JPH05140743A

JPH05140743A - 真空処理装置

Info

Publication number: JPH05140743A
Application number: JP30622591A
Authority: JP
Inventors: Hiroaki Saeki; 弘明佐伯
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1991-11-21
Filing date: 1991-11-21
Publication date: 1993-06-08
Anticipated expiration: 2017-04-22
Also published as: JP3276382B2

Abstract

(57)【要約】【目的】スロー排気およびスローベント等を行うこと
なく、かつ、装置構成等の複雑化を招くことなく、ロー
ドロック室からの真空排気およびロードロック室への気
体導入を行う際に舞い上がった塵埃が被処理物に付着す
ることを防止することができ、スループットの向上と歩
留まりの向上を図ることのできる真空処理装置を提供す
る。【構成】ウエハステージ１３の上方の天井部には、半
導体ウエハ５を収容する小空間を形成する如く円形の凹
部１４が形成されており、この凹部１４の周囲には気密
シール部材、例えばＯリング１５が設けられている。そ
して、ウエハステージ１３を上昇させることにより、凹
部１４内に半導体ウエハ５を収容するとともに、ウエハ
ステージ１３の周縁部をＯリング１５に当接させてこれ
らの間を気密に閉塞するよう構成されている。さらに、
このように気密に閉塞された凹部１４内と、その他のロ
ードロック室３内を連通する如く複数の気体流路１６が
設けられており、これらの気体流路１６には、塵埃除去
用フィルタ１７が介挿されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、真空処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来から、真空処理室内に被処理物を収
容し、減圧雰囲気下で被処理物に所定の処理を施す真空
処理装置、例えばエッチング装置、アッシング装置、イ
オン注入装置、スパッタ装置、減圧ＣＶＤ装置等が知ら
れている。

【０００３】このような真空処理装置では、一旦真空処
理室内を常圧に戻してしまうと、再び真空処理室内を所
定の真空度に設定し、次の処理を開始できる状態にする
までに、非常に長い時間を要する。このため、真空処理
室に較べて容積の少ない予備真空室いわゆるロードロッ
ク室を設け、このロードロック室内だけを常圧に戻すよ
うにして、ロードロック室を介して被処理物、例えば半
導体ウエハを真空処理室内に搬入、搬出するよう構成さ
れたものが多い。

【０００４】図６にこのような従来の真空処理装置の一
例として、エッチング装置の構成を示す。内部を気密に
閉塞可能に構成された真空処理室５０内には、上部に半
導体ウエハ５１を載置可能に構成されたウエハ載置台を
兼ねた下部電極５２が設けられている。この下部電極５
２には、駆動機構５３によって駆動され、半導体ウエハ
５１の周縁部を押圧保持するウエハクランプ機構５４が
設けられている。また、この下部電極５２には、冷却ガ
ス例えばヘリウムガスを循環させて半導体ウエハ５１を
冷却するための冷却機構５５が設けられている。

【０００５】上記下部電極５２の上方には、円板状に形
成された上部電極５６が設けられている。この上部電極
５６の下面には、図示しない多数の細孔が設けられてお
り、処理ガス供給配管５７から供給された所定のエッチ
ングガスを、これらの細孔から、下部電極５２上に載置
された半導体ウエハ５１に向けて供給するよう構成され
ている。この上部電極５６と下部電極５２との間には、
図示しない高周波電源から高周波電圧を印加することが
できるように構成されている。

【０００６】さらに、真空処理室５０には、図示しない
真空排気ポンプに接続された真空排気配管５８が接続さ
れており、内部を所定の真空度に設定することができる
よう構成されている。また、真空処理室５０の側部に
は、半導体ウエハ５１を搬入、搬出するための搬入・搬
出口５９が設けられており、この搬入・搬出口５９に
は、搬入・搬出口５９を気密に閉塞するためのゲートバ
ルブ６０が設けられている。このゲートバルブ６０の
外側には、ロードロック室（予備真空室）６１が設けら
れている。このロードロック室６１には、図示しない真
空排気ポンプに接続された真空排気配管６２および所定
の清浄化ガス例えば窒素ガスを供給するための気体導入
配管６３が接続されており、内部を所定の真空度に設定
したり、解放のために大気圧に戻したりすることができ
るよう構成されている。また、ロードロック室６１内に
は、半導体ウエハ５１を搬送するための搬送アーム６４
が設けられており、ロードロック室６１の側部には、半
導体ウエハ５１を搬入、搬出するための搬入・搬出口６
５が設けられている。この搬入・搬出口６５には、搬入
・搬出口６５を気密に閉塞するためのゲートバルブ６６
が設けられている。ゲートバルブ６６の外側は、大気圧
とされており、ここには例えば図示しないウエハキャリ
ア等が配置されるオートローダ６７等が配置されてい
る。

【０００７】そして、まず、ロードロック室６１を大気
圧に設定しておき、ゲートバルブ６６を開けて搬送アー
ム６４によって半導体ウエハ５１をロードロック室６１
内に搬入し、この後ゲートバルブ６６を閉めてロードロ
ック室６１内を所定の真空度に設定し、しかる後ゲート
バルブ６０を開けて真空処理室５０の下部電極上に半導
体ウエハ５１を載置するよう構成されている。このよう
に半導体ウエハ５１をロードロック室６１を介して搬入
することにより、真空処理室５０内を大気圧に戻すこと
なく、半導体ウエハ５１を搬入することができる。な
お、半導体ウエハ５１を搬出する場合は、上記手順と逆
の手順による。

【０００８】真空処理室５０内では、ウエハクランプ機
構５４で半導体ウエハ５１の周縁部を押圧保持し、冷却
機構５５によって半導体ウエハ５１を冷却しつつ、上部
電極５６の下面からエッチングガスを供給し、このエッ
チングガスを下部電極５２と上部電極５６との間に印加
した高周波電圧等によって活性化して、半導体ウエハ５
１にエッチング処理を施す。なお、この時、真空排気配
管５８により真空排気を実施し、真空処理室５０内部を
所定の真空度に保つ。

【０００９】しかしながら、このような真空処理装置で
は、例えば真空処理室５０内で発生した反応生成物、機
械的な駆動部例えばゲートバルブ６０、６６や被処理物
の搬送機構等から発生した塵埃等のいわゆるパーティク
ルがロードロック室６１内に多数存在する。そして、こ
のパーティクルが、ロードロック室６１内の真空排気を
行う際あるいはロードロック室６１内に窒素ガス等の気
体を導入して常圧に戻し大気解放する際に、急激な気体
の流れによって舞い上がり、半導体ウエハ５１等に付着
するという問題があった。このようにしてロードロック
室６１内に舞い上がる塵埃の数は、例えば 0.5μｍ以上
の塵埃の数で数万乃至数十万個あると推測されており、
この塵埃の付着の問題は、半導体ウエハ５１等を用いた
半導体デバイスの製造工程においては、不良発生の原因
となり、歩留まりの低下を招くため、特に大きな問題と
なっていた。

【００１０】このため、従来の真空処理装置では、ロー
ドロック室６１内の真空排気およびロードロック室６１
内への気体導入をゆっくりと徐々に行ういわゆるスロー
排気、スローベントによって、このようなロードロック
室６１内におけるパーティクルの舞い上がりを抑制する
ことが行われている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の真空処理装置では、スロー排気、スローベント
によって、ロードロック室内における塵埃の舞い上がり
を抑制するため、真空排気および大気解放に時間がかか
り、スループットの低下を招くという問題と、たとえ、
スロー排気、スローベント等を行っても、完全に塵埃の
舞い上がりを防止することが困難なため、塵埃が半導体
ウエハ等に付着して不良が発生し、歩留まりが低下する
という問題があった。

【００１２】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、スロー排気およびスローベント等を行う
ことなく、かつ、装置構成等の複雑化を招くことなく、
ロードロック室からの真空排気およびロードロック室へ
の気体導入を行う際に舞い上がった塵埃が被処理物に付
着することを防止することができ、スループットの向上
と歩留まりの向上を図ることのできる真空処理装置を提
供しようとするものである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】すなわち、請求項１記載
の本発明の真空処理装置は、被処理物に所定の処理を施
す真空処理室と、内部を真空排気可能に構成された予備
真空室とを備え、この予備真空室を介して、前記被処理
物を前記真空処理室内に搬入、搬出するよう構成された
真空処理装置において、前記予備真空室内に、前記被処
理物を収容可能な小空間を設けるとともに、この小空間
とその他の前記予備真空室内とを連通する気体流路であ
って塵埃除去用フィルタを介挿された気体流路を設け、
前記予備真空室からの真空排気および該予備真空室への
気体導入を行う際に、前記被処理物を前記小空間内に一
時的に退避させるよう構成したことを特徴とする。

【００１４】また、請求項２記載の本発明の真空処理装
置は、被処理物に所定の処理を施す真空処理室と、内部
を真空排気するための排気配管を接続された予備真空室
とを備え、この予備真空室を介して、前記被処理物を前
記真空処理室内に搬入、搬出するよう構成された真空処
理装置において、前記予備真空室内に、前記被処理物を
収容可能な小空間を設けるとともに、この小空間と前記
排気配管とを連通する気体流路であって塵埃除去用フィ
ルタを介挿された気体流路を設け、前記予備真空室から
の真空排気および該予備真空室への気体導入を行う際
に、前記被処理物を前記小空間内に一時的に退避させる
よう構成したことを特徴とする。

【００１５】

【作用】上記構成の請求項１記載の本発明の真空処理装
置では、予備真空室すなわちロードロック室の上部等
に、被処理物を収容可能な小空間が設けられており、ま
た、この小空間とその他のロードロック室内とを連通す
る塵埃除去用フィルタを介挿された気体流路が設けられ
ている。

【００１６】また、請求項２記載の本発明の真空処理装
置では、予備真空室すなわちロードロック室の上部等
に、被処理物を収容可能な小空間が設けられており、ま
た、この小空間とロードロック室から排気するための排
気配管とを連通する塵埃除去用フィルタを介挿された気
体流路が設けられている。

【００１７】そして、ロードロック室からの真空排気お
よび大気解放時の気体導入を行う際に、例えば被処理物
を上昇させること等により、上述した小空間内に被処理
物を一時的に退避させる。

【００１８】したがって、スロー排気、スローベント等
を行わなくても、ロードロック室内に舞い上がった塵埃
が被処理物に付着することを防止することができ、スル
ープットの向上と歩留まりの向上を図ることができる。
また、例えば複数系統の排気系や、気体導入系等も必要
ないため、装置構成等の複雑化を招くこともない。

【００１９】

【実施例】以下、本発明を半導体ウエハに真空雰囲気下
で所定の処理を施す真空処理装置に適用した一実施例を
図面を参照して説明する。

【００２０】図１に示すように、真空処理装置１には、
真空処理室２と、ロードロック室３と、オートローダ４
が設けられている。

【００２１】オートローダ４には、半導体ウエハ５を複
数例えば25枚収容可能に構成されたウエハキャリア６が
載置され、このウエハキャリア６を上下動させる複数の
キャリアエレベータ７と、半導体ウエハ５を搬送するた
めの搬送アーム８が設けられている。そして、キャリア
エレベータ７でウエハキャリア６を上下動させることに
よって、ウエハキャリア６内の半導体ウエハ５を順次所
定の高さに設定し、搬送アーム８によってこの所定高さ
に設定された半導体ウエハ５を取り出して、ロードロッ
ク室３内に搬入するよう構成されている。

【００２２】図２に示すように、ロードロック室３は、
材質例えばアルミニウム等から容器状に形成されてお
り、真空処理室２側およびロードロック室３側にそれぞ
れ搬入搬出用の開口９、１０が設けられている。これら
の開口９、１０には、開口９、１０を気密に閉塞可能に
構成されたゲートバルブ１１、１２がそれぞれ設けられ
ている。また、ロードロック室３の内部には、上下動可
能に構成されたウエハステージ１３が設けられており、
オートローダ４の搬送アーム８によって搬入された半導
体ウエハ５は、このウエハステージ１３上に載置される
よう構成されている。

【００２３】また、このウエハステージ１３の上方の天
井部には、半導体ウエハ５を収容する小空間を形成する
如く円形の凹部１４が形成されており、この凹部１４の
周囲には気密シール部材、例えばＯリング１５が設けら
れている。そして、ウエハステージ１３を上昇させるこ
とにより、凹部１４内に半導体ウエハ５を収容するとと
もに、ウエハステージ１３の周縁部をＯリング１５に当
接させてこれらの間を気密に閉塞するよう構成されてい
る。さらに、このように気密に閉塞された凹部１４内
と、その他のロードロック室３内を連通する如く複数の
気体流路１６が設けられており、これらの気体流路１６
には、塵埃除去用フィルタ１７が介挿されている。

【００２４】この塵埃除去用フィルタ１７は、交換可能
な如く、着脱自在にユニット状に構成されており、例え
ば図３に示すように、材質例えばアルミニウム等からな
るフィルタ容器１７ａ内に、例えばガラス繊維を圧縮し
て紙状に形成したフィルタ１７ｂを折り畳んで充填して
構成されている。このフィルタ容器１７ａには、気体流
通用の開口１７ｃ、１７ｄが設けられており、開口１７
ｄ側には気密封止部材としてのＯリング１７ｅおよび取
付け用のねじ穴１７ｆが配設されている。そして、図２
に示すロードロック室３の蓋体１８をねじ１９を緩めて
取り外し、この状態でねじ穴１７ｆを介して図示しない
ねじにより、塵埃除去用フィルタ１７をロードロック室
３に取り付け、取り外しするよう構成されている。

【００２５】また、例えばロードロック室３の底部に
は、図示しない真空ポンプに接続された排気配管２０
と、図示しない気体供給源、例えば窒素ガス供給機構に
接続された気体導入配管２１が接続されている。

【００２６】また、図１に示すように、真空処理室２内
には、搬送アーム２２および図６に示したエッチング装
置と同様に、図示しないウエハ載置台（下部電極）、真
空処理機構が設けられており、ロードロック室３内のウ
エハステージ１３上に載置された半導体ウエハ５を、搬
送アーム２２で真空処理室２内に搬入し、ウエハ載置台
に載置して所定の減圧雰囲気下でこの半導体ウエハ５に
所定のエッチング処理を施すよう構成されている。な
お、この処理は、エッング処理の他、例えばアッシング
処理、イオン注入処理、スパッタ処理、減圧ＣＶＤ処理
等である。

【００２７】なお、真空処理室２には、図示しない搬出
専用のロードロック室３およびオートローダ４が設けら
れており、これらの搬出専用のロードロック室３および
オートローダ４によって、真空処理室２内での処理が終
了した半導体ウエハ５を搬出し、所定のウエハキャリア
６内に収容するよう構成されている。このような半導体
ウエハ５の搬入、搬出は、図６に示したエッチング装置
のように、1 つのロードロック室３およびオートローダ
４によっても実施できるが、この場合、スループットは
低下する。

【００２８】上記構成の本実施例の真空処理装置は、マ
イクロプロセッサ等から構成される図示しない制御装置
によって制御され、次のような動作により半導体ウエハ
５の処理を実施する。

【００２９】すなわち、まず、ロードロック室３内を常
圧とした状態でゲートバルブ１２を開け、搬送アーム８
によってウエハキャリア６内の所定の半導体ウエハ５を
一枚取り出す。なお、この時予めキャリアエレベータ７
によってウエハキャリア６が搬送アーム８の高さに応じ
た所定高さ位置になるよう設定される。

【００３０】次に、搬送アーム８を収縮および回転させ
ることによって、半導体ウエハ５を搬送し、ロードロッ
ク室３内のウエハステージ１３上に載置する。そして、
搬送アーム８を後退させた後、ゲートバルブ１２を閉じ
る。

【００３１】この後、ウエハステージ１３を上昇させ、
図２に示すように半導体ウエハ５を凹部１４内に収容
し、ウエハステージ１３とＯリング１５とを当接させて
半導体ウエハ５を凹部１４内に気密な状態で隔離する。
そして、排気配管２０よってロードロック室３内の排気
を行い、ロードロック室３内を所定の真空度例えば10^-5
〜10^-6Torrに設定する。この時、いわゆるスロー排気は
行わず、急速に排気を行う。このため、ロードロック室
３内の塵埃が舞い上がるが、半導体ウエハ５は凹部１４
内に隔離されているため、この塵埃が半導体ウエハ５に
付着することはなく、かつ、急速に排気を行うため、ス
ロー排気を行う場合に較べて排気時間は大幅に短縮する
ことができる。

【００３２】なお、凹部１４内の排気は、気体流路１６
を介して行われるが、気体流路１６には塵埃除去用フィ
ルタ１７が介挿されているため、ロードロック室３内に
舞い上がった塵埃が凹部１４内に入り込むことはなく、
半導体ウエハ５に付着することはない。一方、この急速
排気に伴って舞い上がった塵埃は真空度の上昇にともな
って、ロードロック室３の底部に落下する。

【００３３】このようにして、ある程度ロードロック室
３内の真空度が上昇し、舞い上がった塵埃が底部に落下
すると、次にウエハステージ１３が所定位置まで下降す
る。そして、ゲートバルブ１１が開となり、搬送アーム
２２によって、予め所定の真空度に設定されている真空
処理室２内に半導体ウエハ５を搬入し、図示しないウエ
ハ載置台上に載置する。

【００３４】しかる後、ゲートバルブ１１を閉じ、真空
処理室２内で半導体ウエハ５に上述したような所定の処
理を施す。

【００３５】そして、真空処理室２内での処理が終了し
た半導体ウエハ５を搬出する際は、上記ロードロック室
３およびオートローダ４と同様に構成された図示しない
搬出用のロードロック室およびオートローダを介して、
真空処理室２内の半導体ウエハ５を搬出する。

【００３６】この場合も、搬出用のロードロック室内に
取り出した半導体ウエハ５を、図２に示すように凹部１
４内に気密な状態で隔離し、この状態で気体導入配管２
１から、搬出用のロードロック室内に所定の清浄化され
た気体、例えば窒素ガスを導入し、搬出用のロードロッ
ク室内を常圧に戻す。この時もいわゆるスローベントは
行わない。このため、搬出用のロードロック室内の塵埃
が舞い上がるが、半導体ウエハ５は凹部１４内に隔離さ
れており、気体流路１６を介して凹部１４内に流入する
気体中の塵埃は塵埃除去用フィルタ１７によって除去さ
れるため、この塵埃が半導体ウエハ５に付着することは
ない。また、ベントに要する時間はスローベントを行う
場合に較べて大幅に短縮することができる。

【００３７】このように、本実施例では、ロードロック
室３の排気および気体導入時に、半導体ウエハ４をロー
ドロック室３の上部に設けた凹部１４内に隔離し、この
状態で排気および気体導入を行うので、気体の流れによ
ってロードロック室３内に舞い上がった塵埃が半導体ウ
エハ５に付着することを防止することができる。このた
め、塵埃の付着による不良発生を防止することができ、
歩留まりの向上を図ることができる。また、排気および
気体導入を急速に行うことができるので、これらに要す
る時間を短縮することができ、従来に較べてスループッ
トの向上を図ることができる。

【００３８】また、凹部１４内とその他のロードロック
室３とを、塵埃除去用フィルタ１７が介挿された気体流
路１６によって連通し、この気体流路１６を介して凹部
１４内の排気および気体導入を行うので、例えば凹部１
４内の排気および気体導入を行うための別系統の排気系
および気体導入系等を設ける必要がなく、装置構成が複
雑化することもない。

【００３９】さらに、半導体ウエハ５を隔離するための
小空間がロードロック室３の上部に設けられているの
で、僅かに上昇させるだけで半導体ウエハ５を隔離する
ことができ、迅速に隔離することができるとともに、機
械的な動きを最小限とし塵埃の発生を抑制することがで
きる。

【００４０】なお、上記実施例では、塵埃除去用フィル
タ１７をロードロック室３内に収容した実施例について
説明したが、図４に示すように、塵埃除去用フィルタ３
０をロードロック室３の外部に設け、この塵埃除去用フ
ィルタ３０を介して凹部１４内と他のロードロック室３
とを連通するよう構成してもよい。

【００４１】また、図５に示すように、凹部１４に接続
された配管４０を導出し、この配管４０に塵埃除去用フ
ィルタ４１を介挿して、真空ポンプ４２に接続された排
気配管２０に接続するようにしてもよい。なお、同図に
おいて４３は排気配管２０に介挿された弁を示してい
る。このようにすれば、塵埃除去用フィルタ４１を所望
部位に配置することができ、その交換等のメンテナンス
を容易に行うことができる。

【００４２】なお、上記実施例では、真空処理室２およ
びオートローダー４に、それぞれ半導体ウエハ５を搬送
するための搬送アーム８、２２を設けた例について説明
したが、ロードロック室３内に半導体ウエハ５を搬送す
るための搬送アームを設けた場合でも、このロードロッ
ク室３内の搬送アームを上下動させることにより、本発
明は同様にして適用することができる。また、被処理物
は、半導体ウエハに限らず、例えば液晶表示器用のガラ
ス基板等に処理を施す装置等に対しても同様に適用する
ことができる。また、半導体ウエハ５を隔離するための
小空間を形成する機構は、上述した凹部１４およびＯリ
ング１５等に限らず適宜変更することができる。

【００４３】本発明の真空処理装置は、真空処理物を収
容し、減圧雰囲気下で被処理物に所定の処理を施す真空
処理装置、例えばエッチング装置、アッシング装置、イ
オン注入装置、スパッタ装置、減圧ＣＶＤ装置等に利用
することができる。

【００４４】

【発明の効果】以上説明したように本発明の真空処理装
置によれば、ロードロック室からの真空排気およびロー
ドロック室への気体導入を行う際に舞い上がった塵埃が
被処理物に付着することを防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の真空処理装置の構成を示す
図。

【図２】図１の真空処理装置のロードロック室の構成を
示す図。

【図３】図２のロードロック室の塵埃除去用フィルタの
構成を示す図。

【図４】本発明の他の実施例の真空処理装置のロードロ
ック室の構成を示す図。

【図５】本発明の他の実施例の真空処理装置のロードロ
ック室の構成を示す図。

【図６】従来のエッチング装置の構成を示す図。

【符号の説明】

１真空処理装置２真空処理室３ロードロック室４オートローダ５半導体ウエハ６ウエハキャリア７キャリアエレベータ８搬送アーム９，１０開口１１，１２ゲートバルブ１３ウエハステージ１４凹部１５Ｏリング１６気体流路１７塵埃除去用フィルタ１８蓋体１９ねじ２０排気配管２１気体導入配管２２搬送アーム

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｃ２３Ｃ 16/50 7325−4ＫＣ２３Ｆ 4/00 Ａ 7179−4ＫＣ３０Ｂ 25/02 Ｚ 9040−4ＧＨ０１Ｌ 21/205 7454−4Ｍ 21/265 21/027 21/302 Ｃ 7353−4Ｍ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理物に所定の処理を施す真空処理室
と、内部を真空排気可能に構成された予備真空室とを備
え、この予備真空室を介して、前記被処理物を前記真空
処理室内に搬入、搬出するよう構成された真空処理装置
において、前記予備真空室内に、前記被処理物を収容可能な小空間
を設けるとともに、この小空間とその他の前記予備真空
室内とを連通する気体流路であって塵埃除去用フィルタ
を介挿された気体流路を設け、前記予備真空室からの真
空排気および該予備真空室への気体導入を行う際に、前
記被処理物を前記小空間内に一時的に退避させるよう構
成したことを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】被処理物に所定の処理を施す真空処理室
と、内部を真空排気するための排気配管を接続された予
備真空室とを備え、この予備真空室を介して、前記被処
理物を前記真空処理室内に搬入、搬出するよう構成され
た真空処理装置において、前記予備真空室内に、前記被処理物を収容可能な小空間
を設けるとともに、この小空間と前記排気配管とを連通
する気体流路であって塵埃除去用フィルタを介挿された
気体流路を設け、前記予備真空室からの真空排気および
該予備真空室への気体導入を行う際に、前記被処理物を
前記小空間内に一時的に退避させるよう構成したことを
特徴とする真空処理装置。
【請求項３】前記小空間は、前記予備真空室内の上部
に設けられていることを特徴とする請求項１〜２記載の
真空処理装置。