JPS6155926A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS6155926A JPS6155926A JP17803884A JP17803884A JPS6155926A JP S6155926 A JPS6155926 A JP S6155926A JP 17803884 A JP17803884 A JP 17803884A JP 17803884 A JP17803884 A JP 17803884A JP S6155926 A JPS6155926 A JP S6155926A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- wafer
- vacuum
- vacuum chamber
- tank
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は真空槽内にて半導体ウェハーを枚葉処理する半
導体製造装置に関するものである。
導体製造装置に関するものである。
真空槽を利用し半導体ウェハーの処理を行う装置として
は、スパッタ成膜装置、反応性イオンエツチング装置等
があるが、スパッタ成膜装置を例に従来技術を説明する
。
は、スパッタ成膜装置、反応性イオンエツチング装置等
があるが、スパッタ成膜装置を例に従来技術を説明する
。
スパッタは高真空、一般的には1O−Torr台まで排
気した真空槽内にアルゴンガスを導入しその放電により
生ずるアルゴンイオンの衝撃でターゲット材料をスパッ
タし、ウエノ・−上にスパッタ成膜を被着する。従来装
置の一例を第2図に示す。図に示すように、従来装置は
1基の処理真空槽19内に通常2〜4WAのターゲラ)
5,6.7.8を備えており、多層膜を形成すること
が可能である。また膜被着前にウェハー表面を清浄にす
るためのRFエッチ機構4を同一真空槽19内に備える
ことがある。
気した真空槽内にアルゴンガスを導入しその放電により
生ずるアルゴンイオンの衝撃でターゲット材料をスパッ
タし、ウエノ・−上にスパッタ成膜を被着する。従来装
置の一例を第2図に示す。図に示すように、従来装置は
1基の処理真空槽19内に通常2〜4WAのターゲラ)
5,6.7.8を備えており、多層膜を形成すること
が可能である。また膜被着前にウェハー表面を清浄にす
るためのRFエッチ機構4を同一真空槽19内に備える
ことがある。
従来はウェハロード室1にて大気側より取り込まれたウ
ェハーはまずRFエッチ機構4の位置に停止し、その表
面にスパッタエッチされる。次にチタンターゲット5に
対向する位置に移動してチタン膜を被着され、さらにタ
ングステンターゲット6に対向する位置に移動してタン
グステン膜を被着され、アンロード部3より大気側に排
出される・ウェハーは連続的に枚葉処理され、RFエッ
チ、チタンスパッタ、タングステンスパッタは異なるウ
ェハーに対し同時に行われる。
ェハーはまずRFエッチ機構4の位置に停止し、その表
面にスパッタエッチされる。次にチタンターゲット5に
対向する位置に移動してチタン膜を被着され、さらにタ
ングステンターゲット6に対向する位置に移動してタン
グステン膜を被着され、アンロード部3より大気側に排
出される・ウェハーは連続的に枚葉処理され、RFエッ
チ、チタンスパッタ、タングステンスパッタは異なるウ
ェハーに対し同時に行われる。
ところが、同一真空槽内で同時処理を行っていることか
ら次の問題点が生ずる。すなわちRFエッチによりウェ
ハー表面から除去された不純物がスパッタ中のチタン膜
、タングステン膜に取り込まれ膜質を悪化させる。また
タングステン粒子はターゲットに対向するウェハーだけ
でなく、チタンターゲットに対向するウェハー上にも達
し、チタン膜に悪影響を及ぼす。その逆のチタン粒子に
よるタングステン膜への悪影響もある。
ら次の問題点が生ずる。すなわちRFエッチによりウェ
ハー表面から除去された不純物がスパッタ中のチタン膜
、タングステン膜に取り込まれ膜質を悪化させる。また
タングステン粒子はターゲットに対向するウェハーだけ
でなく、チタンターゲットに対向するウェハー上にも達
し、チタン膜に悪影響を及ぼす。その逆のチタン粒子に
よるタングステン膜への悪影響もある。
さらに、2組のターゲットを備える装置では2組のター
ゲットを消費した時点で装置全体を停止しターゲット交
換を行わなければならず、生産効率が極めて悪かった。
ゲットを消費した時点で装置全体を停止しターゲット交
換を行わなければならず、生産効率が極めて悪かった。
本発明の目的は上記問題点を解決し、相互干渉なしに複
数の処理が可能であり、装置を停止することなく、ター
ゲットの交換等の整備が可能な半導体製造装置を提供す
ることにある。
数の処理が可能であり、装置を停止することなく、ター
ゲットの交換等の整備が可能な半導体製造装置を提供す
ることにある。
本発明は真空槽内にて半導体ウェハーを枚葉処理する半
導体製造装置において、前記真空槽を、それぞれ独立し
て個別に半導体ウェハーを枚葉処理する複数基の処理真
空槽14.15.16.17.18と、半導体ウェハー
の搬送用真空槽2とから構成し、搬送用真空槽に複数基
の処理真空槽をそれぞれゲートバルブ9〜13を介して
並列に接続し、かつ搬送用真空槽と各処理真空槽との間
及び搬送用真空槽を介して各処理真空槽間で半導体ウェ
ハーを前記ゲートバルブ内に通して搬入搬出する半導体
ウェハーの搬送機構20を備えたものである。
導体製造装置において、前記真空槽を、それぞれ独立し
て個別に半導体ウェハーを枚葉処理する複数基の処理真
空槽14.15.16.17.18と、半導体ウェハー
の搬送用真空槽2とから構成し、搬送用真空槽に複数基
の処理真空槽をそれぞれゲートバルブ9〜13を介して
並列に接続し、かつ搬送用真空槽と各処理真空槽との間
及び搬送用真空槽を介して各処理真空槽間で半導体ウェ
ハーを前記ゲートバルブ内に通して搬入搬出する半導体
ウェハーの搬送機構20を備えたものである。
半導体ウェハーを独立した複数基の処理真空槽14.1
5,16.17.18内にて個別に枚葉処理し、かつ搬
送用真空槽2を介して各処理真空槽内に半導体ウェハー
を搬入搬出することにより、各処理真空槽内にてのウェ
ハー処理の相互干渉をなくすとともに汚染をなくし、さ
もKは装置の稼動率を向上させる。
5,16.17.18内にて個別に枚葉処理し、かつ搬
送用真空槽2を介して各処理真空槽内に半導体ウェハー
を搬入搬出することにより、各処理真空槽内にてのウェ
ハー処理の相互干渉をなくすとともに汚染をなくし、さ
もKは装置の稼動率を向上させる。
以下に、本発明の一実施例を図によって説明する・
第1図において、半導体ウエノ・−を枚葉処理する真空
槽はそれぞれ独立して半導体ウェハーを枚葉処理する複
数基の処理真空槽14〜18と、半導体ウェハーの搬送
用真空槽2とからなっている。処理真空槽14にはRF
エッチ機構4を備え、また、処理真空槽15 、17に
はチタンターゲット5,7を、処理真空槽16 、18
にはタングステンターゲット6゜8をそれぞれ備えてい
る。また、搬送用真空槽2の搬入側にはウェハーロード
室lが、搬出側にはウェハーアンロード室3がそれぞれ
設置されている・ 前記各処理真空槽14〜18は搬送用真空槽2にそれぞ
れゲートバルブ9〜13’i=介して並列に接続し、さ
らに搬送用真空槽2内には、搬送用真空槽と各処理真空
槽との間及び搬送用真空槽を介して各処理真空槽間で半
導体ウェハーを前記ゲートバルブ内に通して搬入搬出す
る半導体ウェハーの搬送機構20を設置する。
槽はそれぞれ独立して半導体ウェハーを枚葉処理する複
数基の処理真空槽14〜18と、半導体ウェハーの搬送
用真空槽2とからなっている。処理真空槽14にはRF
エッチ機構4を備え、また、処理真空槽15 、17に
はチタンターゲット5,7を、処理真空槽16 、18
にはタングステンターゲット6゜8をそれぞれ備えてい
る。また、搬送用真空槽2の搬入側にはウェハーロード
室lが、搬出側にはウェハーアンロード室3がそれぞれ
設置されている・ 前記各処理真空槽14〜18は搬送用真空槽2にそれぞ
れゲートバルブ9〜13’i=介して並列に接続し、さ
らに搬送用真空槽2内には、搬送用真空槽と各処理真空
槽との間及び搬送用真空槽を介して各処理真空槽間で半
導体ウェハーを前記ゲートバルブ内に通して搬入搬出す
る半導体ウェハーの搬送機構20を設置する。
処理真空槽14,15.16,17.18は独立にクラ
イオポンプにより排気されている。またウエノ・−搬送
真空槽2も処理真空槽とは独立に、処理真空槽よりも高
真空に排気されている。ウエノ・−ロード室1を使用し
大気側よりウェハー搬送真空槽に取り込まれたウェハー
は、まず処理真空槽14にゲートバルブ9を通してロー
ドされる。ゲートバルブ9はウェハーが通過する瞬間だ
け開くが、ウェハー搬送真空槽のほうが高真空であり、
処理真空槽が汚染されることはない。処理真空槽14で
はウェハーを予備加熱するとともに、RFエッチ機構4
によりウェハー表面を清浄にする。処理が終ると、ウェ
ハーは再び搬送真空槽2にもどされ、次の処理真空槽1
5の下まで搬送され、その真空槽2内に真空パルプに通
してロードされる。そしてチタンスパッタでチタン膜を
被着の後、搬送真空槽2にもどされる。チタン成膜を行
なう真空槽15は加熱、RFエッチを行なう真空槽】4
と同様に汚染されることがない。またスパッタ中加熱、
RFエッチを行なう真空槽14では次のウェハーのRF
エッチを行なうが、真空槽が独立しているため、成膜へ
の影響はない。チタン成膜の終ったウェハーは次に処理
真空槽16にロードされタングステン膜を被着し、再び
搬送真空槽2にもどされ、ウェハーアンロード室3を通
り大気側に排出される。タングステン成膜も処理真空槽
が独立しているため、チタンスパッタ、RFエッチによ
る汚染なしで実現される。上記のごとく本発明によれば
、各処理真空槽は独立しており、より真空度の高い搬送
用真空槽2にゲートバルブを介して接続されているため
、その雰囲気は常に清浄に保たれる。従って、従来のよ
うなスパッタ時の相互干渉による汚染、RFエッチによ
り生じた雰囲気によるスパッタ膜の汚染がない。
イオポンプにより排気されている。またウエノ・−搬送
真空槽2も処理真空槽とは独立に、処理真空槽よりも高
真空に排気されている。ウエノ・−ロード室1を使用し
大気側よりウェハー搬送真空槽に取り込まれたウェハー
は、まず処理真空槽14にゲートバルブ9を通してロー
ドされる。ゲートバルブ9はウェハーが通過する瞬間だ
け開くが、ウェハー搬送真空槽のほうが高真空であり、
処理真空槽が汚染されることはない。処理真空槽14で
はウェハーを予備加熱するとともに、RFエッチ機構4
によりウェハー表面を清浄にする。処理が終ると、ウェ
ハーは再び搬送真空槽2にもどされ、次の処理真空槽1
5の下まで搬送され、その真空槽2内に真空パルプに通
してロードされる。そしてチタンスパッタでチタン膜を
被着の後、搬送真空槽2にもどされる。チタン成膜を行
なう真空槽15は加熱、RFエッチを行なう真空槽】4
と同様に汚染されることがない。またスパッタ中加熱、
RFエッチを行なう真空槽14では次のウェハーのRF
エッチを行なうが、真空槽が独立しているため、成膜へ
の影響はない。チタン成膜の終ったウェハーは次に処理
真空槽16にロードされタングステン膜を被着し、再び
搬送真空槽2にもどされ、ウェハーアンロード室3を通
り大気側に排出される。タングステン成膜も処理真空槽
が独立しているため、チタンスパッタ、RFエッチによ
る汚染なしで実現される。上記のごとく本発明によれば
、各処理真空槽は独立しており、より真空度の高い搬送
用真空槽2にゲートバルブを介して接続されているため
、その雰囲気は常に清浄に保たれる。従って、従来のよ
うなスパッタ時の相互干渉による汚染、RFエッチによ
り生じた雰囲気によるスパッタ膜の汚染がない。
またゲートバルブを使用して、他の真空槽は高真空に保
ったままで、任意の処理真空槽を大気に開放することが
可能である・従って、装置全体を停止することなく、特
定の処理真空槽のターゲット交換が可能である。2組の
ターゲラトラ備えておけば、その一方のターゲットの組
を使用して生産中に他方の組のターゲットの交換が可能
となり、ターゲットの交換のために装置を停止する必要
がなくなる。また処理真空槽が完全に独立していること
から、成膜前のクエ/・−表面処理として反応性イオン
エッチを行うことも可能である。
ったままで、任意の処理真空槽を大気に開放することが
可能である・従って、装置全体を停止することなく、特
定の処理真空槽のターゲット交換が可能である。2組の
ターゲラトラ備えておけば、その一方のターゲットの組
を使用して生産中に他方の組のターゲットの交換が可能
となり、ターゲットの交換のために装置を停止する必要
がなくなる。また処理真空槽が完全に独立していること
から、成膜前のクエ/・−表面処理として反応性イオン
エッチを行うことも可能である。
実施例はスパッタ装置を例に説明したが、他の真空槽を
用いる半導体製造装置、例えば反応性イオンエッチ装置
においても本発明は有効である。
用いる半導体製造装置、例えば反応性イオンエッチ装置
においても本発明は有効である。
以上詳細に説明したように、本発明によれば処理真空槽
が独立しているので、複数極の処理を各処理工程間の相
互干渉や、汚染なしに連続して行うことができ、また装
置全体を停止することなしに特定処理真空槽の整備を行
なうことができ、非常に稼動率が高く、かつ汚染のない
清浄な処理が可能な半導体製造装置を提供できる効果を
有するものである・
が独立しているので、複数極の処理を各処理工程間の相
互干渉や、汚染なしに連続して行うことができ、また装
置全体を停止することなしに特定処理真空槽の整備を行
なうことができ、非常に稼動率が高く、かつ汚染のない
清浄な処理が可能な半導体製造装置を提供できる効果を
有するものである・
第1図は本発明を連用したスパッタ装置の概略断面図、
第2図は従来のスパッタ装置の概略断面図である。 l・・・ウェハーロード皇、2・・・搬送用真空槽、3
・・・ウェハーアンロード室、4・・・RFエッチ機構
、5゜7・・・チタンターゲット、6,8・・・タング
ステンターゲット、9.10,11,12.13・・・
ゲートバルブ、14゜15.16.17.18・・・処
理真空槽、20・・・搬送機構、特許出願人 日本電
気株式会社 2−−−−−−−−−−−−−一朝縫真空120−=−
−−−−−−撒送磯楕 第2図
第2図は従来のスパッタ装置の概略断面図である。 l・・・ウェハーロード皇、2・・・搬送用真空槽、3
・・・ウェハーアンロード室、4・・・RFエッチ機構
、5゜7・・・チタンターゲット、6,8・・・タング
ステンターゲット、9.10,11,12.13・・・
ゲートバルブ、14゜15.16.17.18・・・処
理真空槽、20・・・搬送機構、特許出願人 日本電
気株式会社 2−−−−−−−−−−−−−一朝縫真空120−=−
−−−−−−撒送磯楕 第2図
Claims (1)
- (1)真空槽内にて半導体ウェハーを枚葉処理する半導
体製造装置において、前記真空槽を、それぞれ独立して
個別に半導体ウェハーを枚葉処理する複数基の処理真空
槽と、半導体ウェハーの搬送用真空槽とから構成し、搬
送用真空槽に複数基の処理真空槽をそれぞれゲートバル
ブを介して並列に接続し、かつ搬送用真空槽と各処理真
空槽との間及び搬送用真空槽を介して各処理真空槽間で
半導体ウェハーを前記ゲートバルブ内に通して搬入搬出
する半導体ウェハーの搬送機構を備えたことを特徴とす
る半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17803884A JPS6155926A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17803884A JPS6155926A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6155926A true JPS6155926A (ja) | 1986-03-20 |
Family
ID=16041500
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17803884A Pending JPS6155926A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6155926A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63303059A (ja) * | 1987-05-30 | 1988-12-09 | Tokuda Seisakusho Ltd | 真空処理装置 |
JPS6431971A (en) * | 1987-07-28 | 1989-02-02 | Tokuda Seisakusho | Vacuum treatment device |
-
1984
- 1984-08-27 JP JP17803884A patent/JPS6155926A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63303059A (ja) * | 1987-05-30 | 1988-12-09 | Tokuda Seisakusho Ltd | 真空処理装置 |
JPH0159353B2 (ja) * | 1987-05-30 | 1989-12-15 | Tokuda Seisakusho | |
JPS6431971A (en) * | 1987-07-28 | 1989-02-02 | Tokuda Seisakusho | Vacuum treatment device |
JPH0242901B2 (ja) * | 1987-07-28 | 1990-09-26 |
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