ホル
ダ３に保持される。反応容器１の内部は、排気系１１に
よって例えば１０-4パスカル程度まで排気される。尚、
この際の圧力は、電離真空計１２，１３よりなる真空計
１２，１３によって測定される。また、基体ホルダ３
は、ホルダ温度調節機構３１によって予め３５０℃程度
の温度に加熱され、従って基体２もこの程度の温度に加
熱された状態となる。次に、原料ガス及びキャリアガス
を導入する配管４０に設けられたバルブ４３を開け、Ｔ
ＤＡＡＴの原料ガス及びキャリアガスの混合ガスを反応
容器１内に導入する。同時に、添加ガス導入系５に設け
られたバルブ５３も開け、添加ガスも反応容器１内に導
入する。
【００１５】導入されたＴＤＡＡＴガスは、反応容器１
に設けた容器温度調節機構１４によって加熱された後、
基体ホルダ３に設けたホルダ温度調節機構３１の熱によ
ってさらに加熱され、所定の熱化学反応が生じる。この
結果、基体２の表面には窒化チタン薄膜が形成される。
薄膜の厚さが所定の値に達すると、各バルブ４３，５３
を閉めて原料ガスや添加ガスの供給を停止した後、排気
系１１によって反応容器１内を再び排気し、必要に応じ
て大気圧に戻し、その後基体２を反応容器１から取り出
す。
に設けた容器温度調節機構１４によって加熱された後、
基体ホルダ３に設けたホルダ温度調節機構３１の熱によ
ってさらに加熱され、所定の熱化学反応が生じる。この
結果、基体２の表面には窒化チタン薄膜が形成される。
薄膜の厚さが所定の値に達すると、各バルブ４３，５３
を閉めて原料ガスや添加ガスの供給を停止した後、排気
系１１によって反応容器１内を再び排気し、必要に応じ
て大気圧に戻し、その後基体２を反応容器１から取り出
す。
【００１６】このような窒化チタン薄膜の作製におい
て、ＴＤＡＡＴの原料ガス、キャリアガス及び添加ガス
の流量は、反応容器１内の圧力が薄膜作製時に０．１〜
１５パスカルの範囲内の所定の値になるように各流量調
整器４２，５２，６２によって調整される。この調整
は、予め上記圧力が得られるときの流量条件を実験的に
求めておき、その流量を流量調整器４２，５２，５３に
よって再現することで達成される。尚、この予備的な実
験の時や上記窒化チタン薄膜の作製の時には、反応容器
１内の圧力はダイヤフラム真空計からなる真空計１２に
よって測定される。従って、例えば、窒化チタン薄膜の
作製時にダイヤフラム真空計からなる真空計１２によっ
て反応容器１内の圧力をモニタし、圧力条件が最適であ
るかどうか常時監視するようにすると好適である。
て、ＴＤＡＡＴの原料ガス、キャリアガス及び添加ガス
の流量は、反応容器１内の圧力が薄膜作製時に０．１〜
１５パスカルの範囲内の所定の値になるように各流量調
整器４２，５２，６２によって調整される。この調整
は、予め上記圧力が得られるときの流量条件を実験的に
求めておき、その流量を流量調整器４２，５２，５３に
よって再現することで達成される。尚、この予備的な実
験の時や上記窒化チタン薄膜の作製の時には、反応容器
１内の圧力はダイヤフラム真空計からなる真空計１２に
よって測定される。従って、例えば、窒化チタン薄膜の
作製時にダイヤフラム真空計からなる真空計１２によっ
て反応容器１内の圧力をモニタし、圧力条件が最適であ
るかどうか常時監視するようにすると好適である。
【００１７】次に、本願発明の有効性について確認した
実験の結果について説明する。図２は、本願発明の有効
性について確認した実験の結果について説明する図であ
る。図２に示す実験は、図１の装置を使用して実際に窒
化チタン薄膜を作製することで行われた。この実験で
は、コンタクトホールとして直径０．２５μｍアスペク
ト比４．０の穴が表面に形成されたウエハが基体２とし
て採用とされた。また作製条件は、基体２の温度が３０
０℃、ＴＤＡＡＴとしてＴＤＥＡＴの流量が０．０２〜
０．２０ｇ／分の範囲内で適宜設定され、キャリアとし
て使用された窒素ガスの流量は１５０ｓｃｃｍ、添加ガ
スとしてのアンモニアガスの流量は１５ｓｃｃｍとされ
た。
実験の結果について説明する。図２は、本願発明の有効
性について確認した実験の結果について説明する図であ
る。図２に示す実験は、図１の装置を使用して実際に窒
化チタン薄膜を作製することで行われた。この実験で
は、コンタクトホールとして直径０．２５μｍアスペク
ト比４．０の穴が表面に形成されたウエハが基体２とし
て採用とされた。また作製条件は、基体２の温度が３０
０℃、ＴＤＡＡＴとしてＴＤＥＡＴの流量が０．０２〜
０．２０ｇ／分の範囲内で適宜設定され、キャリアとし
て使用された窒素ガスの流量は１５０ｓｃｃｍ、添加ガ
スとしてのアンモニアガスの流量は１５ｓｃｃｍとされ
た。
【００１８】図２の横軸には、パラメータとして反応容
器１内の圧力がとってあり、縦軸には、底部被覆率
（％）及び成膜速度（μｍ／分）がとってある。図２に
示すように、圧力が０．１パスカルより低い圧力では、
成膜速度が著しく低くなり、実用上採用が困難である。
また、１５パスカルを越える圧力では、底部被覆率が極
端に低下し、コンタクトホールのようなアスペクト比の
高い穴への成膜については不適なものである。また、Ｔ
ＤＡＡＴとしてＴＤＭＡＴを用いた場合にも、同様な結
果が得られた。さらに、テトラキスジプロピルアミノチ
タン、テトラキスジイソブチルアミノチタン、テトラキ
スジターシャリブチルアミノチタン等のＴＤＡＡＴを使
用した場合も同様な結果が得られた。これらのＴＤＡＡ
Ｔは常温常圧で固体であるが、ヘキサン等の溶媒に溶解
させて液体原料としてから上述と同様に用いると良い。
これらの実験結果から、ＴＤＡＡＴを用いて窒化チタン
薄膜の作製を行う場合には、０．１から１５パスカルの
圧力範囲において成膜を行うことが、窒化チタン薄膜の
作製を高い被覆率で且つ高い成膜速度で行うために必要
であることが分かる。この結果は、原料ガスの流量を変
えて行った実験でも同様であり、０．０２〜０．２０ｇ
／分の範囲の原料ガスの流量において上記圧力条件の有
効性が確認された。
器１内の圧力がとってあり、縦軸には、底部被覆率
（％）及び成膜速度（μｍ／分）がとってある。図２に
示すように、圧力が０．１パスカルより低い圧力では、
成膜速度が著しく低くなり、実用上採用が困難である。
また、１５パスカルを越える圧力では、底部被覆率が極
端に低下し、コンタクトホールのようなアスペクト比の
高い穴への成膜については不適なものである。また、Ｔ
ＤＡＡＴとしてＴＤＭＡＴを用いた場合にも、同様な結
果が得られた。さらに、テトラキスジプロピルアミノチ
タン、テトラキスジイソブチルアミノチタン、テトラキ
スジターシャリブチルアミノチタン等のＴＤＡＡＴを使
用した場合も同様な結果が得られた。これらのＴＤＡＡ
Ｔは常温常圧で固体であるが、ヘキサン等の溶媒に溶解
させて液体原料としてから上述と同様に用いると良い。
これらの実験結果から、ＴＤＡＡＴを用いて窒化チタン
薄膜の作製を行う場合には、０．１から１５パスカルの
圧力範囲において成膜を行うことが、窒化チタン薄膜の
作製を高い被覆率で且つ高い成膜速度で行うために必要
であることが分かる。この結果は、原料ガスの流量を変
えて行った実験でも同様であり、０．０２〜０．２０ｇ
／分の範囲の原料ガスの流量において上記圧力条件の有
効性が確認された。
【００１９】このような圧力条件において、窒化チタン
薄膜の高被覆率且つ高速の作製が行える理由について
は、完全に明かではないが、次の通りであると考えられ
る。つまり、圧力が低い場合には基体２に充分原料ガス
が供給されず、従って成膜速度が遅くなってしまう。ま
た、１５パスカルを越える高い圧力の場合、基体の前方
の空間において、基体の表面に対する付着確率の高い活
性な中間体が生じてしまうと考えられる。この中間体が
盛んに生成されると、材料が穴の底部まで達する確率が
低くなり、結果的に被覆率が悪化してしまう。圧力を１
５パスカル以下に下げると、このような付着確率の高い
中間体の生成が抑制され、付着確率の高い物質が多く生
成されるようになる。これらの物質は穴の底部に達する
確率が高いので、結果的に穴の被覆率が高くなるものと
考えられる。
薄膜の高被覆率且つ高速の作製が行える理由について
は、完全に明かではないが、次の通りであると考えられ
る。つまり、圧力が低い場合には基体２に充分原料ガス
が供給されず、従って成膜速度が遅くなってしまう。ま
た、１５パスカルを越える高い圧力の場合、基体の前方
の空間において、基体の表面に対する付着確率の高い活
性な中間体が生じてしまうと考えられる。この中間体が
盛んに生成されると、材料が穴の底部まで達する確率が
低くなり、結果的に被覆率が悪化してしまう。圧力を１
５パスカル以下に下げると、このような付着確率の高い
中間体の生成が抑制され、付着確率の高い物質が多く生
成されるようになる。これらの物質は穴の底部に達する
確率が高いので、結果的に穴の被覆率が高くなるものと
考えられる。
【００２０】尚、上記実施例において添加ガスとして用
いられたアンモニアは、作製される窒化チタン薄膜の導
電性を向上させるためのものである。アンモニアガスを
添加して成膜を行った場合、従来の圧力条件においては
被覆性が低下するが、本実施例の圧力範囲ではアンモニ
ア等の添加ガスを添加しても被覆性が低下しないことが
確認されている。
いられたアンモニアは、作製される窒化チタン薄膜の導
電性を向上させるためのものである。アンモニアガスを
添加して成膜を行った場合、従来の圧力条件においては
被覆性が低下するが、本実施例の圧力範囲ではアンモニ
ア等の添加ガスを添加しても被覆性が低下しないことが
確認されている。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本願の請求項１記
載の窒化チタンの作製方法によれば、アスペクト比の高
い穴に対しても被覆性良く且つ高い成膜速度で成膜を行
うことが可能となる。また、請求項２又は３記載の窒化
チタン薄膜の作製方法によれば、上記請求項１の効果に
加え、導電性の点で良好な窒化チタン薄膜を作製するこ
とができるという効果が得られる。また、請求項４の薄
膜作製装置によれば、上記請求項１，２又は３の効果を
得るに際し、０．１から１５パスカルの範囲内で圧力測
定することが可能な真空計を装置が備えているので、圧
力条件が維持されているか常時監視することができる。
従って、上記高被覆率且つ高速の成膜を安定して行うこ
とができる。さらに、請求項５の薄膜作製装置によれ
ば、上記請求項４の効果に加え、０．１から１５パスカ
ルの範囲内で圧力測定する真空計としてダイヤフラム真
空計が使用されているので、高信頼性の測定によってさ
らに安定した成膜を行うことができるという効果が得ら
れる。
載の窒化チタンの作製方法によれば、アスペクト比の高
い穴に対しても被覆性良く且つ高い成膜速度で成膜を行
うことが可能となる。また、請求項２又は３記載の窒化
チタン薄膜の作製方法によれば、上記請求項１の効果に
加え、導電性の点で良好な窒化チタン薄膜を作製するこ
とができるという効果が得られる。また、請求項４の薄
膜作製装置によれば、上記請求項１，２又は３の効果を
得るに際し、０．１から１５パスカルの範囲内で圧力測
定することが可能な真空計を装置が備えているので、圧
力条件が維持されているか常時監視することができる。
従って、上記高被覆率且つ高速の成膜を安定して行うこ
とができる。さらに、請求項５の薄膜作製装置によれ
ば、上記請求項４の効果に加え、０．１から１５パスカ
ルの範囲内で圧力測定する真空計としてダイヤフラム真
空計が使用されているので、高信頼性の測定によってさ
らに安定した成膜を行うことができるという効果が得ら
れる。
【図１】本願発明の実施例の窒化チタン薄膜の作製方法
の実施に使用される薄膜作製装置の概略図である。
の実施に使用される薄膜作製装置の概略図である。
【図２】本願発明の有効性について確認した実験の結果
について説明する図である。
について説明する図である。
１ 反応容器 １１ 排気系 １２ 電離真空計よりなる真空計 １３ ダイヤフラム真空計よりなる真空計 １４ 容器温度調節機構 ２ 基体 ３ 基体ホルダ ３１ 加熱手段としてのホルダ温度調節機構 ４ 原料ガス導入系 ５ 添加ガス導入系
【手続補正書】
【提出日】平成７年９月２０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】例えば、半導体集積回路のコンタクト部の
作製技術として、配線用タングステン（Ｗ）と基体であ
るシリコン（Ｓｉ）との相互拡散を防止して安定した電
気的特性を得るためや、ロジック系集積回路用配線の銅
（Ｃｕ）が基体（Ｓｉ）や絶縁層（ＳｉＯ２ ）中へ拡散
してしまうことを防止するため、窒化チタンを主成分と
する拡散防止層用の薄膜を作製する必要性が生じてい
る。また更に、半導体集積回路の層間配線技術として、
下層のアルミ膜層と上層のアルミ膜層とをつなぐように
設けられたスルーホール中に導通用の薄膜を作製するこ
とが必要である。この導通用の薄膜としては、やはり窒
化チタンを主成分とする薄膜（以下、窒化チタン薄膜）
が用いられ、高アスペクト比の穴（コンタクトホール，
スルーホール等）に良好な被覆性で窒化チタン薄膜を作
製することも求められている。
作製技術として、配線用タングステン（Ｗ）と基体であ
るシリコン（Ｓｉ）との相互拡散を防止して安定した電
気的特性を得るためや、ロジック系集積回路用配線の銅
（Ｃｕ）が基体（Ｓｉ）や絶縁層（ＳｉＯ２ ）中へ拡散
してしまうことを防止するため、窒化チタンを主成分と
する拡散防止層用の薄膜を作製する必要性が生じてい
る。また更に、半導体集積回路の層間配線技術として、
下層のアルミ膜層と上層のアルミ膜層とをつなぐように
設けられたスルーホール中に導通用の薄膜を作製するこ
とが必要である。この導通用の薄膜としては、やはり窒
化チタンを主成分とする薄膜（以下、窒化チタン薄膜）
が用いられ、高アスペクト比の穴（コンタクトホール，
スルーホール等）に良好な被覆性で窒化チタン薄膜を作
製することも求められている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】反応容器１の外壁面には、容器温度調節機
構１４が配設されている。この容器温度調節機構１４
は、反応容器１の外壁面に沿って配設されたヒータ１４
１と、反応容器１の温度を測定するために取り付けられ
た熱電対よりなる温度計１４２と、ヒータ１４１を通電
して昇温させる電源１４３と、温度計１４２によって測
定された反応容器１の温度に基づきサイリスタユニット
等の制御素子を使用しながらＰＩＤ制御、ＰＩ制御、Ｏ
Ｎ−ＯＦＦ制御、ファジー制御等の制御を行う制御器１
４４とから主に構成されている。このような容器温度調
節機構１４によって、反応容器１は７０℃程度までの所
定の温度に加熱される。また、反応容器１は、基体２の
出し入れを行うための不図示のゲートバルブを備えてい
る。窒化チタン薄膜の作製が行われる基体２は、このゲ
ートバルブを通って反応容器１内に進入し、基体ホルダ
３に保持されるようになっている。
構１４が配設されている。この容器温度調節機構１４
は、反応容器１の外壁面に沿って配設されたヒータ１４
１と、反応容器１の温度を測定するために取り付けられ
た熱電対よりなる温度計１４２と、ヒータ１４１を通電
して昇温させる電源１４３と、温度計１４２によって測
定された反応容器１の温度に基づきサイリスタユニット
等の制御素子を使用しながらＰＩＤ制御、ＰＩ制御、Ｏ
Ｎ−ＯＦＦ制御、ファジー制御等の制御を行う制御器１
４４とから主に構成されている。このような容器温度調
節機構１４によって、反応容器１は７０℃程度までの所
定の温度に加熱される。また、反応容器１は、基体２の
出し入れを行うための不図示のゲートバルブを備えてい
る。窒化チタン薄膜の作製が行われる基体２は、このゲ
ートバルブを通って反応容器１内に進入し、基体ホルダ
３に保持されるようになっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】基体ホルダ３は、内部にホルダ温度調整機
構３１を備えている。ホルダ温度調整機構３１は、基体
ホルダ３の内部に埋め込まれたヒータ３１１と、基体ホ
ルダ３の温度を測定する熱電対からなる温度計３１２
と、ヒータ３１１を通電して昇温させる電源３１３と、
温度計３１２によって測定された基体ホルダ３の温度に
基づきサイリスタユニット等の制御素子を使用しながら
ＰＩＤ制御、ＰＩ制御、ＯＮ−ＯＦＦ制御、ファジー制
御等の制御を行う制御器３１４などから主に構成されて
いる。このようなホルダ温度調節機構３１によって、基
体ホルダ３は３５０℃程度までの所定の温度に加熱され
るようになっている。
構３１を備えている。ホルダ温度調整機構３１は、基体
ホルダ３の内部に埋め込まれたヒータ３１１と、基体ホ
ルダ３の温度を測定する熱電対からなる温度計３１２
と、ヒータ３１１を通電して昇温させる電源３１３と、
温度計３１２によって測定された基体ホルダ３の温度に
基づきサイリスタユニット等の制御素子を使用しながら
ＰＩＤ制御、ＰＩ制御、ＯＮ−ＯＦＦ制御、ファジー制
御等の制御を行う制御器３１４などから主に構成されて
いる。このようなホルダ温度調節機構３１によって、基
体ホルダ３は３５０℃程度までの所定の温度に加熱され
るようになっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】次に、上記構成に係る薄膜作製装置の動作
を説明しながら、本願発明の窒化チタン薄膜の作製方法
の実施例について説明する。まず、基体２は、不図示の
ゲートバルブを通って反応容器１内に進入し、基体ホル
ダ３に保持される。反応容器１の内部は、排気系１１に
よって例えば１０−４ パスカル程度まで排気される。
尚、この際の圧力は、電離真空計１２，１３よりなる真
空計１２，１３によって測定される。また、基体ホルダ
３は、ホルダ温度調節機構３１によって予め３５０℃程
度の温度に加熱され、従って基体２もこの程度の温度に
加熱された状態となる。次に、原料ガス及びキャリアガ
スを導入する配管４０に設けられたバルブ４３を開け、
ＴＤＡＡＴの原料ガス及びキャリアガスの混合ガスを反
応容器１内に導入する。同時に、添加ガス導入系５に設
けられたバルブ５３も開け、添加ガスも反応容器１内に
導入する。
を説明しながら、本願発明の窒化チタン薄膜の作製方法
の実施例について説明する。まず、基体２は、不図示の
ゲートバルブを通って反応容器１内に進入し、基体ホル
ダ３に保持される。反応容器１の内部は、排気系１１に
よって例えば１０−４ パスカル程度まで排気される。
尚、この際の圧力は、電離真空計１２，１３よりなる真
空計１２，１３によって測定される。また、基体ホルダ
３は、ホルダ温度調節機構３１によって予め３５０℃程
度の温度に加熱され、従って基体２もこの程度の温度に
加熱された状態となる。次に、原料ガス及びキャリアガ
スを導入する配管４０に設けられたバルブ４３を開け、
ＴＤＡＡＴの原料ガス及びキャリアガスの混合ガスを反
応容器１内に導入する。同時に、添加ガス導入系５に設
けられたバルブ５３も開け、添加ガスも反応容器１内に
導入する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
Claims (5)
- 【請求項１】 気化したテトラキスジアルキルアミノチ
タンよりなる原料ガスを熱的に化学反応させ、所定の基
体の目的とする表面上に窒化チタンを主成分とする薄膜
を堆積する薄膜作製方法において、基体が配置された雰
囲気の圧力が０．１から１５パスカルの範囲内の所定の
値になるような条件とすることを特徴とする窒化チタン
薄膜の作製方法。 - 【請求項２】 作製される薄膜の導電性を高めるための
所定の添加ガスを前記原料ガスに添加することを特徴と
する請求項１記載の窒化チタン薄膜の作製方法。 - 【請求項３】 前記テトラキスジアルキルアミノチタン
がテトラキスジエチルアミノチタンであり、前記添加ガ
スがアンモニアであることを特徴とする請求項２記載の
窒化チタン薄膜の作製方法。 - 【請求項４】 請求項１，２又は３の薄膜作製方法に使
用される薄膜作製装置であって、排気系及び真空計を備
えた反応容器と、窒化チタン薄膜を表面に作製する基体
を反応容器内の所定の位置に配置するための基体ホルダ
と、反応容器内にテトラキスジアルキルアミノチタンよ
りなる原料ガスを導入するガス導入系と、導入された原
料ガスを加熱して原料ガスを熱的に化学反応させて窒化
チタンを主成分とする薄膜を作製する加熱手段とを有
し、前記排気系は、０．１から１５パスカルの範囲内の
所定の圧力に反応容器の雰囲気を維持することが可能で
あり、前記真空計は少なくとも０．１から１５パスカル
の範囲内において反応容器内の圧力を測定できるもので
あることを特徴とする薄膜作製装置。 - 【請求項５】 前記真空計は、ダイヤフラム真空計であ
ることを特徴とする請求項４記載の薄膜作製装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09616795A JP3563819B2 (ja) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | 窒化チタン薄膜の作製方法及びその方法に使用される薄膜作製装置 |
| TW084112881A TW311276B (ja) | 1995-03-28 | 1995-12-04 | |
| KR1019960002020A KR100187451B1 (ko) | 1995-03-28 | 1996-01-30 | 질화티탄박막의 제작방법 |
| US08/611,678 US5672385A (en) | 1995-03-28 | 1996-03-06 | Titanium nitride film-MOCVD method incorporating use of tetrakisdialkylaminotitanium as a source gas |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09616795A JP3563819B2 (ja) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | 窒化チタン薄膜の作製方法及びその方法に使用される薄膜作製装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08269720A true JPH08269720A (ja) | 1996-10-15 |
| JP3563819B2 JP3563819B2 (ja) | 2004-09-08 |
Family
ID=14157784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09616795A Expired - Lifetime JP3563819B2 (ja) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | 窒化チタン薄膜の作製方法及びその方法に使用される薄膜作製装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5672385A (ja) |
| JP (1) | JP3563819B2 (ja) |
| KR (1) | KR100187451B1 (ja) |
| TW (1) | TW311276B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000328246A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-11-28 | Anelva Corp | 窒化チタン薄膜の作製方法及び作製装置 |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6080446A (en) * | 1997-08-21 | 2000-06-27 | Anelva Corporation | Method of depositing titanium nitride thin film and CVD deposition apparatus |
| US5981352A (en) * | 1997-09-08 | 1999-11-09 | Lsi Logic Corporation | Consistent alignment mark profiles on semiconductor wafers using fine grain tungsten protective layer |
| US5966613A (en) * | 1997-09-08 | 1999-10-12 | Lsi Corporation | Consistent alignment mark profiles on semiconductor wafers using metal organic chemical vapor deposition titanium nitride protective |
| US6179277B1 (en) * | 1998-02-27 | 2001-01-30 | Applied Materials, Inc. | Liquid vaporizer systems and methods for their use |
| US6071562A (en) * | 1998-05-07 | 2000-06-06 | Lsi Logic Corporation | Process for depositing titanium nitride films |
| US6177305B1 (en) | 1998-12-17 | 2001-01-23 | Lsi Logic Corporation | Fabrication of metal-insulator-metal capacitive structures |
| US6468604B1 (en) | 1999-03-17 | 2002-10-22 | Anelva Corporation | Method for manufacturing a titanium nitride thin film |
| US6303480B1 (en) | 1999-09-13 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | Silicon layer to improve plug filling by CVD |
| KR100709919B1 (ko) * | 2000-08-11 | 2007-04-24 | 주성엔지니어링(주) | ＴｉＮ 박막 형성장치 및 이를 이용한 ＭＯＣＶＤ-ＴｉＮ 박막 형성방법 |
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| US7629256B2 (en) | 2007-05-14 | 2009-12-08 | Asm International N.V. | In situ silicon and titanium nitride deposition |
| US7833906B2 (en) | 2008-12-11 | 2010-11-16 | Asm International N.V. | Titanium silicon nitride deposition |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5478780A (en) * | 1990-03-30 | 1995-12-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Method and apparatus for producing conductive layers or structures for VLSI circuits |
| US5393565A (en) * | 1992-06-08 | 1995-02-28 | Fujitsu Limited | Method for deposition of a refractory metal nitride and method for formation of a conductive film containing a refractory metal nitride |
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-
1995
- 1995-03-28 JP JP09616795A patent/JP3563819B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1995-12-04 TW TW084112881A patent/TW311276B/zh not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-01-30 KR KR1019960002020A patent/KR100187451B1/ko active IP Right Grant
- 1996-03-06 US US08/611,678 patent/US5672385A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5672385A (en) | 1997-09-30 |
| JP3563819B2 (ja) | 2004-09-08 |
| KR960034487A (ko) | 1996-10-22 |
| KR100187451B1 (ko) | 1999-04-15 |
| TW311276B (ja) | 1997-07-21 |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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| S533 | Written request for registration of change of name |
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|
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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