JPH0159353B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0159353B2 JPH0159353B2 JP62136245A JP13624587A JPH0159353B2 JP H0159353 B2 JPH0159353 B2 JP H0159353B2 JP 62136245 A JP62136245 A JP 62136245A JP 13624587 A JP13624587 A JP 13624587A JP H0159353 B2 JPH0159353 B2 JP H0159353B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- sputtering
- vacuum processing
- vacuum
- chambers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 52
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は真空処理装置に関し、特に多層スパツ
タ、反応スパツタ、バイアススパツタ、スパツタ
エツチ、DCスパツタ、RFスパツタ等の組せ、あ
るいはエツチング＋スパツタに使用可能な装置に
係わる。
タ、反応スパツタ、バイアススパツタ、スパツタ
エツチ、DCスパツタ、RFスパツタ等の組せ、あ
るいはエツチング＋スパツタに使用可能な装置に
係わる。
（従来の技術〕
従来、例えば多層（３層）のスパツタを行うス
パツタリング装置としては、第２図に示すものが
知られている。
パツタリング装置としては、第２図に示すものが
知られている。
図中の１は、チヤンバーである。このチヤンバ
ー１の側壁にはウエハ２を搬送するための入口３
が設けられ、かつ中央にはウエハを立てかける回
転可能なキヤリア４が設けられている。また、前
記チヤンバー１の内側壁には、ウエハに各スパツ
タ層を形成するためのターゲツト５ａ，５ｂ，５
ｃが設けられ、各ターゲツト５ａ〜５ｃには夫々
カバー６が設けられている。これらのカバー６
は、ターゲツト５ａ〜５ｃからの粒子が別のター
ゲツト５ａ〜５ｃに付着するのを防ぐためのもの
である。
ー１の側壁にはウエハ２を搬送するための入口３
が設けられ、かつ中央にはウエハを立てかける回
転可能なキヤリア４が設けられている。また、前
記チヤンバー１の内側壁には、ウエハに各スパツ
タ層を形成するためのターゲツト５ａ，５ｂ，５
ｃが設けられ、各ターゲツト５ａ〜５ｃには夫々
カバー６が設けられている。これらのカバー６
は、ターゲツト５ａ〜５ｃからの粒子が別のター
ゲツト５ａ〜５ｃに付着するのを防ぐためのもの
である。
しかしながら、従来技術よれば、所定のターゲ
ツト（例えば５ａ）を用いてスパツタを行う際、
このターゲツト５ａからの粒子がカバー６の存在
にかかわらず他のターゲツト５ｂ，５ｃに付着
し、これらのターゲツト５ｂ，５ｃを用いてスパ
ツタする際精度良いスパツタが不可能となる。ま
た、各スパツタとも同じチヤンバー１内で行うた
め同じ圧力でしかスパツタを行うことができず、
スパツタ作業の低下を招く。
ツト（例えば５ａ）を用いてスパツタを行う際、
このターゲツト５ａからの粒子がカバー６の存在
にかかわらず他のターゲツト５ｂ，５ｃに付着
し、これらのターゲツト５ｂ，５ｃを用いてスパ
ツタする際精度良いスパツタが不可能となる。ま
た、各スパツタとも同じチヤンバー１内で行うた
め同じ圧力でしかスパツタを行うことができず、
スパツタ作業の低下を招く。
スパツタ作業が複雑である。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、
ウエハに所定の粒子のスパツタあるいはエツチン
グ等を行ない所望の特性のウエハを得るととも
に、各真空処理室で異なる圧力条件下の処理が可
能で作業能率の高い真空処理装置を提供すること
を目的とする。
ウエハに所定の粒子のスパツタあるいはエツチン
グ等を行ない所望の特性のウエハを得るととも
に、各真空処理室で異なる圧力条件下の処理が可
能で作業能率の高い真空処理装置を提供すること
を目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、真空処理室間に密閉性を有するゲー
トバルブを介して中間室を設けるとともに、中間
室内の真空度を真空処理室内のそれよりも高く維
持することにより、ウエハに所定の粒子のスパツ
タあるいはエツチング等を行ない所望の特性のウ
エハを得るとともに、各真空処理室で異なる圧力
条件下の処理を可能とするものである。
トバルブを介して中間室を設けるとともに、中間
室内の真空度を真空処理室内のそれよりも高く維
持することにより、ウエハに所定の粒子のスパツ
タあるいはエツチング等を行ない所望の特性のウ
エハを得るとともに、各真空処理室で異なる圧力
条件下の処理を可能とするものである。
即ち、本発明は、ウエハに対して膜堆積又はエ
ツチングを行う複数の真空処理室と、これら真空
処理室間に密閉性を有するゲートを介して設けら
れ、かつ前記真空処理室に比べて真空度の高い中
間室と、この中間室を高真空にする手段とを具備
することを要旨とする。
ツチングを行う複数の真空処理室と、これら真空
処理室間に密閉性を有するゲートを介して設けら
れ、かつ前記真空処理室に比べて真空度の高い中
間室と、この中間室を高真空にする手段とを具備
することを要旨とする。
（作 用）
本発明においては、中間室内の真空度が真空処
理室内のそれよりも高く設定されるため、真空処
理室内にスパツタなどによる粒子が残存していて
も、ゲートバルブを開いてウエハを所定の高真空
処理室から別の高真空処理室へ搬送しようとした
とき、それらの粒子等が中間室へ排出され、ウエ
ハへ所望のスパツタあるいはエツチングが可能と
なり、特性の優れたウエハを得ることができる。
理室内のそれよりも高く設定されるため、真空処
理室内にスパツタなどによる粒子が残存していて
も、ゲートバルブを開いてウエハを所定の高真空
処理室から別の高真空処理室へ搬送しようとした
とき、それらの粒子等が中間室へ排出され、ウエ
ハへ所望のスパツタあるいはエツチングが可能と
なり、特性の優れたウエハを得ることができる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を第１図を参照して説
明する。
明する。
図中の１１は、スパツタリング装置である。こ
の装置１１には、ロード室１２、第１〜第４のス
パツタ室（真空処理室）１３，１４，１５，１６
及びアンローダ室１７が設けられている。また、
前記ロード室１２とスパツタ室１３〜１６間には
中間室１８，１９，２０が設けられ、かつロード
室１２、アンローダ室１７とスパツタ室１３，１
６間には中間室２１が設けられている。
の装置１１には、ロード室１２、第１〜第４のス
パツタ室（真空処理室）１３，１４，１５，１６
及びアンローダ室１７が設けられている。また、
前記ロード室１２とスパツタ室１３〜１６間には
中間室１８，１９，２０が設けられ、かつロード
室１２、アンローダ室１７とスパツタ室１３，１
６間には中間室２１が設けられている。
前記ローダ室１２はウエハをセツトしたカセツ
トを載置する部屋であり、第１のスパツタ室１３
側にはゲートバルブ２２ａが設けられている。ま
た、前記第１のスパツタ室１３にはゲートバルブ
２２ｂ，２２ｃ、第２のスパツタ室１４にはゲー
トバルブ２２ｄ，２２ｅ、第３のスパツタ室１５
にはゲートバルブ２２ｆ，２２ｇ、第４のスパツ
タ室１６にはゲートバルブ２２ｈ，２２ｉ、アン
ローダ室１７にはゲートバルブ２２ｊが設けられ
ている。
トを載置する部屋であり、第１のスパツタ室１３
側にはゲートバルブ２２ａが設けられている。ま
た、前記第１のスパツタ室１３にはゲートバルブ
２２ｂ，２２ｃ、第２のスパツタ室１４にはゲー
トバルブ２２ｄ，２２ｅ、第３のスパツタ室１５
にはゲートバルブ２２ｆ，２２ｇ、第４のスパツ
タ室１６にはゲートバルブ２２ｈ，２２ｉ、アン
ローダ室１７にはゲートバルブ２２ｊが設けられ
ている。
前記中間室１８〜２０は上部で互いに連結さ
れ、ポンプ（図示せず）の作動により排気口２３
から各中間室内が高真空にされるようになつてい
る。また、同様にして中間室２１にも排気口２４
が取付けられている。なお、作動時中間室１８〜
２１内の真空度はスパツタ室１３〜１６及びアン
ローダ室１７内のそれよりも高く設定されてい
る。
れ、ポンプ（図示せず）の作動により排気口２３
から各中間室内が高真空にされるようになつてい
る。また、同様にして中間室２１にも排気口２４
が取付けられている。なお、作動時中間室１８〜
２１内の真空度はスパツタ室１３〜１６及びアン
ローダ室１７内のそれよりも高く設定されてい
る。
こうした構造のスパツタリング装置において、
ロード室１２にセツトされたウエハは、ゲートバ
ルブ２２ａ，２２ｂを開いた状態で中間室２１を
経て第１のスパツタ室１３へ移動する。つづい
て、ウエハはゲートバルブ２２ｃ，２２ｄを開い
た状態で第１のスパツタ室１３から第２のスパツ
タ室１４へ移動する。この際、第１のスパツタ室
１３内の真空度が第２のスパツタ室１４内のそれ
よりも高く設定されるため、スパツタ時に飛散つ
た粒子等は中間室２１に流れる。以後、ウエハは
第２のスパツタ室１４から中間室１９、第３のス
パツタ室１５、中間室２０、第４のスパツタ室１
６、中間室２１を経てアンローダ室１７へ搬送さ
れる。
ロード室１２にセツトされたウエハは、ゲートバ
ルブ２２ａ，２２ｂを開いた状態で中間室２１を
経て第１のスパツタ室１３へ移動する。つづい
て、ウエハはゲートバルブ２２ｃ，２２ｄを開い
た状態で第１のスパツタ室１３から第２のスパツ
タ室１４へ移動する。この際、第１のスパツタ室
１３内の真空度が第２のスパツタ室１４内のそれ
よりも高く設定されるため、スパツタ時に飛散つ
た粒子等は中間室２１に流れる。以後、ウエハは
第２のスパツタ室１４から中間室１９、第３のス
パツタ室１５、中間室２０、第４のスパツタ室１
６、中間室２１を経てアンローダ室１７へ搬送さ
れる。
しかして、本発明に係るスパツタリング装置
は、第１〜第４のスパツタ室１３，１４，１５，
１６間に夫々中間室１８，１９，２０が設けられ
るとともに、スパツタ室に密閉性を有するゲート
バルブ２２ｃ〜２２ｈが設けられ、かつ中間室１
８〜２０内の真空度をスパツタ室１３〜１６内の
それよりも高く設定した構造となつている。従つ
て、所定のスパツタ室でスパツタ時に生じた粒子
が真空度の高い中間室へ移動するため、ウエハに
所定の粒子をスパツタでき、所望の特性を有した
ウエハを得ることができる。また、各スパツタ室
１３〜１６がゲートバルブで完全に仕切られてい
るため、各スパツタ室１３〜１６で夫々適切な圧
力下でスパツタを行うことができ、スパツタ作業
が容易となる。
は、第１〜第４のスパツタ室１３，１４，１５，
１６間に夫々中間室１８，１９，２０が設けられ
るとともに、スパツタ室に密閉性を有するゲート
バルブ２２ｃ〜２２ｈが設けられ、かつ中間室１
８〜２０内の真空度をスパツタ室１３〜１６内の
それよりも高く設定した構造となつている。従つ
て、所定のスパツタ室でスパツタ時に生じた粒子
が真空度の高い中間室へ移動するため、ウエハに
所定の粒子をスパツタでき、所望の特性を有した
ウエハを得ることができる。また、各スパツタ室
１３〜１６がゲートバルブで完全に仕切られてい
るため、各スパツタ室１３〜１６で夫々適切な圧
力下でスパツタを行うことができ、スパツタ作業
が容易となる。
なお、上記実施例では多層スパツタの場合につ
いて述べたが、これに限定されず、反応性スパツ
タ、バイアススパツタなどの組合せ、あるいはエ
ツチングとスパツタの組合せ等も可能である。
いて述べたが、これに限定されず、反応性スパツ
タ、バイアススパツタなどの組合せ、あるいはエ
ツチングとスパツタの組合せ等も可能である。
また、上記実施例ではスパツタ室が４つある場
合について述べたが、これに限定されるものでは
勿論ない。
合について述べたが、これに限定されるものでは
勿論ない。
以上詳述した如く本発明によれば、ウエハに所
定の粒子のスパツタあるいはエツチング等を行な
い所望の特性のウエハを得るとともに、各真空処
理室で異なる圧力条件下のスパツタ処理等が可能
な作業性のよい真空処理装置を提供できる。
定の粒子のスパツタあるいはエツチング等を行な
い所望の特性のウエハを得るとともに、各真空処
理室で異なる圧力条件下のスパツタ処理等が可能
な作業性のよい真空処理装置を提供できる。
第１図は本発明の一実施例に係るスパツタリン
グ装置の説明図、第２図は従来のスパツタリング
装置の説明図である。 １２……ロード室、１３〜１６……スパツタ
室、１７……アンローダ室、１８〜２１……中間
室、２２ａ〜２２ｊ……ゲートバルブ、２３，２
４……排気口。
グ装置の説明図、第２図は従来のスパツタリング
装置の説明図である。 １２……ロード室、１３〜１６……スパツタ
室、１７……アンローダ室、１８〜２１……中間
室、２２ａ〜２２ｊ……ゲートバルブ、２３，２
４……排気口。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ウエハに対して膜堆積又はエツチングを行う
複数の真空処理室と、これら真空処理室間に密閉
性を有するゲートを介して夫々設けられ、かつ前
記真空処理室に比べて真空度の高い中間室と、こ
の中間室を高真空にする手段とを具備することを
特徴とする真空処理装置。 ２ 真空処理室がスパツタ室であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13624587A JPS63303059A (ja) | 1987-05-30 | 1987-05-30 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13624587A JPS63303059A (ja) | 1987-05-30 | 1987-05-30 | 真空処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63303059A JPS63303059A (ja) | 1988-12-09 |
| JPH0159353B2 true JPH0159353B2 (ja) | 1989-12-15 |
Family
ID=15170679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13624587A Granted JPS63303059A (ja) | 1987-05-30 | 1987-05-30 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63303059A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4933966A (en) * | 1989-01-23 | 1990-06-12 | Intellicall, Inc. | Method and apparatus for performing an automated collect call |
| JP3883929B2 (ja) | 2001-09-25 | 2007-02-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54153740A (en) * | 1978-05-25 | 1979-12-04 | Ulvac Corp | Continuous vacuum treatment apparatus |
| JPS5877239A (ja) * | 1981-11-04 | 1983-05-10 | Ulvac Corp | 連続式真空処理装置 |
| JPS59179786A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-12 | Hitachi Ltd | 連続スパツタ装置 |
| JPS59208074A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-26 | Toshiba Corp | 枚葉式膜形成装置 |
| JPS6155926A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-20 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
-
1987
- 1987-05-30 JP JP13624587A patent/JPS63303059A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54153740A (en) * | 1978-05-25 | 1979-12-04 | Ulvac Corp | Continuous vacuum treatment apparatus |
| JPS5877239A (ja) * | 1981-11-04 | 1983-05-10 | Ulvac Corp | 連続式真空処理装置 |
| JPS59179786A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-12 | Hitachi Ltd | 連続スパツタ装置 |
| JPS59208074A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-26 | Toshiba Corp | 枚葉式膜形成装置 |
| JPS6155926A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-20 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63303059A (ja) | 1988-12-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6669829B2 (en) | Shutter disk and blade alignment sensor | |
| JP2665202B2 (ja) | 半導体ウェハ処理装置 | |
| US6053686A (en) | Device and method for load locking for semiconductor processing | |
| JP2627861B2 (ja) | Ｔｉ−ＴｉＮ積層膜の成膜方法および装置 | |
| JPS63277762A (ja) | ダイアル蒸着・処理装置 | |
| JPH10214871A (ja) | ロードロック装置 | |
| JPH0793348B2 (ja) | 多重チャンバ真空式処理装置及び多重チャンバ真空式半導体ウェーハ処理装置 | |
| EP1109202A2 (en) | Wafer processing chamber having separable upper and lower halves | |
| US6595370B2 (en) | Apparatus and method for reducing contamination in a wafer transfer chamber | |
| JPH0159353B2 (ja) | ||
| JP3454034B2 (ja) | 真空処理装置 | |
| JPH04240721A (ja) | マルチチャンバプロセス装置 | |
| JPH0138872B2 (ja) | ||
| JPH04100222A (ja) | 真空処理方法 | |
| JPH0613751B2 (ja) | 連続スパッタ装置 | |
| JPH0377274B2 (ja) | ||
| JPH09270450A (ja) | 真空処理装置 | |
| JPS631035A (ja) | 減圧処理方法及び装置 | |
| JP2762479B2 (ja) | マグネトロン型スパッタリング装置 | |
| JP2004153185A (ja) | 基板処理方法 | |
| JPH0375631B2 (ja) | ||
| JPH0362944A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2538930B2 (ja) | 真空処理装置 | |
| JP3281005B2 (ja) | スパッタリング装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JPH01272764A (ja) | 半導体装置の製造方法 |