CN100444311C - 真空处理装置 - Google Patents

真空处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN100444311C
CN100444311C CNB2006100010418A CN200610001041A CN100444311C CN 100444311 C CN100444311 C CN 100444311C CN B2006100010418 A CNB2006100010418 A CN B2006100010418A CN 200610001041 A CN200610001041 A CN 200610001041A CN 100444311 C CN100444311 C CN 100444311C
Authority
CN
China
Prior art keywords
loam cake
unit
lower cover
vacuum treatment
vacuum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CNB2006100010418A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1825535A (zh
Inventor
车勋
金亨俊
严用铎
李珠熙
韩在柄
曹生贤
尹大根
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lap Yi Cmi Holdings Ltd
Wonik IPS Co Ltd
Original Assignee
Integrated Process Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Integrated Process Systems Ltd filed Critical Integrated Process Systems Ltd
Publication of CN1825535A publication Critical patent/CN1825535A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100444311C publication Critical patent/CN100444311C/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/6773—Conveying cassettes, containers or carriers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本文公开了一种真空处理装置，其用于在基片上进行蚀刻处理或喷镀处理，例如用于液晶显示屏(LCD)面板的玻璃上，半导体晶片上，等等。其包括一上盖和一下盖，上盖和下盖可分离地相互连接，形成一真空处理空间；一对水平移动单元，连接在上盖的两侧；和一对引导单元，每一引导单元安装在和连接每个水平移动单元的上盖的每一侧相对应的下盖的每一侧，并引导水平移动单元水平移动，使水平移动单元能够移动；其中该对引导单元包括安装在真空处理腔一侧的第一引导单元，以及支撑水平移动单元的第二引导单元，该第二引导单元能够通过升降单元被提升至第一引导单元的高度。

Description

真空处理装置
技术领域
本发明涉及一种真空处理装置，尤其涉及用于在基片上进行蚀刻处理或喷镀处理的真空处理装置，例如用于液晶显示屏(LCD)面板的玻璃上，半导体晶片上，等等。
背景技术
所述真空处理装置是一种通过在真空状态下使用物理或化学反应，例如等离子体反应等在基片上进行蚀刻处理或喷镀处理的装置，例如用于液晶显示屏面板的玻璃上，半导体晶片上。
所述真空处理装置包括一真空处理腔，用于在基片上进行蚀刻处理或喷镀处理；和一转移腔，用于将基片从负载锁定腔转移到真空处理腔以及将基片从真空处理腔转移到负载锁定腔。
同时，上述的腔室，特别是所述真空处理装置的真空处理腔需要打开进行保养或维修。
图1是传统的真空处理装置的透视图，其上盖是可开启的。
如图1所示，在真空处理装置中，作为主要处理小面积基片的半导体处理装置，上盖3是从腔体1通过铰链5和气缸7打开的。
但是，如图1所示，其很难完全开启上盖3并在真空处理装置的腔体1中替换安装的内部器件。
特别是，由于在半导体处理装置中用于处理大面积基片所安装的内部器件十分沉重，要使用起重机替换内部器件。然而所述的内部器件不能悬挂在起重机上，因为图1所示的半导体处理装置的上盖3不能翻转。
尽管通过扩大半导体处理装置，图1中的半导体处理装置上盖能以180°角翻转，但缺陷是半导体处理装置的门器件也被扩大，并且半导体处理装置的打开状态不稳定。
图2至图4表示传统真空处理装置另一例子上盖打开过程的透视图。
图2中的真空处理装置，在韩国已公布专利文献NO.10-2001-0067439中公开，其通过提供一旋转提升设备15提升上盖13从腔体11到一预定的高度。并且如图3所示，通过使用一移动设备17将上盖13移动到一可旋转位置。然后如图4所示，通过使用旋转提升设备15打开上盖13。在图2至图4中，移动设备17包括第一移动设备17a，和第二移动设备17b。
同时，由于传统真空处理装置中旋转提升设备和移动设备是组合而成，很难安装旋转提升设备和移动设备。
另外，尽管对高度在确定范围的传统处理装置安装门设备没有较大困难，但在小高度的上盖上直接安装门设备却非常困难。
发明内容
为了解决上述问题，本发明的目的是提供一种真空处理装置，通过一升降单元从下盖分离出上盖，一水平移动单元来水平移动和旋转上盖，使真空处理装置的安装变得容易。
本发明的另一目的是提供一真空处理装置，通过从真空处理腔分隔出水平移动单元和升降单元，来防止由于上盖水平移动引起的震动传播到下盖。
本发明的另一目的是提供一真空处理装置，通过垂直于上盖和用于从下盖分离上盖的转移腔的连接方向上移动上盖，使真空处理装置的安装更有效的利用空间。
本发明的另一目的是提供一真空处理装置，其上盖可从下盖分开而不需要提升上盖，其通过上盖和下盖之间组成的空隙来连接上盖和下盖，构成真空处理装置。
为了实现上述目的，本发明提供一真空处理装置，包括一上盖和一下盖，上盖和下盖之间的连接是可分离的来组成真空处理空间；一对下部水平移动单元各自安装在下盖的各侧；一对上部水平移动单元，所述各上部水平移动单元在各下部移动单元之上可旋转的和上盖连接，并且在水平方向上移动从下盖分开的上盖；升降单元通过下部水平移动单元支撑并安装在其上，所述升降单元从下盖分离上盖或者通过提升或降低下部水平移动单元连接上盖和下盖。
各个上部水平移动单元包括一上部引导单元在上盖的各侧可旋转的连接上盖，和一连接到上部引导单元的上部水平移动单元，使水平移动能沿着上部引导单元，该上部水平移动单元可旋转的连接上盖；以及各个下部水平移动单元包括一下部引导单元，其以水平方向安装在下盖的各边，和一下部水平移动单元连接下部引导单元，使水平移动能沿着下部引导单元。升降单元包括至少一第一提升移动单元、该第一提升移动单元的一末端连接下部引导单元，其另一末端连接上部引导单元，第一提升移动单元提升或降低上部引导单元，和至少一第二提升移动单元、该第二提升移动单元一末端连接下部水平移动单元，其另一末端连接上部移动单元，第二提升移动单元提升或降低上部移动单元。
为了实现上述目的，本发明也提供一真空处理装置，包括一上盖和一下盖，上盖和下盖之间可分离的连接，组成一真空处理空间；一对水平移动单元，连接在上盖的两侧；和一对引导单元，每一引导单元安装在和连接每个水平移动单元的上盖的每一侧相对应的下盖的每一侧，并且引导水平移动单元的水平移动，使水平移动单元能够移动；其中所述一对引导单元包括安装在真空处理腔一侧的第一引导单元，和通过升降单元来支撑水平移动单元以及提升第一引导单元高度的第二引导单元。
第一引导单元是可活动的，并且上盖可和水平移动单元连接，上盖可通过一旋转驱动单元旋转。另外，升降单元可以是汽缸或起重螺旋。
水平移动单元可垂直于上盖连接邻近腔室的连接方向上水平移动上盖。
为了实现上述目的，本发明也提供一真空处理装置，包括一负载锁定腔来从外侧接收基片进行真空处理以及传输处理后的基片到外侧；一传输腔从负载锁定腔接收基片进行真空处理以及传输处理后的基片到负载锁定腔；和一真空处理腔从传输腔接收基片进行真空处理，在基片上应用真空处理以及传输处理后的基片到传输腔；其中真空处理腔包括一上盖和一下盖，上盖和下盖之间可分离的连接，组成真空处理空间；和一水平移动单元，通过垂直上盖连接邻近腔室连接方向移动上盖从下盖分离上盖。
为了实现上述目的，本发明也提供一真空处理装置，包括一上盖和一下盖，所述上盖和下盖彼此相互连接，用上盖和下盖之间形成的空隙组成真空处理空间；一腔体密封单元通过密封或解封空隙来密封和解封真空处理单元；以及一空隙保持单元来维持空隙，空隙保持单元安装在上盖和下盖。
腔体密封单元包括，至少一垂直上盖在上盖侧壁上安装的连杆；和一密封真空处理空间的密封臂，该密封臂和上述连杆的末端连接，并和上盖的内表面以及下盖的内表面相接触。该密封臂进一步由第一密封部件和上盖的内表面相接触，以及第二密封部件和下盖的内表面相接触组成。
密封臂接收单元根据密封臂的形状形成一定形状，其在上盖的边缘形成，为了密封臂连接上盖和密封真空处理空间。密封臂可有一锥形截面，上盖的内表面可有一与密封臂锥形截面相一致的倾斜表面。
腔体密封单元可包括，至少一垂直下盖在下盖侧壁上安装的连杆，和一密封真空处理空间的密封臂，该密封臂和上述连杆的末端连接，并和下盖的内表面以及上盖的内表面相接触。
空隙保持单元可包括安装在下盖四周的第一支撑架，和上盖连接的第二支撑架，以及至少一支撑件其一末端通过第一支撑架支撑，另一末端支撑并连接第二支撑架。
另外，空隙保持单元可包括水平移动单元，用于在水平方向移动上盖，和至少一支撑件，用于维持空隙。
水平移动单元可包括第一支撑架可旋转的和上盖连接，和第二支撑架安装在下盖的外表面；并且支撑件和第二支撑架连接，沿着第二支撑架移动，并支撑第一支撑架。
附图说明
图1是表示上盖可打开的传统真空处理装置一实例的透视图。
图2至图4是表示传统真空处理装置另一实例上盖打开过程的透视图。
图5是表示根据本发明第一实施例真空处理装置的透视图。
图6是图5中所示真空处理装置的投影图。
图7是图5中所示真空处理装置的真空处理腔的侧视图。
图8是图5中所示真空处理装置的真空处理腔的投影图。
图9至11是图5中所示真空处理腔打开过程的工作示意图。
图12是图11中所示真空处理腔的透视图。
图13是根据本发明第二实施例真空处理装置真空处理腔的透视图。
图14至17是图13所示真空处理腔打开过程的工作示意图。
图18是根据本发明的真空处理装置真空处理腔的剖面图。
图19是图18所示真空处理装置腔体密封单元的放大剖面图。
图20是图18所示真空处理装置调整后腔体密封单元的放大剖面图。
图21是图18所示真空处理装置另一调整后腔体密封单元的放大剖面图。
图22是图18所示真空处理装置再另一调整后腔体密封单元的放大剖面图。
图23是平行于图18所示真空处理腔和传输腔连接方向的真空处理腔的剖面图。
具体实施方式
在下文中，本发明所述的真空处理装置将参照附图进行详细说明。
本发明所述真空处理装置100由多个真空处理腔200构成，多腔类型用于处理基片比如用于LCD，等离子显示面板(PDP)，有机发光显示屏(OLED)的玻璃，等等。这就是说，如图5和6中所示的真空处理装置100，可能由多个传输腔120和负载锁定腔130组成。
三个用于蚀刻或喷镀的真空处理腔200围绕传输腔120排列。闸门阀102安装在传输腔120和负载锁定腔130之间，传输腔120和每个真空处理腔200之间，和负载锁定腔130的外侧开口上。闸门阀102可以是密闭的或是在各开口选择性开启的。
在负载锁定腔130的外部有两个盒式支撑单元104，在盒式支撑单元104上安置有暗盒108。要进行真空处理的基片106被接收进一个暗盒108中，真空处理完的基片106被接收进另一个暗盒108中。暗盒108可以通过一升降装置140提升或降低，并且只有一个暗盒108可以被安装。在只有一个暗盒108情况下，真空处理完的基片106被返回到同一个暗盒108的空闲空间。
一用于传输基片106的传输装置160被安装在两个暗盒108之间的支撑单元104上。传输设备160由上下排列的臂161，162和一支撑臂161、162的基座163构成，所述臂161，162在基座163上可完整的上升，降落和旋转。四个用于支撑基片106的凸体164排列在臂161、162上。凸体164由弹性材料比如高摩擦系数的合成橡胶制成，用以防止基片106移位或掉落。
各个真空处理腔200可包括一上盖210和一下盖220，其可分离地相互连接构成一真空处理空间，在真空处理空间降压下对基片106进行真空处理。用于真空处理空间降压的泵等被安装在真空处理腔200，为方便起见省略对它们的详细描述。
真空处理装置的传输腔120在真空处理腔200降压下被维持。一传输装置121被安装在传输腔120内。传输装置121在负载锁定腔130和三个真空处理腔200之间传输基片106。传输装置121可由延伸安装在基座122上的第一，第二和第三臂123，124，125构成。
第一臂123的一末端可旋转地连接在基座122上，第二臂124的一末端可旋转地连接在第一臂123的另一末端上，第三臂125的一末端可旋转地连接在第二臂124的另一末端上。第三臂125构成象叉子的形状用来支撑基片106。
第一，第二和第三臂123，124，125通过一个安装在基座122内部的驱动设备(未显示)驱动，并使第三臂125能够传送基片106。基座122的构造使其可以上移、下移和旋转。
负载锁定腔130在真空处理腔200降压下被维持。负载锁定腔130可被向上或向下分隔，待处理的基片106被送入负载锁定腔130的上部，处理后的基片106被送入负载锁定腔130的下部。图6中的查询数字131显示一支撑基片106的支撑平台。安排基片106位置的定位器132安装在负载锁定腔130里。
同时，包括上盖210和下盖220的真空处理装置的真空处理腔200需要被拆开来维持或修理真空处理腔200。
本发明提供各种结构分拆上盖210和下盖220，分拆上盖210和下盖220的各种结构将在下文中详细描述。
图7至12表示根据本发明第一实施例的真空处理装置。
根据本发明第一实施例的真空处理腔200，如图7和8所示，包括一上盖210和一下盖220，上盖210和下盖220可分离地相互连接构成一真空处理空间，一对下部水平移动单元410，所述下部水平移动单元410分别安装在下盖220的各侧；一对上部水平移动单元420，所述各个上部水平移动单元420在各个下部水平移动单元410上可旋转地和上盖210连接，并在水平方向上移动从下盖220上分离的上盖210；升降单元500通过下部水平移动单元410支撑并安装在其上，升降单元500将上盖210从下盖220上分离或通过提升或降低上部水平移动单元420连接上盖210与下盖220。
上盖210和下盖220可分离的相互连接，形成用于真空处理基片106的真空处理空间。一用于支撑下盖220的支撑架可被安装在下盖220之下，所述支撑架可由一系列支撑杆221组成。
同时，上盖210和下盖220可以有一种结构，例如内凹的容器，同时上盖210可以是一平坦的面板，即一盖子。
一对下部水平移动单元410，如图7和8所示，可包括安装在下盖220各侧的下部引导单元411，和连接各自下部引导单元411的下部水平移动单元412，其沿着下部引导单元411水平移动。
一对上部水平移动单元420可包括安装在上盖210各侧的上部引导单元421，和连接各上部引导单元421的上部水平移动单元422，其沿着上部引导单元421水平移动并与上盖210可旋转连接。
一对旋转轴123安装在上盖210的各个末端，各自插入上部水平移动单元422中通过其形成的通孔422a，并且至少有该对旋转轴123之一与驱动旋转轴123旋转的旋转驱动单元450连接。所述旋转驱动件450，如图5至7所示，可安装在上部水平移动单元422中的一个上。此外，旋转轴123更适于被安装在经过上盖210重心线的某点上，以便更稳固地支撑上盖210。
下部水平移动单元410和上部水平移动单元420的结构可以是导轨和滑块构件或滚筒，架子和小齿轮的组合，链带组合，线性运动导轨等等。
至少下部水平移动单元410和上部水平移动单元420中的一个，如图5至8所示，配有驱动马达430来移动下部水平移动单元412或上部水平移动单元422。
同时，下部水平移动单元410和下盖220的侧壁连接，更优选的是其和下盖220分离，因而防止由于上盖210的水平移动影响到下盖220所引起的振动等。
升降单元500，如图7和8所示，至少一第一提升移动单元510，该第一提升移动单元510一末端和下部引导单元411相连接，该第一提升移动单元510的另一末端和上部引导单元421相连接，该第一提升移动单元510提升或降低上部引导单元421，以及至少一第二提升移动单元520，该第二提升移动单元520的一末端和下部水平移动单元412相连接，该第二提升移动单元520的另一末端与上部水平移动单元422相连接，该第二提升移动单元520提升或降低上部水平移动单元422。
第一提升移动单元510和第二提升移动单元520可以是能上下移动的任何装置，例如气缸或起重螺旋等。
同时，下部引导单元411或下部水平移动单元412可进一步配有用于支撑下部引导单元411或下部水平移动单元412的支撑件530，如图7所示，第一提升移动单元510和第二提升移动单元520可被安装在支撑件530上。
同时，本发明第一实施例中的真空处理腔200上盖210的移动方向，可垂直于上盖210连接邻近腔室的连接方向，例如传输腔120，如图6中箭头所示。
在上盖210在以垂直于上盖210连接传输腔120的连接方向移动的情况下，和上盖210以平行于上盖210连接方向移动的结构相比，真空处理装置节省了空间。
本发明的第一实施例中真空处理装置真空处理腔的开启过程，将参照图9至12进行详细说明。
首先，如图9所示，上盖210通过操作升降单元500被提升并从下盖220上分离，该升降单元500包括第一提升移动单元510和第二提升移动单元520。
并且如图10所示，通过驱动驱动马达430，从下盖220分离的上盖210被水平移动。其中上盖210被水平移动到远大于上盖210旋转半径的位置，因而防止上盖210的旋转被干扰。
对上盖210的水平移动将进行更详细的描述。
驱动马达430被驱动用来移动与下部引导单元411相连接的下部水平移动单元412。通过第二提升移动单元520支撑的上部水平移动单元422依照下部引导单元411的移动一起移动。因此，和上部水平移动单元422相连接的上盖210被水平移动到某一位置。
同时，上盖210被水平移动到某一位置，如图11和12所示，通过旋转驱动单元450旋转。其中上盖210的旋转方向，根据工人便于保养和维修上盖210，可以是顺时针或逆时针，并且上盖210的旋转角度可以是从0到180°。
因为由于驱动马达430等引起的振动等等，当移动上盖210不直接传递到下盖220时，安装在下盖220中的内部装置或其内部环境不会受到振动等的影响。
本发明第一实施例中真空处理装置的结构可以被简化，因为用于旋转，升降和水平移动上盖以及从下盖分离上盖的装置并不作为一组合来构成。
此外，安装一个用来分离上盖，尤其是一个小高度上盖的设备并不困难，因为用来从下盖分离和升降上盖的装置是不安装到上盖的。
此外，本发明第一实施例真空处理装置的上盖应用于旋转轴的压力，可以被分散并且通过用一系列部件来支撑上盖造成上盖在某一方向上倾斜所引起的危险也可以被阻止。
图13至17表示本发明的第二实施例的真空装置。
在下文中，将参照附图，对本发明的第二实施例中的真空处理装置进行详细描述。其中，与第一实施例类似的结构将被省略，并且与第一实施例类似的结构将被标以相同数字。
本发明的第二实施例中的真空处理腔200，如图13所示，包括一上盖210和一下盖220，上盖210和下盖220可分离地互相连接构成真空处理空间，一对水平移动单元710各自连接上盖210的各边，和一对引导单元720，各引导单元720被安装在下盖220各边，引导水平移动单元710的水平移动使水平移动单元710能够移动。
水平移动单元710与引导单元730相连接并能够沿其滑动，并且可包括一个支撑体可旋转地支撑上盖210。其中，该支撑体可与一可滑动连接引导单元720的滑动件相连接。
引导单元720，如图13所示，可包括安装在真空处理腔200一侧的第一引导单元721，例如下盖220，和支撑水平移动单元710的第二引导单元722，其可通过升降单元800提升到第一引导单元721的高度。
第一引导单元721固定在安装到真空处理腔200一侧的第一支撑架730上。其中，第一支撑架730可被固定在真空处理腔200的一侧，或被可移动地安装。如果第一支撑架730是可移动地安装的，真空处理装置100的安装空间可以被有效利用。
第二引导单元722，如图13所示，支撑与升降单元800的一对升降移动单元810相连接的水平移动单元710。
同时，用于第一引导单元721和第二引导单元722和水平移动单元710的连接和驱动可以是任何结构，用来沿着第一引导单元721和第二引导单元722水平移动所述水平移动单元710，例如可以是导轨和滑块部件或轨道，架子和小齿轮的组合，链带组合，线性运动导轨等等。
在另一用于移动水平移动单元710的机械装置的例子中，用旋转轴213与上盖210连接的水平移动单元710，可通过穿透上盖210其中的导向孔(未显示)在上盖210的水平方向上形成，滚珠螺旋轴(未显示)螺旋连接并插入导向孔(未显示)中，以及用来旋转滚珠螺旋轴的驱动马达，从而水平地移动上盖210。
一个驱动单元(未显示)可被安装在水平移动单元710上，因此水平移动单元710可以沿着第一引导单元721和第二引导单元722移动。
升降单元800，如图13所示，可包括至少一升降移动单元810固定到支撑和升降第二引导单元722的第二支撑架830上。
一升降移动单元810，如图13所示，可优选的是一对，一种可升高或下降的装置，例如气缸，液压缸或第一实施例中所述的用伺服马达驱动的起重螺旋。
同时，第二支撑架830可一起支撑下盖220。
本发明的第二实施例中真空处理装置的真空处理腔的开启过程将进行详细描述。
首先，如图14和15所示，第二引导单元722通过驱动升降单元800被提升至第一引导单元721的高度。
如图15所示，当第二引导单元722被提升至第一引导单元721的高度，升降单元800停止驱动，如图16所示，水平移动单元710被驱动，上盖210被从第二引导单元722移动到第一引导单元721。
如图17所示，当上盖210到第一引导单元721的移动结束，通过驱动旋转驱动单元450，上盖210被旋转。
同时，为了维护和修理真空处理装置，用来从下盖分离上盖的分离过程，包括提升上盖，和在水平移动上盖后旋转上盖。
然而待处理基片的趋势是逐渐扩大，用于处理扩大的基片的真空处理装置需要被扩大，上盖和下盖形成的真空处理空间要被扩大，于是它们的重量增加，结果导致将上盖从下盖分离变得困难。
本发明也提供一真空处理装置，其上盖可从下盖分离而不用提升上盖。
也就是说，本发明中的真空处理腔，可包括一上盖210和一下盖220，上盖210和下盖220相互连接，并在上盖210和下盖220之间形成一个空隙来形成一真空处理空间；一通过密封或开启空隙来密封或开启真空处理空间的腔体密封单元310；和一用于维持空隙的空隙维护单元320，空隙保持单元320被安装到上盖210和下盖220上。
腔体密封单元310，如图18所示，可包括至少一垂直于上盖210在上盖210侧壁安装的连杆312；和一用于密封真空处理空间的密封臂313，该密封臂313连接到连杆312一末端并与上盖210一内表面和下盖220一内表面相接触。
连杆312垂直上盖210沿着上盖210的侧壁安装，可通过一线性运动装置(未显示)上下移动，例如气缸或液压缸。
优选的是，连杆312连接上盖210来密封腔室，以防止真空压力泄漏和等离子体反应。连杆312可由绝缘材料制成来防止真空处理空间中等离子体反应的影响，或者优选的是有绝缘材料涂层在连杆312的表面。
密封臂313根据连杆312的线性移动，通过紧密接触上盖210和下盖220的内表面来密封真空处理空间。
密封件313a，313b可进一步连接密封臂313来增强密封效果，如图18所示，并且包括紧密接触上盖210内表面的第一密封部件313a，和紧密接触下盖220内表面的第二密封部件313b。
同时，密封臂313可由绝缘材料制成以防止真空处理空间中等离子体反应的影响或优选的是有绝缘材料涂层在密封臂313的表面。
同时，一用于使连杆上下移动的导向凹槽211在上盖210的内表面形成。优选的是可在上盖210的边缘形成‘L’形等的阶梯部分。
也就是说，一密封臂接受单元214根据密封臂313的形状形成一定形状，其在上盖210的边缘形成，为了密封臂313与上盖210接触并密封真空处理空间，如图18所示。
图18中的参考数字230表示一进口供来自传输腔的基片106传送进入，该入口230在下盖220上形成用来安装连杆312。
同时，腔体密封单元310的连杆312和密封臂313被安装在下盖220而不是上盖210，如图20所示。其中入口230在上盖210上形成。在图20和22中的参考数字221表示一导向凹槽用来使在下盖220的连杆312能够上下移动，参考数字224表示一密封臂接受单元。
另外，如图21和22所示，腔体密封单元310的密封臂313可以是锥形形状来加强密封效果。
特别地是，密封臂313面对上盖210或下盖220内表面，可优选地有一锥形截面。
其中上盖210或下盖220的内表面有一与密封臂313的锥形截面相一致的倾斜表面。
同时，如图23所示，空隙保持单元320可包括围绕下盖220安装的第一支撑架321，与上盖210相连接的第二支撑架322，和至少一支撑件323，其一末端由第一支撑架321支撑，另一末端支撑并连接第二支撑架322。
第一支撑架321包括从下盖220分离，或与下盖220的外表面连接的分离架。
同时，空隙保持单元320与第一实施例中的上部水平移动单元，下部水平移动单元和升降单元的结构，与第二具体实施例中的导向单元和升降单元的结构，或与韩国专利已公布专利文献No.10-2001-0067439中公开的结构，也如图2至4所示，有相似的结构。
也就是说，第一支撑架321包括一对连接下盖220外壁的导轨，第二支撑架322可旋转地支撑上盖210。
支撑部件323可和一水平移动单元(未显示)相连接，并通过该水平移动单元沿第一支撑架321移动。
其中第一实施例和第二实施例中的升降单元500、800并不需要任何附加的升降功能来从下盖220分离上盖210。
也就是说，如图19至22所示，当需要从下盖220分离上盖210来维护和修理真空处理腔时，密封臂313通过移动连杆312来解封上盖210和下盖220。
当密封臂313解封上盖210和下盖220时，第一实施例和第二实施例中的上盖210可水平移动到某一确定位置，因为上盖210和下盖220在分离状态下维护的，在上盖210和下盖220之间有一空隙。
通过被旋转驱动单元旋转和被暴露到外侧，水平移动的上盖210被维护和修理。
根据上文所述，在维护和修理时，本发明中的真空处理装置使上盖移动而无需升降，防止了由于上盖移动所带来的损害，并且依照本发明所述真空处理装置的结构可以被简化。
本发明中真空处理装置结构可以被简化，因为用于旋转，升降和水平移动上盖以及从下盖分离上盖的装置并不作为一组合来构成。
此外，安装一个分离上盖的装置并不困难，特别是小高度的上盖，因为用来从下盖分离和升降上盖的装置是不安装到上盖的。
此外，本发明真空处理装置的上盖应用到旋转轴的压力，可以被分散并且通过用一系列部件来支撑上盖造成上盖在某一方向上倾斜所引起的危险也可以被阻止。
目前介绍和描述了各种优选实施例，但是在本发明所述精神和范畴下通过理解所述技术可进行多种变化和修改，因此相应地，本发明范畴并不仅仅局限于上文所描述的范围，而要依照下列权利要求及其等同物。

Claims (5)

1.一真空处理装置，该装置包括：
一上盖和一下盖，上盖和下盖可分离地相互连接，形成一真空处理空间；
一对水平移动单元，连接在上盖的两侧；
和一对引导单元，每一引导单元安装在和连接每个水平移动单元的上盖的每一侧相对应的下盖的每一侧，并引导水平移动单元水平移动，使水平移动单元能够移动；
其中该对引导单元包括安装在真空处理腔一侧的第一引导单元，以及支撑水平移动单元的第二引导单元，该第二引导单元能够通过升降单元被提升至第一引导单元的高度。
2.如权利要求1所述的真空处理装置，其中第一引导单元是可活动的。
3.如权利要求1或2所述的真空处理装置，其中上盖与水平移动单元可旋转地连接，并且上盖能够通过一旋转驱动单元旋转。
4.如权利要求1或2所述的真空处理装置，其中升降单元是汽缸或起重螺旋。
5.如权利要求1或2所述的真空处理装置，其中水平移动单元以垂直于上盖连接邻近腔室的连接方向上水平移动上盖。
CNB2006100010418A 2005-02-25 2006-01-17 真空处理装置 Active CN100444311C (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050016169A KR100667598B1 (ko) 2005-02-25 2005-02-25 반도체 처리 장치
KR1020050016169 2005-02-25
KR1020050059031 2005-07-01
KR1020050086577 2005-09-16

Related Child Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009101433305A Division CN101615569B (zh) 2005-02-25 2006-01-17 真空处理装置
CN200710188366A Division CN100578732C (zh) 2005-02-25 2006-01-17 真空处理装置
CNB2007101883670A Division CN100536070C (zh) 2005-02-25 2006-01-17 真空处理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1825535A CN1825535A (zh) 2006-08-30
CN100444311C true CN100444311C (zh) 2008-12-17

Family

ID=36936113

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009101433305A Active CN101615569B (zh) 2005-02-25 2006-01-17 真空处理装置
CN200710188366A Expired - Fee Related CN100578732C (zh) 2005-02-25 2006-01-17 真空处理装置
CNB2006100010418A Active CN100444311C (zh) 2005-02-25 2006-01-17 真空处理装置
CNB2007101883670A Active CN100536070C (zh) 2005-02-25 2006-01-17 真空处理装置

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009101433305A Active CN101615569B (zh) 2005-02-25 2006-01-17 真空处理装置
CN200710188366A Expired - Fee Related CN100578732C (zh) 2005-02-25 2006-01-17 真空处理装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2007101883670A Active CN100536070C (zh) 2005-02-25 2006-01-17 真空处理装置

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR100667598B1 (zh)
CN (4) CN101615569B (zh)

Families Citing this family (316)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4664142B2 (ja) * 2005-07-21 2011-04-06 住友重機械工業株式会社 ステージ装置
KR100773720B1 (ko) * 2006-11-23 2007-11-06 주식회사 아이피에스 진공처리장치 및 진공처리장치의 개폐방법
KR100925172B1 (ko) * 2007-12-24 2009-11-05 주식회사 에이디피엔지니어링 리드 개폐장치 및 방법
KR101000330B1 (ko) * 2008-04-22 2010-12-13 엘아이지에이디피 주식회사 기판처리장
KR101036186B1 (ko) * 2008-04-22 2011-05-23 엘아이지에이디피 주식회사 기판처리장치
KR101036605B1 (ko) * 2008-06-30 2011-05-24 세메스 주식회사 기판 지지 유닛 및 이를 이용한 매엽식 기판 연마 장치
KR101544901B1 (ko) * 2008-11-10 2015-08-17 주식회사 원익아이피에스 진공처리장치 및 그 샤워헤드 교체방법
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
CN103367195B (zh) * 2012-03-26 2016-11-23 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种适用于具有多处理腔的半导体设备的传输腔顶盖
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
CN103151243B (zh) * 2012-12-31 2016-08-03 上海新阳半导体材料股份有限公司 电子元件生产用密封容器
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
CN103213815B (zh) * 2013-03-07 2015-04-29 陈立明 一种嵌入转子的螺旋调速定量给料机
TWI698910B (zh) * 2013-12-13 2020-07-11 日商荏原製作所股份有限公司 雷射長度測量器的反射鏡之支撐構造
CN104726843B (zh) * 2013-12-19 2017-09-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 透明窗的密封装置及反应腔室
JP6293499B2 (ja) * 2014-01-27 2018-03-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
CN104451581B (zh) * 2014-12-29 2017-02-22 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 磁控溅射镀膜真空箱体
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10043689B2 (en) 2015-06-05 2018-08-07 Hirata Corporation Chamber apparatus and processing system
TWI600853B (zh) * 2015-06-05 2017-10-01 Hirata Spinning Chamber device and processing system
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102532607B1 (ko) * 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN107587101A (zh) * 2017-08-31 2018-01-16 北京创昱科技有限公司 一种浮动连接装置及便于拆装该浮动连接装置的维护工装
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
CN108776559B (zh) * 2018-09-03 2024-09-03 青岛润安源智能科技有限公司 一种安全的触摸屏装置
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
KR20200038184A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
CN109850573A (zh) * 2018-12-04 2019-06-07 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 传送机台
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
CN112151421B (zh) * 2020-09-25 2024-04-16 北京北方华创微电子装备有限公司 一种用于半导体装置的开盖机构及半导体设备
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08100260A (ja) * 1994-09-30 1996-04-16 Ulvac Japan Ltd 真空処理装置
US6565662B2 (en) * 1999-12-22 2003-05-20 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus for semiconductor process
CN1429404A (zh) * 2000-05-17 2003-07-09 东京毅力科创株式会社 处理装置及其维护方法、处理装置部件的装配机构及其装配方法、锁定机构及其锁定方法
CN1576388A (zh) * 2003-07-07 2005-02-09 株式会社神户制钢所 真空蒸镀装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2617030Y (zh) * 2003-02-11 2004-05-19 厦门大学 硅与硅真空键合装置
CN2613647Y (zh) * 2003-05-09 2004-04-28 西安理工大学 一种防泄漏的真空密封装置
KR100515955B1 (ko) * 2003-11-18 2005-09-23 주식회사 에이디피엔지니어링 상부 커버를 개폐할 수 있는 개폐장치가 구비된평판표시소자 제조장치의 공정챔버
KR100640559B1 (ko) * 2004-06-17 2006-10-31 주식회사 에이디피엔지니어링 평판표시소자 제조장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08100260A (ja) * 1994-09-30 1996-04-16 Ulvac Japan Ltd 真空処理装置
US6565662B2 (en) * 1999-12-22 2003-05-20 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus for semiconductor process
CN1429404A (zh) * 2000-05-17 2003-07-09 东京毅力科创株式会社 处理装置及其维护方法、处理装置部件的装配机构及其装配方法、锁定机构及其锁定方法
CN1576388A (zh) * 2003-07-07 2005-02-09 株式会社神户制钢所 真空蒸镀装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN101174552A (zh) 2008-05-07
CN1825535A (zh) 2006-08-30
CN100536070C (zh) 2009-09-02
CN101615569A (zh) 2009-12-30
KR100667598B1 (ko) 2007-01-12
CN100578732C (zh) 2010-01-06
CN101192511A (zh) 2008-06-04
KR20060094746A (ko) 2006-08-30
CN101615569B (zh) 2012-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100444311C (zh) 真空处理装置
US8187384B2 (en) Vacuum processing apparatus
CN100521080C (zh) 用于制造平板显示器的设备
CN100373542C (zh) 真空加工设备
KR100773263B1 (ko) 진공처리장치
KR101003725B1 (ko) 진공처리장치
KR100965515B1 (ko) 평판표시소자 제조장치
KR20050081426A (ko) 평판표시소자 제조장치
JP2000144430A (ja) 真空処理装置及びマルチチャンバ型真空処理装置
KR100752934B1 (ko) 진공처리장치
KR100740452B1 (ko) 진공처리장치
KR20050086268A (ko) 평판표시소자 제조장치
KR20090088733A (ko) 공정 챔버 및 이것을 포함하는 평판표시소자 제조장비
KR100596339B1 (ko) 평판표시소자 제조장치 유지/보수용 개폐장치
KR100803727B1 (ko) 진공처리장치
KR100856679B1 (ko) 평판표시소자 제조장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: YUANYI IPS CO., LTD.

Free format text: FORMER NAME: IPS CO., LTD.

CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee after: WONIK IPS Co.,Ltd.

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee before: Wonik IPS Co.,Ltd.

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
C56 Change in the name or address of the patentee
CP03 Change of name, title or address

Address after: Gyeonggi Do Korea Pyeongtaek paint 78-40 (jije Dong strange street)

Patentee after: Lap Yi Cmi Holdings Ltd.

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee before: WONIK IPS Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20160729

Address after: South Korea Gyeonggi Do Ping Ze Zhenwei Zhenwei group produced 75 road surface

Patentee after: WONIK IPS Co.,Ltd.

Address before: Gyeonggi Do Korea Pyeongtaek paint 78-40 (jije Dong strange street)

Patentee before: Lap Yi Cmi Holdings Ltd.