JPH11350138A - 基板に薄膜を被着するための真空処理設備及び基板に耐摩耗性の硬質薄膜を成膜する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 真空処理プロセスを有利に現存の生産ライン
に組み込んで真空処理設備の構造スペースを節減すると
共に、該真空処理設備の利用可能性並びに該真空処理設
備における有利なワークの成膜方法を提供する。 【解決手段】 １つのトランスファ室５と、該トランス
ファ室の外周に配置されていて基板３６，３８，４０，
４２をロックゲート式に搬入・搬出するために夫々共通
の出入口を介して前記トランスファ室に接続された複数
の処理室６，８，１０，１２と、該処理室間で基板３
６，３８，４０，４２を搬送するための操縦装置２４が
配備されており、該操縦装置が、前記基板を把持するた
めに旋回可能かつ／又は回転可能な保持部分を備えた少
なくとも１つの基板ホルダー３７，３９，４１，４３を
有し、該基板ホルダーによって前記基板が、前記処理室
６，８，１０，１２内で旋回可能かつ／又は回転可能で
ある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、硬質薄膜を基板に
被着させる真空処理設備に関する。この形式の真空処理
設備は、１つのトランスファ室と、該トランスファ室に
対応配置された複数の処理室とを配備し、該処理室に対
して、成膜すべき基板が、前記トランスファ室内に配置
された操縦装置によって搬入・搬出される。

【０００２】

【従来の技術】負圧条件下で進行する成膜法によって基
板を成膜するためには、基板の所要処理ステーションに
相応して構成された多種多様の型式の設備が公知であ
る。所望の成膜法、例えばスパッタリング成膜法又は蒸
着成膜法に応じて、かつ基板面に析出すべき膜システム
に関連して、種々異なった型式の真空処理設備が使用さ
れる。従って例えば複数の個別膜から成る膜システム
は、基板が順々に個々の成膜ステーションを通過するこ
とによって基板面に作製され、しかも各成膜ステーショ
ンにおいて固有の個別膜が基板面に析出される。その他
の処理ステーションが必要になるのは、基板に付加的に
熱処理を施さねばならない場合、或いは基板表面にプラ
ズマエッチングプロセスによって前処理又は後処理を施
さねばならない場合である。個々の処理ステーション
は、公知のようにクラスター式真空処理設備を形成し
て、或いはインライン式真空処理設備として配置され
る。所謂インライン式真空処理設備の場合には個々の処
理ステーションは順次相前後して配置されており、かつ
個々の処理ステップを実施するために基板は、順次これ
らの処理ステーションを通って搬送される。前記インラ
イン式真空処理設備の利点は、該設備が真空処理に先立
つ又は後続する加工法のプロセス内に組み込まれること
である。前記クラスター式真空処理設備の場合個々の処
理室は、実質的に中央操作室の外周に配置されており、
前記中央操作室内には、基板を個々の処理室間で搬送す
る操縦装置が設けられている。

【０００３】クラスター式真空処理設備の主たる利点
は、該クラスター式真空処理設備がスペースを節減して
コンパクトに構成されている点にある。しかしながら該
クラスター式真空処理設備の欠点は、処理すべき基板を
所謂「回分操作」式でしか加工できないことである。イ
ンライン式真空処理設備の場合に可能であるような、連
続的なロックゲート通過は、クラスター式真空処理設備
の場合には原則として不可能である。従ってクラスター
式真空処理設備では、最小限数の被処理基板が、処理ス
テーションの１つに封じ込められており、かつ全ての基
板の加工を行なった後で一緒にクラスター式真空処理設
備から搬出される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、真空
処理プロセスによって基板の加工を可能にする真空処理
設備を提供し、しかも真空処理プロセスを有利に現存の
生産ラインに組み込んで真空処理設備の構造スペースを
節減すると共に、該真空処理設備の利用可能性並びに該
真空処理設備における有利なワークの成膜方法を提供す
ることである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】前記課題は、本発明の真
空処理設備に関しては請求項１の特徴部に記載した構成
手段によって、該真空処理設備の利用に関しては請求項
６の特徴部に記載した構成手段によって、かつ基板に耐
摩耗性の硬質膜を成膜する方法に関しては請求項８の特
徴部に記載した構成手段によって解決される。

【０００６】

【発明の効果】本発明の真空処理設備は主として、１つ
のトランスファ室並びに、該トランスファ室の外周に配
置されていて、ロックゲート式に基板を搬入・搬出する
ための共通の開口を介して前記トランスファ室に接続さ
れた複数の処理室から成っている。前記トランスファ室
内には操縦装置が設けられており、該操縦装置によって
基板は処理室間を移送される。このために操縦装置は少
なくとも１つの基板ホルダーを有しており、該基板ホル
ダーによって、搬送すべき基板が保持される。個々の処
理室内部における基板の均等な処理は、基板ホルダーが
旋回可能及び／又は回転可能な保持部分を有することに
よって保証され、該保持部分に前記基板は固定されてお
り、かつ該保持部分によって、各処理室内に位置してい
る基板は加工中に旋回可能及び／又は回転可能である。

【０００７】また本発明の真空処理設備は、蓋によって
閉鎖可能な外側出入口を備えた少なくとも１つの処理室
を有している。この外側出入口を通して、成膜すべき基
板が真空処理設備内へ搬入され、或いは成膜処理済みの
基板が該真空処理設備から搬出される。本発明によって
得られる顕著な利点は、真空処理設備に、成膜すべき基
板を連続的に装入し、次いで真空処理プロセスを該基板
に施した上で、同じく連続的に該基板を真空処理設備か
ら取り出せることである。同時に本発明の真空処理設備
はコンパクトな構造を有しており、このコンパクトな構
造は、これを現存の生産プロセス設備内へ有利に組み込
むことを可能にする。更に、成膜処理を施すべき基板
を、旋回可能及び／又は回転可能な保持部分に保持する
ことによって、個々の処理室内において、基板に対して
作用する加工プロセスを該基板に均等に施すことが保証
される。これによって、成膜すべき基板に、例えば析出
すべき膜が、基板表面の種々異なった部位で、成膜源に
対する異なった方位の故に異なった厚さに成長する不都
合が回避される。これによって膜厚が基板形状に関連す
ることが有利に避けられる。

【０００８】基板に成膜処理を施すために、処理室の少
なくとも１つに、真空成膜装置、殊に真空蒸着装置を配
置することが提案される。基板に成膜を施すために真空
蒸着装置では、蒸着すべきかつ析出すべき物質は、給熱
によって溶融又は蒸発され、かつ基板が、蒸発した物質
を基板表面に沈着させるために物質蒸発雲内へ搬入され
る。

【０００９】本発明の真空処理設備は、真空蒸着法によ
ってワーク面に硬質薄膜を均等に析出するのに適してい
る。このために成膜すべきワークは、ヒーターの配置さ
れた第１の処理室内で先ず、充分に高い温度、殊に＞８
００℃に加熱され、かつ、加熱された状態で操縦装置に
よって、蒸着装置を有する第２の処理室内へ移送され
る。硬質薄膜は例えばタイプＭＣｒＡｌＹの金属合金か
ら成り、但し合金成分Ｍは、請求項５に記載した通り、
ニッケル、コバルト又は鉄の少なくとも１つの物質から
成るか又は、ニッケル、コバルト又は鉄の１つの物質成
分を有する合金から成っている。前記組成の基本合金か
ら成る蒸着物質を溶融するためには、後置の電子線蒸着
源の使用が提案される。このために蒸着源には、マガジ
ンから溶融物質が殊に棒状で供給される。

【００１０】本発明の真空処理設備は、タービン設備で
使用するために設けられているようなワーク面に硬質膜
を成膜するために特に適している。特に本発明の真空処
理設備を用いて、タービン羽根、殊にガスタービン設備
で使用されるタービン羽根に、金属製及び／又はセラミ
ック製の硬質・耐食性断熱層膜を成膜することが可能で
ある。但し本発明の真空処理設備を使用して成膜された
タービン羽根の使用分野は原理的にはガスタービン設備
に限定されるものではない。

【００１１】本発明の真空処理設備を用いて基板に耐摩
耗性の硬質膜を成膜するための本発明の方法は、以下に
述べる方法上の複数の処理段階から成っている。

【００１２】成膜すべき基板が先ず外部空間から、外側
出入口を有する第１の処理室内へ搬入され、かつこの第
１の処理室内へ突入している基板ホルダー上に位置決め
されねばならない（請求項８の部分特徴ａ参照）。前記
第１の処理室（ローディング・アンローディング室）
の、外側出入口に対向する内側出入口はローディング操
作中、閉鎖板によって真空密にトランスファ室に対して
密閉される。次いで前記第１の処理室は、圧力平衡を得
るために、トランスファ室内に調整された負圧に排気さ
れる。成膜処理を施すべき単数又は複数の基板を第１の
処理室からトランスファ室内へ移送するためには操縦装
置の作動によって閉鎖板が基板と共に、閉鎖位置から、
これに対応した開放位置へ移動される（請求項８の部分
特徴ｃ参照）。このために操縦装置は、トランスファ室
の真空室蓋内及び／又は真空室底板内に支承された軸又
はねじスピンドルを有し、該ねじスピンドルは、これに
所属の作動器を回転することによって、該作動器と結合
された閉鎖板を、半径方向内寄りの開放位置から半径方
向外寄りの閉鎖位置へ、或いは該閉鎖位置から前記開放
位置へ移動させる。作動器は例えばレバー伝動機構又は
テレスコーブ式のジブから成っており、前記レバー機構
の一端は、スピンドルに沿って回転するスピンドルナッ
トに枢着され、かつ他端は閉鎖板と連結されている。前
記閉鎖板は、処理室に対面した側面に基板ホルダー又は
基板グリッパを有している。

【００１３】操縦装置を例えば９０゜又は１８０゜の回
転角度だけ回動することによって、基板は閉鎖板と一緒
に、第１の処理室の開放位置から、第２の処理室に関わ
る開放位置へ移送される。操縦装置のスピンドル駆動装
置又は軸駆動装置の作動によって基板はこの開放位置か
ら、これに対応した閉鎖位置へ移送され、これに伴って
単数又は複数の基板は、第２の処理室内へ搬入され、同
時に該処理室は閉鎖板によって真空密にトランスファ室
から隔離される。耐食性の硬質薄膜で基板に成膜処理を
施すためには基板は全成膜プロセス中、最低プロセス温
度に加熱されねばならない。このために第２の処理室は
ヒーターを有し、該ヒーターによって基板は、例えば少
なくとも８００℃、殊に有利には少なくとも１０００℃
の所要プロセス温度に加熱される。

【００１４】加熱された基板は操縦装置によって、ロー
ディング室としての第１の処理室から加熱室としての第
２の処理室への搬送と同様の方式で、次いでこの第２の
処理室から成膜室としての第３の処理室へ供給される。
この真空処理室内には、真空成膜源、殊に蒸着源が位置
し、該蒸着源によって、基板面に析出すべき物質が蒸発
される。成膜プロセスの間、殊に物質蒸発雲内で回転も
しくは旋回させられる基板には、これによって該基板の
立体的形状には関わりなく、均等に成膜処理が施され
る。硬質の薄膜を被着するためには、公知の電子線式蒸
発器によって溶融物質を蒸発温度に加熱するのが有利と
判った。蒸着すべき溶融物質は高い溶融温度を有してい
るので、溶融物質に対して局所的に照射する電子線によ
って、所要の溶融温度又は蒸発温度が得られる。

【００１５】成膜段階が終了した後に基板は、第３の処
理室の開放位置を経て、これに続いて操縦装置を例えば
９０゜の回転角度だけ回動することによって、隣接した
前記第１の処理室の開放位置へもたらされる。基板はこ
の開放位置から、閉鎖可能な外側出入口を有する第１の
処理室の閉鎖位置へ移送され、それによってこの第１の
処理室の内部は、閉鎖板によって真空密にトランスファ
室から隔離される。ローディング・アンローディング室
として構成されたこの第１の処理室を通気した後に、成
膜処理済みの基板は、例えばロボット操縦によって該ロ
ーディング・アンローディング室の外側出入口を通って
取出される。

【００１６】処理室の個数は、規定の真空処理プロセス
に関連して選ばれるのが有利である。殊に有利には処理
室は相互に等間隔をおいてトランスファ室の外周に配置
される。隣接した開放位置間で基板を搬送するための操
縦装置の回動角αは３６０゜／ｎであり、その場合ｎは
処理室の個数に等しい。本発明の真空処理設備では処理
室は不等の相互間隔で配置されてもよく、この場合は２
つの処理室間の搬送角度については異なった回動角αが
生じる。

【００１７】

【発明の実施の形態】次に図面に基づいて本発明の特に
有利な実施例を詳説する。

【００１８】図１には、全部で４つの処理室６，８，１
０，１２を有する真空処理設備２が図示されている。前
記の処理室６，８．１０，１２は１つのトランスファ室
５の外周に配置されており、しかも該トランスファ室５
は八面体横断面を有し、該横断面の１つ置きの八面体側
面に、夫々個々の処理室６，８，１０，１２がフランジ
締結されている。

【００１９】各内側出入口１７，１９，２１，２３を介
して各処理室６，８，１０，１２はトランスファ室５の
内部に接続されている。個々の処理室６，８，１０，１
２の機能は１つの処理サイクルを完結するために夫々異
なっており、各処理室の機能は次の通りである。すなわ
ち： （ａ）処理室６は、基板３６のローディング・アンロー
ディング室として役立てられる； （ｂ）処理室１２は、基板４２，４２′に前処理及び／
又は後処理を施すために役立てられる； （ｃ）処理室１０は、加熱室として構成されており、該
加熱室内で基板４０は、規定の温度に加熱される； （ｄ）処理室８は成膜室として構成されており、該成膜
室内で基板３８に、成膜源６５を使用して成膜処理が施
される。

【００２０】個々の処理室６，８，１０，１２並びにト
ランスファ室５は、真空ポンプ１４，１６，１８を介し
て負圧に排気される。トランスファ室５内には実質的に
前記処理室６，８，１０，１２の中心に操縦装置２４が
配置されており（図１参照）、該操縦装置は、処理室
６，８，１０，１２間で基板３６，３８，４０，４２，
４２′を搬送するためのものである。操縦装置２４は、
回転軸２２を中心として回転可能に支承された回転架台
２０から成っている。該回転架台２０は、回転駆動軸５
５（図３参照）を介して回転架台２０と連結された伝動
装置６１を介して、モータ６０によって駆動される。回
転架台２０には、処理室６，８，１０，１２の個数に相
応して全部で４つの閉鎖板２６，２８，３０，３２が配
置されている。該閉鎖板２６，２８，３０，３２は処理
室の各内側出入口１７，１９，２１，２３を閉鎖するた
めのものである。このために閉鎖板２６，２８，３０，
３２は、抗張・抗圧ステー４８ａ，４８ｂ；４９ａ，４
９ｂ；５０ａ，５０ｂ；５１ａ，５１ｂとして構成され
た操作器に夫々装着されている。該抗張・抗圧ステー４
８ａ，４８ｂ；４９ａ，４９ｂ；５０ａ，５０ｂ；５１
ａ，５１ｂの一端は回転架台２０に枢着されており、か
つ他端は、該他端に連結された閉鎖板２６，２８，３
０，３２を垂直方向に保持している。各処理室の内側出
入口１７，１９，２１，２３を閉鎖するために閉鎖板２
６，２８，３０，３２は、半径方向内寄りの開放位置か
ら半径方向外寄りの閉鎖位置へ移動され、この場合、駆
動軸５７と直接協働する又はねじスピンドルを介して該
駆動軸と協働する操作器は、レバー伝動機構又はテレス
コープ式ジブとして構成されている。

【００２１】各閉鎖板２６，２８，３０，３２は、処理
室６，８，１０，１２に対面した側面に基板ホルダー
（又は基板グリッパ）３７，３９，４１，４３を有し、
該基板ホルダーによって基板３６，３８，４０，４２，
４２′は把持されて搬送される。前記の各基板ホルダー
３７，３９，４１，４３は個々の閉鎖板２６，２８，３
０，３２に旋回可能に枢着されている。図示を省いた駆
動機構によって基板３６，３８，４０，４２，４２′
は、特に個々の処理プロセス中に処理室６，８，１０，
１２内において（図２及び図３参照）旋回可能又は回転
可能である。この手段によって例えば熱作用もしくは基
板３６，３８，４０，４２，４２′の面に析出すべき成
膜物質の作用は、基板３６，３８，４０，４２，４２′
が不規則な表面を有している場合であっても、基板の全
範囲にわたって均等に行なわれる。

【００２２】基板部分に真空成膜処理を施すために該基
板部分は、個別に又は他の基板部分と一緒に、処理室６
つまりローディング・アンローディング室内へ侵入する
基板ホルダー３７に固定される。蓋９を閉鎖した後に前
記ローディング・アンローディング室６は、トランスフ
ァ室５内を支配している負圧値に排気される。操縦装置
２４の作動によって、基板３６及び閉鎖板２６は先ず、
対応配置された開放位置２６′へ移送される。これと同
期的に残りの基板３８，４０，４２は、所属の閉鎖板２
８，３０，３２と一緒に各閉鎖位置から、処理室８，１
０，１２に対応配置された開放位置２８′，３０′，３
２′へ移送される。次の処理室へ基板３６，３８，４
０，４２を更に移送するために搬送駆動装置５４（図２
参照）が作動され、かつ回転架台２０が操縦装置２４及
び基板３６，３８，４０，４２と一緒に搬送方向Ｄへ移
送される。

【００２３】蒸着によって被着される硬質薄膜で基板に
成膜処理を施すためには、全成膜プロセスの間、基板を
８００℃以上の温度、殊に有利には１０００℃以上の温
度に維持することが必要である。このために、加熱すべ
き基板は先ずローディング・アンローディング室６から
１８０゜の回動によって処理室１０つまり加熱室に対向
位置決めされ、スピンドル駆動ユニット５６の作動によ
って開放位置３０′から対応した閉鎖位置へ移動され
る。加熱室１０内に設けられたヒーター１１によって基
板４０は、回転方向Ｒに同時回転しつつ、プレセレクト
した目標温度に加熱される。加熱段階の終了後に基板４
０は開放位置３０′へ半径方向に移動され、かつ回転軸
２２を中心とする回転架台２０の９０゜回動運動と半径
方向の搬送運動とによって処理室８つまり成膜室内へ移
送される。成膜室８内で基板３８は次いで、蒸発した溶
融物質６６を基板３８に沈着させるために、例えば慣用
の蒸着源６５によって発生される物質蒸発雲Ｗ内へもた
らされる。基板３８における沈着部位には関わりなく基
板３８に均等かつ均質に成膜を施すために、基板３８は
基板ホルダー３９の軸線を中心として回転方向Ｒに（図
４も参照）回転する。前記蒸着源６５つまり成膜源は、
電子線式蒸着源ユニットであり、該電子線式蒸着源は慣
用の電子線銃４４及び蒸発器６５から成っている。蒸発
させるべき溶融物質６６は溶融物質マガジン６８（図４
参照）から棒の形で蒸発器６５に供給される。電子線銃
４４から発射された電子線ＥＢは例えば３５ＫｅＶのエ
ネルギーをもって、蒸発器６５から突出する棒状の溶融
物質６６の自由端面に照射され、かつ、図示は省いた
が、コイルによって発生された磁界によって変向ガイド
される。溶融物質６６は、電子線ＥＢの照射部位で溶融
し、物質蒸発雲Ｗを形成しつつ蒸発し、該物質蒸発雲は
基板３８の基板表面に沈着する。

【００２４】基板３８の成膜段階が終了した後に、該基
板は、真空処理設備２からロックゲート式に搬出するた
めにローディング・アンローディング室６の更なる９０
゜搬送サイクルによって搬送されるか、或いは処理室１
２で後処理される。後処理プロセスとしては、反応性の
酸化物ガスを取入れることによって、成膜処理済みの基
板の補足的な酸化が行なわれるか、或いは基板に更なる
熱処理が施される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による真空処理設備の断面平面図であ
る。

【図２】図１のＢ−Ｂ′断面線に沿った本発明による真
空処理設備の断面図である。

【図３】図１のＡ−Ａ′断面線に沿った本発明による真
空処理設備の断面図である。

【図４】図１のＥ−Ｅ′断面線に沿って部分的に断面し
て示した本発明による真空処理設備の側面図である。

【符号の説明】

２ 真空処理設備、 ３ 架台、 ４ａ，４ｂ，４
ｃ 室壁、 ５トランスファ室、 ６ 処理室（ロ
ーディング・アンローディング室）、 ７外側出入口、
８ 処理室（成膜室）、 ９ 蓋、 １０ 処
理室（加熱室）、 １１ ヒーター、 １２ 処理
室（前処理室又は後処理室）、１３ 加熱装置、 １
４ 真空ポンプ、 １６ 真空ポンプ、 １７内側
出入口、 １８ 真空ポンプ、 １９ 内側出入
口、 ２０ 回転架台、 ２１ 内側出入口、 ２
２ 回転軸、 ２３ 内側出入口、 ２４ 操縦
装置、 ２６ 閉鎖板、 ２６′ 開放位置、 ２
８ 閉鎖板、 ２８′ 開放位置、 ３０ 閉鎖
板、 ３０′ 開放位置、 ３２閉鎖板、 ３２′
開放位置、 ３６ 基板（タービン羽根）、 ３７
基板ホルダー（基板グリッパ）、 ３８ 基板（ター
ビン羽根）、 ３９基板ホルダー（基板グリッパ）、
４０ 基板（タービン羽根）、 ４１基板ホルダー
（基板グリッパ）、 ４２，４２′ 基板（タービン
羽根）、４３ 基板ホルダー（基板グリッパ）、 ４
４，４６ 電子線銃、 ４８ａ，４８ｂ；４９ａ，４
９ｂ；５０ａ，５０ｂ；５１ａ，５１ｂ 抗張・抗圧
ステー、 ５２，５３ アーム、 ５４ 搬送駆動
装置、 ５５ 回転駆動軸、 ５６ スピンドル駆
動ユニット、 ５７ 駆動軸（スピンドル）、５８
モータ、 ５９ 伝動装置、 ６０ モータ、
６１ 伝動装置、 ６２，６３ アーム、 ６５
蒸着源（成膜源）、 ６６ 溶融物質、 ６７
材料送り装置、 ６８ 溶融物質マガジン、 ７０
溶融物質、 Ｒ 基板回転方向、 ＥＢ 電子
線、 Ｔ シフト区間、 Ｄ搬送方向、 Ｗ 物質
蒸発雲

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 クラウス ミヒャエル ドイツ連邦共和国 ゲルンハウゼン シェ ーネ アウスジヒト 16アー

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 １つのトランスファ室（５）と、該トラ
   ンスファ室の外周に配置されていて基板（３６，３８，
   ４０，４２）をロックゲート式に搬入・搬出するために
   夫々共通の出入口を介して前記トランスファ室に接続さ
   れた複数の処理室（６，８，１０，１２）と、前記の処
   理室（６，８，１０，１２）間で基板（３６，３８，４
   ０，４２）を搬送するための操縦装置（２４）が配備さ
   れており、該操縦装置（２４）が、基板（３６，３８，
   ４０，４２）を把持するために旋回可能かつ／又は回転
   可能な保持部分を備えた少なくとも１つの基板ホルダー
   （３７，３９，４１，４３）を有し、該基板ホルダーに
   よって基板（３６，３８，４０，４２）が、処理室
   （６，８，１０，１２）内で旋回可能かつ／又は回転可
   能であることを特徴とする、基板に薄膜を被着するため
   の真空処理設備。
2. 【請求項２】 少なくとも１つの処理室（６）が、蓋
   （９）によって閉鎖可能な外側出入口（７）を有してお
   り、該外側出入口を通って基板（３６，３８，４０，４
   ２）が真空処理設備内へ搬入可能かつ／又は真空処理設
   備から搬出可能である、請求項１記載の真空処理設備。
3. 【請求項３】 少なくとも１つの処理室（１０）が、基
   板（３６，３８，４０，４２）を加熱させることのでき
   るヒーター（１１）を有している、請求項１記載の真空
   処理設備。
4. 【請求項４】 少なくとも１つの処理室（６）が真空成
   膜装置、殊に真空蒸着装置（４４，４６）を有し、該真
   空成膜装置によって基板（３６，３８，４０，４２）
   が、蒸着すべき物質で成膜される、請求項１記載の真空
   処理設備。
5. 【請求項５】 蒸着すべき材料物質（６６）が、組成Ｍ
   ＣｒＡｌＹの基本合金から成り、しかも該基本合金の成
   分Ｍが、ニッケル、コバルト又は鉄の少なくとも１つの
   物質或いは、ニッケル、コバルト又は鉄の少なくとも１
   つの物質成分を含む合金を有している、請求項４記載の
   真空処理設備。
6. 【請求項６】 基本合金の成分Ｍがニッケル、コバル
   ト又は鉄の少なくとも１つの物質を含むようなＭＣｒＡ
   ｌＹ基本合金から成る硬質薄膜でワークに成膜処理を施
   すために使用される、請求項１から５までのいずれか１
   項記載の真空処理設備。
7. 【請求項７】 タービン設備で使用するために設けられ
   たワーク（３６，３８，４０，４２）、特にタービン羽
   根（３６，３８，４０，４２）に請求項６記載の硬質薄
   膜を形成するために使用される真空処理設備。
8. 【請求項８】 請求項１から６までのいずれか１項記載
   の真空処理設備を用いて基板（３６，３８，４０，４
   ２）に耐摩耗性の硬質薄膜を成膜する方法において、次
   の処理段階ａ）〜ｎ）を有していること、すなわち： ａ）成膜処理すべき基板（３６）を外部空間から第１の
   処理室（６）の外側出入口（７）を通して該第１の処理
   室（６）内へ装入し、該処理室（６）内へ突入する基板
   ホルダー（３７）に前記基板（３６）を位置決めし、 ｂ）負圧を有するトランスファ室（５）と前記第１の処
   理室（６）との間に圧力平衡を生ぜしめるために、この
   第１の処理室（６）を排気し、 ｃ）前記基板（３６）を所属の閉鎖板（２６）と共に、
   前記第１の処理室（６）に関連した閉鎖位置から開放位
   置（２６′）へ、操縦装置（２４）の作動によって移送
   し、 ｄ）前記基板（３６）を前記閉鎖板（２６）と共に、前
   記操縦装置（２４）を１８０゜の回転角度だけ回動する
   ことによって前記開放位置（２６′）から第２の処理室
   （１０）に関連した開放位置（３０′）へ移送し、 ｅ）前記基板（３６）を所属の閉鎖板と共に、前記開放
   位置（３０′）からこれに対応した閉鎖位置へ移送し、
   この移送によって前記基板（３６）を、ヒーター（１
   １）内蔵の前記第２の処理室（１０）内へ搬入し、 ｆ）前記処理室（１０）内のヒーター（１１）から放射
   される熱エネルギによって、前記基板（３６）を８００
   ℃よりも高い温度に加熱し、 ｇ）加熱された前記基板（３６）を前記第２の処理室
   （１０）から所属の閉鎖板と一緒に前記開放位置（３
   ０′）へ移送し、 ｈ）前記操縦装置（２４）を９０゜の回転角度だけ回動
   することによって前記基板（３６）を、第３の処理室
   （８）に関連した開放位置（２８′）へ搬送し、 ｉ）前記基板（３６）を所属の閉鎖板と共に前記開放位
   置（２８′）から、これに対応した閉鎖位置へ搬送し、
   これによって前記基板（３６）を、真空成膜源（４４）
   を内蔵する前記第３の処理室（８）内へ搬入し、 ｊ）前記真空成膜源（４４）による溶融物質の蒸発によ
   って発生した物質蒸発雲（Ｗ）で前記基板（３６）に成
   膜処理を施し、 ｋ）成膜済み基板（３６）を所属の閉鎖板と共に前記開
   放位置（２８′）へ搬送し、 ｌ）成膜済み基板を所属の閉鎖板と共に、操縦装置（２
   ４）を９０゜の回転角度だけ回動することによって、前
   記第１の処理室（６）の開放位置（２６′）へ搬送し、 ｍ）前記の成膜済み基板（３６）を所属の閉鎖板と共に
   前記第１の処理室（６）の閉鎖位置へ搬送し、 ｎ）前記第１の処理室（６）を通気しかつ該処理室
   （６）の外側出入口（７）を通して前記成膜済み基板
   （３６）を取出すことを特徴とする、基板に耐摩耗性の
   硬質薄膜を成膜する方法。