JPS63243273A - ロ−ドロツク式真空処理装置 - Google Patents
ロ−ドロツク式真空処理装置Info
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- JPS63243273A JPS63243273A JP7612887A JP7612887A JPS63243273A JP S63243273 A JPS63243273 A JP S63243273A JP 7612887 A JP7612887 A JP 7612887A JP 7612887 A JP7612887 A JP 7612887A JP S63243273 A JPS63243273 A JP S63243273A
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- chamber
- gate valve
- reaction chamber
- vacuum processing
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
- C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
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- Mechanical Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、例えば半導体産業、金属産業、セラミック産
業等の分野で用いられているＣＶＤ法、ＰＶＤ法、イオ
ン注入法およびこれらの複合法あるいはエツチング法等
に使用され得る、真空処理室と仕込み室とを備えたロー
ドロック式真空処理装置に関するものである。
業等の分野で用いられているＣＶＤ法、ＰＶＤ法、イオ
ン注入法およびこれらの複合法あるいはエツチング法等
に使用され得る、真空処理室と仕込み室とを備えたロー
ドロック式真空処理装置に関するものである。
［従来の技術］
従来、ロードロック式真空処理装置は種々の形態で実施
されており、その−例としては添付図面の第５図に示す
ような反応装置がある。第５図においてＡは反応室で、
その内部に蒸発源Ｂおよび試料台Ｃが配置され、この反
応室Ａにはゲート弁りを介して仕込み室Ｅが、またゲー
ト弁Ｆを介して試料受渡し機構室Ｇがそれぞれ連設され
、各室はそれぞれ図示してない真空ポンプに連通Ｌ”ｌ
する。仕積み室Ｅは試料出入れ口Ｈを備え、この試料出
入れ口Ｈを通して試１！ＩＩが、仕込み室Ｅと反応室Ａ
との間で往復動できる試料台移動軸Ｊの先端の試料台Ｋ
に装着できるようにされている。試料受渡し機構室Ｇに
は試料受渡し機構りが設けられており、この試料受渡し
機ｔＲＬはゲート弁Ｆを開けることにより反応室Ａ内に
入り、処理ずみの試料ｌの受渡しを行う。
されており、その−例としては添付図面の第５図に示す
ような反応装置がある。第５図においてＡは反応室で、
その内部に蒸発源Ｂおよび試料台Ｃが配置され、この反
応室Ａにはゲート弁りを介して仕込み室Ｅが、またゲー
ト弁Ｆを介して試料受渡し機構室Ｇがそれぞれ連設され
、各室はそれぞれ図示してない真空ポンプに連通Ｌ”ｌ
する。仕積み室Ｅは試料出入れ口Ｈを備え、この試料出
入れ口Ｈを通して試１！ＩＩが、仕込み室Ｅと反応室Ａ
との間で往復動できる試料台移動軸Ｊの先端の試料台Ｋ
に装着できるようにされている。試料受渡し機構室Ｇに
は試料受渡し機構りが設けられており、この試料受渡し
機ｔＲＬはゲート弁Ｆを開けることにより反応室Ａ内に
入り、処理ずみの試料ｌの受渡しを行う。
このような従来のロードロック式反応装置の動作におい
て、第５図は住込み室Ｅの試料台Ｋに試ｑＩをセットし
た状態を示し、第６図は反応室Ａにおける試料の受渡し
動作を示し、まず、ゲート弁りが開けられ、試料台に上
の試料ｌが試料台移動軸Ｊの作動により仕込み室Ｅから
反応室Ａに搬入される。この状態で試料受渡し機構室Ｇ
側のゲート弁Ｆが開けられ、試料受渡しｔ６１ｆｉ’ｌ
Ｌが反応室Ａ内に下降し、所定の位置で、搬入されてき
た試料Ｉを試料台Ｋから反応室Ａ内の試料台Ｃへ移す。
て、第５図は住込み室Ｅの試料台Ｋに試ｑＩをセットし
た状態を示し、第６図は反応室Ａにおける試料の受渡し
動作を示し、まず、ゲート弁りが開けられ、試料台に上
の試料ｌが試料台移動軸Ｊの作動により仕込み室Ｅから
反応室Ａに搬入される。この状態で試料受渡し機構室Ｇ
側のゲート弁Ｆが開けられ、試料受渡しｔ６１ｆｉ’ｌ
Ｌが反応室Ａ内に下降し、所定の位置で、搬入されてき
た試料Ｉを試料台Ｋから反応室Ａ内の試料台Ｃへ移す。
その後第７図に示すように、試料台移動軸Ｊおよび試料
受渡しａ椹りはそれぞれ仕込みｇＥおよび試料受渡し機
構室Ｇへ後退され、それぞれのゲート弁り、Ｆが閉じら
れ、反応室Ａは仕込み室Ｅおよび試料受渡し機構室Ｇか
ら完全に隔絶される。
受渡しａ椹りはそれぞれ仕込みｇＥおよび試料受渡し機
構室Ｇへ後退され、それぞれのゲート弁り、Ｆが閉じら
れ、反応室Ａは仕込み室Ｅおよび試料受渡し機構室Ｇか
ら完全に隔絶される。
こうした状態において反応室Ａ内の試料台Ｃは下向に旋
回され、その状態で蒸発源Ｂが加熱され、成膜が行われ
る。
回され、その状態で蒸発源Ｂが加熱され、成膜が行われ
る。
成膜終了後、試料は第７図の位置状態から第６図そして
第５図の位置状態に上記の操作手順と逆の操作手順で戻
され、試料出入れ口Ｈから装置の外に取り出される。
第５図の位置状態に上記の操作手順と逆の操作手順で戻
され、試料出入れ口Ｈから装置の外に取り出される。
［発明が解決しようとする問題点］
上述のように、従来のロードロック式反応装置では、反
応室は反応動作中、ゲート弁で仕込み室から完全に仕切
られるために、試料を仕込み室のの試？１台から反応室
の試料台へ移しまた反応室の試料台から仕込み室のの試
料台へ移し換えるための試料受渡しａｍが必要とされる
だけでなく、この試料受渡し機構が反応装置を複雑かつ
窩価なものにしていた。すなわち、反応室と仕込み室と
を備えたロードロック式反応装置では、反応室と仕込み
室とを完全に仕切るための弁装置と、反応処理のために
試料を仕込み室から反応室へ搬入したり、処理ずみの試
料を反応室から搬出するための搬送機構との他に、これ
ら二室間で試料の受渡しを行う別個の受渡しｍ構が必要
とされるため、反応装置の複Ｍｔ化と高コストは勿論こ
と装置の動作制御および保守等も複雑となる問題点があ
った。
応室は反応動作中、ゲート弁で仕込み室から完全に仕切
られるために、試料を仕込み室のの試？１台から反応室
の試料台へ移しまた反応室の試料台から仕込み室のの試
料台へ移し換えるための試料受渡しａｍが必要とされる
だけでなく、この試料受渡し機構が反応装置を複雑かつ
窩価なものにしていた。すなわち、反応室と仕込み室と
を備えたロードロック式反応装置では、反応室と仕込み
室とを完全に仕切るための弁装置と、反応処理のために
試料を仕込み室から反応室へ搬入したり、処理ずみの試
料を反応室から搬出するための搬送機構との他に、これ
ら二室間で試料の受渡しを行う別個の受渡しｍ構が必要
とされるため、反応装置の複Ｍｔ化と高コストは勿論こ
と装置の動作制御および保守等も複雑となる問題点があ
った。
そこで、本発明は、上記の問題点を解決するため、従来
装置におけるような複雑な試料受渡し機構を必要としな
い構造が簡単なロードロック式真空処理装置を提供する
ことを目的としている。
装置におけるような複雑な試料受渡し機構を必要としな
い構造が簡単なロードロック式真空処理装置を提供する
ことを目的としている。
［問題点を解決するための手段］
上記の目的を達成するために、本発明によるロードロッ
ク式真空処理装置は、真空処理室と、この真空処理室に
ゲート弁を介して連設した仕込み室と、上記真空処理室
および仕込み室間で移動できる試料搬送軸と、この試ｆ
Ｉ搬送軸に密封的に装着し、上記試料搬送軸の軸方向移
動に応じて開閉し、上記試料搬送軸を上記真空処理室内
の所定の位置まで移動させた時に上記二室を仕切る仕切
弁体とを有することを特徴としている。
ク式真空処理装置は、真空処理室と、この真空処理室に
ゲート弁を介して連設した仕込み室と、上記真空処理室
および仕込み室間で移動できる試料搬送軸と、この試ｆ
Ｉ搬送軸に密封的に装着し、上記試料搬送軸の軸方向移
動に応じて開閉し、上記試料搬送軸を上記真空処理室内
の所定の位置まで移動させた時に上記二室を仕切る仕切
弁体とを有することを特徴としている。
本発明による装置においては、真空処理室および仕込み
室間で移動できる試料搬送軸は同軸複動構造として実施
でき、それにより仕切弁体で上記真空処理室と上記仕込
み室とを仕切った後、試料搬送軸は回動、往復動できる
ようにされ得る。
室間で移動できる試料搬送軸は同軸複動構造として実施
でき、それにより仕切弁体で上記真空処理室と上記仕込
み室とを仕切った後、試料搬送軸は回動、往復動できる
ようにされ得る。
また、試料搬送軸は、先端に装着した試料を加熱、冷却
または温度測定したりするためのコードや管部材を通す
ことのできる中空構造として構成することもできる。
または温度測定したりするためのコードや管部材を通す
ことのできる中空構造として構成することもできる。
［作 用］
このように構成した本発明のロードロック式真空処理装
置では、試ｆＩｖｌ送軸自体が試料の真空処理中それの
ボルダ−としても機能し、また仕込み室から真空処理室
へ試料を搬入する試ｆｌＩｊｌｉ送軸の動きに連動して
仕切弁体も真空処理室に向って移動し、試料搬送軸が所
定の位置まで移動した時、仕込み室と真空処理室とを完
全に仕切る。この場合試料搬送軸は、それに装着された
仕切弁体により仕込み室と真空処理室とを完全に仕切っ
た状態のまま外部より回動または往復動させることがで
き、それにより真空処理室内で試料を回動させたり、往
復動さぜたりすることができる。
置では、試ｆＩｖｌ送軸自体が試料の真空処理中それの
ボルダ−としても機能し、また仕込み室から真空処理室
へ試料を搬入する試ｆｌＩｊｌｉ送軸の動きに連動して
仕切弁体も真空処理室に向って移動し、試料搬送軸が所
定の位置まで移動した時、仕込み室と真空処理室とを完
全に仕切る。この場合試料搬送軸は、それに装着された
仕切弁体により仕込み室と真空処理室とを完全に仕切っ
た状態のまま外部より回動または往復動させることがで
き、それにより真空処理室内で試料を回動させたり、往
復動さぜたりすることができる。
また、試料搬送軸を中空構造として実施した場合には、
この試料撤退軸内を通して試料の加熱、冷却あるいは測
温等を行うことができる。
この試料撤退軸内を通して試料の加熱、冷却あるいは測
温等を行うことができる。
［実 施 例］
以下、添付図面の第１図〜第４図を参照して本発明の実
施例について説明する。
施例について説明する。
第１図および第２図には本発明をロードロック式真空蕉
着装置として実施した一例を示し、１は仕込み室、２は
反応室であり、これらの画室は並置され、ゲート弁３で
仕切られている。また各室１．２はそれぞれバルブ４．
５を介して図示してない真空ポンプに連通している。仕
込み室１には試料６を出入れするための試料出入れロア
が設けられている。８は試料搬送軸で、その先端には試
料ホルダー９が装着され、またこの試料搬送軸８の他端
は仕込み室１の壁を通って外部の駆動装置（図示してな
い）に連結され、それでこの試料搬送軸８は仕込み室１
内から反応室２内まで往復動できるようにされている。
着装置として実施した一例を示し、１は仕込み室、２は
反応室であり、これらの画室は並置され、ゲート弁３で
仕切られている。また各室１．２はそれぞれバルブ４．
５を介して図示してない真空ポンプに連通している。仕
込み室１には試料６を出入れするための試料出入れロア
が設けられている。８は試料搬送軸で、その先端には試
料ホルダー９が装着され、またこの試料搬送軸８の他端
は仕込み室１の壁を通って外部の駆動装置（図示してな
い）に連結され、それでこの試料搬送軸８は仕込み室１
内から反応室２内まで往復動できるようにされている。
試ｆ１ｍ送軸８には図面に示すように仕切弁体１０が密
封的に固着されており、この仕切弁体１０の反応室２と
対向した側部にはＯリング１１を備えている。このＯリ
ング１１は、試料搬送軸８が第２図に示すように反応室
２内の所定の位置、すなわち先端の試料ホルダー９に装
着された試料６が反応室２内に設けられた蒸発源１２と
対向する位置まで移動したとき、ゲート弁３に隣接して
反応室２の入口に設けられた仕切弁棒受はフランジ１３
に当接し、このＯリング１１を介して仕切弁体１０によ
り仕込み室１と反応室２とは完全に仕切られ得る。
封的に固着されており、この仕切弁体１０の反応室２と
対向した側部にはＯリング１１を備えている。このＯリ
ング１１は、試料搬送軸８が第２図に示すように反応室
２内の所定の位置、すなわち先端の試料ホルダー９に装
着された試料６が反応室２内に設けられた蒸発源１２と
対向する位置まで移動したとき、ゲート弁３に隣接して
反応室２の入口に設けられた仕切弁棒受はフランジ１３
に当接し、このＯリング１１を介して仕切弁体１０によ
り仕込み室１と反応室２とは完全に仕切られ得る。
このように構成した図示装置の動作において、まず、試
料出入れロアが開けられ、試料搬送軸８の先端の試料ボ
ルダ−９に処理すべき試料６が第１図に示すように装着
される。試料６の装着後、試料出入れロアは閉じられ、
仕込み室１はバルブ４を介して排気される。この場合反
応室２もバルブ５を介して排気された状態にある。しか
る後、ゲート弁３が開放され、続いて試料ホルダー９力
Ｃ試料搬送軸８により反応室２内に搬入される。この際
、試ｆＩｍ送軸８の反応室２方向への移動に伴い、仕切
弁体１０も反応室２方向への移動し、試料ボルダ−９が
反応室２内の所定の位置に達したとき、第２図に示すよ
うに、仕切弁体１０は０リング１１を介して仕切弁棒受
はフランジ１３に当接し、反応室２は仕込み室１から完
全に仕切られ、密閉状態となる。この状態で反応室２内
の蒸発源１２が加熱され、成膜が行われる。
料出入れロアが開けられ、試料搬送軸８の先端の試料ボ
ルダ−９に処理すべき試料６が第１図に示すように装着
される。試料６の装着後、試料出入れロアは閉じられ、
仕込み室１はバルブ４を介して排気される。この場合反
応室２もバルブ５を介して排気された状態にある。しか
る後、ゲート弁３が開放され、続いて試料ホルダー９力
Ｃ試料搬送軸８により反応室２内に搬入される。この際
、試ｆＩｍ送軸８の反応室２方向への移動に伴い、仕切
弁体１０も反応室２方向への移動し、試料ボルダ−９が
反応室２内の所定の位置に達したとき、第２図に示すよ
うに、仕切弁体１０は０リング１１を介して仕切弁棒受
はフランジ１３に当接し、反応室２は仕込み室１から完
全に仕切られ、密閉状態となる。この状態で反応室２内
の蒸発源１２が加熱され、成膜が行われる。
こうして所要の成膜が終了すると、試料搬送軸８は反応
室２から仕込み室１に向う方向に駆動され、それにより
仕切弁体１０が開くと共に処理ずみの試料６を装着した
試料ホルダー９は仕込み室１に戻される。その後、ゲー
ト弁３が閉じられ、仕込み室１のみを大気に開放して試
料ホルダー９から処理ずみの試料６が試料出入れロアを
通って外部へ取り出される。そして引き続き次の新しい
試料について上記と同様な動作が繰り返され得る。
室２から仕込み室１に向う方向に駆動され、それにより
仕切弁体１０が開くと共に処理ずみの試料６を装着した
試料ホルダー９は仕込み室１に戻される。その後、ゲー
ト弁３が閉じられ、仕込み室１のみを大気に開放して試
料ホルダー９から処理ずみの試料６が試料出入れロアを
通って外部へ取り出される。そして引き続き次の新しい
試料について上記と同様な動作が繰り返され得る。
第３図には第１図および第２図に示す装置の変形実施例
を示し、第１図および第２図に示す部分と対応する部分
は第１図および第２図で用いた符号と同じ符号で示す、
第３図の装置は、反応室２内に試料ボルダ−を入れ、仕
切弁体で反応室２と仕込み室１とを完全に仕切った状態
において、試料ボルダ−を反応室２内で回動および（ま
たは）往復動できるように構成されている。すなわち、
第３図において、試料搬送軸１４は、中空状の内側軸部
材１４ａと、軸シール部材１５を介して内側軸部材１４
ａに対して密封的にしかも回動および摺動自在に同軸に
嵌合された外側軸部材１４ｂとから成り、これらの軸部
材は装置の外部に設けられた駆動装置（図示してない）
によって相互に独立して駆動され得る。内側軸部材１４
ａの先端には試料６を保持する試料ホルダー１６が取付
けられ、一方外側軸部材１４ｂはその先端に軸シール部
材１５を介して内側軸１４ａ・に対して密封的に仕切弁
体１７が装着されている。仕切弁体１７の反応室２に対
向した面には第１ずおよび第２図の実施例の場合と同様
にＯリング１１が取付けられ、このＯリング１１を介し
て仕切弁体１７が仕切弁棒受はフランジ１３に当接する
ことにより反応室２と仕込み室１とは完全に仕切られ得
る。試料ホルダー１６は加熱用のヒーター１８を内部に
備え、ヒーター１８は、中空状の内側軸部材１４ａの内
部を通るヒーター＃！１９を介して装置の外部に設けら
れた電源（図示してない）に接続される。
を示し、第１図および第２図に示す部分と対応する部分
は第１図および第２図で用いた符号と同じ符号で示す、
第３図の装置は、反応室２内に試料ボルダ−を入れ、仕
切弁体で反応室２と仕込み室１とを完全に仕切った状態
において、試料ボルダ−を反応室２内で回動および（ま
たは）往復動できるように構成されている。すなわち、
第３図において、試料搬送軸１４は、中空状の内側軸部
材１４ａと、軸シール部材１５を介して内側軸部材１４
ａに対して密封的にしかも回動および摺動自在に同軸に
嵌合された外側軸部材１４ｂとから成り、これらの軸部
材は装置の外部に設けられた駆動装置（図示してない）
によって相互に独立して駆動され得る。内側軸部材１４
ａの先端には試料６を保持する試料ホルダー１６が取付
けられ、一方外側軸部材１４ｂはその先端に軸シール部
材１５を介して内側軸１４ａ・に対して密封的に仕切弁
体１７が装着されている。仕切弁体１７の反応室２に対
向した面には第１ずおよび第２図の実施例の場合と同様
にＯリング１１が取付けられ、このＯリング１１を介し
て仕切弁体１７が仕切弁棒受はフランジ１３に当接する
ことにより反応室２と仕込み室１とは完全に仕切られ得
る。試料ホルダー１６は加熱用のヒーター１８を内部に
備え、ヒーター１８は、中空状の内側軸部材１４ａの内
部を通るヒーター＃！１９を介して装置の外部に設けら
れた電源（図示してない）に接続される。
このように構成した装置は第１図および第２図に示す実
施例の場合の動作に加えて、外部駆動装置により筒状の
支持軸１８を駆動して仕切弁体１９を仕切弁棒受はフラ
ンジ１３に当接させ、反応室２と仕込み室１とを仕切っ
た後、試料ｍ通詰１４により試料ホルダ−１５自体を反
応室２内で回動させたり軸方向に往復動させることがで
きる。
施例の場合の動作に加えて、外部駆動装置により筒状の
支持軸１８を駆動して仕切弁体１９を仕切弁棒受はフラ
ンジ１３に当接させ、反応室２と仕込み室１とを仕切っ
た後、試料ｍ通詰１４により試料ホルダ−１５自体を反
応室２内で回動させたり軸方向に往復動させることがで
きる。
ところで、以上説明してきた第１図〜第３図に示す実施
例はいずれもロードロック式真空蕉着装置に関するもの
であるが、本発明は肖然他の真空処理装置、例えば、熱
ＣＶＤ 、プラズマＣＶＤ 、光ＣＶＤ０５ＨＯＣＶＤ
等ノＣｖＤ装置、スパッタやイオンブレーティング等の
ＰＶＤ装置、イオン注入装置あるいはこれらの複合装置
にも同様に適用でき、ＨＯＣＶＤ装置に実施した例を第
４図に示す。
例はいずれもロードロック式真空蕉着装置に関するもの
であるが、本発明は肖然他の真空処理装置、例えば、熱
ＣＶＤ 、プラズマＣＶＤ 、光ＣＶＤ０５ＨＯＣＶＤ
等ノＣｖＤ装置、スパッタやイオンブレーティング等の
ＰＶＤ装置、イオン注入装置あるいはこれらの複合装置
にも同様に適用でき、ＨＯＣＶＤ装置に実施した例を第
４図に示す。
第４図において、２１は反応室、２２は仕込み室であり
、これらの両室は上下に垂ねて設けられ、ゲート弁２３
（図面では開の状態で示す）で仕切られている。また各
室２１．２２はそれぞれ図示してない真空ポンプによっ
て排気されるように構成されている。ゲート弁２３に隣
接して反応室２１の下方部内壁には仕切弁棒受はフラン
ジ２４が一体的に設けられている０反応室２１および仕
込み室２２の長手方向軸線に沿って試料搬送軸２５が配
置され、この試料搬送＠２５は、中空状の内側軸部材２
５ａと、軸シール部材２６を介して内側軸部材２５ａに
対して密封的にしかも回動および摺動自在に同軸に嵌合
された外側軸部材２５ｂとから成り、これらの軸部材は
装置の外部に設けられた駆動装置（図示してない）によ
って相互に独立して駆動され得る。内側軸部材２５ａの
上端には試料２７を保持する試料ボルダ−２８が取付け
られ、一方外側軸部材２５ｂはその上端に軸シール部材
２７を介して内側軸２５ａに対して密封的に仕切弁体２
９が装着されている。仕切弁体２９の上面にはＯリング
３０が゛°取付けられ、二〇〇リング３０を介して仕切
弁体２９が仕切弁棒受はフランジ２４に当接することに
より反応室２１と仕込み室２２とは完全に仕切られ得る
。中°空状の内側軸部材２５ａ内には試料ボルダ−２８
上の試料２７の温度を測定する熱電対３１が挿置されて
いる。また第４図において反応室２１の周囲には高周波
コイル３２が設けられ、さらに、反応室２１の頂部には
反応ガス導入口３３が設けられている。
、これらの両室は上下に垂ねて設けられ、ゲート弁２３
（図面では開の状態で示す）で仕切られている。また各
室２１．２２はそれぞれ図示してない真空ポンプによっ
て排気されるように構成されている。ゲート弁２３に隣
接して反応室２１の下方部内壁には仕切弁棒受はフラン
ジ２４が一体的に設けられている０反応室２１および仕
込み室２２の長手方向軸線に沿って試料搬送軸２５が配
置され、この試料搬送＠２５は、中空状の内側軸部材２
５ａと、軸シール部材２６を介して内側軸部材２５ａに
対して密封的にしかも回動および摺動自在に同軸に嵌合
された外側軸部材２５ｂとから成り、これらの軸部材は
装置の外部に設けられた駆動装置（図示してない）によ
って相互に独立して駆動され得る。内側軸部材２５ａの
上端には試料２７を保持する試料ボルダ−２８が取付け
られ、一方外側軸部材２５ｂはその上端に軸シール部材
２７を介して内側軸２５ａに対して密封的に仕切弁体２
９が装着されている。仕切弁体２９の上面にはＯリング
３０が゛°取付けられ、二〇〇リング３０を介して仕切
弁体２９が仕切弁棒受はフランジ２４に当接することに
より反応室２１と仕込み室２２とは完全に仕切られ得る
。中°空状の内側軸部材２５ａ内には試料ボルダ−２８
上の試料２７の温度を測定する熱電対３１が挿置されて
いる。また第４図において反応室２１の周囲には高周波
コイル３２が設けられ、さらに、反応室２１の頂部には
反応ガス導入口３３が設けられている。
第４図のＨＯＣＶＤ装置の動作は通常や仕方で行われ、
仕切弁および試料搬送軸の動ｆヤは第３図に示した実施
例の場合と実質的に同じである。
仕切弁および試料搬送軸の動ｆヤは第３図に示した実施
例の場合と実質的に同じである。
ところで、図示した各実施例では、反応室に対して一つ
の仕込み室を有する場合について説明してきたが、必要
により複数個の仕込み室を設け、それぞれに本発明にお
ける試ｆ１ｍ送りｌ１ｌａ ｉおよび仕切弁機構を設け
ることもでき、また一つの仕込み室に複数個の試料搬送
軸ａ構および仕切弁Ｒ楢を設けてることも可能である。
の仕込み室を有する場合について説明してきたが、必要
により複数個の仕込み室を設け、それぞれに本発明にお
ける試ｆ１ｍ送りｌ１ｌａ ｉおよび仕切弁機構を設け
ることもでき、また一つの仕込み室に複数個の試料搬送
軸ａ構および仕切弁Ｒ楢を設けてることも可能である。
さらに試料搬送軸機構および仕切弁ａｍを電気的に浮か
せることにより、試料にバイアス電圧をかけ、スパッタ
リング、イオンブレーティング、バイアススパッタ等を
行なわせるようにすることもできる。なお、第３図およ
び第４図の実施例においては試料搬送軸の内側軸部材お
よび外側軸部材は独立して駆動されるように構成されて
いるが、当然、互いに連動するように構成することもで
きる。
せることにより、試料にバイアス電圧をかけ、スパッタ
リング、イオンブレーティング、バイアススパッタ等を
行なわせるようにすることもできる。なお、第３図およ
び第４図の実施例においては試料搬送軸の内側軸部材お
よび外側軸部材は独立して駆動されるように構成されて
いるが、当然、互いに連動するように構成することもで
きる。
［発明の効果コ
以上説明してきたように、本発明によれば、仕込み室と
真空処理室とを備えたロードロック式真空処理装置◆；
おいて試料搬送軸に仕切弁機構を取り付け、真空路Ｉ！
！！室への試料の搬入と同時に真空処理室と仕込み室と
を遮蔽できるように構成でき、仕込み室および真空処理
室での試料の受渡しが不要となり、その結果高価で梢遺
の複６３１な試料受渡し機構を省略することができ、装
置全体の寸法を小さくできると同時に装置の簡素化およ
び低コスト化を計ることができる。
真空処理室とを備えたロードロック式真空処理装置◆；
おいて試料搬送軸に仕切弁機構を取り付け、真空路Ｉ！
！！室への試料の搬入と同時に真空処理室と仕込み室と
を遮蔽できるように構成でき、仕込み室および真空処理
室での試料の受渡しが不要となり、その結果高価で梢遺
の複６３１な試料受渡し機構を省略することができ、装
置全体の寸法を小さくできると同時に装置の簡素化およ
び低コスト化を計ることができる。
また、試料搬送軸を同軸複動構造とすることにより、試
料を外部がら回動および（またはン往復動させることが
でき、その結′果、例えば、立体的な試料であってもそ
の表面を均一に処理することが可能となる。
料を外部がら回動および（またはン往復動させることが
でき、その結′果、例えば、立体的な試料であってもそ
の表面を均一に処理することが可能となる。
さらに、試料搬送軸を中空構造とした場合には、この試
料搬送軸を通して試料および試料ホルダーの加熱、冷却
並びに測温等の計測が可能となる。
料搬送軸を通して試料および試料ホルダーの加熱、冷却
並びに測温等の計測が可能となる。
第１図は本発明の一実施例を示す概略線図、第２図は第
１図の装置の異なる動作状態を示す概略線図、第３図は
本発明の変形実施例を示す概略線図、第４図は本発明の
別の実施例を示す概略線図、第５図〜第７図は従来のロ
ードロック式反応装置の一例を示す概略線図である。 図 中 １．２２ ：仕込み室 ２．２１：反応室 ３．２３ ：ゲート弁 ６．２７：試料 ８．１４．２５：試料搬送軸 ９．１Ｇ、２８：試料ホルダー １０．１７．２９：仕切弁体 １１．３０ ：０リング １３．２４：仕切弁棒受はフランジ 第１図 第５図
１図の装置の異なる動作状態を示す概略線図、第３図は
本発明の変形実施例を示す概略線図、第４図は本発明の
別の実施例を示す概略線図、第５図〜第７図は従来のロ
ードロック式反応装置の一例を示す概略線図である。 図 中 １．２２ ：仕込み室 ２．２１：反応室 ３．２３ ：ゲート弁 ６．２７：試料 ８．１４．２５：試料搬送軸 ９．１Ｇ、２８：試料ホルダー １０．１７．２９：仕切弁体 １１．３０ ：０リング １３．２４：仕切弁棒受はフランジ 第１図 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、真空処理室と、この真空処理室にゲート弁を介して
連設した仕込み室と、上記真空処理室および仕込み室間
で移動できる試料搬送軸と、この試料搬送軸に密封的に
装着し、上記試料搬送軸の軸方向移動に応じて開閉し、
上記試料搬送軸を上記真空処理室内の所定の位置まで移
動させた時に上記二室を仕切る仕切弁体とを有すること
を特徴とするロードロック式真空処理装置。 ２、真空処理室および仕込み室間で移動できる試料搬送
軸が、同軸複動構造であり、仕切弁体で上記真空処理室
と上記仕込み室とを仕切った後、回動、往復動できるよ
うにした特許請求の範囲第１項に記載のロードロック式
真空処理装置。 ３、真空処理室および仕込み室間で移動できる試料搬送
軸が、先端に装着した試料を加熱、冷却または温度測定
したりするためのコードや管部材を通すことのできる中
空構造である特許請求の範囲第１項に記載のロードロッ
ク式真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7612887A JPS63243273A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | ロ−ドロツク式真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7612887A JPS63243273A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | ロ−ドロツク式真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63243273A true JPS63243273A (ja) | 1988-10-11 |
Family
ID=13596295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7612887A Pending JPS63243273A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | ロ−ドロツク式真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63243273A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007217756A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Ulvac Japan Ltd | 真空装置 |
| JP2016058481A (ja) * | 2014-09-08 | 2016-04-21 | 信越半導体株式会社 | 半導体製造装置、半導体基板の製造方法及び搬送ロボット |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS597913A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-17 | Fujitsu Ltd | 光フアイバ固定装置およびその製造方法 |
| JPS60160139A (ja) * | 1984-01-30 | 1985-08-21 | Fujitsu Ltd | 移送方法 |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP7612887A patent/JPS63243273A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS597913A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-17 | Fujitsu Ltd | 光フアイバ固定装置およびその製造方法 |
| JPS60160139A (ja) * | 1984-01-30 | 1985-08-21 | Fujitsu Ltd | 移送方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007217756A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Ulvac Japan Ltd | 真空装置 |
| JP2016058481A (ja) * | 2014-09-08 | 2016-04-21 | 信越半導体株式会社 | 半導体製造装置、半導体基板の製造方法及び搬送ロボット |
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