JPH0138872B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0138872B2 JPH0138872B2 JP62136246A JP13624687A JPH0138872B2 JP H0138872 B2 JPH0138872 B2 JP H0138872B2 JP 62136246 A JP62136246 A JP 62136246A JP 13624687 A JP13624687 A JP 13624687A JP H0138872 B2 JPH0138872 B2 JP H0138872B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- sputtering
- wafer
- vacuum processing
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 31
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は真空処理装置に関し、特に多層スパツ
タ、反応性スパツタ、バイアススパツタ、スパツ
タエツチ、DCスパツタ、RFスパツタ等の組合
せ、あるいはエツチング+スパツタに使用可能な
装置に係わる。
タ、反応性スパツタ、バイアススパツタ、スパツ
タエツチ、DCスパツタ、RFスパツタ等の組合
せ、あるいはエツチング+スパツタに使用可能な
装置に係わる。
(従来の技術)
従来、例えば多層(3層)のスパツタを行うス
パツタリング装置としては、第2図に示すものが
知られている。
パツタリング装置としては、第2図に示すものが
知られている。
図中の1は、チヤンバーである。このチヤンバ
ー1の側壁にはウエハ2を搬送するための入口3
が設けられ、かつ中央にはウエハを立てかける回
転可能なキヤリア4が設けられている。また、前
記チヤンバー1の内側壁には、ウエハ2に各スパ
ツタ層を形成するためのタゲツト5a,5b,5
cが設けられ、各ターゲツト5a〜5cには夫々
カバー6が設けられている。これらのカバー6
は、ターゲツト5a〜5cからの粒子が別のター
ゲツト5a〜5cに付着するのを防ぐためのもの
である。
ー1の側壁にはウエハ2を搬送するための入口3
が設けられ、かつ中央にはウエハを立てかける回
転可能なキヤリア4が設けられている。また、前
記チヤンバー1の内側壁には、ウエハ2に各スパ
ツタ層を形成するためのタゲツト5a,5b,5
cが設けられ、各ターゲツト5a〜5cには夫々
カバー6が設けられている。これらのカバー6
は、ターゲツト5a〜5cからの粒子が別のター
ゲツト5a〜5cに付着するのを防ぐためのもの
である。
しかしながら、従来技術によれば、外部から直
接チヤンバー1内にウエハ2を搬送するため、ウ
エハ2が表面にゴミなどの不純物や、水分等を付
着した状態でチヤンバー1内に搬送される。ま
た、キヤリア4を回動する際、ゴミなどの不純物
が発生し、これがそのままウエハ2に付着し易
い。従つて、ウエハ2の素子特性に悪影響をもた
らし、歩留りの低下を招く。
接チヤンバー1内にウエハ2を搬送するため、ウ
エハ2が表面にゴミなどの不純物や、水分等を付
着した状態でチヤンバー1内に搬送される。ま
た、キヤリア4を回動する際、ゴミなどの不純物
が発生し、これがそのままウエハ2に付着し易
い。従つて、ウエハ2の素子特性に悪影響をもた
らし、歩留りの低下を招く。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、ウ
エハ搬送時にウエハにゴミなどの不純物や水分等
が付着することを抑制し、もつて素子特性を向上
し得る歩留りの高い真空処理装置を提供すること
を目的とする。
エハ搬送時にウエハにゴミなどの不純物や水分等
が付着することを抑制し、もつて素子特性を向上
し得る歩留りの高い真空処理装置を提供すること
を目的とする。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
本発明は、ロード室と真空処理室間に密閉性を
有するゲートバルブを介して中間室を設けるとと
もに、中間室内の真空度を真空処理室内のそれよ
りも高く維持することを特徴とする。
有するゲートバルブを介して中間室を設けるとと
もに、中間室内の真空度を真空処理室内のそれよ
りも高く維持することを特徴とする。
具体的には、本発明は、ウエハをセツトしたカ
セツトを載置するローダ室と、前記ウエハに対し
て膜堆積又はエツチングを行う複数の真空処理室
と、前記ローダ室及び真空処理室間に密閉性を有
するゲートを介して設けられ、かつ前記真空処理
室に比べて真空度の高い中間室と、この中間室を
高真空にする手段とを具備することを要旨とす
る。
セツトを載置するローダ室と、前記ウエハに対し
て膜堆積又はエツチングを行う複数の真空処理室
と、前記ローダ室及び真空処理室間に密閉性を有
するゲートを介して設けられ、かつ前記真空処理
室に比べて真空度の高い中間室と、この中間室を
高真空にする手段とを具備することを要旨とす
る。
(作用)
本発明においては、中間室内の真空度がロード
室や真空処理室内のそれよりも高く設定されるた
め、ロード室から搬送されるウエハ表面にゴミや
水分等が付着していたりあるいは搬送時にゴミが
発生しても、ゲートバルブを開いてウエハをロー
ド室から高真空処理室へ搬送しようとしたとき、
それらの不純物等が中間室へ排出され、特性の優
れたウエハを得ることができる。
室や真空処理室内のそれよりも高く設定されるた
め、ロード室から搬送されるウエハ表面にゴミや
水分等が付着していたりあるいは搬送時にゴミが
発生しても、ゲートバルブを開いてウエハをロー
ド室から高真空処理室へ搬送しようとしたとき、
それらの不純物等が中間室へ排出され、特性の優
れたウエハを得ることができる。
(実施例)
以下、本発明の一実施例を第1図を参照して説
明する。
明する。
図中の11は、スパツタリング装置である。こ
の装置11には、ロード室12、第1〜第4のス
パツタ室(真空処理室)13,14,15,1
6、及びアンローダ室17が設けられている。ま
た、前記ロード室12とスパツタ室13〜16間
には中間室18,19,20が設けられ、かつロ
ード室12、アンローダ室17とスパツタ室1
3,16間には中間室21が設けられている。
の装置11には、ロード室12、第1〜第4のス
パツタ室(真空処理室)13,14,15,1
6、及びアンローダ室17が設けられている。ま
た、前記ロード室12とスパツタ室13〜16間
には中間室18,19,20が設けられ、かつロ
ード室12、アンローダ室17とスパツタ室1
3,16間には中間室21が設けられている。
前記ローダ室12はウエハをセツトしたカセツ
トを載置する部屋であり、第1のスパツタ室13
側にはゲートバルブ22aが設けられている。ま
た、前記第1のスパツタ室13にはゲードバルブ
22b,22c、第2のスパツタ室14にはゲー
ドバルブ22d,22e、第3のスパツタ室15
にはゲードバルブ22f,22g、第4のスパツ
タ室16にはゲードバルブ22h,22i、アン
ローダ室17にはゲートバルブ22jが設けられ
ている。
トを載置する部屋であり、第1のスパツタ室13
側にはゲートバルブ22aが設けられている。ま
た、前記第1のスパツタ室13にはゲードバルブ
22b,22c、第2のスパツタ室14にはゲー
ドバルブ22d,22e、第3のスパツタ室15
にはゲードバルブ22f,22g、第4のスパツ
タ室16にはゲードバルブ22h,22i、アン
ローダ室17にはゲートバルブ22jが設けられ
ている。
前記中間室18〜20は上部で互いに連結さ
れ、ポンプ(図示せず)の作動により排気口23
から各中間室内が高真空にされるようになつてい
る。また、同様にして中間室21にも排気口24
が取付けられている。なお、作動時中間室18〜
21内の真空度はスパツタ室13〜16及びアン
ローダ室17内のそれよりも高く設定されてい
る。
れ、ポンプ(図示せず)の作動により排気口23
から各中間室内が高真空にされるようになつてい
る。また、同様にして中間室21にも排気口24
が取付けられている。なお、作動時中間室18〜
21内の真空度はスパツタ室13〜16及びアン
ローダ室17内のそれよりも高く設定されてい
る。
こうした構造のスパツタリング装置において、
ロード室12にセツトされたウエハは、ゲートバ
ルブ22a,22bを開いた状態で中間室21を
経て第1のスパツタ室13へ移動する。この際、
中間室21内の真空度はロード室12内のそれよ
りも高く設定されているため、ウエハに付着した
不純物や水分等は中間室21に排出される。つづ
いて、ウエハはゲートバルブ22c,22dを開
いた状態で第1のスパツタ室13から第2のスパ
ツタ室14へ移動する。以後、ウエハは第2のス
パツタ室14から中間室19、第3のスパツタ室
15、中間室20、第4のスパツタ室16、中間
室21を経てアンローダ室17へ搬送される。
ロード室12にセツトされたウエハは、ゲートバ
ルブ22a,22bを開いた状態で中間室21を
経て第1のスパツタ室13へ移動する。この際、
中間室21内の真空度はロード室12内のそれよ
りも高く設定されているため、ウエハに付着した
不純物や水分等は中間室21に排出される。つづ
いて、ウエハはゲートバルブ22c,22dを開
いた状態で第1のスパツタ室13から第2のスパ
ツタ室14へ移動する。以後、ウエハは第2のス
パツタ室14から中間室19、第3のスパツタ室
15、中間室20、第4のスパツタ室16、中間
室21を経てアンローダ室17へ搬送される。
しかして、本発明に係るスパツタリング装置に
よれば、ロード室12と第1のスパツタ室13間
に中間室21を設け、かつポンプ(図示せず)に
連結した排気口24よつて前記中間室21内の真
空度を前記スパツタ室13内のそれよりも高く維
持した構造となつているため、ロード室12から
搬送されるウエハ表面にゴミや水分等が付着して
いたりあるいは搬送時にゴミが発生しても、ゲー
トバルブ22a,22bを開いてウエハをロード
室から高真空処理室へ搬送しようとしたとき、そ
れらの不純物等が中間室21へ排出され、特性の
優れたウエハを得ることができる。従つて、歩留
りを向上できる。
よれば、ロード室12と第1のスパツタ室13間
に中間室21を設け、かつポンプ(図示せず)に
連結した排気口24よつて前記中間室21内の真
空度を前記スパツタ室13内のそれよりも高く維
持した構造となつているため、ロード室12から
搬送されるウエハ表面にゴミや水分等が付着して
いたりあるいは搬送時にゴミが発生しても、ゲー
トバルブ22a,22bを開いてウエハをロード
室から高真空処理室へ搬送しようとしたとき、そ
れらの不純物等が中間室21へ排出され、特性の
優れたウエハを得ることができる。従つて、歩留
りを向上できる。
なお、上記実施例では多層スパツタの場合につ
いて述べたが、これに限定されず、反応性スパツ
タ、バイアススパツタなどの組合せ、あるいはエ
ツチングとスパツタの組合せ等も可能である。
いて述べたが、これに限定されず、反応性スパツ
タ、バイアススパツタなどの組合せ、あるいはエ
ツチングとスパツタの組合せ等も可能である。
また、上記実施例ではスパツタ室4つある場合
について述べたが、これに限定されるものでは勿
論ない。
について述べたが、これに限定されるものでは勿
論ない。
[発明の効果]
以上詳述した如く本発明によれば、ウエハ搬送
時にウエハにゴミなどの不純物や水分等が付着す
ることを抑制し、もつて素子特性を向上し得る歩
留りの高い真空処理装置を提供できる。
時にウエハにゴミなどの不純物や水分等が付着す
ることを抑制し、もつて素子特性を向上し得る歩
留りの高い真空処理装置を提供できる。
第1図は本発明の一実施例に係るスパツタリン
グ装置の説明図、第2図は従来のスパツタリング
装置を説明図である。 12……ロード室、13〜16……スパツタ
室、17……アンローダ室、18〜21……中間
室、22a,22j……ゲートバルブ、23,2
4……排気口。
グ装置の説明図、第2図は従来のスパツタリング
装置を説明図である。 12……ロード室、13〜16……スパツタ
室、17……アンローダ室、18〜21……中間
室、22a,22j……ゲートバルブ、23,2
4……排気口。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ウエハをセツトしたカセツトを載置するロー
ダ室と、前記ウエハに対して膜堆積又はエツチン
グを行う複数の真空処理室と、前記ローダ室及び
真空処理室間に密閉性を有するゲートを介して
夫々設けられ、かつ前記真空処理室に比べて真空
度の高い中間室と、この中間室を高真空にする手
段とを具備することを特徴とする真空処理装置。 2 真空処理室がスパツタ室であることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の真空処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13624687A JPS63303060A (ja) | 1987-05-30 | 1987-05-30 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13624687A JPS63303060A (ja) | 1987-05-30 | 1987-05-30 | 真空処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63303060A JPS63303060A (ja) | 1988-12-09 |
JPH0138872B2 true JPH0138872B2 (ja) | 1989-08-16 |
Family
ID=15170703
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13624687A Granted JPS63303060A (ja) | 1987-05-30 | 1987-05-30 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63303060A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5376212A (en) * | 1992-02-18 | 1994-12-27 | Tokyo Electron Yamanashi Limited | Reduced-pressure processing apparatus |
CH687987A5 (de) * | 1993-05-03 | 1997-04-15 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur Erhoehung der Beschichtungsrate in einem Plasmaentladungsraum und Plasmakammer. |
US5672239A (en) * | 1995-05-10 | 1997-09-30 | Tegal Corporation | Integrated semiconductor wafer processing system |
KR20050044434A (ko) | 2001-11-13 | 2005-05-12 | 에프 에스 아이 인터내셔날,인코포레이티드 | 초소형전자 기판을 처리하는 감소의 풋프린트 공구 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5763677A (en) * | 1980-10-03 | 1982-04-17 | Hitachi Ltd | Continuous vacuum treating device |
JPS59208074A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-26 | Toshiba Corp | 枚葉式膜形成装置 |
-
1987
- 1987-05-30 JP JP13624687A patent/JPS63303060A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5763677A (en) * | 1980-10-03 | 1982-04-17 | Hitachi Ltd | Continuous vacuum treating device |
JPS59208074A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-26 | Toshiba Corp | 枚葉式膜形成装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63303060A (ja) | 1988-12-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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