JPS597913A - 光フアイバ固定装置およびその製造方法 - Google Patents
光フアイバ固定装置およびその製造方法Info
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- JPS597913A JPS597913A JP11798382A JP11798382A JPS597913A JP S597913 A JPS597913 A JP S597913A JP 11798382 A JP11798382 A JP 11798382A JP 11798382 A JP11798382 A JP 11798382A JP S597913 A JPS597913 A JP S597913A
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- thin metallic
- metallic film
- optical fiber
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/36—Mechanical coupling means
- G02B6/38—Mechanical coupling means having fibre to fibre mating means
- G02B6/3807—Dismountable connectors, i.e. comprising plugs
- G02B6/3833—Details of mounting fibres in ferrules; Assembly methods; Manufacture
- G02B6/3834—Means for centering or aligning the light guide within the ferrule
- G02B6/3838—Means for centering or aligning the light guide within the ferrule using grooves for light guides
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mechanical Coupling Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(at 発明の技術分野
本発明は光フアイバアレイなどの元ファイバを基板に固
?する固定構造およびその製造方法に係る。
?する固定構造およびその製造方法に係る。
(hl 技術の背量
光通信技術の進歩に伴いGaAs (ガリウム砒1)な
どの基板上にレーザダイオードなどの発光素子、あるい
it A P D (Ava/Zan&Photo l
)i ode)などの受光素子音小間隔で多数並設せし
めた発光素子アレイあるいは受光素子アレイが開発され
ている。
どの基板上にレーザダイオードなどの発光素子、あるい
it A P D (Ava/Zan&Photo l
)i ode)などの受光素子音小間隔で多数並設せし
めた発光素子アレイあるいは受光素子アレイが開発され
ている。
しkがってこれらのアレイと光学的に結合する小従来の
この種の光フアイバアレイは、基板の上面に機械加工あ
るは化学的手段により7溝全並列せしめ、■溝に光ファ
イバを上方より挿入し、元ファイバ會押え板などで圧着
するか、あるいけ接着剤で接着する構造が広く使用され
ている。
この種の光フアイバアレイは、基板の上面に機械加工あ
るは化学的手段により7溝全並列せしめ、■溝に光ファ
イバを上方より挿入し、元ファイバ會押え板などで圧着
するか、あるいけ接着剤で接着する構造が広く使用され
ている。
し、かし押え板金用いる方法は、小形化が困難であり、
また、押え板、接着剤の両者とも■溝の両側面に光7つ
・イパケ密着されるには附加する力の+d+ 発明の
目的 41:発明の目的は上記従来の問題点が除去された光フ
ァイバの固定構造およびその製造方法全提供することに
ある。
また、押え板、接着剤の両者とも■溝の両側面に光7つ
・イパケ密着されるには附加する力の+d+ 発明の
目的 41:発明の目的は上記従来の問題点が除去された光フ
ァイバの固定構造およびその製造方法全提供することに
ある。
tel 発明の構成
この目的lr達成するために本発明は、シリコン基板の
上面の全面に形成されてなる金属膜全切断して形成σれ
r幅か元ファイバの直径よりも小さの幅よりも大さく該
元ファイバの挿入きれる■溝と、I−りなり、該■溝に
挿入された元ファイバの上面部が、該金属膜のスリット
の両III緑によって圧接されて、■溝内VC整列固着
されるJ′ニー″′1にしたものであり、■#の製造方
法として、シリコンは異方性エツチング液によりV形に
エツチングされることt利用しC1アンダカット?行わ
しめて製造するものである。
上面の全面に形成されてなる金属膜全切断して形成σれ
r幅か元ファイバの直径よりも小さの幅よりも大さく該
元ファイバの挿入きれる■溝と、I−りなり、該■溝に
挿入された元ファイバの上面部が、該金属膜のスリット
の両III緑によって圧接されて、■溝内VC整列固着
されるJ′ニー″′1にしたものであり、■#の製造方
法として、シリコンは異方性エツチング液によりV形に
エツチングされることt利用しC1アンダカット?行わ
しめて製造するものである。
(fl 発明の実施例
以下図示実施例!−照して本発明について詳細に説明す
る。
る。
第1図は本発明の一実施例で(イ)は平面図、(c4は
(イ)の点線M −M部分の断面図、第2図の(イl
、 (d 。
(イ)の点線M −M部分の断面図、第2図の(イl
、 (d 。
f’1 、1.Sl 、 idiはそれぞれ製造過程の
断面図である。
断面図である。
m1図においで、2は直方体状のシリコン基板で11っ
て、上平面にはSIO!膜4が形成?れ、嘔らにその上
面には例えば銅よりカる金属厚膜5が形成でれている。
て、上平面にはSIO!膜4が形成?れ、嘔らにその上
面には例えば銅よりカる金属厚膜5が形成でれている。
8i0.膜4および金属厚膜5には幅が元ファイバlの
直径より小さい帯状のスリット7が所望のピッチで並列
ちれでいる。
直径より小さい帯状のスリット7が所望のピッチで並列
ちれでいる。
シリコン基板2の上部でそれぞれのスリット7の上方V
Cは、スリット7に対応して、上面での開ロ幅ス15ス
’Iyl・7の幅より大きい所望の寸法の■溝6が形成
されている。
Cは、スリット7に対応して、上面での開ロ幅ス15ス
’Iyl・7の幅より大きい所望の寸法の■溝6が形成
されている。
このようVC構成されたシリコン基板2の光素子アレイ
(図示せず)に対向する端面3とは反対側より、このV
溝6に、端面が鏡面化された元ファイバlの端末部が挿
入されている。
(図示せず)に対向する端面3とは反対側より、このV
溝6に、端面が鏡面化された元ファイバlの端末部が挿
入されている。
金属yX5のスリット7の両側縁は、■溝6の上部に突
出していて弾力がある。したがって、金属厚膜5のスリ
ット7の両側縁は光ファイバlの上部を圧接して、光フ
ァイバt2V溝6内に整列せしめる。
出していて弾力がある。したがって、金属厚膜5のスリ
ット7の両側縁は光ファイバlの上部を圧接して、光フ
ァイバt2V溝6内に整列せしめる。
If・スリット78よびV婢6げ下記のように【7て製
作することが出来るものである。
作することが出来るものである。
■ sho、膜および金属薄膜の形成・・・・・・・・
・第2図(イ)参照 シリコン基板2の<100>結晶面である上面の全面に
熱酸化法により8i0.膜4全形成し、きらに9i0.
膜4の全異面に例えば鋼の金属薄膜50(厚さ1μm程
度)會例えば蒸着法により形成する。
・第2図(イ)参照 シリコン基板2の<100>結晶面である上面の全面に
熱酸化法により8i0.膜4全形成し、きらに9i0.
膜4の全異面に例えば鋼の金属薄膜50(厚さ1μm程
度)會例えば蒸着法により形成する。
々おS l O!膜、金属薄膜は、基板の全周面に形成
されるが図示してない。
されるが図示してない。
■ レジストパターンの形成・・・曲・・第2図(イ)
参照 金属薄膜5oの全面にホトレジスト8を塗布し、幅が元
ファイバの直径より小名い所望の幅で方向が<110>
結晶面に対して15°〜20°傾斜した、所望のピッチ
で並列賂れT−帯状のスリット7會有するレジストパタ
ーン?例えば′成子Nllソグラフイ方法にて形成する
っ■ 金属薄膜パターンの形成・・・・・・・・・第2
図、四。
参照 金属薄膜5oの全面にホトレジスト8を塗布し、幅が元
ファイバの直径より小名い所望の幅で方向が<110>
結晶面に対して15°〜20°傾斜した、所望のピッチ
で並列賂れT−帯状のスリット7會有するレジストパタ
ーン?例えば′成子Nllソグラフイ方法にて形成する
っ■ 金属薄膜パターンの形成・・・・・・・・・第2
図、四。
(/i#照
公知のエツチング法により、スリット7に対応する部分
の金!J4IIJ膜S。Bよび8rC)2膜4會浸食せ
しめた後にホ]・レジスト81剥離して所望のスリット
7部分が除去8れてなる金属薄膜パターン全形成する。
の金!J4IIJ膜S。Bよび8rC)2膜4會浸食せ
しめた後にホ]・レジスト81剥離して所望のスリット
7部分が除去8れてなる金属薄膜パターン全形成する。
■ V溝の形成・・・・・・第2図(−→参照S r
02膜4および金属M臆5゜紫浸翫しなく、かつ異方性
エツチング液例えば(ピロカテコール+エチレンヂアミ
レ士水)の溶液にてエックンクするとシリコンの様出部
f+iV形にエツチングすることが出来る。こ0)エツ
チング時間を所望にして金属薄膜5゜(Sin、膜4)
のT1に進行せしめPJI絹アファンダーカットIアン
ダーカーy:・t(−)が所望の長δ(例えば50μf
11 )になるまでエツチングして所望のV溝6紫形成
する。
02膜4および金属M臆5゜紫浸翫しなく、かつ異方性
エツチング液例えば(ピロカテコール+エチレンヂアミ
レ士水)の溶液にてエックンクするとシリコンの様出部
f+iV形にエツチングすることが出来る。こ0)エツ
チング時間を所望にして金属薄膜5゜(Sin、膜4)
のT1に進行せしめPJI絹アファンダーカットIアン
ダーカーy:・t(−)が所望の長δ(例えば50μf
11 )になるまでエツチングして所望のV溝6紫形成
する。
■ 金属厚膜の形成・・−・・・・・第3図(tq参照
金属薄#5oと同一の金属例えば銅を金属薄膜パターン
の上面に電気メッキ?して、金属厚膜5(厚さ20μm
〜50μl11)?形成する。
金属薄#5oと同一の金属例えば銅を金属薄膜パターン
の上面に電気メッキ?して、金属厚膜5(厚さ20μm
〜50μl11)?形成する。
隔で、形成することが出来る。
+g+ 発明の詳細
な説明したよろに不発明は金属厚膜の弾力により光ファ
イバ?V溝に圧接する固定構造およびその製造方法で、
元ファイバiV溝に挿入するだけで整列することが出来
、かつ小形であるなど特に光ファイバ°rレイに使用し
て実用上すぐれた効果?発揮するものである。
イバ?V溝に圧接する固定構造およびその製造方法で、
元ファイバiV溝に挿入するだけで整列することが出来
、かつ小形であるなど特に光ファイバ°rレイに使用し
て実用上すぐれた効果?発揮するものである。
第1図は不発明の一実施例の(イ)は平面図、1−’l
は(イ)の点線M−M部分の断面図、第2図のげl 、
(C’) 。 ei、に)、(羽はそれぞれ製造過程會示す断面図であ
る。 図中1は元ファイバ、2はシリコン基板、4は”O*I
l#、 5oは金、猜薄膜、5は金属厚膜、6は■溝、
711−iスリット、8はホトレジストを示す。 第1閃 (イン ニー ト1 (ロ) 第2図
は(イ)の点線M−M部分の断面図、第2図のげl 、
(C’) 。 ei、に)、(羽はそれぞれ製造過程會示す断面図であ
る。 図中1は元ファイバ、2はシリコン基板、4は”O*I
l#、 5oは金、猜薄膜、5は金属厚膜、6は■溝、
711−iスリット、8はホトレジストを示す。 第1閃 (イン ニー ト1 (ロ) 第2図
Claims (1)
- ill シリコン基板面に形成されてなる金M膜を切
断して形成された幅が光ファイバの直径よりも小嘔い帯
状のスリットとs fill I s If tlll
lリスリット部に対応して形成され膜面での開口幅が該
スリット幅よりも太きく[:7アイバの挿入されるV溝
とよりなり、該金属膜の該スリットの両側縁1)s直光
ファイバ會該V溝に圧接するよう構成されてなること′
ft轡徴とする元7アーイパII!ii足装置〇(2)
シリコン基板面に形成された金属膜を切断して形成
されに帯状のスリットの下部に、該金属膜面での開口幅
が該スリットの幅よりも大きい■清音異方性エウチング
液にてアンダーカットして形成することを特徴とする光
7アイパ固定装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11798382A JPS597913A (ja) | 1982-07-07 | 1982-07-07 | 光フアイバ固定装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11798382A JPS597913A (ja) | 1982-07-07 | 1982-07-07 | 光フアイバ固定装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS597913A true JPS597913A (ja) | 1984-01-17 |
Family
ID=14725105
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11798382A Pending JPS597913A (ja) | 1982-07-07 | 1982-07-07 | 光フアイバ固定装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS597913A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63119234U (ja) * | 1987-01-27 | 1988-08-02 | ||
JPS63243273A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-11 | Ulvac Corp | ロ−ドロツク式真空処理装置 |
JPH0743542A (ja) * | 1993-07-30 | 1995-02-14 | Nec Corp | 光結合構造とその製造方法 |
WO1996023238A3 (en) * | 1995-01-27 | 1996-09-26 | Cambridge Consultants | Miniature mounting device |
EP0692723A3 (de) * | 1994-07-08 | 1998-01-07 | ANT Nachrichtentechnik GmbH | Vorrichtung zum Halten einer mikrooptischen Komponente |
WO1998030926A3 (en) * | 1997-01-07 | 1999-01-14 | Cambridge Consultants | Hybrid chip process |
US6100576A (en) * | 1995-04-27 | 2000-08-08 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson | Silicon substrate having a recess for receiving an element |
-
1982
- 1982-07-07 JP JP11798382A patent/JPS597913A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63119234U (ja) * | 1987-01-27 | 1988-08-02 | ||
JPS63243273A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-11 | Ulvac Corp | ロ−ドロツク式真空処理装置 |
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US5961849A (en) * | 1995-01-25 | 1999-10-05 | Cambridge Consultants Ltd. | Miniature mounting device and method |
WO1996023238A3 (en) * | 1995-01-27 | 1996-09-26 | Cambridge Consultants | Miniature mounting device |
US6100576A (en) * | 1995-04-27 | 2000-08-08 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson | Silicon substrate having a recess for receiving an element |
US6482663B1 (en) | 1995-04-27 | 2002-11-19 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Silicon substrate having a recess for receiving an element, and a method of producing such a recess |
WO1998030926A3 (en) * | 1997-01-07 | 1999-01-14 | Cambridge Consultants | Hybrid chip process |
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