JPS60160139A - 移送方法 - Google Patents

移送方法

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JPS60160139A
JPS60160139A JP1488984A JP1488984A JPS60160139A JP S60160139 A JPS60160139 A JP S60160139A JP 1488984 A JP1488984 A JP 1488984A JP 1488984 A JP1488984 A JP 1488984A JP S60160139 A JPS60160139 A JP S60160139A
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JP
Japan
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processed
processing chamber
processing
chamber
chip
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JP1488984A
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English (en)
Inventor
Yoshitaka Saito
精孝 斉藤
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPS60160139A publication Critical patent/JPS60160139A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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    • HELECTRICITY
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (a) 発明の技術分野 本発明は、大気と隔絶されて真空ないし減圧状態の雰囲
気を形成する処理室内で平板状の被処理体の被処理面に
処理を施す真空装置に係り、特に、処理室に被処理体を
出し入れする移送方法に関す。
(bl 技術の背景 半導体装置の主体をなす半導体チップの製造においては
、イオン注入やドライエツチングなどの表面処理技術が
重要な工程に駆使されているが、これらの処理は、通常
、大気と隔絶されて真空ないし減圧状態の雰囲気を形成
する処理室内で施される。
上記のような処理を施す装置は、総括して真空装置と称
されるが、処理そのものの機構の他に、処理室内に被処
理体を出し入れする機構や排気機構などが必要になり、
一般に高価である。しかしながら、半導体装置は価格低
減が望まれているので、前記装置を使用する処理におい
ても処理費の低減が望まれる。
(C) 従来技術と問題点 第1図は真空装置における処理室に被処理体を出し入れ
する従来の移送方法の一実施例の構成を示した図で、1
は処理室、2.3は副室、4.5.6.7はゲートバル
ブ、Aは被処理体、aa”−’aeは被処理体の位置を
それぞれ示す。
図示の処理室に被処理体を出し入れする移送方法におけ
る機構構成はζ大気と隔絶されて真空ないし減圧状態の
雰囲気を形成し、例えば半導体チップを製造する過程中
のウェハである平板状の被処理体Aを底面に保持し、被
処理体Aの図示上面である被処理面に例えばイオン注入
やドライエツチングなどの処理を施す処理室lの左右の
それぞれに、大気と隔絶山菜る副室2.3が隣接して設
けられている。副室2の図示左側には被処理体Aを通過
させることが出来且つ副室2と大気との間を気密に閉塞
するゲートバルブ4が、図示右側には処理室1との間を
気密に閉塞する同様なゲートバルブが設けられ、また、
副室3の図示左右にも副室2と同様なゲートバルブ6.
7が設けられている。
そして、処理を施す際の被処理体Aの移送手順は次のよ
うにする。
最初に外部の位置aaにある。処理前の被処理体Aを、
ゲートバルブ4を開けて副室2内の位置abに移送し、
ゲートバルブ4を閉じて副室2内を排気し処理室1と略
同じ雰囲気にする。次いでゲートバルブ5を開けて当該
被処理体Aを処理室1の処理を施す位置acに移送し、
ゲートバルブ5を閉じて、当該被処理体Aに所定の処理
を施す。一方、副室3内を処理室1と略同じ雰囲気にし
ておき、前記処理が終了した後にゲートバルブ6を開け
て当該被処理体Aを副室3内の位置adに移送しゲート
バルブ6を閉じる。続いて、必要ならば副室3内を略大
気圧にし、ゲートバルブ7を開けて当該被処理体Aを外
部の位置aeに移送して一つの手順を完了する。
複数の被処理体Aを処理する場合には、処理室1内で先
行の被処理体Aに処理を施している間に、次の被処理体
Aを副室2の位置abに移送して副室2内を処理室1と
略同じ雰囲気にしておき、先行の被処理体Aが処理を終
えて処理室1の位置acから位置adに向けて移送され
てから、ゲートバルブ5を開けて次の被処理体Aを位置
abから処理室1の位置acに移送して、該被処理体A
に処理を施すと云う王台に移送手順を構成することが出
来る。
この構成でなる処理室に被処理体を出し入れする従来の
移送方法においては、少なくとも被処理体Aを処理室1
の位置aCに着脱している間とその前後で移送する間は
、被処理体Aに処理を施す作業を行うことが出来ず、そ
の分だけ高価な処理装置の処理能力が低下して処理費が
高くなる欠点を有する。
(d) 発明の目的 本発明の目的は上記従来の欠点に鑑み、大気と隔絶され
て真空ないし減圧状態の雰囲気を形成する処理室内で平
板状の被処理体の被処理面に処理を施す真空装置におい
て、被処理体を処理室の処理を施す位置に着脱する時間
とその前後で処理室に出し入れする移送時間を短縮する
ことが可能である、処理室に被処理体を出し入れする移
送方法を提供するにある。
18) 発明の構成 上記目的は、大気と隔絶されて真空ないし減圧状態の雰
囲気を形成する処理室内で平板状の被処理体の被処理面
に処理を施す真空装置において、該真空装置に、被処理
体を表裏のそれぞれの面に保持出来且つ核面に平行な軸
を中心に回動可能なバタフライバルブと、該バタフライ
バルブの反転毎に、処理室の被処理体出入り口を気密に
閉塞する構造を設け、該バタフライバルブの該処理室外
に表出する面に被処理体を保持させ、しかる後、該バタ
フライバルブを反転させることにより該被処理体を該処
理室に移送することを特徴とする移送方法によって達成
される。
処理を施す位置に被処理体を着脱するのは処理室の外側
で行うので、先行の被処理体に該処理を施している間に
行うことが出来、該位置から先行の被処理体を移送する
のと次の被処理体を該位置に移送するのを、前記バタフ
ライバルブの反転で同時に行い、然も被処理体は保持さ
れた状態にあって該バタフライバルブの回転速度を速く
することが可能なので、処理を施す作業を停止させる時
間は、着脱ではOとなり、移送では従来例に比較して大
幅な短縮が可能になる。
(f) 発明の実施例 以下本発明の実施例を図により説明する。企図を通じ同
一符号は同一対象物を示す。
第2図は真空装置における処理室に被処理体を出し入れ
する本発明による移送方法の一実施例の構成を示した図
、第3図はその移送方法の手順を分解して示した図(a
l〜(ト))、第4図は同じく他の実施例の構成を示し
た図で、11は処理室、12.22は副室、13.23
はバタフライバルブ、14は軸、15はパツキン、16
は中継板、17.18.27はゲートバルブ、baxb
eSca−ceは被処理体の位置をそれぞれ示す。
第2図図示の処理室に被処理体を出し入れする移送方法
における機構構成は、第1図図示の処理室1に対応する
処理室11の底面に隣接して、大気と隔絶出来る副室1
2が設けられ、処理室tiと副室12との間には、被処
理体Aを表裏のそれぞれの面に隣接して保持出来るバタ
フライバルブ13が照面に平行で中心にある軸14を軸
にして回動可能に設けられ、バタフライバルブ13の面
が処理室11の底面と平行になった際には、例えばOリ
ングなどでなるパツキン15の配置により処理室11と
副室12との間を気密に閉塞するようになっている。従
って、この閉塞はバタフライバルブ13の反転毎に形成
される。また、バタフライバルブ13は、被処理面を外
側にして被処理体Aを保持し処理室11内を向いた際、
処理を施す位置に該被処理体Aを位置させるようになっ
ている。副室12内のバタフライバルブ13と副室12
の底面との間には、両者間を往復動可能で且つバタフラ
イバルブ13側面に被処理体Aを持着出来る中継板16
が設けられ、該往復動は外部から操作出来るようになっ
ている。更に、副室12の図示左右それぞれの側には被
処理体Aを通過させることが出来且つ副室12と大気と
の間を気密に閉塞するゲートバルブ17.18が設けら
れている。
そして、処理を施す際の被処理体への移送手順は次のよ
うにする。なお、第2図図示の移送手順を分解して第3
図(al〜伽)に示しである。
最初に外部の位置baにある処理前の被処理体A(図(
a1図示)を、ゲートバルブ17を開けて副室12内で
副室12の底面側(中継板16の定位置)に位置してい
る中継板16上の位置bbに移送、保持させ(図(b)
図示)、ゲートバルブ17を閉じる。次いで副室12内
を排気し処理室11と略同じ雰囲気にすると共に、中継
板16をバタフライバルブ13の側へ移動(図(0)図
示)して当該被処理体Aを移送し、バタフライバルブ1
3の位置beに保持させて、中継板16を定位置に戻す
(図(d)図示)。次にバタフライバルブ13を図(e
)図示矢印方向に反転して、当該被処理体Aを処理室1
1の処理を施す位置bdに移送しく図(f)図示)、当
該被処理体Aに所定の処理を施す。
この処理が終了した後にバタフライバルブ13を図(幻
図示矢印方向に反転して、当該被処理体Aを副室12内
の位置bcに移送する(図(h1図示)。続いて、中継
板16をバタフライバルブ13側に移動(図(1)図示
)して当該被処理体Aを中継板16に保持させ、中継板
16を定位置にもどして位置bbに移送する(図(1)
図示)と共に、必要ならば副室12内を略大気圧にし、
ゲートバルブ18を開けて当該被処理体Aを外部の位置
beに移送して(図(ト))図示)一つの手順を完了す
る。
複数の被処理体Aを処理する場合には、処理室11内で
先行の被処理体Aに処理を施している間に、次の被処理
体Aを副室12内バタフライバルブ13上の位置beに
移送して副室12内を処理室11と略同じ雰囲気にして
おき、先行の被処理体Aに施す処理が終わったらバタフ
ライバルブ3を反転して次の被処理体Aを位1fbcか
ら処理室11の位置bdに移送して、該処理体Aに処理
を施すと云う1合に移送手順を構成することが出来る。
この構成でなる処理室に被処理体を出し入れする本発明
による移送方法においては、処理が施される位置bdに
被処理体Aを着脱するのは処理室11の外側で行うので
、先行の被処理体Aに該処理を施している間に行うこと
が出来、また、位置bdから先行の被処理体Aを移送す
るのと次の被処理体Aを位置bdに移送するのとを、バ
タフライバルブ130反転で同時に行い、然も被処理体
Aは保持された状態にあってバタフライバルブ130回
転速度を速くすることが可能なので、処理を施す作業を
停止させる時間は、着脱では0となり、移送では従来例
に比較して大幅な短縮が可能になる。従って、処理装置
が従来と同様に高価であっても、従来に比較して処理能
力が大幅に増加し、然も、副室が従来2個必要であった
のに対し1個で済み該装置の保守が容易になること、被
処理体への着脱が略大気圧下で行われてトラブルが減少
することによる該処理装置の稼働率向上も加わって、処
理費の低減を図ることが可能になる。
第4図図示の処理室に被処理体を出し入れする移送方法
における機構構成は、第2図図示の場合と次の点が相違
している。
即ち、被処理体への外部からの出し入れを一個所にし、
中継板16を介することなく直接バタフライバルブに保
持させている。従って、バタフライバルブ13は横方向
から移送された被処理体Aを保持出来るような23に代
わり、中継板16とゲートバルブ18が除去されゲート
バルブ17は位置が代わって27となり、副室12が2
2となっている。
そして、処理を施す際の被処理体Aの移送手順は次のよ
うにする。
最初に外部の位置caにある処理前の被処理体Aを、ゲ
ートバルブ27の入り口位置cbに移送してから、ゲー
トバルブ27を開けて副室22内に移送し、バタフライ
バルブ23の位置CCに持着させて、ゲートバルブ27
を閉じ、副室22内を排気し処理室11と略同じ雰囲気
にする。次にバタフライバルブ23を反転して、当該被
処理体Aを処理室11の処理を施す位置cdに移送し、
当該被処理体Aに所定の処理を施す。この処理が終了し
た後にバタフライバルブ23を反転して、当該被処理体
Aを副室22内の位置ccに移送する。続いて、必要な
らば副室22内を略大気圧にし、ゲートバルブ27を開
けて当該被処理体Aを外部の位置cbに移送し、更に位
置ceに移送して一つの手順を完了する。
複数の被処理体Aを処理する場合には、上記の手順に合
わせて第2図図示の場合と同様に移送手順を構成するこ
とが出来る。
従って、この構成でなる移送方法においても、第2図図
示の場合と全(同様な結果を得ることが可能である。
(明 発明の効果 以上に説明したように、本発明による構成によれば、大
気と隔絶されて真空ないし減圧状態の雰囲気を形成する
処理室内で平板状の被処理体の被処理面に処理を施す真
空装置において、被処理体を処理室の処理を施す位置に
着脱する時間とその前後で処理室に出し入れする移送時
間を短縮することが可能であり、然も、副室を1個で済
ませ、被処理体着膜でのトラブル低減が可能な、処理室
に被処理体を出し入れする移送方法提供することが出来
て、処理装置が従来と同様に高価であっても、従来に比
較して処理能力が大幅に増加し、且つ該装置の保守が容
易になって、処理費の低減を図ることを可能にさせる効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は真空装置における処理室に被処理体を出し入れ
する従来の移送方法の一実施例の構成を示した図、第2
図は真空装置における処理室に被処理体を出し入れする
本発明による移送方法の一実施例の構成を示した図、第
3図はその移送方法の手順を分解して示した図(81〜
色)、第4図は同じく他の実施例の構成を示した図であ
る。 図面において、1.11は処理室、2.3.12.22
は副室、4.5.6.7.17.18.27はゲートバ
ルブ、13.23はバタフライバルブ、14は軸、15
はパツキン、16は中継板、Aは被処理体、aa””a
e、ba−bes Ca#Ceは被処理体の位置をそれ
ぞれ示す。 第1図 ! 隼2囚 // 第3g 第4図 ノ Z −/4 ど23 ″−15

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 大気と隔絶されて真空ないし減圧状態の雰囲気を形成す
    る処理室内で平板状の被処理体の被処理面に処理を施す
    真空装置において、該真空装置に、被処理体を表裏のそ
    れぞれの面に保持出来且つ照面に平行な軸を中心に回動
    可能なバタフライバルブと、該バタフライバルブの反転
    毎に、処理室の被処理体出入り口を気密に閉塞する構造
    を設け、該バタフライバルブの該処理室外に表出する面
    に被処理体を保持させ、しかる後、該バタフライバルブ
    を反転させることにより該被処理体を該処理室に移送す
    ることを特徴とする移送方法。
JP1488984A 1984-01-30 1984-01-30 移送方法 Pending JPS60160139A (ja)

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JP1488984A JPS60160139A (ja) 1984-01-30 1984-01-30 移送方法

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JP (1) JPS60160139A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63243273A (ja) * 1987-03-31 1988-10-11 Ulvac Corp ロ−ドロツク式真空処理装置
NL1010046C2 (nl) * 1997-09-12 2004-08-17 Balzers Hochvakuum Sproeistation.
CN101942645A (zh) * 2009-07-06 2011-01-12 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 镀膜机

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63243273A (ja) * 1987-03-31 1988-10-11 Ulvac Corp ロ−ドロツク式真空処理装置
NL1010046C2 (nl) * 1997-09-12 2004-08-17 Balzers Hochvakuum Sproeistation.
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