JPH0855902A - 半導体ウエハの処理方法 - Google Patents
半導体ウエハの処理方法Info
- Publication number
- JPH0855902A JPH0855902A JP19260294A JP19260294A JPH0855902A JP H0855902 A JPH0855902 A JP H0855902A JP 19260294 A JP19260294 A JP 19260294A JP 19260294 A JP19260294 A JP 19260294A JP H0855902 A JPH0855902 A JP H0855902A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- gas
- processing
- electrostatic
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Elimination Of Static Electricity (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 チャンバ内でウエハを静電吸着して気相処理
を行った後、チャンバ内の真空状態を維持したままウエ
ハに蓄積された電荷を放電することができるウエハの電
荷除去方法を提供する。 【構成】 真空排気可能な処理容器内に配置された静電
チャックに、処理対象ウエハを静電吸着する静電吸着工
程と、前記処理容器内に所定の処理ガスを導入して気相
処理を行う工程と、前記静電チャックによる前記処理対
象ウエハの静電吸着を解除する工程と、前記処理容器内
が所定の圧力になるように真空排気しながら、前記処理
容器内にイオン化したガスを導入する工程とを含む。
を行った後、チャンバ内の真空状態を維持したままウエ
ハに蓄積された電荷を放電することができるウエハの電
荷除去方法を提供する。 【構成】 真空排気可能な処理容器内に配置された静電
チャックに、処理対象ウエハを静電吸着する静電吸着工
程と、前記処理容器内に所定の処理ガスを導入して気相
処理を行う工程と、前記静電チャックによる前記処理対
象ウエハの静電吸着を解除する工程と、前記処理容器内
が所定の圧力になるように真空排気しながら、前記処理
容器内にイオン化したガスを導入する工程とを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ処理方法
に関し、特に真空中でウエハを静電吸着した後のウエハ
搬送時の放電及び帯電防止方法に関する。
に関し、特に真空中でウエハを静電吸着した後のウエハ
搬送時の放電及び帯電防止方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、真空中におけるウエハの吸着方法
として試料台の上に誘電層を設け、試料台とウエハとの
間に電圧を印加して、両者の間に発生したクーロン力に
よりウエハを吸着する静電吸着方法が用いられている。
として試料台の上に誘電層を設け、試料台とウエハとの
間に電圧を印加して、両者の間に発生したクーロン力に
よりウエハを吸着する静電吸着方法が用いられている。
【０００３】従来、チャンバの除電方法として、真空チ
ャンバからウエハを取り出した後、チャンバ内にイオン
化したガスを導入し、チャンバ内を大気状態に戻してチ
ャンバ内に蓄積された電荷の除電を行う方法が知られて
いる。
ャンバからウエハを取り出した後、チャンバ内にイオン
化したガスを導入し、チャンバ内を大気状態に戻してチ
ャンバ内に蓄積された電荷の除電を行う方法が知られて
いる。
【０００４】チャンバが帯電したまま、内部を真空状態
から大気圧状態に戻すと、静電引力により大気中のゴミ
がチャンバ内に付着し、以降の真空チャンバの使用の
際、パーティクル発生の原因となる。
から大気圧状態に戻すと、静電引力により大気中のゴミ
がチャンバ内に付着し、以降の真空チャンバの使用の
際、パーティクル発生の原因となる。
【０００５】このパーティクルの発生を防止しようとす
ると、チャンバの洗浄が必要となり、長期間大気圧にさ
らしたチャンバを用いて内部を真空にする際には排気時
間も長くなる。チャンバを除電しつつ大気圧に戻すこと
により、真空チャンバを大気圧に解放した後のゴミの付
着は防止される。その後の真空チャンバの使用も速やか
に行える。
ると、チャンバの洗浄が必要となり、長期間大気圧にさ
らしたチャンバを用いて内部を真空にする際には排気時
間も長くなる。チャンバを除電しつつ大気圧に戻すこと
により、真空チャンバを大気圧に解放した後のゴミの付
着は防止される。その後の真空チャンバの使用も速やか
に行える。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、静電チャッ
クでウエハを吸着し、気相処理を行った後、ウエハをロ
ードロックチャンバ等に移送する時にも静電荷の帯電が
生じることがわかった。気相処理中は、静電チャックに
正負交互の電圧が印加され、静電吸着力を発生させてい
る。気相処理終了後、静電チャックへの電圧印加を停止
してウエハを搬送する。
クでウエハを吸着し、気相処理を行った後、ウエハをロ
ードロックチャンバ等に移送する時にも静電荷の帯電が
生じることがわかった。気相処理中は、静電チャックに
正負交互の電圧が印加され、静電吸着力を発生させてい
る。気相処理終了後、静電チャックへの電圧印加を停止
してウエハを搬送する。
【０００７】ここで、ウエハが帯電しているため、ウエ
ハの搬送時あるいは後の工程でのウエハ処理時にアーク
放電あるいはグロー放電が生じる場合がある。この放電
により、ウエハに形成されたチップが破壊されてしまう
という問題もある。
ハの搬送時あるいは後の工程でのウエハ処理時にアーク
放電あるいはグロー放電が生じる場合がある。この放電
により、ウエハに形成されたチップが破壊されてしまう
という問題もある。
【０００８】本発明の目的は、チャンバ内でウエハを静
電吸着して気相処理を行った後、チャンバ内の真空状態
を維持したままウエハに蓄積された電荷を放電すること
ができるウエハの電荷除去方法を提供することである。
電吸着して気相処理を行った後、チャンバ内の真空状態
を維持したままウエハに蓄積された電荷を放電すること
ができるウエハの電荷除去方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のウエハ処理方法
は、真空排気可能な処理容器内に配置された静電チャッ
クに、処理対象ウエハを静電吸着する静電吸着工程と、
前記処理容器内に所定の処理ガスを導入して気相処理を
行う工程と、前記静電チャックによる前記処理対象ウエ
ハの静電吸着を解除する工程と、前記処理容器内が所定
の圧力になるように真空排気しながら、前記処理容器内
にイオン化したガスを導入する工程とを含む。
は、真空排気可能な処理容器内に配置された静電チャッ
クに、処理対象ウエハを静電吸着する静電吸着工程と、
前記処理容器内に所定の処理ガスを導入して気相処理を
行う工程と、前記静電チャックによる前記処理対象ウエ
ハの静電吸着を解除する工程と、前記処理容器内が所定
の圧力になるように真空排気しながら、前記処理容器内
にイオン化したガスを導入する工程とを含む。
【００１０】前記所定の圧力は６．７〜１０．７Ｐａと
することが好ましい。前記静電吸着工程で、前記静電チ
ャックと前記処理対象ウエハとの間に極性が所定の周期
で交互に反転する所定の電圧を印加し、前記イオン化し
たガスとして、正及び負の両極性のイオンないし電子を
含むガスを用いてもよい。前記イオン化したガスは、Ｎ
2 ガスをイオン化したものでもよい。
することが好ましい。前記静電吸着工程で、前記静電チ
ャックと前記処理対象ウエハとの間に極性が所定の周期
で交互に反転する所定の電圧を印加し、前記イオン化し
たガスとして、正及び負の両極性のイオンないし電子を
含むガスを用いてもよい。前記イオン化したガスは、Ｎ
2 ガスをイオン化したものでもよい。
【００１１】
【作用】静電チャックによるウエハの静電吸着を解除す
ると、通常、ウエハには何らかの静電荷が蓄積された状
態となる。この状態で、イオン化したガスを反応チャン
バ内に導入することにより、ウエハに蓄積された静電荷
を除去することができる。静電荷を除去することによ
り、ウエハの搬送時あるいは後の工程でのウエハと製造
装置との間のアーク放電あるいはグロー放電の発生を防
止することができる。
ると、通常、ウエハには何らかの静電荷が蓄積された状
態となる。この状態で、イオン化したガスを反応チャン
バ内に導入することにより、ウエハに蓄積された静電荷
を除去することができる。静電荷を除去することによ
り、ウエハの搬送時あるいは後の工程でのウエハと製造
装置との間のアーク放電あるいはグロー放電の発生を防
止することができる。
【００１２】このため、ウエハに形成されたチップの放
電による破壊を防止することができる。また、静電気力
によるパーティクルの付着を防止することができる。ま
た、チャンバ内の真空度を保ったまま静電荷の除去を行
うため、ウエハの連続処理が可能となる。
電による破壊を防止することができる。また、静電気力
によるパーティクルの付着を防止することができる。ま
た、チャンバ内の真空度を保ったまま静電荷の除去を行
うため、ウエハの連続処理が可能となる。
【００１３】静電荷を除去するときのチャンバ内の圧力
を６．７〜１０．７Ｐａとすることにより、短時間で効
果的に静電荷を除去できる。また、静電荷除去後直ちに
ウエハの搬出、次のウエハの搬入を行うことができる。
を６．７〜１０．７Ｐａとすることにより、短時間で効
果的に静電荷を除去できる。また、静電荷除去後直ちに
ウエハの搬出、次のウエハの搬入を行うことができる。
【００１４】静電チャックにウエハを静電吸着する際
に、静電チャックとウエハとの間に極性が交互に反転す
る電圧を印加することにより、静電吸着されたウエハへ
の静電的影響を抑制することができる。また、正及び負
イオンの双方を含むイオン化したガスを導入することに
より、ウエハが正あるいは負のいずれに帯電している場
合でも静電荷を中和することができる。
に、静電チャックとウエハとの間に極性が交互に反転す
る電圧を印加することにより、静電吸着されたウエハへ
の静電的影響を抑制することができる。また、正及び負
イオンの双方を含むイオン化したガスを導入することに
より、ウエハが正あるいは負のいずれに帯電している場
合でも静電荷を中和することができる。
【００１５】
【実施例】本発明の実施例について、ウエハをプラズマ
エッチングする場合を例にとって説明する。
エッチングする場合を例にとって説明する。
【００１６】図１はマルチチャンバ化されたプラズマエ
ッチング装置のロボット室と反応チャンバの概略断面図
を示す。ゲートバルブ３を介して反応チャンバ１とロボ
ット室（またはロードロックチャンバ）２が隣接して配
置されている。反応チャンバ１内の下部に、静電チャッ
ク５を有するサセプタ４が配置されている。
ッチング装置のロボット室と反応チャンバの概略断面図
を示す。ゲートバルブ３を介して反応チャンバ１とロボ
ット室（またはロードロックチャンバ）２が隣接して配
置されている。反応チャンバ１内の下部に、静電チャッ
ク５を有するサセプタ４が配置されている。
【００１７】静電チャック５は、平板電極上に誘電体層
が配置された構造とされており、この平板電極とウエハ
との間に直流電圧を印加して、クーロン力によりウエハ
６を静電チャック５上に吸着することができる。直流電
圧は、交互に正負電圧が切り換えられ、実効的な基板バ
イアスが変化しないようにされる。
が配置された構造とされており、この平板電極とウエハ
との間に直流電圧を印加して、クーロン力によりウエハ
６を静電チャック５上に吸着することができる。直流電
圧は、交互に正負電圧が切り換えられ、実効的な基板バ
イアスが変化しないようにされる。
【００１８】サセプタ４と対向する位置にはサセプタと
共に平行平板電極を形成する上部電極７が配置されてい
る。上部電極７には、ガス供給用の配管８が開口してお
り、反応チャンバ内にプロセスガスを導入することがで
きる。ＲＦ電力の印加等は、この上部電極と下部電極
（サセプタ）を用いて行う。
共に平行平板電極を形成する上部電極７が配置されてい
る。上部電極７には、ガス供給用の配管８が開口してお
り、反応チャンバ内にプロセスガスを導入することがで
きる。ＲＦ電力の印加等は、この上部電極と下部電極
（サセプタ）を用いて行う。
【００１９】さらに、反応チャンバ１の上部には、イオ
ン化したガスを導入するためのガス導入配管９が設けら
れている。反応チャンバ１の底面には、ガス排気用配管
１０が開口している。ガス排気用配管１０は、圧力制御
弁１１を介して、図には示さないガス排気系に接続され
ている。
ン化したガスを導入するためのガス導入配管９が設けら
れている。反応チャンバ１の底面には、ガス排気用配管
１０が開口している。ガス排気用配管１０は、圧力制御
弁１１を介して、図には示さないガス排気系に接続され
ている。
【００２０】ロボット室２内には、ウエハ搬送ロボット
１２が配置されている。ウエハ搬送ロボット１２は、図
には示さないロードロック室、あるいは他の反応チャン
バからウエハを取り出し、反応チャンバ１内の静電チャ
ック５上に載置することができる。
１２が配置されている。ウエハ搬送ロボット１２は、図
には示さないロードロック室、あるいは他の反応チャン
バからウエハを取り出し、反応チャンバ１内の静電チャ
ック５上に載置することができる。
【００２１】次に、図１に示すプラズマエッチング装置
を用いて、ウエハのエッチングを行う方法について説明
する。ウエハ搬送ロボット１２により、静電チャック５
上にウエハ６を載置した後、ゲートバルブ３を閉じ、反
応チャンバ１内を所定の真空度まで真空排気する。所定
の真空度に達したところで静電チャック５とウエハ６と
の間に１．５ｋＶの直流電圧を印加してウエハ６を静電
吸着する。なお、静電チャック５とウエハ６との極性を
一定の周期で反転させる。一定周期で極性を反転させる
ことにより、ウエハ６上への静電気力による気相処理条
件の変更を抑制することができる。
を用いて、ウエハのエッチングを行う方法について説明
する。ウエハ搬送ロボット１２により、静電チャック５
上にウエハ６を載置した後、ゲートバルブ３を閉じ、反
応チャンバ１内を所定の真空度まで真空排気する。所定
の真空度に達したところで静電チャック５とウエハ６と
の間に１．５ｋＶの直流電圧を印加してウエハ６を静電
吸着する。なお、静電チャック５とウエハ６との極性を
一定の周期で反転させる。一定周期で極性を反転させる
ことにより、ウエハ６上への静電気力による気相処理条
件の変更を抑制することができる。
【００２２】次に、反応チャンバ１内にガス供給用配管
８から所定のエッチングガスを導入する。反応チャンバ
１内が所定の圧力になるように圧力制御弁１１を調整す
る。所定の圧力になったところで、サセプタ４と上部電
極７との間に高周波電圧を印加してプラズマを発生し、
ウエハ６表面のエッチングを行う。
８から所定のエッチングガスを導入する。反応チャンバ
１内が所定の圧力になるように圧力制御弁１１を調整す
る。所定の圧力になったところで、サセプタ４と上部電
極７との間に高周波電圧を印加してプラズマを発生し、
ウエハ６表面のエッチングを行う。
【００２３】エッチング終了後、エッチングガスの導入
及び高周波電圧の印加を停止し、静電チャック５による
静電吸着を解除する。この時、ウエハ６は帯電したまま
の状態であり、接地電位とウエハ６の間には例えば約１
０００Ｖ程度の電位差が生じている。
及び高周波電圧の印加を停止し、静電チャック５による
静電吸着を解除する。この時、ウエハ６は帯電したまま
の状態であり、接地電位とウエハ６の間には例えば約１
０００Ｖ程度の電位差が生じている。
【００２４】次に、圧力制御弁１１を調整して反応チャ
ンバ１内の圧力を６．７Ｐａに維持したまま、Ｎ2 ガス
をイオナイザでイオン化したガスをガス導入配管９から
７０ｓｃｃｍの流量で２〜４秒間導入する。イオン化し
たＮ2 ガスは正イオンと負イオン（電子を含む）をほぼ
同量含んでいる。なお、真空排気系は３００ｌ／ｍｉｎ
の排気能力を有するものを使用した。
ンバ１内の圧力を６．７Ｐａに維持したまま、Ｎ2 ガス
をイオナイザでイオン化したガスをガス導入配管９から
７０ｓｃｃｍの流量で２〜４秒間導入する。イオン化し
たＮ2 ガスは正イオンと負イオン（電子を含む）をほぼ
同量含んでいる。なお、真空排気系は３００ｌ／ｍｉｎ
の排気能力を有するものを使用した。
【００２５】イオン化したガスを流すことにより、接地
電位とウエハ６間との電位差は４０Ｖに低下した。これ
は、ウエハ内に蓄積された静電荷がイオン化したガスに
より中和されるためと考えられる。ウエハと静電チャッ
クは、正負が交互反転しているため、静電吸着を停止し
たとき、ウエハは正又は負のいずれかに帯電している。
イオン化Ｎ 2 ガスは、正及び負イオンをほぼ同量含んで
いるため、ウエハがいずれの極性に帯電している場合で
あっても、同様に中和することができる。
電位とウエハ６間との電位差は４０Ｖに低下した。これ
は、ウエハ内に蓄積された静電荷がイオン化したガスに
より中和されるためと考えられる。ウエハと静電チャッ
クは、正負が交互反転しているため、静電吸着を停止し
たとき、ウエハは正又は負のいずれかに帯電している。
イオン化Ｎ 2 ガスは、正及び負イオンをほぼ同量含んで
いるため、ウエハがいずれの極性に帯電している場合で
あっても、同様に中和することができる。
【００２６】上記説明の通り、本発明の実施例によれ
ば、反応チャンバ１内を大気状態に戻すことなく、ウエ
ハの除電を行うことができるため、複数枚のウエハを連
続して処理することができる。
ば、反応チャンバ１内を大気状態に戻すことなく、ウエ
ハの除電を行うことができるため、複数枚のウエハを連
続して処理することができる。
【００２７】なお、上記実施例ではイオン化したガスを
２〜４秒間流す場合について説明したが、それ以上の時
間流してもよい。例えば、１０秒程度流してもよい。ま
た、イオン化したガスを流すときの反応チャンバ内の圧
力を６．７Ｐａとした場合について説明したが、圧力が
５．３Ｐａ以上であれば十分な除電効果を得ることがで
きる。一方、処理後のウエハの搬出、次のウエハの搬入
のための真空排気による処理遅延を回避するためには２
６．７Ｐａ以下の圧力とすることが好ましい。さらに好
ましくは、６．７〜１０．７Ｐａの範囲とすることが望
ましい。
２〜４秒間流す場合について説明したが、それ以上の時
間流してもよい。例えば、１０秒程度流してもよい。ま
た、イオン化したガスを流すときの反応チャンバ内の圧
力を６．７Ｐａとした場合について説明したが、圧力が
５．３Ｐａ以上であれば十分な除電効果を得ることがで
きる。一方、処理後のウエハの搬出、次のウエハの搬入
のための真空排気による処理遅延を回避するためには２
６．７Ｐａ以下の圧力とすることが好ましい。さらに好
ましくは、６．７〜１０．７Ｐａの範囲とすることが望
ましい。
【００２８】また、上記実施例では、Ｎ2 ガスをイオナ
イザでイオン化したガスを流す場合について説明した
が、ウエハ表面と化学反応を起こさず、正及び負の両極
性のイオンを含んでいるもであれば、その他のイオン化
したガスを使用してもよい。例えばＡｒまたはＯ2 ガス
を使用してもよい。
イザでイオン化したガスを流す場合について説明した
が、ウエハ表面と化学反応を起こさず、正及び負の両極
性のイオンを含んでいるもであれば、その他のイオン化
したガスを使用してもよい。例えばＡｒまたはＯ2 ガス
を使用してもよい。
【００２９】上記実施例では、反応チャンバ内でプラズ
マエッチングを行う場合について説明したが、その他の
気相処理を行ってもよい。例えば、プラズマＣＶＤ等を
行ってもよい。
マエッチングを行う場合について説明したが、その他の
気相処理を行ってもよい。例えば、プラズマＣＶＤ等を
行ってもよい。
【００３０】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウエハを静電チャックに静電吸着して気相処理した後、
チャンバ内の真空度を保ったままウエハに蓄積された静
電荷を除去することができる。静電荷を除去することに
より、後のウエハの搬送及び他の処理において、ウエハ
と製造装置間とのアーク放電あるいはグロー放電の発生
を防止することができる。このため、ウエハ表面に形成
されたチップの放電破壊を防止し、歩留りの向上を図る
ことができる。
ウエハを静電チャックに静電吸着して気相処理した後、
チャンバ内の真空度を保ったままウエハに蓄積された静
電荷を除去することができる。静電荷を除去することに
より、後のウエハの搬送及び他の処理において、ウエハ
と製造装置間とのアーク放電あるいはグロー放電の発生
を防止することができる。このため、ウエハ表面に形成
されたチップの放電破壊を防止し、歩留りの向上を図る
ことができる。
【００３２】さらに、チャンバ内の真空度を保ったまま
静電荷の除去を行うことができるため、ウエハの連続処
理が可能となり、生産性向上を図ることができる。
静電荷の除去を行うことができるため、ウエハの連続処
理が可能となり、生産性向上を図ることができる。
【図１】本発明の実施例で使用したエッチング装置の概
略断面図である。
略断面図である。
１ 反応チャンバ ２ ロボット室 ３ ゲートバルブ ４ サセプタ ５ 静電チャック ６ ウエハ ７ 上部電極 ８ ガス供給用配管 ９ ガス導入配管 １０ ガス排気用配管 １１ 圧力制御弁 １２ ウエハ搬送ロボット
Claims (4)
- 【請求項１】 真空排気可能な処理容器内に配置された
静電チャックに、処理対象ウエハを静電吸着する静電吸
着工程と、 前記処理容器内に所定の処理ガスを導入して気相処理を
行う工程と、 前記静電チャックによる前記処理対象ウエハの静電吸着
を解除する工程と、 前記処理容器内が所定の圧力になるように真空排気しな
がら、前記処理容器内にイオン化したガスを導入する工
程とを含む半導体ウエハ処理方法。 - 【請求項２】 前記所定の圧力は６．７〜１０．７Ｐａ
である請求項１記載の半導体ウエハ処理方法。 - 【請求項３】 前記静電吸着工程は、前記静電チャック
と前記処理対象ウエハとの間に極性が所定の周期で交互
に反転する所定の電圧を印加し、 前記イオン化したガスは、正及び負の両極性のイオンな
いし電子を含む請求項１又は２記載の半導体ウエハ処理
方法。 - 【請求項４】 前記イオン化したガスは、Ｎ2 ガスをイ
オン化したものである請求項１〜３のいずれかに記載の
半導体ウエハ処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19260294A JPH0855902A (ja) | 1994-08-16 | 1994-08-16 | 半導体ウエハの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19260294A JPH0855902A (ja) | 1994-08-16 | 1994-08-16 | 半導体ウエハの処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0855902A true JPH0855902A (ja) | 1996-02-27 |
Family
ID=16293999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19260294A Pending JPH0855902A (ja) | 1994-08-16 | 1994-08-16 | 半導体ウエハの処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0855902A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013257172A (ja) * | 2012-06-11 | 2013-12-26 | Exsym Corp | 電気試験装置及び電気試験方法 |
| CN113543434A (zh) * | 2020-04-16 | 2021-10-22 | 杰宜斯科技有限公司 | 基板处理用通电装置 |
-
1994
- 1994-08-16 JP JP19260294A patent/JPH0855902A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013257172A (ja) * | 2012-06-11 | 2013-12-26 | Exsym Corp | 電気試験装置及び電気試験方法 |
| CN113543434A (zh) * | 2020-04-16 | 2021-10-22 | 杰宜斯科技有限公司 | 基板处理用通电装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5573981A (en) | Method of removing residual charges of an electrostatic chuck used in a layer deposition process | |
| EP0630990B1 (en) | Method of limiting sticking of body to a susceptor in a deposition treatment | |
| KR102634196B1 (ko) | 붕소-도핑된 탄소 막들을 위한 정전 척킹 및 우수한 입자 성능을 가능하게 하기 위한 그레이딩된 인-시튜 전하 트랩핑 층들 | |
| US5779807A (en) | Method and apparatus for removing particulates from semiconductor substrates in plasma processing chambers | |
| KR100782621B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
| US7335601B2 (en) | Method of processing an object and method of controlling processing apparatus to prevent contamination of the object | |
| US20090301516A1 (en) | Substrate transfer device and cleaning method thereof and substrate processing system and cleaning method thereof | |
| JP4642809B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
| JPH10144668A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| TWI609994B (zh) | 電漿處理方法及電漿處理裝置 | |
| KR100743275B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 및 후처리방법 | |
| JP4806165B2 (ja) | 基板搬送装置及びその洗浄方法、並びに基板処理システム | |
| JPH1027780A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPH0855902A (ja) | 半導体ウエハの処理方法 | |
| KR100319468B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 | |
| JP2002367967A (ja) | プラズマ処理方法及びその装置 | |
| JPH09148310A (ja) | 半導体製造装置およびそのクリーニング方法ならびに半導体ウエハの取り扱い方法 | |
| JP2864141B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003031553A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JP3027781B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP2001176958A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPH11302842A (ja) | スパッタリング方法及びスパッタリング装置 | |
| JPH05275350A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2002050618A (ja) | プラズマを用いて基板を処理するための装置および方法 | |
| TW202402397A (zh) | 集塵方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040406 |