JP3175688B2 - 光接続装置およびその製造方法 - Google Patents
光接続装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JP3175688B2 JP3175688B2 JP9369898A JP9369898A JP3175688B2 JP 3175688 B2 JP3175688 B2 JP 3175688B2 JP 9369898 A JP9369898 A JP 9369898A JP 9369898 A JP9369898 A JP 9369898A JP 3175688 B2 JP3175688 B2 JP 3175688B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- substrate
- groove
- connection device
- optical fiber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光導波路、あるいは
発光、受光素子などの光素子と光ファイバとの高効率な
光結合に好適な光接続装置とその製造方法に関する。
発光、受光素子などの光素子と光ファイバとの高効率な
光結合に好適な光接続装置とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の光ファイバと光素子との
結合に関しては、例えば光導波路を形成したＳｉ（シリ
コン）基板に異方性化学エッチングを用いてＶ型の溝を
位置決め形成し、これに光ファイバを固定して結合させ
る技術が広く知られている。例えば、図６にその断面図
を示すように、Ｓｉ基板３１上に光導波路３２と、光フ
ァイバ３５を支持するＳｉ表面のＶ溝（以下、ＳｉＶ溝
と称する）３３が形成されている。このＳｉＶ溝３３の
加工には簡便に高精度微細加工が行える異方性化学エッ
チングを利用する。Ｓｉ基板３１の結晶面には｛１０
０｝面を用い、ＳｉＶ溝３３は２つの｛１１１｝面より
構成される。そして、前記ＳｉＶ溝３３に光ファイバ３
５を固定する。これにより、光ファイバ３５はＳｉＶ溝
３３により径方向の位置が決定され、光導波路３２に対
して位置決めされ、光導波路３２と光ファイバ３５との
光結合が実現される。
結合に関しては、例えば光導波路を形成したＳｉ（シリ
コン）基板に異方性化学エッチングを用いてＶ型の溝を
位置決め形成し、これに光ファイバを固定して結合させ
る技術が広く知られている。例えば、図６にその断面図
を示すように、Ｓｉ基板３１上に光導波路３２と、光フ
ァイバ３５を支持するＳｉ表面のＶ溝（以下、ＳｉＶ溝
と称する）３３が形成されている。このＳｉＶ溝３３の
加工には簡便に高精度微細加工が行える異方性化学エッ
チングを利用する。Ｓｉ基板３１の結晶面には｛１０
０｝面を用い、ＳｉＶ溝３３は２つの｛１１１｝面より
構成される。そして、前記ＳｉＶ溝３３に光ファイバ３
５を固定する。これにより、光ファイバ３５はＳｉＶ溝
３３により径方向の位置が決定され、光導波路３２に対
して位置決めされ、光導波路３２と光ファイバ３５との
光結合が実現される。
【０００３】しかしながら、この技術では、ＳｉＶ溝３
３の終端部に端部｛１１１｝結晶面３４（傾き角度θ＝
５４．７°）が形成されるので、この端部｛１１１｝結
晶面３４が障害となって光導波路３２と光ファイバ３５
を近づけることが出来ない。例えば、市販の外径１２５
μｍの光ファイバ３５を用いた場合、光導波路３２と光
ファイバ３５との間隔は約４０μｍにも開いてしまうた
め、光導波路３２と光ファイバ３５との光結合効率は極
端に小さくなってしまう。すなわち、Ｓｉ結晶は単一元
素からなるため、Ｖ溝を構成する｛１１１｝面は１種類
のみである。そのためＶ溝の終端部にも同じく｛１１
１｝面が形成され、これが障害となって光導波路と光フ
ァイバを十分近づけることが出来なくなる。
３の終端部に端部｛１１１｝結晶面３４（傾き角度θ＝
５４．７°）が形成されるので、この端部｛１１１｝結
晶面３４が障害となって光導波路３２と光ファイバ３５
を近づけることが出来ない。例えば、市販の外径１２５
μｍの光ファイバ３５を用いた場合、光導波路３２と光
ファイバ３５との間隔は約４０μｍにも開いてしまうた
め、光導波路３２と光ファイバ３５との光結合効率は極
端に小さくなってしまう。すなわち、Ｓｉ結晶は単一元
素からなるため、Ｖ溝を構成する｛１１１｝面は１種類
のみである。そのためＶ溝の終端部にも同じく｛１１
１｝面が形成され、これが障害となって光導波路と光フ
ァイバを十分近づけることが出来なくなる。
【０００４】このような、光ファイバと光導波路との間
隔を低減するための技術として、例えば、図７にその断
面図を示すように、ＳｉＶ溝３３の終端部にほぼ垂直の
壁を持つ凹型の溝３６を設ける技術が提案されている
（特開平１−１２６６０８号公報）。あるいは、ＩｎＰ
｛１００｝面上に燐酸／塩酸系のエッチング液でＶ溝を
形成する技術も提案されており（特開昭５７−１４３８
９０号公報）、この場合はＩｎＰ基板に形成されたＶ溝
（以下、ＩｎＶ溝と称する）の終端部が基板面に垂直な
｛１１０｝面となる。このため、これらの技術では、光
導波路に対して光ファイバの端部を近接配置でき、光結
合効率を改善する上で有効となる。
隔を低減するための技術として、例えば、図７にその断
面図を示すように、ＳｉＶ溝３３の終端部にほぼ垂直の
壁を持つ凹型の溝３６を設ける技術が提案されている
（特開平１−１２６６０８号公報）。あるいは、ＩｎＰ
｛１００｝面上に燐酸／塩酸系のエッチング液でＶ溝を
形成する技術も提案されており（特開昭５７−１４３８
９０号公報）、この場合はＩｎＰ基板に形成されたＶ溝
（以下、ＩｎＶ溝と称する）の終端部が基板面に垂直な
｛１１０｝面となる。このため、これらの技術では、光
導波路に対して光ファイバの端部を近接配置でき、光結
合効率を改善する上で有効となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この提
案されている技術においても、次のような問題が生じて
いることが明らかにされた。すなわち、図７のＳｉＶ溝
３３の終端部にほぼ垂直の壁を持つ凹型の溝３６を設け
る技術では、前記したように光結合効率の面では有効で
あるが、実際に要求されるような高精度でかつ１００μ
ｍ近い深い溝を加工するには、例えば高性能なドライエ
ッチング装置が必要となる。そこで一般的にはダイシン
グソーを用いて簡易的な溝加工を行うが、μｍオーダー
の精度を得ることは困難である。さらに、ＳｉＶ溝と光
素子とをモノリシック集積するために、光素子の作製に
必要な化合物半導体層をＳｉ基板上に直接エピタキシャ
ル成長した場合、Ｓｉと化合物半導体層との格子定数や
熱膨張係数差が極めて大きいため、良質の結晶が得られ
ないという問題があった。
案されている技術においても、次のような問題が生じて
いることが明らかにされた。すなわち、図７のＳｉＶ溝
３３の終端部にほぼ垂直の壁を持つ凹型の溝３６を設け
る技術では、前記したように光結合効率の面では有効で
あるが、実際に要求されるような高精度でかつ１００μ
ｍ近い深い溝を加工するには、例えば高性能なドライエ
ッチング装置が必要となる。そこで一般的にはダイシン
グソーを用いて簡易的な溝加工を行うが、μｍオーダー
の精度を得ることは困難である。さらに、ＳｉＶ溝と光
素子とをモノリシック集積するために、光素子の作製に
必要な化合物半導体層をＳｉ基板上に直接エピタキシャ
ル成長した場合、Ｓｉと化合物半導体層との格子定数や
熱膨張係数差が極めて大きいため、良質の結晶が得られ
ないという問題があった。
【０００６】一方、後者のＩｎＰＶ溝の場合は、Ｖ溝終
端部が基板面に垂直な｛１１０｝面となるため、Ｓｉ基
板を用いる前記した従来技術の問題は回避できる。しか
しながらＩｎＰ基板は脆く、強度的に不十分である。さ
らに、ＩｎＰＶ溝を構成する２つの｛１１１｝Ａ面と他
の結晶面方位とのエッチング速度比が小さいため（数分
の１程度）、１００μｍ程度の深いＩｎＰＶ溝に対して
十分高い溝幅精度が得られないという大きな問題点があ
り、そのためＩｎＰＶ溝を実用化することは困難であ
る。
端部が基板面に垂直な｛１１０｝面となるため、Ｓｉ基
板を用いる前記した従来技術の問題は回避できる。しか
しながらＩｎＰ基板は脆く、強度的に不十分である。さ
らに、ＩｎＰＶ溝を構成する２つの｛１１１｝Ａ面と他
の結晶面方位とのエッチング速度比が小さいため（数分
の１程度）、１００μｍ程度の深いＩｎＰＶ溝に対して
十分高い溝幅精度が得られないという大きな問題点があ
り、そのためＩｎＰＶ溝を実用化することは困難であ
る。
【０００７】本発明の目的はこのような従来技術の問題
を克服し、光導波路や発光、受光素子などの光素子と光
ファイバとの高効率な光結合に好適な光接続装置とその
製造方法を実現することにある。
を克服し、光導波路や発光、受光素子などの光素子と光
ファイバとの高効率な光結合に好適な光接続装置とその
製造方法を実現することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に形成
したガイド溝上に光ファイバを固定して、前記基板上に
固定または形成した光素子または光集積素子との光結合
を得る光接続装置であり、前記基板の少なくとも前記ガ
イド溝が形成された領域が｛１００｝またはその近傍の
面方位を有するＧａＡｓ層からなり、前記ガイド溝が２
つの｛１１１｝Ｂ面で囲まれたＶ溝であることを特徴と
する。また、前記基板上には前記光素子または光集積素
子を駆動するため、あるいは信号処理を行うための電子
素子または電子集積素子が固定または形成されているこ
とを特徴とする。
したガイド溝上に光ファイバを固定して、前記基板上に
固定または形成した光素子または光集積素子との光結合
を得る光接続装置であり、前記基板の少なくとも前記ガ
イド溝が形成された領域が｛１００｝またはその近傍の
面方位を有するＧａＡｓ層からなり、前記ガイド溝が２
つの｛１１１｝Ｂ面で囲まれたＶ溝であることを特徴と
する。また、前記基板上には前記光素子または光集積素
子を駆動するため、あるいは信号処理を行うための電子
素子または電子集積素子が固定または形成されているこ
とを特徴とする。
【０００９】また本発明は、基板上に光ファイバを固定
するガイド溝を形成し、前記基板上に固定または作製し
た光素子または光集積素子と光結合を得る光接続装置の
製造方法において、前記基板の少なくとも前記ガイド溝
を形成する領域が｛１００｝またはその近傍の面方位を
有するＧａＡｓ層であり、少なくとも１０℃以下のクエ
ン酸水溶液と過酸化水素水を含む混合液からなるエッチ
ング液を用いて前記基板をエッチングし、前記ガイド溝
として２つの｛１１１｝Ｂ面で囲まれたＶ溝を形成する
工程を含んでいる。
するガイド溝を形成し、前記基板上に固定または作製し
た光素子または光集積素子と光結合を得る光接続装置の
製造方法において、前記基板の少なくとも前記ガイド溝
を形成する領域が｛１００｝またはその近傍の面方位を
有するＧａＡｓ層であり、少なくとも１０℃以下のクエ
ン酸水溶液と過酸化水素水を含む混合液からなるエッチ
ング液を用いて前記基板をエッチングし、前記ガイド溝
として２つの｛１１１｝Ｂ面で囲まれたＶ溝を形成する
工程を含んでいる。
【００１０】さらに、本発明においては、前記基板上に
前記光素子または光集積素子をハイブリッド実装するこ
とを特徴とする、あるいは前記基板上にIII −Ｖ族化合
物半導体層をエピタキシャル成長することによって前記
光素子または光集積素子を作製することを特徴とする。
あるいは、前記基板上に形成した一対の絶縁膜ストライ
プをマスクとした選択エピタキシャル成長法で前記III
−Ｖ族化合物半導体層を形成することを特徴とする。さ
らに、第二の基板上に形成した第二のIII −Ｖ族化合物
半導体層を分離転写することで前記基板上にIII −Ｖ族
化合物半導体層を形成し、前記光素子または光集積素子
を作製することを特徴とする。
前記光素子または光集積素子をハイブリッド実装するこ
とを特徴とする、あるいは前記基板上にIII −Ｖ族化合
物半導体層をエピタキシャル成長することによって前記
光素子または光集積素子を作製することを特徴とする。
あるいは、前記基板上に形成した一対の絶縁膜ストライ
プをマスクとした選択エピタキシャル成長法で前記III
−Ｖ族化合物半導体層を形成することを特徴とする。さ
らに、第二の基板上に形成した第二のIII −Ｖ族化合物
半導体層を分離転写することで前記基板上にIII −Ｖ族
化合物半導体層を形成し、前記光素子または光集積素子
を作製することを特徴とする。
【００１１】本発明によれば、III −Ｖ族化合物半導体
結晶を基板として用いており、この基板には｛１１１｝
Ｂおよび｛１１１｝Ａの二種類の｛１１１｝面が存在す
るため、例えば一方の種類の｛１１１｝面で構成される
Ｖ溝を異方性エッチングで形成した場合、９０度方位の
異なるＶ溝の終端部には他方の種類の｛１１１｝面が現
れる。この場合、Ｖ溝終端部の｛１１１｝面ではエッチ
ングが停止せず、垂直な｛１１０｝面が形成されるか、
あるいはアンダーカットしながら深くエッチングが進行
するため、Ｖ溝終端部において光ファイバを近づけるた
めの障害とはならない。
結晶を基板として用いており、この基板には｛１１１｝
Ｂおよび｛１１１｝Ａの二種類の｛１１１｝面が存在す
るため、例えば一方の種類の｛１１１｝面で構成される
Ｖ溝を異方性エッチングで形成した場合、９０度方位の
異なるＶ溝の終端部には他方の種類の｛１１１｝面が現
れる。この場合、Ｖ溝終端部の｛１１１｝面ではエッチ
ングが停止せず、垂直な｛１１０｝面が形成されるか、
あるいはアンダーカットしながら深くエッチングが進行
するため、Ｖ溝終端部において光ファイバを近づけるた
めの障害とはならない。
【００１２】また、ＧａＡｓ基板にＶ溝を形成する際
に、少なくとも１０℃以下のクエン酸水溶液と過酸化水
素水を含む混合液からなるエッチング液を用いることで
｛１１１｝Ｂ面のエッチング速度を他の｛１００｝面や
｛１１１｝Ａ面に対して数十分の１以下にすることがで
きる。したがって、例えば深さ１００μｍ程度のＶ溝で
も溝幅誤差１μｍ程度以下で高精度に形成することが可
能となる。
に、少なくとも１０℃以下のクエン酸水溶液と過酸化水
素水を含む混合液からなるエッチング液を用いることで
｛１１１｝Ｂ面のエッチング速度を他の｛１００｝面や
｛１１１｝Ａ面に対して数十分の１以下にすることがで
きる。したがって、例えば深さ１００μｍ程度のＶ溝で
も溝幅誤差１μｍ程度以下で高精度に形成することが可
能となる。
【００１３】また、Ｖ溝の形成にＧａＡｓ基板を用いて
いるため、同じくＧａＡｓ系の高品質な光素子層をエピ
タキシャル成長法で形成することも可能である。この場
合は光素子と光ファイバとの光軸合せをプロセスレベル
の精密さかつウエハ一括で行うことが出来る。また他の
ＩｎＰ系等、格子定数差の大きい化合物半導体材料から
なる光素子層の場合でも、熱膨張係数差は比較的小さい
ため、適当な緩衝層を挟むことで比較的良質なエピタキ
シャル成長が可能である。さらに、例えば別の化合物半
導体基板上に形成した光素子構造層部分のみをＧａＡｓ
基板上に分離転写して光素子を形成しても良く、直接エ
ピタキシャル成長する場合と同様に光素子と光ファイバ
との光軸合せをプロセスレベルの精密さかつウエハ一括
で行うことが出来る。
いるため、同じくＧａＡｓ系の高品質な光素子層をエピ
タキシャル成長法で形成することも可能である。この場
合は光素子と光ファイバとの光軸合せをプロセスレベル
の精密さかつウエハ一括で行うことが出来る。また他の
ＩｎＰ系等、格子定数差の大きい化合物半導体材料から
なる光素子層の場合でも、熱膨張係数差は比較的小さい
ため、適当な緩衝層を挟むことで比較的良質なエピタキ
シャル成長が可能である。さらに、例えば別の化合物半
導体基板上に形成した光素子構造層部分のみをＧａＡｓ
基板上に分離転写して光素子を形成しても良く、直接エ
ピタキシャル成長する場合と同様に光素子と光ファイバ
との光軸合せをプロセスレベルの精密さかつウエハ一括
で行うことが出来る。
【００１４】さらに、｛１１１｝Ｂ面で構成されたＶ溝
を用いているため、誘電体膜を成長阻止マスクとした選
択エピタキシャル成長法で｛１１１｝Ｂ側壁を有する台
形光導波路をＧａＡｓ基板上に直接形成し、光素子を作
製することも可能である。また、ＧａＡｓ基板上には高
速低消費電力特性に優れたＧａＡｓ系電子素子を光素子
駆動用あるいは信号処理用として形成しておくことも可
能である。光素子およびＶ溝との一体化による小型化
と、また電子素子−光素子間の配線遅延の減少による高
速化が期待できる。
を用いているため、誘電体膜を成長阻止マスクとした選
択エピタキシャル成長法で｛１１１｝Ｂ側壁を有する台
形光導波路をＧａＡｓ基板上に直接形成し、光素子を作
製することも可能である。また、ＧａＡｓ基板上には高
速低消費電力特性に優れたＧａＡｓ系電子素子を光素子
駆動用あるいは信号処理用として形成しておくことも可
能である。光素子およびＶ溝との一体化による小型化
と、また電子素子−光素子間の配線遅延の減少による高
速化が期待できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１及び図２は、本
発明をＧａＡｓ基板の表面に形成されたＶ溝（以下、Ｇ
ａＡｓＶ溝と称する）上に固定された光ファイバと、フ
リップチップボンディングで実装されたレーザー素子と
の光接続に適用した第１の実施の形態における製造方法
を工程順に示す斜視図である。また、図３は完成された
状態の断面図である。先ず、図１（ａ）に示すように、
ＧａＡｓ（１００）基板１上に電極パターン２と目合わ
せパターン３を形成しておく。次に、図１（ｂ）に示す
ように、前記ＧａＡｓ（１００）基板１の表面にＳｉＯ
2 膜４を熱ＣＶＤ法で形成し、さらに図１（ｃ）に示す
ように目合わせパターン３を用いて位置を合わせなが
ら、後工程で光ファイバを固定する領域をホトリソグラ
フィ技術でストライプ状にＳｉＯ2 膜４を除去してＳｉ
Ｏ2 開口パターン５を形成する。
て図面を参照して詳細に説明する。図１及び図２は、本
発明をＧａＡｓ基板の表面に形成されたＶ溝（以下、Ｇ
ａＡｓＶ溝と称する）上に固定された光ファイバと、フ
リップチップボンディングで実装されたレーザー素子と
の光接続に適用した第１の実施の形態における製造方法
を工程順に示す斜視図である。また、図３は完成された
状態の断面図である。先ず、図１（ａ）に示すように、
ＧａＡｓ（１００）基板１上に電極パターン２と目合わ
せパターン３を形成しておく。次に、図１（ｂ）に示す
ように、前記ＧａＡｓ（１００）基板１の表面にＳｉＯ
2 膜４を熱ＣＶＤ法で形成し、さらに図１（ｃ）に示す
ように目合わせパターン３を用いて位置を合わせなが
ら、後工程で光ファイバを固定する領域をホトリソグラ
フィ技術でストライプ状にＳｉＯ2 膜４を除去してＳｉ
Ｏ2 開口パターン５を形成する。
【００１６】次に図２（ａ）に示すように８℃に冷却し
たクエン酸系エッチング液で前記ＧａＡｓ（１００）基
板１が露出した部分のＧａＡｓ層を異方性エッチングし
て２つの｛１１１｝Ｂ面６からなるＧａＡｓＶ溝７を形
成する。前記クエン酸系エッチング液としてはクエン酸
−水和物を同重量の水に溶かしたクエン酸水溶液と３０
％過酸化水素水を３：１で混合した混合液を用いた。最
後に図２（ｂ）に示すようにＳｉＯ2 膜４を除去して電
極パターン２を露出させる。
たクエン酸系エッチング液で前記ＧａＡｓ（１００）基
板１が露出した部分のＧａＡｓ層を異方性エッチングし
て２つの｛１１１｝Ｂ面６からなるＧａＡｓＶ溝７を形
成する。前記クエン酸系エッチング液としてはクエン酸
−水和物を同重量の水に溶かしたクエン酸水溶液と３０
％過酸化水素水を３：１で混合した混合液を用いた。最
後に図２（ｂ）に示すようにＳｉＯ2 膜４を除去して電
極パターン２を露出させる。
【００１７】しかる上で、図３の断面図に示すように、
前記電極パターン２上にレーザ素子８をフリップチップ
実装し、ＧａＡｓＶ溝７上には光ファイバ９を固定す
る。前記ＧａＡｓＶ溝７の終端部には｛１１１｝Ａ面１
０が現れ、これらの｛１１１｝Ａ面１０ではエッチング
が停止せず、アンダーカットしながら深くエッチングが
進行するため、Ｖ溝終端部において光ファイバを近づけ
るための障害とはならない。これによって光ファイバ９
のコア端部を自由にレーザ素子８の端部に近づけること
ができるようになり、高い結合効率が得られる。
前記電極パターン２上にレーザ素子８をフリップチップ
実装し、ＧａＡｓＶ溝７上には光ファイバ９を固定す
る。前記ＧａＡｓＶ溝７の終端部には｛１１１｝Ａ面１
０が現れ、これらの｛１１１｝Ａ面１０ではエッチング
が停止せず、アンダーカットしながら深くエッチングが
進行するため、Ｖ溝終端部において光ファイバを近づけ
るための障害とはならない。これによって光ファイバ９
のコア端部を自由にレーザ素子８の端部に近づけること
ができるようになり、高い結合効率が得られる。
【００１８】図４及び図５は、本発明をＧａＡｓ基板上
に直接選択エピタキシャル成長を用いて作製したレーザ
素子と、ＧａＡｓＶ溝上に固定された光ファイバとの光
接続に適用した第２の実施の形態における製造方法を工
程順に示す斜視図である。先ず、図４（ａ）に示すよう
に、ｎ−ＧａＡｓ（１００）基板２１上にｎ−ＩｎＡｌ
ＧａＡｓバッファ層２２とｎ−ＩｎＰ層２３を有機金属
気相成長法（ＭＯＶＰＥ）でエピタキシャル成長する。
次に、全面にＳｉＯ2 膜を形成後、図４（ｂ）に示すよ
うに、後工程でレーザ素子と光ファイバ固定領域となる
領域を挟んだ両側にホトリソグラフィで一対のＳｉＯ2
ストライプパターン２４を形成する。さらに、図４
（ｃ）に示すようにＳｉＯ2 ストライプパターン２４を
成長阻止マスクとしてレーザ活性層２５をＭＯＶＰＥで
選択的にエピタキシャル成長する。この時、長軸が＜０
１１＞方向となるようにＳｉＯ2 ストライプパターン２
４の方向を定めることで、レーザ活性層２５が｛１１
１｝Ｂ側壁２６を有する台形光導波路となり、かつ後の
プロセスで｛１１１｝Ｂ面で構成されたＧａＡｓＶ溝を
形成することが可能となる。さらに、前記ＳｉＯ2 スト
ライプパターン２４を除去後、図４（ｄ）に示すように
全面にＭＯＶＰＥでｐ−ＩｎＰ埋め込み層２７、ｐ+ −
ＩｎＧａＡｓコンタクト層２８を順次エピタキシャル成
長する。
に直接選択エピタキシャル成長を用いて作製したレーザ
素子と、ＧａＡｓＶ溝上に固定された光ファイバとの光
接続に適用した第２の実施の形態における製造方法を工
程順に示す斜視図である。先ず、図４（ａ）に示すよう
に、ｎ−ＧａＡｓ（１００）基板２１上にｎ−ＩｎＡｌ
ＧａＡｓバッファ層２２とｎ−ＩｎＰ層２３を有機金属
気相成長法（ＭＯＶＰＥ）でエピタキシャル成長する。
次に、全面にＳｉＯ2 膜を形成後、図４（ｂ）に示すよ
うに、後工程でレーザ素子と光ファイバ固定領域となる
領域を挟んだ両側にホトリソグラフィで一対のＳｉＯ2
ストライプパターン２４を形成する。さらに、図４
（ｃ）に示すようにＳｉＯ2 ストライプパターン２４を
成長阻止マスクとしてレーザ活性層２５をＭＯＶＰＥで
選択的にエピタキシャル成長する。この時、長軸が＜０
１１＞方向となるようにＳｉＯ2 ストライプパターン２
４の方向を定めることで、レーザ活性層２５が｛１１
１｝Ｂ側壁２６を有する台形光導波路となり、かつ後の
プロセスで｛１１１｝Ｂ面で構成されたＧａＡｓＶ溝を
形成することが可能となる。さらに、前記ＳｉＯ2 スト
ライプパターン２４を除去後、図４（ｄ）に示すように
全面にＭＯＶＰＥでｐ−ＩｎＰ埋め込み層２７、ｐ+ −
ＩｎＧａＡｓコンタクト層２８を順次エピタキシャル成
長する。
【００１９】次に、図５（ａ）に示すようにパターニン
グで形成したＳｉＯ2 エッチングマスク２９を用いたド
ライエッチングで前記レーザ活性層２５、ｐ−ＩｎＰ埋
め込み層２７、ｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層２８を
エッチングしてストライプ状にメサを形成し、同時にレ
ーザ端面３０も形成する。次に、全面にＳｉＯ2 膜４を
形成後、図５（ｂ）に示すように、光ファイバを固定す
る領域をホトリソグラフィでストライプ状にＳｉＯ2 膜
４を除去してＳｉＯ2 開口パターン５を形成する。さら
に、８℃に冷却したクエン酸系エッチング液でｎ−Ｇａ
Ａｓ（１００）基板２１が露出した部分からＧａＡｓ層
を異方性エッチングして２つの｛１１１｝Ｂ面６からな
るＧａＡｓＶ溝７を形成する。最後に、図５（ｃ）に示
すようにＳｉＯ2 膜４をパターニング後に電極パターン
２を形成する。
グで形成したＳｉＯ2 エッチングマスク２９を用いたド
ライエッチングで前記レーザ活性層２５、ｐ−ＩｎＰ埋
め込み層２７、ｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層２８を
エッチングしてストライプ状にメサを形成し、同時にレ
ーザ端面３０も形成する。次に、全面にＳｉＯ2 膜４を
形成後、図５（ｂ）に示すように、光ファイバを固定す
る領域をホトリソグラフィでストライプ状にＳｉＯ2 膜
４を除去してＳｉＯ2 開口パターン５を形成する。さら
に、８℃に冷却したクエン酸系エッチング液でｎ−Ｇａ
Ａｓ（１００）基板２１が露出した部分からＧａＡｓ層
を異方性エッチングして２つの｛１１１｝Ｂ面６からな
るＧａＡｓＶ溝７を形成する。最後に、図５（ｃ）に示
すようにＳｉＯ2 膜４をパターニング後に電極パターン
２を形成する。
【００２０】しかる上で、ＧａＡｓＶ溝７上には光ファ
イバ９を固定する。この場合、第１の実施形態と同様に
目合わせパターンを用いることでレーザ活性層２５の光
軸とＧａＡｓＶ溝７上に固定する光ファイバの光軸とを
精密に一致させることができる。また、この実施形態の
場合にも、前記ＧａＡｓＶ溝７の終端部には｛１１１｝
Ａ面１０が現れ、これらの｛１１１｝Ａ面１０ではエッ
チングが停止せず、アンダーカットしながら深くエッチ
ングが進行するため、Ｖ溝終端部において光ファイバを
近づけるための障害とはならない。これによって光ファ
イバ９のコア端部を自由にレーザ端面３０に近づけるこ
とができるようになり、高い結合効率が得られる。
イバ９を固定する。この場合、第１の実施形態と同様に
目合わせパターンを用いることでレーザ活性層２５の光
軸とＧａＡｓＶ溝７上に固定する光ファイバの光軸とを
精密に一致させることができる。また、この実施形態の
場合にも、前記ＧａＡｓＶ溝７の終端部には｛１１１｝
Ａ面１０が現れ、これらの｛１１１｝Ａ面１０ではエッ
チングが停止せず、アンダーカットしながら深くエッチ
ングが進行するため、Ｖ溝終端部において光ファイバを
近づけるための障害とはならない。これによって光ファ
イバ９のコア端部を自由にレーザ端面３０に近づけるこ
とができるようになり、高い結合効率が得られる。
【００２１】なお、第２の実施形態では選択エピタキシ
ャル成長法でストライプ状のレーザ活性層を直接形成し
たが、通常の全面成長でレーザ構造を成長後、エッチン
グを行うことでストライプ状に加工することもできる。
また、第２の実施形態ではＧａＡｓ基板上に格子定数の
異なるＩｎＰ系光素子をエピタキシャル成長法で形成し
たため、格子不整合欠陥の導入による結晶品質の劣化を
出来るだけ抑えるためバッファ層を挟む必要があった。
しかしＧａＡｓ基板と格子整合する（Ａｌ）ＧａＡｓ系
の光素子を採用すればこのような問題は回避することが
できる。
ャル成長法でストライプ状のレーザ活性層を直接形成し
たが、通常の全面成長でレーザ構造を成長後、エッチン
グを行うことでストライプ状に加工することもできる。
また、第２の実施形態ではＧａＡｓ基板上に格子定数の
異なるＩｎＰ系光素子をエピタキシャル成長法で形成し
たため、格子不整合欠陥の導入による結晶品質の劣化を
出来るだけ抑えるためバッファ層を挟む必要があった。
しかしＧａＡｓ基板と格子整合する（Ａｌ）ＧａＡｓ系
の光素子を採用すればこのような問題は回避することが
できる。
【００２２】あるいは、別の化合物半導体基板、例えば
ＩｎＰ基板上に形成したＩｎＰ層あるいはＩｎＰ系光素
子構造層部分のみをＧａＡｓ基板上に分離転写した後
に、そのままあるいは（選択）エピタキシャル成長を行
って光素子を形成しても良い。例えば、別の基板上から
の分離転写によってＧａＡｓ基板上に形成したIII −Ｖ
族化合物半導体層上に、さらに一対の絶縁膜ストライプ
をマスクとした選択エピタキシャル成長法で第三のIII
−Ｖ族化合物半導体層を形成した後に前記光素子または
光集積素子を作製してもよい。この場合も直接エピタキ
シャル成長する場合と同様に光素子と光ファイバとの光
軸合せをプロセスレベルの精密さでウエハ一括で行うこ
とが出来る。化合物半導体基板上に形成した光素子構造
層をＧａＡｓ基板上に転写する方法としては例えば結晶
同士を原子レベルで張り合わせる直接接合法などが用い
られる。化合物半導体基板の除去は例えば光素子構造層
との間に選択エッチング層を挿入しておくことで容易に
行える。光素子構造層を光素子に加工後、化合物半導体
基板を除去してＧａＡｓ基板上に転写する方法もある
が、この場合の光軸合せは第１の実施形態で説明したフ
リップチップボンディングによる方法と同様に個別に行
う必要がある。
ＩｎＰ基板上に形成したＩｎＰ層あるいはＩｎＰ系光素
子構造層部分のみをＧａＡｓ基板上に分離転写した後
に、そのままあるいは（選択）エピタキシャル成長を行
って光素子を形成しても良い。例えば、別の基板上から
の分離転写によってＧａＡｓ基板上に形成したIII −Ｖ
族化合物半導体層上に、さらに一対の絶縁膜ストライプ
をマスクとした選択エピタキシャル成長法で第三のIII
−Ｖ族化合物半導体層を形成した後に前記光素子または
光集積素子を作製してもよい。この場合も直接エピタキ
シャル成長する場合と同様に光素子と光ファイバとの光
軸合せをプロセスレベルの精密さでウエハ一括で行うこ
とが出来る。化合物半導体基板上に形成した光素子構造
層をＧａＡｓ基板上に転写する方法としては例えば結晶
同士を原子レベルで張り合わせる直接接合法などが用い
られる。化合物半導体基板の除去は例えば光素子構造層
との間に選択エッチング層を挿入しておくことで容易に
行える。光素子構造層を光素子に加工後、化合物半導体
基板を除去してＧａＡｓ基板上に転写する方法もある
が、この場合の光軸合せは第１の実施形態で説明したフ
リップチップボンディングによる方法と同様に個別に行
う必要がある。
【００２３】以上、第１及び第２の実施形態では単体レ
ーザ素子と光ファイバとを光接続する場合について説明
したが、例えばレーザ素子と光変調器等を集積化した光
集積素子と光ファイバとの光接続でもよい。さらに、ス
ポットサイズ変換機能を光（集積）素子の光出射端に集
積すれば、通常の平坦端面を持つ光ファイバとの光接続
でもより高い結合効率が得られる。または、光ファイバ
として、少なくともコア先端を球状に加工してレンズ作
用を持たせた先球ファイバを用いても、より高い結合効
率を得ることができる。
ーザ素子と光ファイバとを光接続する場合について説明
したが、例えばレーザ素子と光変調器等を集積化した光
集積素子と光ファイバとの光接続でもよい。さらに、ス
ポットサイズ変換機能を光（集積）素子の光出射端に集
積すれば、通常の平坦端面を持つ光ファイバとの光接続
でもより高い結合効率が得られる。または、光ファイバ
として、少なくともコア先端を球状に加工してレンズ作
用を持たせた先球ファイバを用いても、より高い結合効
率を得ることができる。
【００２４】また、光素子としては光導波路も含み、レ
ーザ素子と同様にＧａＡｓ基板上に形成した半導体層を
光導波路に加工することができる。その他、光導波路形
成材料としては誘電体、磁性体等の色々なものを適用す
ることが可能であるが、損失特性および光ファイバとの
整合性に優れているという点で石英系ガラスが最も一般
的に用いられる。石英光導波路の形成方法としては、例
えば石英系ガラス膜の化学気相堆積とフォトリソグラフ
ィおよびドライエッチングによるパターニングを組み合
わせた方法が一般的であるが、石英系液状物質の塗布と
焼結による簡便な方法も選択できる。また損失は大きい
が取り扱いが容易で加工性も良いポリマー系光導波路を
選択することも出来る。
ーザ素子と同様にＧａＡｓ基板上に形成した半導体層を
光導波路に加工することができる。その他、光導波路形
成材料としては誘電体、磁性体等の色々なものを適用す
ることが可能であるが、損失特性および光ファイバとの
整合性に優れているという点で石英系ガラスが最も一般
的に用いられる。石英光導波路の形成方法としては、例
えば石英系ガラス膜の化学気相堆積とフォトリソグラフ
ィおよびドライエッチングによるパターニングを組み合
わせた方法が一般的であるが、石英系液状物質の塗布と
焼結による簡便な方法も選択できる。また損失は大きい
が取り扱いが容易で加工性も良いポリマー系光導波路を
選択することも出来る。
【００２５】また、前記各実施形態ではＧａＡｓ（１０
０）面方位基板上にＶ溝を形成する場合について説明し
たが、光ファイバを精密に固定でき、Ｖ溝の端部が光フ
ァイバを近づけるための障害とならなければ（１００）
面から特定方向に傾斜させた面方位基板を用いても良
い。
０）面方位基板上にＶ溝を形成する場合について説明し
たが、光ファイバを精密に固定でき、Ｖ溝の端部が光フ
ァイバを近づけるための障害とならなければ（１００）
面から特定方向に傾斜させた面方位基板を用いても良
い。
【００２６】また、前記実施形態ではクエン酸系エッチ
ング液によるＧａＡｓＶ溝形成時のマスクとしてＳｉＯ
2 膜を用いたが他の誘電体膜でもよい。またプロセス上
問題が無ければＡｌＧａＡｓ層などを使うことも可能で
ある。クエン酸系エッチング液の組成に関しても本実施
形態では３：１を用いたが、異方性が得られる範囲でこ
の限りではなく、バッファー液としてクエン酸アンモニ
ウム等を加えても構わない。ここで、本発明にかかる前
記クエン酸系エッチング液にはＡｌＧａＡｓのエッチン
グ速度がＧａＡｓに対して極めて遅いという特性もある
ため、ＡｌＧａＡｓ層をＧａＡｓＶ溝形成時のマスクと
して使うことも可能である。なお、前記本発明にかかる
クエン酸系エッチング液が有効なのはＧａＡｓのみであ
り、他の例えばＩｎＰ等の場合は｛１１１｝Ｂ面で構成
されるＶ溝の形成自体が困難である。即ち、ＧａＡｓで
も前記クエン酸系以外のエッチング液を用いた場合、ま
た他の例えばＩｎＰ等では通常｛１１１｝Ａ面が最もエ
ッチング速度が小さくなり、しかも他の結晶面との十分
なエッチング速度比を得ることは困難である。
ング液によるＧａＡｓＶ溝形成時のマスクとしてＳｉＯ
2 膜を用いたが他の誘電体膜でもよい。またプロセス上
問題が無ければＡｌＧａＡｓ層などを使うことも可能で
ある。クエン酸系エッチング液の組成に関しても本実施
形態では３：１を用いたが、異方性が得られる範囲でこ
の限りではなく、バッファー液としてクエン酸アンモニ
ウム等を加えても構わない。ここで、本発明にかかる前
記クエン酸系エッチング液にはＡｌＧａＡｓのエッチン
グ速度がＧａＡｓに対して極めて遅いという特性もある
ため、ＡｌＧａＡｓ層をＧａＡｓＶ溝形成時のマスクと
して使うことも可能である。なお、前記本発明にかかる
クエン酸系エッチング液が有効なのはＧａＡｓのみであ
り、他の例えばＩｎＰ等の場合は｛１１１｝Ｂ面で構成
されるＶ溝の形成自体が困難である。即ち、ＧａＡｓで
も前記クエン酸系以外のエッチング液を用いた場合、ま
た他の例えばＩｎＰ等では通常｛１１１｝Ａ面が最もエ
ッチング速度が小さくなり、しかも他の結晶面との十分
なエッチング速度比を得ることは困難である。
【００２７】さらに、同じＧａＡｓ基板上に光素子駆動
用あるいは信号処理用の電子素子または電子集積素子が
固定または形成されていてもよく、光の入出力機能まで
をモノリシック集積したＯＥＩＣを作製することも可能
である。
用あるいは信号処理用の電子素子または電子集積素子が
固定または形成されていてもよく、光の入出力機能まで
をモノリシック集積したＯＥＩＣを作製することも可能
である。
【００２８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、光ファイ
バを固定するためのガイド溝を形成する領域が｛１０
０｝またはその近傍の面方位を有するＧａＡｓ層であ
り、前記ガイド溝が２つの｛１１１｝Ｂ面で囲まれたＶ
溝であるため、ガイド溝の光素子または光集積素子側の
端部に現れる｛１１１｝Ａ面ではエッチングが停止せ
ず、垂直な｛１１０｝面が形成されるか、あるいはアン
ダーカットしながら深くエッチングが進行するため、Ｖ
溝終端部において光ファイバを近づけるための障害とは
ならず、高い光結合効率の光接続装置を得ることができ
る。
バを固定するためのガイド溝を形成する領域が｛１０
０｝またはその近傍の面方位を有するＧａＡｓ層であ
り、前記ガイド溝が２つの｛１１１｝Ｂ面で囲まれたＶ
溝であるため、ガイド溝の光素子または光集積素子側の
端部に現れる｛１１１｝Ａ面ではエッチングが停止せ
ず、垂直な｛１１０｝面が形成されるか、あるいはアン
ダーカットしながら深くエッチングが進行するため、Ｖ
溝終端部において光ファイバを近づけるための障害とは
ならず、高い光結合効率の光接続装置を得ることができ
る。
【００２９】また、本発明の製造方法によれば、ＧａＡ
ｓ基板にＶ溝を形成する際に、少なくとも１０℃以下の
クエン酸水溶液と過酸化水素水を含む混合液からなるエ
ッチング液を用いることで｛１１１｝Ｂ面のエッチング
速度を他の｛１００｝面や｛１１１｝Ａ面に対して数十
分の１以下にすることができ、機械的な強度が高く、し
かも高精度のＶ溝を形成でき、信頼性の高い光接続装置
の製造が実現できる。
ｓ基板にＶ溝を形成する際に、少なくとも１０℃以下の
クエン酸水溶液と過酸化水素水を含む混合液からなるエ
ッチング液を用いることで｛１１１｝Ｂ面のエッチング
速度を他の｛１００｝面や｛１１１｝Ａ面に対して数十
分の１以下にすることができ、機械的な強度が高く、し
かも高精度のＶ溝を形成でき、信頼性の高い光接続装置
の製造が実現できる。
【図１】本発明の第１の実施形態の光接続装置の製造方
法を工程順に示す斜視図のその１である。
法を工程順に示す斜視図のその１である。
【図２】本発明の第１の実施形態の光接続装置の製造方
法を工程順に示す斜視図のその２である。
法を工程順に示す斜視図のその２である。
【図３】本発明の第１の実施形態の完成された光接続装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態の光接続装置の製造方
法を工程順に示す斜視図のその１である。
法を工程順に示す斜視図のその１である。
【図５】本発明の第２の実施形態の光接続装置の製造方
法を工程順に示す斜視図のその２である。
法を工程順に示す斜視図のその２である。
【図６】従来技術の光接続装置の一例の断面図である。
【図７】従来技術の光接続装置の改善された他の例の断
面図である。
面図である。
１ ＧａＡｓ（１００）基板 ２ 電極パターン ３ 目合わせパターン ４ ＳｉＯ2 膜 ５ ＳｉＯ2 開口パターン ６ ｛１１１｝Ｂ面 ７ ＧａＡｓＶ溝 ８ レーザ素子 ９ 光ファイバ １０ ｛１１１｝Ａ面 ２１ ｎ−ＧａＡｓ（１００）基板 ２２ ｎ−ＩｎＡｌＧａＡｓバッファ層 ２３ ｎ−ＩｎＰ層 ２４ ＳｉＯ2 ストライプパターン ２５ レーザ活性層 ２６ ｛１１１｝Ｂ側壁 ２７ ｐ−ＩｎＰ埋め込み層 ２８ ｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層 ２９ ＳｉＯ2 エッチングマスク ３１ Ｓｉ基板 ３２ 光導波路 ３３ ＳｉＶ溝 ３４ 端部｛１１１｝結晶面 ３５ 光ファイバ ３６ 凹型の溝
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に形成したガイド溝上に光ファイ
バを固定して、前記基板上に固定または形成した光素子
または光集積素子との光結合を得る光接続装置であり、
前記基板の少なくとも前記ガイド溝が形成された領域が
｛１００｝またはその近傍の面方位を有するＧａＡｓ層
からなり、前記ガイド溝が２つの｛１１１｝Ｂ面で囲ま
れたＶ溝であることを特徴とする光接続装置。 - 【請求項２】 前記基板上に前記光素子または光集積素
子の駆動用あるいは信号処理用の電子素子または電子集
積素子が固定または形成されていることを特徴とする請
求項１に記載の光接続装置。 - 【請求項３】 基板上に光ファイバを固定するガイド溝
を形成し、前記基板上に固定または作製した光素子また
は光集積素子と光結合を得る光接続装置の製造方法にお
いて、前記基板の少なくとも前記ガイド溝を形成する領
域が｛１００｝またはその近傍の面方位を有するＧａＡ
ｓ層であり、少なくとも１０℃以下のクエン酸水溶液と
過酸化水素水を含む混合液からなるエッチング液を用い
て前記基板をエッチングし、前記ガイド溝として２つの
｛１１１｝Ｂ面で囲まれたＶ溝を形成する工程を含むこ
とを特徴とする光接続装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記基板上に前記光素子または光集積素
子をハイブリッド実装することを特徴とする請求項３に
記載の光接続装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記基板上にIII −Ｖ族化合物半導体層
をエピタキシャル成長することによって前記光素子また
は光集積素子を作製することを特徴とする請求項３に記
載の光接続装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記基板上に形成した一対の絶縁膜スト
ライプをマスクとして、前記III −Ｖ族化合物半導体層
を選択的にエピタキシャル成長することを特徴とする請
求項５に記載の光接続装置の製造方法。 - 【請求項７】 第二の基板上に形成した第二のIII −Ｖ
族化合物半導体層を分離転写することで前記基板上にII
I −Ｖ族化合物半導体層を形成し、前記光素子または光
集積素子を作製することを特徴とする請求項３に記載の
光接続装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9369898A JP3175688B2 (ja) | 1998-04-06 | 1998-04-06 | 光接続装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9369898A JP3175688B2 (ja) | 1998-04-06 | 1998-04-06 | 光接続装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11295558A JPH11295558A (ja) | 1999-10-29 |
| JP3175688B2 true JP3175688B2 (ja) | 2001-06-11 |
Family
ID=14089632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9369898A Expired - Fee Related JP3175688B2 (ja) | 1998-04-06 | 1998-04-06 | 光接続装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3175688B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000352640A (ja) * | 1999-06-10 | 2000-12-19 | Kyocera Corp | 光部品実装用基板及びそれを用いた光モジュール |
| JP3780769B2 (ja) | 1999-09-28 | 2006-05-31 | 住友電気工業株式会社 | 光通信装置 |
-
1998
- 1998-04-06 JP JP9369898A patent/JP3175688B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11295558A (ja) | 1999-10-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4466696A (en) | Self-aligned coupling of optical fiber to semiconductor laser or LED | |
| US9360623B2 (en) | Bonding of heterogeneous material grown on silicon to a silicon photonic circuit | |
| US6037189A (en) | Integrated waveguide device and method of fabricating the integrated waveguide device | |
| US6888989B1 (en) | Photonic chip mounting in a recess for waveguide alignment and connection | |
| US6252725B1 (en) | Semiconductor micro epi-optical components | |
| EP0402556B1 (en) | A method for improving the flatness of etched mirror facets | |
| US4940672A (en) | Method of making monolithic integrated III-V type laser devices and silicon devices on silicon | |
| JPH1084168A (ja) | 半導体基板上に個別デバイスをハイブリット集積するための方法および光電子デバイス | |
| JP2019519914A (ja) | シリコンフォトニクスにおけるｉｉｉ−ｖチップの作成および集積化 | |
| JP2958084B2 (ja) | メサ型半導体基体の製造方法 | |
| US11393945B2 (en) | Optical semiconductor device and method for manufacturing optical semiconductor device | |
| US5976904A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| JP6704942B2 (ja) | 光半導体素子及び光モジュール | |
| JP3175688B2 (ja) | 光接続装置およびその製造方法 | |
| JP3474917B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2752851B2 (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| US6263140B1 (en) | Optoelectronic module | |
| WO2002075387A2 (en) | A tapered optical waveguide | |
| JP3315185B2 (ja) | 半導体光素子製造用アライメントマーカの製造方法 | |
| JP2982861B2 (ja) | 光結合器及びその製造方法 | |
| JP3112115B2 (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| US6920267B2 (en) | Optical coupling device and manufacturing method thereof | |
| US11018473B1 (en) | Selective-area growth of III-V materials for integration with silicon photonics | |
| EP0871049A1 (en) | Semiconductor device | |
| US20230378716A1 (en) | Optical semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |