JPH0743542A - 光結合構造とその製造方法 - Google Patents
光結合構造とその製造方法Info
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- JPH0743542A JPH0743542A JP19037093A JP19037093A JPH0743542A JP H0743542 A JPH0743542 A JP H0743542A JP 19037093 A JP19037093 A JP 19037093A JP 19037093 A JP19037093 A JP 19037093A JP H0743542 A JPH0743542 A JP H0743542A
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- waveguide
- optical
- groove
- anisotropic etching
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 煩雑な工程を必要とせずに作製でき、光導波
路と光ファイバの高効率結合を可能にする構造の提供。 【構成】 光導波路と光ファイバの結合構造において光
ファイバに接する導波路端面近傍部分が基板の表面より
上方に、その基板に対して間隙を置いているこのような
構造の採用により従来導波路端面下において出現してい
た（１１１）面による光ファイバとの結合の妨害が生じ
ないようにすることができる。
路と光ファイバの高効率結合を可能にする構造の提供。 【構成】 光導波路と光ファイバの結合構造において光
ファイバに接する導波路端面近傍部分が基板の表面より
上方に、その基板に対して間隙を置いているこのような
構造の採用により従来導波路端面下において出現してい
た（１１１）面による光ファイバとの結合の妨害が生じ
ないようにすることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ファイバと光導波路の
結合構造に関して、特に簡便かつ高精度の位置合わせを
与える結合構造に関する。
結合構造に関して、特に簡便かつ高精度の位置合わせを
与える結合構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に光通信、光交換システムを構成す
る際にその基本構成要素として光変調器、光合分波器、
光スイッチ等がよく用いられる。これらの構成要素は一
般に光導波路デバイスで構成されるから、光導波路と光
ファイバとの結合は必要不可欠である。特に近年、加入
者網の光化に向けて研究が進み、さらに光デバイスを基
板上へ集積する研究がなされるにつれ、光導波路と光フ
ァイバの光結合はますますその重要性を増し、光の低損
失、作製の簡便性、外力、熱に対する安定性等の特性が
望まれている。
る際にその基本構成要素として光変調器、光合分波器、
光スイッチ等がよく用いられる。これらの構成要素は一
般に光導波路デバイスで構成されるから、光導波路と光
ファイバとの結合は必要不可欠である。特に近年、加入
者網の光化に向けて研究が進み、さらに光デバイスを基
板上へ集積する研究がなされるにつれ、光導波路と光フ
ァイバの光結合はますますその重要性を増し、光の低損
失、作製の簡便性、外力、熱に対する安定性等の特性が
望まれている。
【０００３】光導波路と光ファイバの結合に用いられる
従来の一般的な方法は、光学治具を用いて光の結合損失
が最も小さくなるように両者を最適位置に調整し、その
状態に両者を保持し、光学接着剤等で固定する方法であ
った。しかしこの方法には、最適位置調整に時間がか
かる、一括して処理できないので量産性に適さない、
外力等による信頼性の低下、等の欠点があった。これ
らの欠点を改善する方法の一つとして、光ファイバを設
置する結晶基板の面方位（１００）面を異方性エッチン
グにより除去し、面方位（１１１）面からなるＶ字状の
溝を形成し、このＶ溝を案内構造として光ファイバを設
置する方法がある。この方法による光結合構造を図４
（ａ）に示す。この方法の利点は、Ｖ溝を形成するの
に用いるマスクの位置合わせが通常のフォトリソグラフ
ィーの工程で行われるため、位置合わせ精度が良く、
一括処理が可能であるため量産性に適する、異方性エ
ッチングにより光ファイバの設置面を作製するため設置
面の角度が正確でありまた面精度がよく、光ファイバを
このＶ溝上に置くだけで光導波路との位置調整を最適に
とすることができる、等である。
従来の一般的な方法は、光学治具を用いて光の結合損失
が最も小さくなるように両者を最適位置に調整し、その
状態に両者を保持し、光学接着剤等で固定する方法であ
った。しかしこの方法には、最適位置調整に時間がか
かる、一括して処理できないので量産性に適さない、
外力等による信頼性の低下、等の欠点があった。これ
らの欠点を改善する方法の一つとして、光ファイバを設
置する結晶基板の面方位（１００）面を異方性エッチン
グにより除去し、面方位（１１１）面からなるＶ字状の
溝を形成し、このＶ溝を案内構造として光ファイバを設
置する方法がある。この方法による光結合構造を図４
（ａ）に示す。この方法の利点は、Ｖ溝を形成するの
に用いるマスクの位置合わせが通常のフォトリソグラフ
ィーの工程で行われるため、位置合わせ精度が良く、
一括処理が可能であるため量産性に適する、異方性エ
ッチングにより光ファイバの設置面を作製するため設置
面の角度が正確でありまた面精度がよく、光ファイバを
このＶ溝上に置くだけで光導波路との位置調整を最適に
とすることができる、等である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】光ファイバの案内構造
としてＶ溝を用いた従来の光結合構造では上記のように
数多くの利点があるものの、以下に記する欠点も有して
いる。すなわち、図４（ａ）に示す様に異方性エッチン
グによりマスク３によって形成される光ファイバ案内用
の（１１１）面１２の他に光導波路６の端面下部におい
て（１１１）面１１が形成される。この（１１１）面１
１が存在することによって図３（ｂ）に示す様に光ファ
イバ８を光導波路６に近づけることが不可能となり、光
結合におけるの光の損失を招いてしまう。
としてＶ溝を用いた従来の光結合構造では上記のように
数多くの利点があるものの、以下に記する欠点も有して
いる。すなわち、図４（ａ）に示す様に異方性エッチン
グによりマスク３によって形成される光ファイバ案内用
の（１１１）面１２の他に光導波路６の端面下部におい
て（１１１）面１１が形成される。この（１１１）面１
１が存在することによって図３（ｂ）に示す様に光ファ
イバ８を光導波路６に近づけることが不可能となり、光
結合におけるの光の損失を招いてしまう。
【０００５】この（１１１）面１１を除去する方法の１
つとして光導波路端面部分を機械的に加工することによ
って（１１１）面１１を削り取る方法があるが、この方
法では光結合構造の作製工程が煩雑になり、一括処理が
できない。そこで（１１１）面を削り取る従来の方法に
はり量産性に適さないという欠点がある。
つとして光導波路端面部分を機械的に加工することによ
って（１１１）面１１を削り取る方法があるが、この方
法では光結合構造の作製工程が煩雑になり、一括処理が
できない。そこで（１１１）面を削り取る従来の方法に
はり量産性に適さないという欠点がある。
【０００６】本発明の目的はこのような煩雑な工程を必
要とせずに、一括して光導波路近傍の（１１１）面１１
を除去し、光導波路と光ファイバの高効率結合を可能に
することである。
要とせずに、一括して光導波路近傍の（１１１）面１１
を除去し、光導波路と光ファイバの高効率結合を可能に
することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】第１の発明においては、
光導波路が形成された結晶基板の異方性エッチングによ
るＶ溝を用いた光結合装置に関して、光ファイバと接す
る導波路端面近傍部分が基板の表面と接していないこと
を特徴とする。
光導波路が形成された結晶基板の異方性エッチングによ
るＶ溝を用いた光結合装置に関して、光ファイバと接す
る導波路端面近傍部分が基板の表面と接していないこと
を特徴とする。
【０００８】第２の発明は第１の発明による光結合装置
の製造方法に関して、基板上の導波路を設置すべき端面
近傍部分に異方性エッチング液に容易に溶解する材質の
薄膜を装荷しさらにその上に光導波路を形成した後、基
板の異方性エッチングによるＶ溝形成を行う際に上記の
薄膜が除去されることを特徴とする。
の製造方法に関して、基板上の導波路を設置すべき端面
近傍部分に異方性エッチング液に容易に溶解する材質の
薄膜を装荷しさらにその上に光導波路を形成した後、基
板の異方性エッチングによるＶ溝形成を行う際に上記の
薄膜が除去されることを特徴とする。
【０００９】第３の発明は第１の発明による光結合装置
の製造方法に関して、異方性エッチングによるＶ溝形成
の際に該導波路端面近傍の側面も異方性エッチングされ
る構造とすることにより該導波路端面近傍の下部の基板
表面を除去することを特徴とする。
の製造方法に関して、異方性エッチングによるＶ溝形成
の際に該導波路端面近傍の側面も異方性エッチングされ
る構造とすることにより該導波路端面近傍の下部の基板
表面を除去することを特徴とする。
【００１０】
【作用】第１の発明においては、光ファイバと接する導
波路端面近傍部分が基板の表面と接していない構造を持
つことにより、光ファイバと結合させる時にこれを妨げ
る（１１１）面１１が導波路端面近傍部分において出現
しないために、光ファイバと光導波路との結合が容易に
行える。
波路端面近傍部分が基板の表面と接していない構造を持
つことにより、光ファイバと結合させる時にこれを妨げ
る（１１１）面１１が導波路端面近傍部分において出現
しないために、光ファイバと光導波路との結合が容易に
行える。
【００１１】第２の発明は第１の発明の光結合装置の製
造方法であり、導波路端面近傍部分において基板上に異
方性エッチングによって容易に溶解する材質の薄膜を装
荷した後に導波路を形成することにより、異方性エッチ
ングによってＶ溝を形成する際に上記の薄膜は溶解しこ
の薄膜が装荷されていた部分の基板表面も異方性エッチ
ングを受けることになる。この方法により導波路端面近
傍部分の基板表面の除去が１回の異方性エッチングによ
り行うことができるため、一括処理が可能となり、量産
性に適する。
造方法であり、導波路端面近傍部分において基板上に異
方性エッチングによって容易に溶解する材質の薄膜を装
荷した後に導波路を形成することにより、異方性エッチ
ングによってＶ溝を形成する際に上記の薄膜は溶解しこ
の薄膜が装荷されていた部分の基板表面も異方性エッチ
ングを受けることになる。この方法により導波路端面近
傍部分の基板表面の除去が１回の異方性エッチングによ
り行うことができるため、一括処理が可能となり、量産
性に適する。
【００１２】第３の発明もまた第１の発明の光結合装置
の製造方法であり、導波路端面近傍の側面も異方性エッ
チングを行うことにより、導波路端面近傍の側面及び前
面によって設けられるコーナー部分の異方性エッチング
が過度に進行するため導波路端面近傍の下部の基板表面
部分が除去される。即ち異方性エッチングの速度はその
結晶軸により（ｎｎ１）＞（１００）＞（１１１）（ｎ
は２〜４の整数）の関係があるためこの（ｎｎ１）面あ
るいは（１００）面を導波路端面近傍に設けることによ
り導波路端面近傍下部の基板表面部分が除去される。こ
の方法により、導波路端面近傍部分の基板表面の除去が
マスクの構造を変えるだけで従来と同じ工程で行えるた
め、プロセスが煩雑にならず、量産性に適する。
の製造方法であり、導波路端面近傍の側面も異方性エッ
チングを行うことにより、導波路端面近傍の側面及び前
面によって設けられるコーナー部分の異方性エッチング
が過度に進行するため導波路端面近傍の下部の基板表面
部分が除去される。即ち異方性エッチングの速度はその
結晶軸により（ｎｎ１）＞（１００）＞（１１１）（ｎ
は２〜４の整数）の関係があるためこの（ｎｎ１）面あ
るいは（１００）面を導波路端面近傍に設けることによ
り導波路端面近傍下部の基板表面部分が除去される。こ
の方法により、導波路端面近傍部分の基板表面の除去が
マスクの構造を変えるだけで従来と同じ工程で行えるた
め、プロセスが煩雑にならず、量産性に適する。
【００１３】これらの第２、第３の発明によって、第１
の発明に記した構造が得られ、光ファイバと光導波路と
の結合を容易に行うことができる。
の発明に記した構造が得られ、光ファイバと光導波路と
の結合を容易に行うことができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１５】図１は第２の発明による製造方法の実施例
を示す工程図であり、この実施例の製造方法により第１
の発明の光結合構造の一実施例が製造される。
を示す工程図であり、この実施例の製造方法により第１
の発明の光結合構造の一実施例が製造される。
【００１６】図１（ａ）は、導波路端面近傍部分に結晶
の異方性エッチング液に容易に溶解する材質の薄膜２を
装荷する工程を示している。この薄膜２の材料に求めら
れる条件は、基板結晶１の異方性エッチング速度より十
分速いエッチング速度を有することであり、Ｓｉ基板結
晶の異方性エッチング液としてよく用いられるＫＯＨ、
ＫＯＨ＋アルコール等に対してはＺｎＯ等の材料が選ば
れる。また薄膜２の膜厚は後の工程で形成される導波路
に影響を及ぼさない程度に抑える必要がある。具体的に
は、導波路のコア４とクラッド３の膜厚が合計１０〜２
０μｍ以上であるから薄厚０．１〜１．０μｍ程度にす
るのが望ましい。さらに薄膜２の大きさについて述べる
と、導波路軸方向に対しては従来例における（１１１）
面１１が導波路端面より内部に納まる程度の長さが薄膜
２に必要であり、導波路軸と垂直な方向においてＶ溝幅
より広い薄膜２が必要がある。
の異方性エッチング液に容易に溶解する材質の薄膜２を
装荷する工程を示している。この薄膜２の材料に求めら
れる条件は、基板結晶１の異方性エッチング速度より十
分速いエッチング速度を有することであり、Ｓｉ基板結
晶の異方性エッチング液としてよく用いられるＫＯＨ、
ＫＯＨ＋アルコール等に対してはＺｎＯ等の材料が選ば
れる。また薄膜２の膜厚は後の工程で形成される導波路
に影響を及ぼさない程度に抑える必要がある。具体的に
は、導波路のコア４とクラッド３の膜厚が合計１０〜２
０μｍ以上であるから薄厚０．１〜１．０μｍ程度にす
るのが望ましい。さらに薄膜２の大きさについて述べる
と、導波路軸方向に対しては従来例における（１１１）
面１１が導波路端面より内部に納まる程度の長さが薄膜
２に必要であり、導波路軸と垂直な方向においてＶ溝幅
より広い薄膜２が必要がある。
【００１７】図１（ｂ）はＶ溝を形成する際に用いるマ
スク３を形成する工程を示している。マスク３に用いら
れる材料としては、基板結晶１の異方性エッチング液に
対して基板結晶１の（１００）面よりエッチング速度の
遅い材料が選ばれる。主に金属膜や誘電体膜であり、例
えば基板結晶１がＳｉであればＳｉの熱酸化膜等がマス
ク３の材料に用いられる。
スク３を形成する工程を示している。マスク３に用いら
れる材料としては、基板結晶１の異方性エッチング液に
対して基板結晶１の（１００）面よりエッチング速度の
遅い材料が選ばれる。主に金属膜や誘電体膜であり、例
えば基板結晶１がＳｉであればＳｉの熱酸化膜等がマス
ク３の材料に用いられる。
【００１８】図１（ｃ）は光導波路を形成する工程の図
であり、下部クラッド層４を全面に形成した後、下部ク
ラッド層４よりも屈折率の高いコア層６を成膜後パター
ン化することにより形成し、最後に上部クラッド層５を
形成する。
であり、下部クラッド層４を全面に形成した後、下部ク
ラッド層４よりも屈折率の高いコア層６を成膜後パター
ン化することにより形成し、最後に上部クラッド層５を
形成する。
【００１９】図１（ｄ）は光導波路の端面をマスク７を
用いてパターン化により露出させる工程の図である。こ
の工程により光ファイバと結合すべき光導波路端面と、
次の工程で行われるＶ溝形成用のマスク３が露出する。
用いてパターン化により露出させる工程の図である。こ
の工程により光ファイバと結合すべき光導波路端面と、
次の工程で行われるＶ溝形成用のマスク３が露出する。
【００２０】図１（ｅ）は異方性エッチングによりＶ溝
を形成する工程の図である。また図１（ｅ’）はＶ溝用
のマスク３と薄膜２の位置関係を示すための図であり図
１（ｅ）の平面図である。この図（ｅ）のエッチング工
程においては、導波路端面近傍部分に装荷される薄膜２
が先にエッチングされるから、導波路端面近傍下部の基
板も異方性エッチングを受けこのエッチングにより従来
の異方性エッチングによって出現する（１１１）面１１
は、導波路端面よりも内側に出現するため光ファイバと
の結合に何ら障害を与えない。
を形成する工程の図である。また図１（ｅ’）はＶ溝用
のマスク３と薄膜２の位置関係を示すための図であり図
１（ｅ）の平面図である。この図（ｅ）のエッチング工
程においては、導波路端面近傍部分に装荷される薄膜２
が先にエッチングされるから、導波路端面近傍下部の基
板も異方性エッチングを受けこのエッチングにより従来
の異方性エッチングによって出現する（１１１）面１１
は、導波路端面よりも内側に出現するため光ファイバと
の結合に何ら障害を与えない。
【００２１】図２は第３の発明による製造方法の実施例
を示す工程図でありこの製造方法により第一の発明の光
結合構造の別の実施例が製造される。
を示す工程図でありこの製造方法により第一の発明の光
結合構造の別の実施例が製造される。
【００２２】図２（ａ）は図１（ｂ）と同様にＶ溝を形
成する際に用いるマスク３を形成する工程を示してい
る。
成する際に用いるマスク３を形成する工程を示してい
る。
【００２３】図２（ｂ）は図１（ｃ）と同様に光導波路
を形成する工程図である。
を形成する工程図である。
【００２４】図２（ｃ）は光導波路の端面とＶ溝形成用
のマスク３をパターン化により露出させる工程の図であ
る。本実施例においてはこの光導波路の端面のパターニ
ングの際に該導波路端面近傍の側面も異方性エッチング
を受けるようなマスク７が形成される。
のマスク３をパターン化により露出させる工程の図であ
る。本実施例においてはこの光導波路の端面のパターニ
ングの際に該導波路端面近傍の側面も異方性エッチング
を受けるようなマスク７が形成される。
【００２５】図２（ｄ）はＶ溝を形成する工程の図であ
る。
る。
【００２６】次に図２の実施例に用いたマスク７の形状
の例とＶ溝形成用のマスク３の位置関係を図３に示す。
図３（ａ−１）においてはマスク７は導波路端面近傍の
側面において露出した構造であり側面と端面は直角の関
係にある。このマスク７を用いて基板結晶の異方性エッ
チングを行うと、理想的には側面と端面の結晶方位はそ
れぞれ（１１０）、（−１，１，０）であるためエッチ
ング速度の遅い（１１１）面が出現し図３（ａ−２）に
示す様に従来問題となっている（１１１）面１１が残
る。しかし実際は導波路側面と端面のコーナー部分はパ
ターニングの際のなまり等によって正確に直角にはなら
ずエッチング速度の速い（１００）面等が現れるため異
方性エッチングを行うとこのコーナー部分の（１００）
面のエッチングが過度に進行し、図３（ａ−３）に示す
様に導波路端面近傍の下の基板はエッチングにより除去
される。よって従来の異方性エッチングによって出現す
る（１１１）面１１は、導波路端面近傍において出現し
ないため光ファイバとの結合に何ら障害を与えない。
の例とＶ溝形成用のマスク３の位置関係を図３に示す。
図３（ａ−１）においてはマスク７は導波路端面近傍の
側面において露出した構造であり側面と端面は直角の関
係にある。このマスク７を用いて基板結晶の異方性エッ
チングを行うと、理想的には側面と端面の結晶方位はそ
れぞれ（１１０）、（−１，１，０）であるためエッチ
ング速度の遅い（１１１）面が出現し図３（ａ−２）に
示す様に従来問題となっている（１１１）面１１が残
る。しかし実際は導波路側面と端面のコーナー部分はパ
ターニングの際のなまり等によって正確に直角にはなら
ずエッチング速度の速い（１００）面等が現れるため異
方性エッチングを行うとこのコーナー部分の（１００）
面のエッチングが過度に進行し、図３（ａ−３）に示す
様に導波路端面近傍の下の基板はエッチングにより除去
される。よって従来の異方性エッチングによって出現す
る（１１１）面１１は、導波路端面近傍において出現し
ないため光ファイバとの結合に何ら障害を与えない。
【００２７】図３（ｂ）、図３（ｃ）は第３の発明の他
の実施例であり、コーナー部分における過度のエッチン
グの進行を助長させるべくマスク７は形成されている。
の実施例であり、コーナー部分における過度のエッチン
グの進行を助長させるべくマスク７は形成されている。
【００２８】上記の実施例は１対の光導波路と光ファイ
バの結合構造であるが、さらに本発明は複数本の光ファ
イバと光導波路とからなる結合にも適用でき、第１、第
２の実施例に示した結合構造と同様に全ての光導波路と
光ファイバに対して正確な位置合わせが可能であること
は明らかである。
バの結合構造であるが、さらに本発明は複数本の光ファ
イバと光導波路とからなる結合にも適用でき、第１、第
２の実施例に示した結合構造と同様に全ての光導波路と
光ファイバに対して正確な位置合わせが可能であること
は明らかである。
【００２９】この結合装置を構成しうる基板として用い
得るものには一般にＳｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等の結晶基
板があり、Ｓｉ基板の場合光導波路としてＰ、Ｇｅ、
Ｂ、Ｔｉ等をドープした石英系の光導波路が用いられ、
その作製方法にはＣＶＤ法、ＥＢ蒸着法、スパッタリン
グ法、火炎堆積法等がある。ＩｎＰ、ＧａＡｓ基板の場
合はＩｎＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＡｓ等の半導体系の光導
波路がよく用いられる。また異方性エッチング液として
Ｓｉ結晶基板に対しては一般にＫＯＨ、ＫＯＨ＋アルコ
ール、エチレンジアミン＋ピロカテコール、等の溶液が
用いられ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ結晶基板に対してはＨ2 Ｓ
Ｏ4 ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、等の溶液が
用いられる。
得るものには一般にＳｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等の結晶基
板があり、Ｓｉ基板の場合光導波路としてＰ、Ｇｅ、
Ｂ、Ｔｉ等をドープした石英系の光導波路が用いられ、
その作製方法にはＣＶＤ法、ＥＢ蒸着法、スパッタリン
グ法、火炎堆積法等がある。ＩｎＰ、ＧａＡｓ基板の場
合はＩｎＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＡｓ等の半導体系の光導
波路がよく用いられる。また異方性エッチング液として
Ｓｉ結晶基板に対しては一般にＫＯＨ、ＫＯＨ＋アルコ
ール、エチレンジアミン＋ピロカテコール、等の溶液が
用いられ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ結晶基板に対してはＨ2 Ｓ
Ｏ4 ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、等の溶液が
用いられる。
【００３０】さらにマスク材には上記のエッチング液に
対して基板結晶の（１００）面よりエッチング速度の遅
い材料が選ばれ、主に金属膜や誘電体膜、特にＳｉ基板
の場合Ｓｉの熱酸化膜等が用いられる。
対して基板結晶の（１００）面よりエッチング速度の遅
い材料が選ばれ、主に金属膜や誘電体膜、特にＳｉ基板
の場合Ｓｉの熱酸化膜等が用いられる。
【００３１】
【発明の効果】本発明の光結合構造によると煩雑な工程
を必要とせず、一括して光導波路と光ファイバを高い効
率で結合させることができる。
を必要とせず、一括して光導波路と光ファイバを高い効
率で結合させることができる。
【図１】第２の発明の方法により、第１の発明の構造を
作製する実施例を示す工程図である。
作製する実施例を示す工程図である。
【図２】第３の発明の方法により、第１の発明の構造を
作製する実施例を示す工程図である。
作製する実施例を示す工程図である。
【図３】第３の発明の実施例を示す平面図である。
【図４】従来の光結合構造を示す斜視図（ａ）及び側面
図（ｂ）図である。
図（ｂ）図である。
１ 基板 ２ 薄膜 ３ Ｖ溝形成用マスク ４ 下部クラッド層 ５ 上部クラッド層 ６ コア層 ７ 光導波路端面出し用マスク ８ 光ファイバ １１ （１１１）面 １２ 光ファイバガイド用（１１１）面
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｖ溝および光導波路が設けられた結晶基
板と、一つの端部が前記Ｖ溝に収められて前記光導波路
に光結合する位置で前記Ｖ溝に固着されている光ファイ
バとでなり、前記Ｖ溝が異方性エッチングで形成されて
いる光結合構造において、 前記光ファイバに光結合する前記光導波路の端部が前記
Ｖ溝の側縁より上側にあって該Ｖ溝に臨んでいることを
特徴とする光結合構造。 - 【請求項２】 異方性エッチングにより結晶基板にＶ溝
を形成し、またエピタキシャル成長により該結晶基板に
光導波路を設け、光ファイバの一つの端部を前記Ｖ溝に
収めて該Ｖ溝に固着することにより前記光ファイバの端
部と前記光導波路の端部との位置合せをし、前記光ファ
イバと前記光導波路とを光結合させる構造の製造方法に
おいて、 前記光ファイバに光結合する前記光導波路の端部が設け
られるべき位置の前記結晶基板に異方性エッチングにお
いて周辺の材料より溶解し易い材質の薄膜を予め装荷し
ておき、その薄膜の上に前記光導波路の形成をし、この
光導波路の形成の後に前記薄膜が除去される深さまで前
記異方性エッチングを前記結晶基板に施すことにより、
前記Ｖ溝を形成することを特徴とする光結合構造の製造
方法。 - 【請求項３】 異方性エッチングにより結晶基板にＶ溝
を形成し、またエピタキシャル成長により該結晶基板に
光導波路を設け、光ファイバの一つの端部を前記Ｖ溝に
収めて該Ｖ溝に固着することにより前記光ファイバの端
部と前記光導波路の端部との位置合せをし、前記光ファ
イバと前記光導波路とを光結合させる構造の製造方法に
おいて、 前記光ファイバに光結合する前記光導波路の端部が周辺
より前記Ｖ溝側に突出して残る形に前記結晶基板にマス
クを施してから前記異方性エッチングをすることによ
り、前記光導波路の端部において該端部の両脇から該端
部の下側を通って前記Ｖ溝に撃がる切り込みを設けるこ
とを特徴とする光結合構造の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5190370A JP2663841B2 (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 光結合構造の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5190370A JP2663841B2 (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 光結合構造の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0743542A true JPH0743542A (ja) | 1995-02-14 |
| JP2663841B2 JP2663841B2 (ja) | 1997-10-15 |
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ID=16257054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5190370A Expired - Fee Related JP2663841B2 (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 光結合構造の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2663841B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6184543B1 (en) | 1997-04-28 | 2001-02-06 | Nec Corporation | Optical semiconductor device and method for fabricating the same |
| KR100650820B1 (ko) * | 2003-09-26 | 2006-11-27 | 엘에스전선 주식회사 | 평면 광도파로 소자의 제조방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS597913A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-17 | Fujitsu Ltd | 光フアイバ固定装置およびその製造方法 |
| JPH04313710A (ja) * | 1990-03-14 | 1992-11-05 | Fujitsu Ltd | 光導波路部品の製造方法 |
-
1993
- 1993-07-30 JP JP5190370A patent/JP2663841B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6184543B1 (en) | 1997-04-28 | 2001-02-06 | Nec Corporation | Optical semiconductor device and method for fabricating the same |
| US6319746B1 (en) | 1997-04-28 | 2001-11-20 | Nec Corporation | Optical semiconductor device and method for fabricating the same |
| KR100650820B1 (ko) * | 2003-09-26 | 2006-11-27 | 엘에스전선 주식회사 | 평면 광도파로 소자의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2663841B2 (ja) | 1997-10-15 |
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