JPH03265133A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH03265133A JPH03265133A JP6272290A JP6272290A JPH03265133A JP H03265133 A JPH03265133 A JP H03265133A JP 6272290 A JP6272290 A JP 6272290A JP 6272290 A JP6272290 A JP 6272290A JP H03265133 A JPH03265133 A JP H03265133A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- refractory metal
- target
- sputtering
- nitride layer
- inert gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims abstract description 68
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 44
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 36
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 30
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
窒化チタン層等リフラクトリ−メタルの窒化物層の形成
工程の改良に関し、 リフラクトリ−メタルをターゲットとして窒素ガスを含
む不活性ガス中においてなすスパッタ法を使用してリフ
ラクトリ−メタルの窒化物層を形成する工程を有する半
導体装置の製造方法において、窒化したりフラクトリー
メタルターゲットをクリーニングする工程（ターゲット
の表面に形成されている窒化物を除去する工程）におい
て不利益をともなわないように改良された半導体装置の
製造方法を提供することを目的とし、 リフラクトリ−メタルをターゲットとし、このターゲッ
トとウェーハとの間を遮るシャッタを有するスパッタ用
真空容器中に導入される窒素ガスを含む不活性ガス中に
おいてなすスパッタ法を使用してリフラクトリ−メタル
の窒化物層を形成する工程を有する半導体装置の製造方
法において、リフラクトリ−メタルの窒化物層を一旦形
成した後、次にリフラクトリ−メタルの窒化物層を形成
する前に、前記のシャッタを使用して前記のターゲット
と前記のウェーハとの間を遮り、それと同時に、不活性
ガスの導入は継続するが、窒素ガスの導入は遮断し、不
活性ガスのみの中においてスパッタをなして前記のター
ゲットの表面に形成されている前記のりフラクトリーメ
タルの窒化物層を除去する工程を実行する半導体装置の
製造方法を要旨とする。
工程の改良に関し、 リフラクトリ−メタルをターゲットとして窒素ガスを含
む不活性ガス中においてなすスパッタ法を使用してリフ
ラクトリ−メタルの窒化物層を形成する工程を有する半
導体装置の製造方法において、窒化したりフラクトリー
メタルターゲットをクリーニングする工程（ターゲット
の表面に形成されている窒化物を除去する工程）におい
て不利益をともなわないように改良された半導体装置の
製造方法を提供することを目的とし、 リフラクトリ−メタルをターゲットとし、このターゲッ
トとウェーハとの間を遮るシャッタを有するスパッタ用
真空容器中に導入される窒素ガスを含む不活性ガス中に
おいてなすスパッタ法を使用してリフラクトリ−メタル
の窒化物層を形成する工程を有する半導体装置の製造方
法において、リフラクトリ−メタルの窒化物層を一旦形
成した後、次にリフラクトリ−メタルの窒化物層を形成
する前に、前記のシャッタを使用して前記のターゲット
と前記のウェーハとの間を遮り、それと同時に、不活性
ガスの導入は継続するが、窒素ガスの導入は遮断し、不
活性ガスのみの中においてスパッタをなして前記のター
ゲットの表面に形成されている前記のりフラクトリーメ
タルの窒化物層を除去する工程を実行する半導体装置の
製造方法を要旨とする。
（産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法の改良に関する。特に
、シリコン層とこのシリコン層とオーミックコンタクト
されるアルミニウム層との間に形成されるバリヤ層とし
て、または、電界効果トランジスタのゲート電極として
使用される窒化チタン層等リフラクトリ−メタルの窒化
物層の形成工程の改良に関する。
、シリコン層とこのシリコン層とオーミックコンタクト
されるアルミニウム層との間に形成されるバリヤ層とし
て、または、電界効果トランジスタのゲート電極として
使用される窒化チタン層等リフラクトリ−メタルの窒化
物層の形成工程の改良に関する。
シリコンを使用する半導体装置の電極・配線にアルミニ
ウムを使用することが多いが、シリコンとアルミニウム
とのオーミックコンタクト特性は必ずしも良好であると
は云えず、さらに、アルミニウムがシリコン中にマイグ
レートしてスパイクが形成される等の欠点もあるので、
シリコン層とアルミニウム層との間には何らかのバリヤ
層を介在させることが一般である。
ウムを使用することが多いが、シリコンとアルミニウム
とのオーミックコンタクト特性は必ずしも良好であると
は云えず、さらに、アルミニウムがシリコン中にマイグ
レートしてスパイクが形成される等の欠点もあるので、
シリコン層とアルミニウム層との間には何らかのバリヤ
層を介在させることが一般である。
このバリヤ層の材料の一つとして、窒化チタン等リフラ
クトリ−メタルの窒化物が使用される。
クトリ−メタルの窒化物が使用される。
このリフラクトリ−メタルの窒化物は高融点であるにも
か覧わらず抵抗率が低いので、電界効果トランジスタの
ゲート電極の材料としても使用されている。
か覧わらず抵抗率が低いので、電界効果トランジスタの
ゲート電極の材料としても使用されている。
このリフラクトリ−メタルの窒化物の層を形成する従来
技術に係る方法の代表例はスパッタ法である。このスパ
ッタ法を使用して、リフラクトリ−メタルの窒化物を形
成するには、真空反応容器中に、その上にリフラクトリ
−メタルの窒化物が堆積される基板とりフラクトリーメ
タルのターゲットとを入れ、アルゴン等の不活性ガスと
窒素ガスとを導入して、直流電圧またはラジオ周波数程
度の高周波電圧を印加して、アルゴン等の不活性ガスと
窒素ガスとをプラズマ化して、ターゲットのりフラクト
リーメタルを励起してラジカルまたはイオンとして基板
上に飛翔させこ＼に堆積すること＼されている。
技術に係る方法の代表例はスパッタ法である。このスパ
ッタ法を使用して、リフラクトリ−メタルの窒化物を形
成するには、真空反応容器中に、その上にリフラクトリ
−メタルの窒化物が堆積される基板とりフラクトリーメ
タルのターゲットとを入れ、アルゴン等の不活性ガスと
窒素ガスとを導入して、直流電圧またはラジオ周波数程
度の高周波電圧を印加して、アルゴン等の不活性ガスと
窒素ガスとをプラズマ化して、ターゲットのりフラクト
リーメタルを励起してラジカルまたはイオンとして基板
上に飛翔させこ＼に堆積すること＼されている。
ところが、上記のスバツタ工程において、ターゲットの
表面が窒化されて窒化物に変化することは避は難く、タ
ーゲットの表面が窒化されて窒化物になっていると、ス
パッタ工程において、瞬間的にスパーク放！（アーク放
１１）が発生して真空反応容器中のプラズマ状態が急変
して堆積される物質に変化が生じ、極端な場合は連続し
て運転することが困雛になると云う欠点がある。
表面が窒化されて窒化物に変化することは避は難く、タ
ーゲットの表面が窒化されて窒化物になっていると、ス
パッタ工程において、瞬間的にスパーク放！（アーク放
１１）が発生して真空反応容器中のプラズマ状態が急変
して堆積される物質に変化が生じ、極端な場合は連続し
て運転することが困雛になると云う欠点がある。
この欠点を解消するために、従来技術においては、間欠
的に、ターゲットのクリーニング工程（ターゲットの表
面に形成されている窒化物を除去する工程）を実施して
いる。具体的には、リフラクトリ−メタルの窒化物層の
形成工程を数十回実行する度にＣ数十枚のウェーハにリ
フラクトリ−メタルの窒化物層を形成する度に）、窒素
ガスの導入を中止し、アルゴンガス等不活性ガスのみを
導入してスパッタを実行し、リフラクトリ−メタルター
ゲットの表面に形成されていた窒化物を除去する工程を
必要としていた。
的に、ターゲットのクリーニング工程（ターゲットの表
面に形成されている窒化物を除去する工程）を実施して
いる。具体的には、リフラクトリ−メタルの窒化物層の
形成工程を数十回実行する度にＣ数十枚のウェーハにリ
フラクトリ−メタルの窒化物層を形成する度に）、窒素
ガスの導入を中止し、アルゴンガス等不活性ガスのみを
導入してスパッタを実行し、リフラクトリ−メタルター
ゲットの表面に形成されていた窒化物を除去する工程を
必要としていた。
そのため、スルーブツトが低下するばかりでなく、か＼
る工程を間欠的に挿入すると云う煩雑性が避は難かった
。
る工程を間欠的に挿入すると云う煩雑性が避は難かった
。
本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、リフ
ラクトリ−メタルをターゲットとして窒素ガスを含む不
活性ガス中においてなすスパッタ法を使用してリフラク
トリ−メタルの窒化物層を形成する工程を有する半導体
装置の製造方法において、窒化したりフラクトリーメタ
ルターゲットをクリーニングする工程（ターゲットの表
面に形成されている窒化物を除去する工程）において不
利益をともなわないように改良された半導体装置の製造
方法を提供することにある。
ラクトリ−メタルをターゲットとして窒素ガスを含む不
活性ガス中においてなすスパッタ法を使用してリフラク
トリ−メタルの窒化物層を形成する工程を有する半導体
装置の製造方法において、窒化したりフラクトリーメタ
ルターゲットをクリーニングする工程（ターゲットの表
面に形成されている窒化物を除去する工程）において不
利益をともなわないように改良された半導体装置の製造
方法を提供することにある。
除去する工程を実行する半導体装置の製造方法である。
［ｉｌＢを解決するための手段〕
上記の目的を達成する手段は、リフラクトリ−メタルを
ターゲット（１２）とし、このターゲット（１２）とウ
ェーハ（Ｓ）との間を遮るシャフタ（１３）を有するス
パッタ用真空容器（１）中に導入される窒素ガスを含む
不活性ガス中においてなすスパッタ法を使用してリフラ
クトリ−メタルの窒化物層を形成する工程を有する半導
体装置の製造方法において、リフラクトリ−メタルの窒
化物層を一旦形成した後、次にリフラクトリ−メタルの
窒化物層を形成する前に、前記のシャッタ（１３）を使
用して前記のターゲット （１２） と前記のウェー
ハ（Ｓ） との間を遮り、それと同時に、不活性ガスの
導入は継続するが、窒素ガスの導入は遮断し、不活性ガ
スのみの中においてスパッタをなして前記のターゲット
（１２）の表面に形成されている前記のりフラクトリ
ーメタルの窒化物層を〔作用〕 本発明においては、リフラクトリ−メタルの窒化物の層
を１層形成した後、−旦シャッタを閉塞して、半導体基
板とターゲットとの間を遮り、半導体基板上にリフラク
トリ−メタルの窒化物を形成するスパッタ工程を停止し
た状態において、スパッタ容器中に供給するガスをアル
ゴン等不活性ガスのみに切り替えて（アルゴン等不活性
ガスの供給は継続するが、窒素ガスの供給は停止し）、
リフラクトリ−メタルターゲット上に形成されているリ
フラクトリ−メタルの窒化物を除去し、方、このリフラ
クトリ−メタルターゲットのクリーニング期間に、ロー
ドロック等を使用して半導体基板を交換して次のりフラ
クトリーメタルの窒化物の層の形成工程の１１！備をな
すこと覧されているので、スループットを低下すること
なく、リフラクトリ−メタルターゲット上に形成されて
いたリフラクトリ−メタルの窒化物の層を除去（リフラ
クトリ−メタルターゲットをクリーニング）することが
でき、リフラクトリ−メタルの窒化物の層を形成するス
パッタ工程において不可避のりフラクトソーメタルター
ゲット上に形成されたりフラクトリーメタルの窒化物の
層をクリーニングする工程において全く不利益を蒙らな
い半導体装置の製造方法が実現する。
ターゲット（１２）とし、このターゲット（１２）とウ
ェーハ（Ｓ）との間を遮るシャフタ（１３）を有するス
パッタ用真空容器（１）中に導入される窒素ガスを含む
不活性ガス中においてなすスパッタ法を使用してリフラ
クトリ−メタルの窒化物層を形成する工程を有する半導
体装置の製造方法において、リフラクトリ−メタルの窒
化物層を一旦形成した後、次にリフラクトリ−メタルの
窒化物層を形成する前に、前記のシャッタ（１３）を使
用して前記のターゲット （１２） と前記のウェー
ハ（Ｓ） との間を遮り、それと同時に、不活性ガスの
導入は継続するが、窒素ガスの導入は遮断し、不活性ガ
スのみの中においてスパッタをなして前記のターゲット
（１２）の表面に形成されている前記のりフラクトリ
ーメタルの窒化物層を〔作用〕 本発明においては、リフラクトリ−メタルの窒化物の層
を１層形成した後、−旦シャッタを閉塞して、半導体基
板とターゲットとの間を遮り、半導体基板上にリフラク
トリ−メタルの窒化物を形成するスパッタ工程を停止し
た状態において、スパッタ容器中に供給するガスをアル
ゴン等不活性ガスのみに切り替えて（アルゴン等不活性
ガスの供給は継続するが、窒素ガスの供給は停止し）、
リフラクトリ−メタルターゲット上に形成されているリ
フラクトリ−メタルの窒化物を除去し、方、このリフラ
クトリ−メタルターゲットのクリーニング期間に、ロー
ドロック等を使用して半導体基板を交換して次のりフラ
クトリーメタルの窒化物の層の形成工程の１１！備をな
すこと覧されているので、スループットを低下すること
なく、リフラクトリ−メタルターゲット上に形成されて
いたリフラクトリ−メタルの窒化物の層を除去（リフラ
クトリ−メタルターゲットをクリーニング）することが
でき、リフラクトリ−メタルの窒化物の層を形成するス
パッタ工程において不可避のりフラクトソーメタルター
ゲット上に形成されたりフラクトリーメタルの窒化物の
層をクリーニングする工程において全く不利益を蒙らな
い半導体装置の製造方法が実現する。
以下、図面を参照して、本発明の一実施例に係る半導体
装置の製造方法について説明する。
装置の製造方法について説明する。
第１ａ図参照
図は本発明の一実施例に係る半導体装置の製造方法の実
施に使用されるスパッタ装置の概略構造図である０図に
おいて、１は真空反応容器であり、バルブ■、・■２を
介して窒素源Ｎオと不活性ガスとしてのアルゴン源Ａｒ
と連通されている。Ｐは排気装置であり、最高真空度１
０−’Ｔｏｒｒ程度まで排気可能である。１１と１２と
は平行平板電極であり、これらの間に直流電圧またばＲ
Ｆ［圧が印加される。これら平行平板電極の一方１１は
、その上に半導体基板Ｓが載置されるサセプタであり、
他方１２はターゲットであり、本例においてはチタン等
のりフラクトリーメタルである。１３はシャッタであり
、半導体基板Ｓとターゲット１２との間を遮断する。
施に使用されるスパッタ装置の概略構造図である０図に
おいて、１は真空反応容器であり、バルブ■、・■２を
介して窒素源Ｎオと不活性ガスとしてのアルゴン源Ａｒ
と連通されている。Ｐは排気装置であり、最高真空度１
０−’Ｔｏｒｒ程度まで排気可能である。１１と１２と
は平行平板電極であり、これらの間に直流電圧またばＲ
Ｆ［圧が印加される。これら平行平板電極の一方１１は
、その上に半導体基板Ｓが載置されるサセプタであり、
他方１２はターゲットであり、本例においてはチタン等
のりフラクトリーメタルである。１３はシャッタであり
、半導体基板Ｓとターゲット１２との間を遮断する。
２はロードロックであり、反応排気装置Ｐによって最高
真空度１０−’Ｔｏｒｒ程度に排気されうる。
真空度１０−’Ｔｏｒｒ程度に排気されうる。
スパッタ用真空反応容器１との間は扉１４によって開閉
可能とされ、大気との間は扉２１によって開閉可能とさ
れている。２３は半導体基板移動手段であり、半導体基
板Ｓを大気中からスパッタ用真空反応容器１に装入する
場合と、スパッタ用真空反応容器１から大気中に取り出
す場合に使用される。
可能とされ、大気との間は扉２１によって開閉可能とさ
れている。２３は半導体基板移動手段であり、半導体基
板Ｓを大気中からスパッタ用真空反応容器１に装入する
場合と、スパッタ用真空反応容器１から大気中に取り出
す場合に使用される。
次に、リフラクトリ−メタルの窒化膜を形成する工程に
ついて説明する。
ついて説明する。
まづ、排気装置Ｐを使用して、真空反応容器１を１０−
’Ｔｏｒｒ程度に排気する。バルブＶ、−Ｖ。
’Ｔｏｒｒ程度に排気する。バルブＶ、−Ｖ。
を開いて、窒素ガスとアルゴンガスとを真空反応容器ｌ
中に導入する。その結果、その内圧は１０−’Ｔｏｒｒ
程度に上昇する。ロードロック２の扉２１を開いて半導
体基板Ｓが乗せられた半導体基板移動手段を大気中から
ロードロック２中に搬入する。
中に導入する。その結果、その内圧は１０−’Ｔｏｒｒ
程度に上昇する。ロードロック２の扉２１を開いて半導
体基板Ｓが乗せられた半導体基板移動手段を大気中から
ロードロック２中に搬入する。
次に、排気装？＆Ｐを使用して、ロードロック２中を１
０−’Ｔｏｒｒ程度に排気する。スパッタ用真空反応容
器１のｗｉ１４を開いて、半導体基板Ｓが乗せられた半
導体基板移動手段をロードロック２中からスパッタ用真
空反応容器１中に搬入する。
０−’Ｔｏｒｒ程度に排気する。スパッタ用真空反応容
器１のｗｉ１４を開いて、半導体基板Ｓが乗せられた半
導体基板移動手段をロードロック２中からスパッタ用真
空反応容器１中に搬入する。
シャッタ１３を開いて、平行平板電極１１・１２間に電
圧（本例においては半導体基板Ｓを正としりフラクトリ
ーメタルターゲット１２を負とする直流電圧）を印加し
、アルゴンガスと窒素ガスとをプラズマ化して、スパッ
タを実行する。すなわち、プラズマ化したアルゴンと窒
素とは負電位のターゲットに吸引されてこれと衝突し、
リフラクトリ−メタルの微粒子を半導体基板Ｓ上に飛翔
させ、こ＼に堆積させるが、このとき、活性の強い窒素
とりフラクトリーメタルは反応してリフラクトリ−メタ
ルの窒化物として堆積する。
圧（本例においては半導体基板Ｓを正としりフラクトリ
ーメタルターゲット１２を負とする直流電圧）を印加し
、アルゴンガスと窒素ガスとをプラズマ化して、スパッ
タを実行する。すなわち、プラズマ化したアルゴンと窒
素とは負電位のターゲットに吸引されてこれと衝突し、
リフラクトリ−メタルの微粒子を半導体基板Ｓ上に飛翔
させ、こ＼に堆積させるが、このとき、活性の強い窒素
とりフラクトリーメタルは反応してリフラクトリ−メタ
ルの窒化物として堆積する。
このスパッタ工程において、リフラクトリ−メタルター
ゲット１２もまた窒化されることは止むを得ない。
ゲット１２もまた窒化されることは止むを得ない。
以上のスパッタ工程期間に、ロードロック２は一旦真空
を破られて、別の半導体基板移動手段２３に乗せられた
別の半導体基板Ｓがロードロック２中に搬入され、再び
、高真空状態に排気されている。
を破られて、別の半導体基板移動手段２３に乗せられた
別の半導体基板Ｓがロードロック２中に搬入され、再び
、高真空状態に排気されている。
リフラクトリ−メタルの窒化物層を形成するスパッタ工
程完了後にシャッタ１３を閉して、半導体基板Ｓとリフ
ラクトリ−メタルターゲット１２とを遮断し、同時に、
バルブ■１を閉じて窒素ガスの供給を停止する。しかし
、不活性ガスのみは供給されつ＼けられており、また、
半導体基板Ｓとリフラクトリーメタルターゲント１２と
の間には電圧は印加されつりけられているので、不活性
ガスのみはプラズマ化して、このプラズマはりフラクト
リーメタルターゲソト１２に衝突して、その表面に形成
されているリフラクトリ−メタルの窒化物をイオンミリ
ングして除去する。
程完了後にシャッタ１３を閉して、半導体基板Ｓとリフ
ラクトリ−メタルターゲット１２とを遮断し、同時に、
バルブ■１を閉じて窒素ガスの供給を停止する。しかし
、不活性ガスのみは供給されつ＼けられており、また、
半導体基板Ｓとリフラクトリーメタルターゲント１２と
の間には電圧は印加されつりけられているので、不活性
ガスのみはプラズマ化して、このプラズマはりフラクト
リーメタルターゲソト１２に衝突して、その表面に形成
されているリフラクトリ−メタルの窒化物をイオンミリ
ングして除去する。
その間に、扉１４を開いて半導体基板移動手段２３を使
用して、その上にリフラクトリ−メタルの窒化物が形成
されている半導体基板Ｓをロードロック２中に取り出し
、別の半導体基板移動手段２３に乗せられている新しい
半導体基板を反応容器１に搬入して扉１４を閉し、次の
スパッタ工程の準備を完了する。
用して、その上にリフラクトリ−メタルの窒化物が形成
されている半導体基板Ｓをロードロック２中に取り出し
、別の半導体基板移動手段２３に乗せられている新しい
半導体基板を反応容器１に搬入して扉１４を閉し、次の
スパッタ工程の準備を完了する。
このようにして、半導体基板Ｓの交換工程とりフラクト
リーメタルターゲットのクリーニング工程とを同時にな
すので、スルーブツトを低下することなく、リフラクト
リ−メタルターゲット上に形成されていたりフラクトリ
ーメタルの窒化物の層を除去することができる。
リーメタルターゲットのクリーニング工程とを同時にな
すので、スルーブツトを低下することなく、リフラクト
リ−メタルターゲット上に形成されていたりフラクトリ
ーメタルの窒化物の層を除去することができる。
以上説明せるとおり、本発明に係る半導体装置の製造方
法においては、リフラクトリ−メタルの窒化物の層を１
層形成した後、−旦シャッタを閉塞して、半導体基板と
ターゲットとの間を遮り、同時に、アルゴン等不活性ガ
スの供給は継続するが、窒素ガスの供給は停止し、半導
体基板上にリフラクトリ−メタルの窒化物を形成するス
パッタ工程は停止するが、リフラクトリ−メタルターゲ
ット上に形成されているリフラクトリ−メタルの窒化物
に対して励起された不活性ガス（不活性ガスのラジカル
等）を衝突は継続させて、リフラクトリ−メタルターゲ
ット上に形成されているリフラクトリ−メタルの窒化物
の除去は実行し、方、この期間に、ロードロック等を使
用して半導体基板を交換して次のりフラクトリーメタル
の窒化物の層の形成工程の準備をなすこと覧されている
ので、半導体基板の交換工程とりフラクトリーメタルタ
ーゲントのクリーニング工程とは同時になされることに
なり、スルーブツトを低下することなく、リフラクトリ
−メタルターゲット上に形成されていたりフラクトリー
メタルの窒化物の層を除去（リフラクトリ−メタルター
ゲットをクリーニング）することができ、リフラクトリ
−メタルの窒化物の層を形成するスパッタ工程において
不可避のりフラクトソーメタルターゲット上に形成され
たりフラクトリーメタルの窒化物の層をクリーニングす
る工程において全く不利益を蒙らない半導体装置の製造
方法を提供することができる。
法においては、リフラクトリ−メタルの窒化物の層を１
層形成した後、−旦シャッタを閉塞して、半導体基板と
ターゲットとの間を遮り、同時に、アルゴン等不活性ガ
スの供給は継続するが、窒素ガスの供給は停止し、半導
体基板上にリフラクトリ−メタルの窒化物を形成するス
パッタ工程は停止するが、リフラクトリ−メタルターゲ
ット上に形成されているリフラクトリ−メタルの窒化物
に対して励起された不活性ガス（不活性ガスのラジカル
等）を衝突は継続させて、リフラクトリ−メタルターゲ
ット上に形成されているリフラクトリ−メタルの窒化物
の除去は実行し、方、この期間に、ロードロック等を使
用して半導体基板を交換して次のりフラクトリーメタル
の窒化物の層の形成工程の準備をなすこと覧されている
ので、半導体基板の交換工程とりフラクトリーメタルタ
ーゲントのクリーニング工程とは同時になされることに
なり、スルーブツトを低下することなく、リフラクトリ
−メタルターゲット上に形成されていたりフラクトリー
メタルの窒化物の層を除去（リフラクトリ−メタルター
ゲットをクリーニング）することができ、リフラクトリ
−メタルの窒化物の層を形成するスパッタ工程において
不可避のりフラクトソーメタルターゲット上に形成され
たりフラクトリーメタルの窒化物の層をクリーニングす
る工程において全く不利益を蒙らない半導体装置の製造
方法を提供することができる。
第１図は、本発明の実施例に係る半導体装置の製造方法
を実施するために使用されるスパッタ装置の構成図であ
る。 Ａｒ・・・不活性ガス源、 Ｐ・・・排気装置。
を実施するために使用されるスパッタ装置の構成図であ
る。 Ａｒ・・・不活性ガス源、 Ｐ・・・排気装置。
Claims (1)
- リフラクトリーメタルをターゲット（１２）とし、該
ターゲット（１２）とウェーハ（Ｓ）との間を遮るシャ
ッタ（１３）を有するスパッタ用真空容器（１）中に導
入される窒素ガスを含む不活性ガス中においてなすスパ
ッタ法を使用してリフラクトリーメタルの窒化物層を形
成する工程を有する半導体装置の製造方法において、前
記リフラクトリーメタルの窒化物層を一旦形成した後、
次にリフラクトリーメタルの窒化物層を形成する前に、
前記シャッタ（１３）を使用して前記ターゲット（１２
）と前記ウェーハ（Ｓ）との間を遮り不活性ガスのみの
中においてスパッタをなして前記ターゲット（１２）の
表面に形成されている前記リフラクトリーメタルの窒化
物層を除去する工程を実行することを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6272290A JP2864141B2 (ja) | 1990-03-15 | 1990-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6272290A JP2864141B2 (ja) | 1990-03-15 | 1990-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03265133A true JPH03265133A (ja) | 1991-11-26 |
| JP2864141B2 JP2864141B2 (ja) | 1999-03-03 |
Family
ID=13208532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6272290A Expired - Fee Related JP2864141B2 (ja) | 1990-03-15 | 1990-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2864141B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0598422A1 (en) * | 1992-10-15 | 1994-05-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of forming a Ti and a TiN layer on a semiconductor body by a sputtering process, comprising an additional step of cleaning the target |
| JPH06216067A (ja) * | 1992-10-15 | 1994-08-05 | Philips Electron Nv | 半導体装置の製造方法 |
| EP1432025A2 (en) * | 2002-12-20 | 2004-06-23 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a multilayer interconnection structure and fabrication process thereof |
-
1990
- 1990-03-15 JP JP6272290A patent/JP2864141B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0598422A1 (en) * | 1992-10-15 | 1994-05-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of forming a Ti and a TiN layer on a semiconductor body by a sputtering process, comprising an additional step of cleaning the target |
| JPH06216067A (ja) * | 1992-10-15 | 1994-08-05 | Philips Electron Nv | 半導体装置の製造方法 |
| EP1432025A2 (en) * | 2002-12-20 | 2004-06-23 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a multilayer interconnection structure and fabrication process thereof |
| EP1432025A3 (en) * | 2002-12-20 | 2009-03-25 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a multilayer interconnection structure and fabrication process thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2864141B2 (ja) | 1999-03-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5380566A (en) | Method of limiting sticking of body to susceptor in a deposition treatment | |
| US5573981A (en) | Method of removing residual charges of an electrostatic chuck used in a layer deposition process | |
| JPH04198476A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US5304405A (en) | Thin film deposition method and apparatus | |
| JPH03265133A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08148539A (ja) | 半導体製造装置 | |
| KR100319468B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 | |
| JPH0542507B2 (ja) | ||
| JPS63307273A (ja) | 基板に薄層をスパツタする装置 | |
| JPH0855902A (ja) | 半導体ウエハの処理方法 | |
| JPH0783011B2 (ja) | 減圧処理方法及び装置 | |
| JP3976386B2 (ja) | フッ素ガスを用いた選択ｃｖｄ方法 | |
| JP2900725B2 (ja) | プラズマｃｖｄ法 | |
| JP3388654B2 (ja) | 真空処理方法と装置 | |
| JPH0598434A (ja) | マルチチヤンバー型スパツタリング装置 | |
| JPH0239523A (ja) | 半導体基板への成膜方法 | |
| JPH03107480A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH11145084A (ja) | コンタクト膜バリア膜連続作成装置及び異種薄膜連続作成装置 | |
| JPH05335278A (ja) | 真空処理装置 | |
| JPH08288219A (ja) | 半導体処理装置及び半導体処理方法 | |
| JPH0432563A (ja) | スパッタリング方法および装置 | |
| JPH05226461A (ja) | ドライクリーニング方法 | |
| JP2002217120A (ja) | 化学気相成長装置及びその駆動方法 | |
| JPH1116995A (ja) | 静電チャックによる半導体ウエハの吸着・保持方法 | |
| JP2002302764A (ja) | スパッタリング装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |