JP2864141B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2864141B2 JP2864141B2 JP6272290A JP6272290A JP2864141B2 JP 2864141 B2 JP2864141 B2 JP 2864141B2 JP 6272290 A JP6272290 A JP 6272290A JP 6272290 A JP6272290 A JP 6272290A JP 2864141 B2 JP2864141 B2 JP 2864141B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 窒化チタン層等リフラクトリーメタルの窒化物層の形
成工程の改良に関し、 リフラクトリーメタルをターゲットとして窒素ガスを
含む不活性ガス中においてなすスパッタ法を使用してリ
フラクトリーメタルの窒化物層を形成する工程を有する
半導体装置の製造方法において、窒化したリフラクトリ
ーメタルターゲットをクリーニングする工程（ターゲッ
トの表面に形成されている窒化物を除去する工程）にお
いて不利益をともなわないように改良された半導体装置
の製造方法を提供することを目的とし、 リフラクトリーメタルをターゲットとし、このターゲ
ットとウェーハとの間を遮るシャッタを有し、ロードロ
ックを有するスパッタ用真空容器中に導入される窒素ガ
スを含む不活性ガス中においてなすスパッタ法を使用し
てリフラクトリーメタルの窒化物層を形成する工程を有
する半導体装置の製造方法において、リフラクトリーメ
タルの窒化物層を一旦形成した後、次にリフラクトリー
メタルの窒化物層を形成する前に、前記のシャッタを使
用して前記のターゲットと前記のウェーハとの間を遮
り、それと同時に、不活性ガスの導入は継続するが、窒
素ガスの導入は遮断し、不活性ガスのみの中においてス
パッタをなして前記のターゲットの表面に形成されてい
る前記のリフラクトリーメタルの窒化物層を除去し、そ
の間に、ロードロックを使用してウェーハを交換する工
程を実行する半導体装置の製造方法を要旨とする。
成工程の改良に関し、 リフラクトリーメタルをターゲットとして窒素ガスを
含む不活性ガス中においてなすスパッタ法を使用してリ
フラクトリーメタルの窒化物層を形成する工程を有する
半導体装置の製造方法において、窒化したリフラクトリ
ーメタルターゲットをクリーニングする工程（ターゲッ
トの表面に形成されている窒化物を除去する工程）にお
いて不利益をともなわないように改良された半導体装置
の製造方法を提供することを目的とし、 リフラクトリーメタルをターゲットとし、このターゲ
ットとウェーハとの間を遮るシャッタを有し、ロードロ
ックを有するスパッタ用真空容器中に導入される窒素ガ
スを含む不活性ガス中においてなすスパッタ法を使用し
てリフラクトリーメタルの窒化物層を形成する工程を有
する半導体装置の製造方法において、リフラクトリーメ
タルの窒化物層を一旦形成した後、次にリフラクトリー
メタルの窒化物層を形成する前に、前記のシャッタを使
用して前記のターゲットと前記のウェーハとの間を遮
り、それと同時に、不活性ガスの導入は継続するが、窒
素ガスの導入は遮断し、不活性ガスのみの中においてス
パッタをなして前記のターゲットの表面に形成されてい
る前記のリフラクトリーメタルの窒化物層を除去し、そ
の間に、ロードロックを使用してウェーハを交換する工
程を実行する半導体装置の製造方法を要旨とする。
本発明は、半導体装置の製造方法の改良に関する。特
に、シリコン層とこのシリコン層とオーミックコンタク
トされるアルミニウム層との間に形成されるバリヤ層と
して、または、電界効果トランジスタのゲート電極とし
て使用される窒化チタン層等リフラクトリーメタルの窒
化物層の形成工程の改良に関する。
に、シリコン層とこのシリコン層とオーミックコンタク
トされるアルミニウム層との間に形成されるバリヤ層と
して、または、電界効果トランジスタのゲート電極とし
て使用される窒化チタン層等リフラクトリーメタルの窒
化物層の形成工程の改良に関する。
シリコンを使用する半導体装置の電極・配線にアルミ
ニウムを使用することが多いが、シリコンとアルミニウ
ムとのオーミックコンタクト特性は必ずしも良好である
とは云えず、さらに、アルミニウムがシリコン中にマイ
グレートしてスパイクが形成される等の欠点もあるの
で、シリコン層とアルミニウム層との間には何らかのバ
リヤ層を介在させることが一般である。
ニウムを使用することが多いが、シリコンとアルミニウ
ムとのオーミックコンタクト特性は必ずしも良好である
とは云えず、さらに、アルミニウムがシリコン中にマイ
グレートしてスパイクが形成される等の欠点もあるの
で、シリコン層とアルミニウム層との間には何らかのバ
リヤ層を介在させることが一般である。
このバリヤ層の材料の一つとして、窒化チタン等リフ
ラクトリーメタルの窒化物が使用される。
ラクトリーメタルの窒化物が使用される。
このリフラクトリーメタルの窒化物は高融点であるに
もかゝわらず抵抗率が低いので、電界効果トランジスタ
のゲート電極の材料としても使用されている。
もかゝわらず抵抗率が低いので、電界効果トランジスタ
のゲート電極の材料としても使用されている。
このリフラクトリーメタルの窒化物の層を形成する従
来技術に係る方法の代表例はスパッタ法である。このス
パッタ法を使用して、リフラクトリーメタルの窒化物を
形成するには、真空反応容器中に、その上にリフラクト
リーメタルの窒化物が堆積される基板とリフラクトリー
メタルのターゲットとを入れ、アルゴン等の不活性ガス
と窒素ガスとを導入して、直流電圧またはラジオ周波数
程度の高周波電圧を印加して、アルゴン等の不活性ガス
と窒素ガスとをプラズマ化して、ターゲットのリフラク
トリーメタルを励起してラジカルまたはイオンとして基
板上に飛翔させこゝに堆積することゝされている。
来技術に係る方法の代表例はスパッタ法である。このス
パッタ法を使用して、リフラクトリーメタルの窒化物を
形成するには、真空反応容器中に、その上にリフラクト
リーメタルの窒化物が堆積される基板とリフラクトリー
メタルのターゲットとを入れ、アルゴン等の不活性ガス
と窒素ガスとを導入して、直流電圧またはラジオ周波数
程度の高周波電圧を印加して、アルゴン等の不活性ガス
と窒素ガスとをプラズマ化して、ターゲットのリフラク
トリーメタルを励起してラジカルまたはイオンとして基
板上に飛翔させこゝに堆積することゝされている。
ところが、上記のスパッタ工程において、ターゲット
の表面が窒化されて窒化物に変化することは避け難く、
ターゲットの表面が窒化されて窒化物になっていると、
スパッタ工程において、瞬間的にスパーク放電（アーク
放電）が発生して真空反応容器中のプラズマ状態が急変
して堆積される物質に変化が生じ、極端な場合は連続し
て運転することが困難になると云う欠点がある。
の表面が窒化されて窒化物に変化することは避け難く、
ターゲットの表面が窒化されて窒化物になっていると、
スパッタ工程において、瞬間的にスパーク放電（アーク
放電）が発生して真空反応容器中のプラズマ状態が急変
して堆積される物質に変化が生じ、極端な場合は連続し
て運転することが困難になると云う欠点がある。
この欠点を解消するために、従来技術においては、間
欠的に、ターゲットのクリーニング工程（ターゲットの
表面に形成されている窒化物を除去する工程）を実施し
ている。具体的には、リフラクトリーメタルの窒化物層
の形成工程を数十回実行する度に（数十枚のウェーハに
リフラクトリーメタルの窒化物層を形成する度に）、窒
素ガスの導入を中止し、アルゴンガス等不活性ガスのみ
を導入してスパッタを実行し、リフラクトリーメタルタ
ーゲットの表面に形成されていた窒化物を除去する工程
を必要としていた。
欠的に、ターゲットのクリーニング工程（ターゲットの
表面に形成されている窒化物を除去する工程）を実施し
ている。具体的には、リフラクトリーメタルの窒化物層
の形成工程を数十回実行する度に（数十枚のウェーハに
リフラクトリーメタルの窒化物層を形成する度に）、窒
素ガスの導入を中止し、アルゴンガス等不活性ガスのみ
を導入してスパッタを実行し、リフラクトリーメタルタ
ーゲットの表面に形成されていた窒化物を除去する工程
を必要としていた。
そのため、スループットが低下するばかりでなく、か
ゝる工程を間欠的に挿入すると云う煩雑性が避け難かっ
た。
ゝる工程を間欠的に挿入すると云う煩雑性が避け難かっ
た。
本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、リ
フラクトリーメタルをターゲットとして窒素ガスを含む
不活性ガス中においてなすスパッタ法を使用してリフラ
クトリーメタルの窒化物層を形成する工程を有する半導
体装置の製造方法において、窒化したリフラクトリーメ
タルターゲットをクリーニングする工程（ターゲットの
表面に形成されている窒化物を除去する工程）において
工程が煩雑てあり、スループットが不良であるという不
利益をともなわないように改良された半導体装置の製造
方法を提供することにある。
フラクトリーメタルをターゲットとして窒素ガスを含む
不活性ガス中においてなすスパッタ法を使用してリフラ
クトリーメタルの窒化物層を形成する工程を有する半導
体装置の製造方法において、窒化したリフラクトリーメ
タルターゲットをクリーニングする工程（ターゲットの
表面に形成されている窒化物を除去する工程）において
工程が煩雑てあり、スループットが不良であるという不
利益をともなわないように改良された半導体装置の製造
方法を提供することにある。
上記の目的を達成する手段は、リフラクトリメタルを
ターゲット（12）とし、このターゲット（12）とウェー
ハ（Ｓ）との間を遮るシャッタ（13）を有し、真空を破
ることなくウェーハを交換しうるロードロック（２）を
有するスパッタ装置を使用して前記のウェーハ上にリフ
ラクトリメタルの窒化物を形成する工程を有する半導体
装置の製造方法において、前記のウェーハ上にリフラク
トリメタルの窒化物を形成した後、前記のシャッタ（1
3）を使用して前記のターゲット（12）と前記のウェー
ハ（Ｓ）とを遮り、スパッタを実行して、前記のターゲ
ット（12）をクリーニングし、その間に、前記のロード
ロック（２）を使用してウェーハを交換し、連続的に、
しかも、良好なスループットをもって、ウェーハ上にリ
フラクトリメタルの窒化物を形成することができる半導
体装置の製造方法である。
ターゲット（12）とし、このターゲット（12）とウェー
ハ（Ｓ）との間を遮るシャッタ（13）を有し、真空を破
ることなくウェーハを交換しうるロードロック（２）を
有するスパッタ装置を使用して前記のウェーハ上にリフ
ラクトリメタルの窒化物を形成する工程を有する半導体
装置の製造方法において、前記のウェーハ上にリフラク
トリメタルの窒化物を形成した後、前記のシャッタ（1
3）を使用して前記のターゲット（12）と前記のウェー
ハ（Ｓ）とを遮り、スパッタを実行して、前記のターゲ
ット（12）をクリーニングし、その間に、前記のロード
ロック（２）を使用してウェーハを交換し、連続的に、
しかも、良好なスループットをもって、ウェーハ上にリ
フラクトリメタルの窒化物を形成することができる半導
体装置の製造方法である。
本発明においては、リフラクトリーメタルの窒化物の
層を１層形成した後、一旦シャッタを閉塞して、半導体
基板とターゲットとの間を遮り、半導体基板上にリフラ
クトリーメタルの窒化物を形成するスパッタ工程を停止
した状態において、スパッタ容器中に供給するガスをア
ルゴン等不活性ガスのみに切り替えて（アルゴン等不活
性ガスの供給は継続するが、窒素ガスの供給は停止
し）、リフラクトリーメタルターゲット上に形成されて
いるリフラクトリーメタルの窒化物を除去し、一方、こ
のリフラクトリーメタルターゲットのクリーニング期間
に、ロードロック等を使用して半導体基板を交換して次
のリフラクトリーメタルの窒化物の層の形成工程の準備
をなすことゝされているので、スループットを低下する
ことなく、リフラクトリーメタルターゲット上に形成さ
れていたリフラクトリーメタルの窒化物の層を除去（リ
フラクトリーメタルターゲットをクリーニング）するこ
とができ、リフラクトリーメタルの窒化物の層を形成す
るスパッタ工程において不可避のリフラクトリーメタル
ターゲット上に形成されたリフラクトリーメタルの窒化
物の層をクリーニングする工程において全く不利益を蒙
ることがなく、連続工程が可能であり、スループットが
良好である半導体装置の製造方法が実現する。
層を１層形成した後、一旦シャッタを閉塞して、半導体
基板とターゲットとの間を遮り、半導体基板上にリフラ
クトリーメタルの窒化物を形成するスパッタ工程を停止
した状態において、スパッタ容器中に供給するガスをア
ルゴン等不活性ガスのみに切り替えて（アルゴン等不活
性ガスの供給は継続するが、窒素ガスの供給は停止
し）、リフラクトリーメタルターゲット上に形成されて
いるリフラクトリーメタルの窒化物を除去し、一方、こ
のリフラクトリーメタルターゲットのクリーニング期間
に、ロードロック等を使用して半導体基板を交換して次
のリフラクトリーメタルの窒化物の層の形成工程の準備
をなすことゝされているので、スループットを低下する
ことなく、リフラクトリーメタルターゲット上に形成さ
れていたリフラクトリーメタルの窒化物の層を除去（リ
フラクトリーメタルターゲットをクリーニング）するこ
とができ、リフラクトリーメタルの窒化物の層を形成す
るスパッタ工程において不可避のリフラクトリーメタル
ターゲット上に形成されたリフラクトリーメタルの窒化
物の層をクリーニングする工程において全く不利益を蒙
ることがなく、連続工程が可能であり、スループットが
良好である半導体装置の製造方法が実現する。
以下、図面を参照して、本発明の一実施例に係る半導
体装置の製造方法について説明する。
体装置の製造方法について説明する。
第１図参照 図は本発明の一実施例に係る半導体装置の製造方法の
実施に使用されるスパッタ装置の概略構造図である。図
において、１は真空反応容器であり、バルブV1・V2を介
して窒素源N2と不活性ガスとしてのアルゴン源Arと連通
されている。Ｐは排気装置であり、最高真空度10-7Torr
程度まで排気可能である。11と12とは平行平板電極であ
り、これらの間に直流電圧またはRF電圧が印加される。
これら平行平板電極の一方11は、その上に半導体基板Ｓ
が載置されるサセプタであり、他方12はターゲットであ
り、本例においてはチタン等のリフラクトリーメタルで
ある。13はシャッタであり、半導体基板Ｓとターゲット
12との間を遮断する。
実施に使用されるスパッタ装置の概略構造図である。図
において、１は真空反応容器であり、バルブV1・V2を介
して窒素源N2と不活性ガスとしてのアルゴン源Arと連通
されている。Ｐは排気装置であり、最高真空度10-7Torr
程度まで排気可能である。11と12とは平行平板電極であ
り、これらの間に直流電圧またはRF電圧が印加される。
これら平行平板電極の一方11は、その上に半導体基板Ｓ
が載置されるサセプタであり、他方12はターゲットであ
り、本例においてはチタン等のリフラクトリーメタルで
ある。13はシャッタであり、半導体基板Ｓとターゲット
12との間を遮断する。
２はロードロックであり、反応排気装置Ｐによって最
高真空度10-7Torr程度に排気されうる。スパッタ用真空
反応容器１との間は扉14によって開閉可能とされ、大気
との間は扉21によって開閉可能とされている。23は半導
体基板移動手段であり、半導体基板Ｓを大気中からスパ
ッタ用真空反応容器１に装入する場合と、スパッタ用真
空反応容器１から大気中に取り出す場合に使用される。
高真空度10-7Torr程度に排気されうる。スパッタ用真空
反応容器１との間は扉14によって開閉可能とされ、大気
との間は扉21によって開閉可能とされている。23は半導
体基板移動手段であり、半導体基板Ｓを大気中からスパ
ッタ用真空反応容器１に装入する場合と、スパッタ用真
空反応容器１から大気中に取り出す場合に使用される。
次に、リフラクトリーメタルの窒化膜を形成する工程
について説明する。
について説明する。
まづ、排気装置Ｐを使用して、真空反応容器１を10-7
Torr程度に排気する。バルブV1・V2を開いて、窒素ガス
とアルゴンガスとを真空反応容器１中に導入する。その
結果、その内圧は10-3Torr程度に上昇する。ロードロッ
ク２の扉21を開いて半導体基板Ｓが乗せられた半導体基
板移動手段を大気中からロードロック２中に搬入する。
Torr程度に排気する。バルブV1・V2を開いて、窒素ガス
とアルゴンガスとを真空反応容器１中に導入する。その
結果、その内圧は10-3Torr程度に上昇する。ロードロッ
ク２の扉21を開いて半導体基板Ｓが乗せられた半導体基
板移動手段を大気中からロードロック２中に搬入する。
次に、排気装置Ｐを使用して、ロードロック２中を10
-7Torr程度に排気する。スパッタ用真空反応容器１の扉
14を開いて、半導体基板Ｓが乗せられた半導体基板移動
手段をロードロック２中からスパッタ用真空反応容器１
中に搬入する。
-7Torr程度に排気する。スパッタ用真空反応容器１の扉
14を開いて、半導体基板Ｓが乗せられた半導体基板移動
手段をロードロック２中からスパッタ用真空反応容器１
中に搬入する。
シャッタ13を開いて、平行平板電極11・12間に電圧
（本例においては半導体基板Ｓを正としリフラクトリー
メタルターゲット12を負とする直流電圧）を印加し、ア
ルゴンガスと窒素ガスとをプラズマ化して、スパッタを
実行する。すなわち、プラズマ化したアルゴンと窒素と
は負電位のターゲットに吸引されてこれと衝突し、リフ
ラクトリーメタルの微粒子を半導体基板Ｓ上に飛翔さ
せ、こゝに堆積させるが、このとき、活性の強い窒素と
リフラクトリーメタルは反応してリフラクトリーメタル
の窒化物として堆積する。
（本例においては半導体基板Ｓを正としリフラクトリー
メタルターゲット12を負とする直流電圧）を印加し、ア
ルゴンガスと窒素ガスとをプラズマ化して、スパッタを
実行する。すなわち、プラズマ化したアルゴンと窒素と
は負電位のターゲットに吸引されてこれと衝突し、リフ
ラクトリーメタルの微粒子を半導体基板Ｓ上に飛翔さ
せ、こゝに堆積させるが、このとき、活性の強い窒素と
リフラクトリーメタルは反応してリフラクトリーメタル
の窒化物として堆積する。
このスパッタ工程において、リフラクトリーメタルタ
ーゲット12もまた窒化されることは止むを得ない。
ーゲット12もまた窒化されることは止むを得ない。
以上のスパッタ工程期間に、ロードロック２は一旦真
空を破られて、別の半導体基板移動手段23に乗せられた
別の半導体基板Ｓがロードロック２中に搬入され、再
び、高真空状態に排気されている。
空を破られて、別の半導体基板移動手段23に乗せられた
別の半導体基板Ｓがロードロック２中に搬入され、再
び、高真空状態に排気されている。
リフラクトリーメタルの窒化物層を形成するスパッタ
工程完了後にシャッタ13を閉じて、半導体基板Ｓとリフ
ラクトリーメタルターゲット12とを遮断し、同時に、バ
ルブV1を閉じて窒素ガスの供給を停止する。しかし、不
活性ガスのみは供給されつゞけられており、また、半導
体基板Ｓとリフラクトリーメタルターゲット12との間に
は電圧は印加されつゞけられているので、不活性ガスの
みはプラズマ化して、このプラズマはリフラクトリーメ
タルターゲット12に衝突して、その表面に形成されてい
るリフラクトリーメタルの窒化物をイオンミリングして
除去する。
工程完了後にシャッタ13を閉じて、半導体基板Ｓとリフ
ラクトリーメタルターゲット12とを遮断し、同時に、バ
ルブV1を閉じて窒素ガスの供給を停止する。しかし、不
活性ガスのみは供給されつゞけられており、また、半導
体基板Ｓとリフラクトリーメタルターゲット12との間に
は電圧は印加されつゞけられているので、不活性ガスの
みはプラズマ化して、このプラズマはリフラクトリーメ
タルターゲット12に衝突して、その表面に形成されてい
るリフラクトリーメタルの窒化物をイオンミリングして
除去する。
その間に、扉14を開いて半導体基板移動手段23を使用
して、その上にリフラクトリーメタルの窒化物が形成さ
れている半導体基板Ｓをロードロック２中に取り出し、
別の半導体基板移動手段23に乗せられている新しい半導
体基板を反応容器１に搬入して扉14を閉じ、次のスパッ
タ工程の準備を完了する。
して、その上にリフラクトリーメタルの窒化物が形成さ
れている半導体基板Ｓをロードロック２中に取り出し、
別の半導体基板移動手段23に乗せられている新しい半導
体基板を反応容器１に搬入して扉14を閉じ、次のスパッ
タ工程の準備を完了する。
このようにして、半導体基板Ｓの交換工程とリフラク
トリーメタルターゲットのクリーニング工程とを同時に
なすので、スループットを低下することなく、リフラク
トリーメタルターゲット上に形成されていたリフラクト
リーメタルの窒化物の層を除去することができる。
トリーメタルターゲットのクリーニング工程とを同時に
なすので、スループットを低下することなく、リフラク
トリーメタルターゲット上に形成されていたリフラクト
リーメタルの窒化物の層を除去することができる。
以上説明せるとおり、本発明に係る半導体装置の製造
方法においては、リフラクトリーメタルの窒化物の層を
１層形成した後、一旦シャッタを閉塞して、半導体基板
とターゲットとの間を遮り、同時に、アルゴン等不活性
ガスの供給は継続するが、窒素ガスの供給は停止し、半
導体基板上にリフラクトリーメタルの窒化物を形成する
スパッタ工程は停止するが、リフラクトリーメタルター
ゲット上に形成されているリフラクトリーメタルの窒化
物に対して励起された不活性ガス（不活性ガスのラジカ
ル等）を衝突は継続させて、リフラクトリーメタルター
ゲット上に形成されているリフラクトリーメタルの窒化
物の除去は実行し、一方、この期間に、ロードロック等
を使用して半導体基板を交換して次のリフラクトリーメ
タルの窒化物の層の形成工程の準備をなすことゝとされ
いてるので、半導体基板の交換工程とリフラクトリーメ
タルターゲットのクリーニング工程とは同時になされる
ことになり、スループットを低下することなく、リフラ
クトリーメタルターゲット上に形成されていたリフラク
トリーメタルの窒化物の層を除去（リフラクトリーメタ
ルターゲットをクリーニング）することができ、リフラ
クトリーメタルの窒化物の層を形成するスパッタ工程に
おいて不可避のリフラクトリーメタルターゲット上に形
成されたリフラクトリーメタルの窒化物の層をクリーニ
ングする工程において全く不利益を蒙ることがなく、連
続工程が可能であり、スループットが良好である半導体
装置の製造方法を提供することができる。
方法においては、リフラクトリーメタルの窒化物の層を
１層形成した後、一旦シャッタを閉塞して、半導体基板
とターゲットとの間を遮り、同時に、アルゴン等不活性
ガスの供給は継続するが、窒素ガスの供給は停止し、半
導体基板上にリフラクトリーメタルの窒化物を形成する
スパッタ工程は停止するが、リフラクトリーメタルター
ゲット上に形成されているリフラクトリーメタルの窒化
物に対して励起された不活性ガス（不活性ガスのラジカ
ル等）を衝突は継続させて、リフラクトリーメタルター
ゲット上に形成されているリフラクトリーメタルの窒化
物の除去は実行し、一方、この期間に、ロードロック等
を使用して半導体基板を交換して次のリフラクトリーメ
タルの窒化物の層の形成工程の準備をなすことゝとされ
いてるので、半導体基板の交換工程とリフラクトリーメ
タルターゲットのクリーニング工程とは同時になされる
ことになり、スループットを低下することなく、リフラ
クトリーメタルターゲット上に形成されていたリフラク
トリーメタルの窒化物の層を除去（リフラクトリーメタ
ルターゲットをクリーニング）することができ、リフラ
クトリーメタルの窒化物の層を形成するスパッタ工程に
おいて不可避のリフラクトリーメタルターゲット上に形
成されたリフラクトリーメタルの窒化物の層をクリーニ
ングする工程において全く不利益を蒙ることがなく、連
続工程が可能であり、スループットが良好である半導体
装置の製造方法を提供することができる。
第１図は、本発明の実施例に係る半導体装置の製造方法
を実施するために使用されるスパッタ装置の構成図であ
る。 １……真空搬送容器、11……サセプタ（電極）、12……
リフラクトリーメタルターゲット、13……シャッタ、14
……扉、２……ロードロック、21……扉、23……半導体
基板移動手段、V1・V2……バルブ、N2……窒素源、Ar…
…不活性ガス源、Ｐ……排気装置。
を実施するために使用されるスパッタ装置の構成図であ
る。 １……真空搬送容器、11……サセプタ（電極）、12……
リフラクトリーメタルターゲット、13……シャッタ、14
……扉、２……ロードロック、21……扉、23……半導体
基板移動手段、V1・V2……バルブ、N2……窒素源、Ar…
…不活性ガス源、Ｐ……排気装置。
Claims (1)
- 【請求項１】リフラクトリメタルをターゲット（12）と
し、該ターゲット（12）とウェーハ（Ｓ）との間を遮る
シャッタ（13）を有し、真空を破ることなくウェーハを
交換しうるロードロック（２）を有するスパッタ装置を
使用して前記ウェーハ上に前記リフラクトリメタルの窒
化物を形成する工程を有する半導体装置の製造方法にお
いて、 前記ウェーハ上に前記リフラクトリメタルの窒化物を形
成した後、前記シャッタ（13）を使用して前記ターゲッ
ト（12）と前記ウェーハ（Ｓ）とを遮り、スパッタを実
行して、前記ターゲット（12）をクリーニングし、その
間に、前記ロードロック（２）を使用してウェーハを交
換し、 連続的にウェーハ上に前記リフラクトリメタルの窒化物
を形成する ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6272290A JP2864141B2 (ja) | 1990-03-15 | 1990-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6272290A JP2864141B2 (ja) | 1990-03-15 | 1990-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03265133A JPH03265133A (ja) | 1991-11-26 |
| JP2864141B2 true JP2864141B2 (ja) | 1999-03-03 |
Family
ID=13208532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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