JPH1116995A - 静電チャックによる半導体ウエハの吸着・保持方法 - Google Patents
静電チャックによる半導体ウエハの吸着・保持方法Info
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- JPH1116995A JPH1116995A JP16928597A JP16928597A JPH1116995A JP H1116995 A JPH1116995 A JP H1116995A JP 16928597 A JP16928597 A JP 16928597A JP 16928597 A JP16928597 A JP 16928597A JP H1116995 A JPH1116995 A JP H1116995A
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Abstract
気力を作用させることにより、誘電体表面に半導体ウエ
ハを吸着・保持する方法において、半導体ウエハを吸着
・保持するための電源電圧の印加を、半導体製造のため
の反応容器１１内に反応性ガスを導入した後、一定時間
遅延させてから行う。
Description
の製造装置において、静電チャックにより半導体ウエハ
を吸着・保持する方法に関する。
れる静電チャックは、半導体ウエハに誘電体を介して静
電気力を作用させることにより、誘電体表面に半導体ウ
エハを吸着し、これを半導体ウエハ処理面への食刻ある
いは膜形成のために高温ガスあるいはプラズマ化された
ガス中に保持するものである。その構造は、通常、アル
ミナ等の耐熱セラミックスからなる円板状誘電体の表面
近くに膜状電極を埋め込み、該膜状電極を直流電源に接
続してなるもので、これらの電極に直流電圧を印加する
と共に、誘電体表面に誘電体に近い直径を有する半導体
ウエハを密着状態で当接させることにより、電極と半導
体ウエハとの間に静電気力を作用させ、半導体ウエハを
誘電体表面に吸着して、ウエハが離脱しないように吸着
状態に保持する。
は，半導体ウエハを誘電体表面に全面密着状態に吸着・
保持することから、０．１ｍＴｏｒｒ〜数Ｔｏｒｒ範囲
の真空圧中での表面処理中、ウエハを適温に保つための
冷却手段として用いられ、このために、静電チャック
を、熱媒体が通流可能に形成された静電チャックホルダ
の伝熱面に固定して使用している。
エハを載置する半導体基板台として用いてその冷却作用
を利用するには、冷却が真空圧中で行われ、真空状態の
ガスのもつ熱伝達作用が極めて小さいために、表面が微
視的に凹凸の状態を呈する静電チャック誘電体表面と半
導体ウエハとの実接触面積増加を図る必要から、接触圧
力が１０ｇ／平方センチメートル程度以上となる吸着電
圧が必要であった。
な高電圧を誘電体中の電極間に印加すると、ウエハの吸
着と同時にウエハ処理面に多数のパ−ティクルを吸着
し、その結果パタン欠陥が生じ、歩留りが低下するとい
う問題があった。
−２９１１７４号公報に、静電チャック及び静電チャッ
クへの半導体ウエハの吸着・保持方法が示されている。
これによると、誘電体表面に半導体ウエハを吸着・保持
させる静電気力を発生する静電チャックの電源を、可変
電圧電源として構成し、吸着時の電源電圧を低く、その
後搬送機構をウエハから静電気力が及ばない位置まで移
動してから電源電圧を上昇させることにより、パーティ
クルは低電圧時に吸引された数のみとなり、ウエハ上へ
の付着が減少でき、また、所望のウエハの冷却を達成す
ることが可能となる。
９１１７４号公報に示されている静電チャックへの半導
体ウエハの吸着・保持方法では、静電チャックに半導体
ウエハを吸着させる場合に、吸着させるための電圧を印
加するタイミングと、反応性ガスを導入するタイミング
とを同時にしていたため、反応性ガスを導入した時に巻
き上げられる多量のパ−ティクルを吸着してしまい、半
導体集積回路の歩留りを低下させるおそれがあった。
ルの付着を防止して歩留まりの向上を図れるようにした
静電チャックによる半導体ウエハの吸着・保持方法を提
供することを目的とする。
に誘電体を介して静電気力を作用させることにより、誘
電体表面に半導体ウエハを吸着・保持する方法におい
て、半導体ウエハを吸着・保持するための電源電圧の印
加を、半導体製造のための反応容器内に反応性ガスを導
入した後、一定時間遅延させてから行うことを特徴とす
る。
着用電圧の印加のタイミングを、反応性ガス導入に伴っ
て発生する（巻き上げられる）反応容器内のパ−ティク
ルを排気により十分取り除いた後にしている。このた
め、半導体ウエハ上へのチャッキング動作によるパ−テ
ィクルの付着が低減され、製品の歩留率が向上する。
基づいて説明する。図１は、静電チャック１を備えた反
応容器１１の構造を示している。静電チャック１は、ア
ルミナからなる誘電体２の中に埋め込まれた電極３と、
電極３に接続される直流電源７とからなる。静電チャッ
ク１は、反応容器１１内において、温調機構９を組み込
んだ静電チャックホルダ５上に取り付けられている。電
極３には、更に反応処理用の電源である高周波電源８も
接続されており、直流電源７には、高周波電源から来る
ノイズ成分を吸収するローパスフィルタ６が接続されて
いる。
載置する側の前記電極３と、絶縁部材１３を介してその
対向側に配置された電極１４と、反応性ガスを導入する
反応性ガス導入口１２と、反応性ガスを排気する排気口
１０とを備えている。
着・保持は以下のように行われる。まず、搬送機構によ
り静電チャック１上に半導体ウエハ４を載置する。次
に、反応性ガス導入口１２より反応容器１１内に導入す
る。反応性ガスは排気口１０を通してポンプより真空排
気される。更に反応性ガスの導入後、ある一定時間遅延
させて、十分にガス導入時に巻き上ったゴミを排気させ
てから、直流電源７にて約−６００ボルトの電圧を電極
３に印加し、半導体ウエハ４の吸着・保持を行う。この
時、前記遅延時間（ｔ）を図２に示すように６秒以上に
設定することによって、半導体ウエハ４上に吸着するパ
ーティクルが、図３に示すように、約１０分の１に激減
することを確認した。
静電チャックに対する直流電圧の印加を、反応性ガス導
入後、ある一定時間遅延させて実施することにより、反
応性ガス導入時に反応容器内に発生する（巻き上る）パ
ーティクルを十分に排気・沈静化させてから、ウエハを
吸着・保持することができる。従って、ウエハ上へ付着
するパーティクルを減少させることが可能となり、良品
の歩留り率を向上することができる。
ハの吸着・保持方法を実施するための装置の説明図であ
る。
である。
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウエハに誘電体を介して静電気力
を作用させることにより、誘電体表面に半導体ウエハを
吸着・保持する方法において、半導体ウエハを吸着・保
持するための電源電圧の印加を、半導体製造のための反
応容器内に反応性ガスを導入した後、一定時間遅延させ
てから行うことを特徴とする静電チャックによる半導体
ウエハの吸着・保持方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16928597A JP3317879B2 (ja) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | 静電チャックによる半導体ウエハの吸着・保持方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16928597A JP3317879B2 (ja) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | 静電チャックによる半導体ウエハの吸着・保持方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1116995A true JPH1116995A (ja) | 1999-01-22 |
| JP3317879B2 JP3317879B2 (ja) | 2002-08-26 |
Family
ID=15883690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16928597A Expired - Fee Related JP3317879B2 (ja) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | 静電チャックによる半導体ウエハの吸着・保持方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3317879B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110459458A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-11-15 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 等离子体刻蚀工艺 |
-
1997
- 1997-06-25 JP JP16928597A patent/JP3317879B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110459458A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-11-15 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 等离子体刻蚀工艺 |
| CN110459458B (zh) * | 2019-08-29 | 2021-12-07 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 等离子体刻蚀工艺 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3317879B2 (ja) | 2002-08-26 |
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